JP2003139818A - 半導体集積回路及び半導体集積回路のテスト方法 - Google Patents

半導体集積回路及び半導体集積回路のテスト方法

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JP2003139818A
JP2003139818A JP2001332466A JP2001332466A JP2003139818A JP 2003139818 A JP2003139818 A JP 2003139818A JP 2001332466 A JP2001332466 A JP 2001332466A JP 2001332466 A JP2001332466 A JP 2001332466A JP 2003139818 A JP2003139818 A JP 2003139818A
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test
circuit
memory
semiconductor integrated
integrated circuit
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Koichi Suga
宏一 菅
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体集積回路にテスト専用のメモリを別途
用意しなくても、比較的動作速度の遅いテスタを用いて
テスト可能にする。 【解決手段】 半導体集積回路(1)は、半導体集積回
路が持つ所定の機能を用いる実動作と前記所定の機能が
達成されているかを検証するためのテスト動作とを行
う。半導体集積回路は、前記実動作で動作可能な複数の
実動作回路ブロックとして論理回路(2L,3L)及び
メモリ(2M,3M)を有する。テストモードにおいて
テスト対象に指定されずに未使用となるオンチップメモ
リに着目し、テスト制御回路(5)は、未使用のメモリ
に予めテスタからテスト入力系列及びテスト期待値系列
から成るテストパターンを格納し、格納されたテストパ
タンを利用して、半導体集積回路内部で独自にテストを
行うオンチップテスト機能を実現する。ローエンドの比
較的低速なテスタにて実動作周波数テストを行うことが
可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路及
びそのテスト方法に関し、例えば大規模集積回路(以
下、LSIという)の機能テストに適用して有効な技術
に関する。
【0002】
【従来の技術】近年の電子機器の小型化、高性能化に伴
い、LSIは複数のメモリとロジックを複合した、いわ
ゆるシステムLSIとして発展している。動作速度も非
常に高速となり、近年では動作速度が1GHzを超える
ものが登場している。
【0003】従来、上記のようなLSIの機能テストを
行う場合は、テスターを用いて、LSI上に形成された
論理回路に対して外部から適当な入力系列を入力し、そ
の入力系列に基づく論理回路の出力系列を取り込み、こ
れが所定の期待系列と一致するかを比較する事により、
論理回路の故障を検出していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】LSIの性能を追求す
る為、使用する製造プロセスの実力ぎりぎりの線で設計
するような場合、量産ラインで製造されるLSIの中に
は製造工程のバラツキに起因した不良が発生する場合が
あり、このような不良を検出する為にはアット・スピー
ド・テスト(実動作周波数テスト)が有力な手法となっ
ている。
【0005】ところが、現在広く用いられているローエ
ンドテスターの動作周波数は80MHz程度と低く、1
00MHz以上で動作する半導体集積回路においては、
実動作周波数でのテストができないという問題が生じ
る。近年では300MHz以上の高速動作が可能なハイ
エンドテスターが登場しているが、高価でありでLSI
のコストアップにつながる可能性がある。また、ハイエ
ンドのテスターを用いても、テスタとLSIの信号の授
受にはピン(外部端子)が介在する為、ピン間の寄生容
量により使用可能な動作周波数に制約を生じる。
【0006】このような問題を回避する為には、LSI
内部にテスト回路を設ければ良く、特開平4−1841
78号公報や特開平5−87890号公報にはLSI内
部にテスト専用のメモリと比較回路を設け、LSI内部
でテストを行う技術が紹介されている。
【0007】しかしながら、これらの手法はテスト専用
のメモリを別途用意する必要が有る為、回路規模の増加
を招くという欠点があった。
【0008】そこで本発明者は、テスト専用メモリに代
えて、半導体集積回路の本来の機能実現のためにオンチ
ップされるメモリをテストに用いることについて検討し
た。そして、本発明者は、テストパターンの供給やテス
ト結果の取得についても大きな負担なく比較的低速のテ
スタを用いることができるようにするという点で新たな
検討の必要性を見出した。
【0009】本発明の目的は、半導体集積回路にテスト
専用のメモリを別途用意しなくても、比較的動作速度の
遅いテスタを用いてテスト可能な半導体集積回路を提供
することにある。
【0010】本発明の別の目的は、半導体集積回路にテ
スト専用のメモリを別途用意しなくても、比較的動作速
度の遅いテスタを用いて半導体集積回路を実動作速度で
機能検証することができる半導体集積回路のテスト方法
を提供することにある。
【0011】本発明の更に別の目的は、テストパターン
の供給やテスト結果の取得について大きな負担なく比較
的低速のテスタを用いてテスト可能な半導体集積回路、
そしてその半導体集積回路のテスト方法を提供すること
にある。
【0012】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるで
あろう。
【0013】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【0014】〔1〕本発明に係る半導体集積回路は、半
導体集積回路が持つ所定の機能を用いる実動作と前記所
定の機能が達成されているかを検証するためのテスト動
作とを行うことが可能である。この半導体集積回路は、
前記実動作で動作可能な複数の実動作回路ブロックとし
て論理回路及びメモリを有し、前記テスト動作におい
て、指定された前記メモリを用い、指定されたその他の
前記実動作回路ブロックをテスト対象として制御するテ
スト制御回路を有する。前記テスト制御回路は、外部か
ら与えられたテスト入力系列及びテスト期待値系列を有
するテストパターンを、指定されたメモリに格納し、メ
モリに格納されたテスト入力系列を前記指定されたメモ
リからテスト対象の実動作回路ブロックに供給し、当該
実動作回路ブロックから出力されるテスト出力結果を、
前記指定されたメモリから読み出されたテスト期待値系
列と比較し、比較結果を外部に出力する。
【0015】上記した手段によれば、テスト動作におい
てテスト対象に指定されずに未使用となるオンチップメ
モリに着目し、未使用のメモリに予めテスタからテスト
入力系列及びテスト期待値系列から成るテストパターン
を格納し、格納されたテストパターンを利用して、半導
体集積回路内部で独自にテストを行うオンチップテスト
機能が実現される。テストパターンをメモリに格納する
動作速度は低速で済み、テスタは、内部で比較されたテ
スト結果を取得すればよく、実動作周波数による高速動
作に同期して動作結果を受取って比較動作を行うことを
要しない。したがって、ローエンドの比較的低速なテス
タにて実動作周波数テストを行うことが可能になる。
【0016】前記テスト制御回路は、比較不一致を得た
とき、その結果を保持して出力する保持回路を有するこ
とが望ましい。比較不一致結果が高速パルス変化で出力
されるようなことはないから、テスタはテスト結果を任
意のタイミングで参照することができ、この点において
もローエンドのテスタで対処することができる。
【0017】前記テスト制御回路は、外部から与えられ
たテストパターンを圧縮して前記メモリに供給可能にす
る圧縮回路と、前記メモリから読み出されたテストパタ
ンを伸張する伸張回路とを有してもよい。オンチップメ
モリに格納可能なテストパタンの実質的なデータ量を増
やすことができ、それによって、テストパターンの書き
込み回数が減るので、テスト効率を向上させることがで
きる。
【0018】〔2〕前記テストパターンには、データ、
アドレス信号及び制御信号などの情報パターンを含み、
予めメモリに格納されるときの並列ビット数などの情報
フォーマットはメモリのデータ入出力ビット数などに依
存され、実際にテスト動作で実動作回路ブロックに与え
られるときのフォーマットとは必ずしも一致しない。こ
こでは、そのような情報フォーマットの相異を吸収する
ことを考慮する。即ち、半導体集積回路が前記実動作に
おいて前記実動作回路ブロックと半導体集積回路の外部
との間でデータ、アドレス信号入力及び制御信号を伝達
するシステムインタフェースバスを有するとき、前記テ
スト動作との関係では、例えば、当該テスト動作におい
て前記テスト制御回路と前記メモリとの間で前記テスト
パターン、メモリアクセスアドレス信号、及びメモリア
クセス制御信号を伝達するテストパターンバスと、前記
テスト動作において前記テスト制御回路と前記メモリ及
び論理回路との間で前記テスト入力系列又はテスト結果
出力系列を伝達可能なテスト入出力バスとを別々に設け
るのがよい。テストパターンバスのバス幅等はメモリの
並列データ入出力構成を考慮して決めればよく、テスト
入出力バスのバス幅等は実動作回路ブロックの実際の情
報入出力動作態様を考慮して決めればよい。
【0019】このとき、前記テスト制御回路は、外部か
ら与えられたテスト入力系列及びテスト期待値系列の情
報配列を前記テストパターンバスにおけるテストパター
ン伝達用のデータバス幅に合わせて変更する第1データ
幅変換回路を有するとよい。
【0020】同様に、前記テスト制御回路は、前記メモ
リから前記テストパターンバスに読み出された前記テス
トパターンのテスト入力系列及びテスト期待値系列の情
報配列を前記テスト入出力バスのデータバス幅に合わせ
て変更する第2データ幅変換回路を備えるとよい。
【0021】テストパターンの格納に流用するメモリの
記憶容量が小さい場合に対処するには、前記論理回路が
直列的に接続された複数の論理段を有するとき、前記複
数の論理段の中から選択された任意の論理段に前記テス
ト入出力バスを接続可能にするスイッチ回路を設けると
よい。1回のテスト動作でテストパターンが通過する論
理段の論理規模を小さくすることが可能になるから、テ
スト単位でメモリに格納するテストパターンのデータ量
が少なくて済む。その分、必要なテスト結果を得るまで
に必要なテスト動作回数は増えるが、テストパターンを
記憶するメモリの記憶容量は小さくて済む。
【0022】具体的な態様として、半導体集積回路は、
前記実動作回路ブロックの一種である前記論理回路とし
て、記録媒体から読取られた記録情報の再生に用いられ
る誤り訂正回路及びホストインタフェース回路を有す
る、CD−ROMやDVD―RAMなどに対する再生制
御又は記録・再生制御の為の半導体集積回路として実現
可能である。別の態様として、半導体集積回路は、CP
Uを論理回路としキャッシュメモリをメモリとするマル
チプロセッサを構成するプロセッサモジュールを複数個
有するマイクロコンピュータとして実現可能である。
【0023】〔3〕本発明に係るテスト方法は、半導体
集積回路が持つ所定の機能を用いる実動作で利用される
複数の実動作回路ブロックとして論理回路及びメモリを
備えた半導体集積回路をテスト装置に接続し、任意の実
動作回路ブロックを指定してテストを行う方法である。
前記半導体集積回路はテスト制御回路を有する。前記テ
スト方法は、前記テスト装置から前記半導体集積回路に
テストパターンを供給する処理と、供給されたテストパ
ターンを前記テスト制御回路が所定のメモリに格納する
処理と、前記テスト制御回路が前記テストパターンを前
記所定のメモリから取り込む処理と、前記テスト制御回
路が前記取り込まれた前記テストパターンの入力系列を
所定の実動作回路ブロックに供給して動作させる処理
と、前記テスト制御回路が前記取り込まれた前記テスト
パターンの期待値系列を前記所定の実動作回路ブロック
の動作により得られる結果出力データと比較し、比較結
果をテスト装置に出力する処理と、を含む。
【0024】このテスト方法において、前記出力する処
理では、比較不一致を得たとき、その結果をラッチして
出力するとよい。比較的動作速度の遅いテスタがテスト
結果を受領し易くなる。前記半導体集積回路の前記実動
作における前記実動作回路ブロックの動作速度よりも遅
いテスト装置を用いることができる。前記テスト装置が
前記所定のメモリと前記所定の実動作回路ブロックを指
定する処理を更に含んでよい。
【0025】
【発明の実施の形態】図1には本発明に係る半導体集積
回路の一例が示される。同図に示される半導体集積回路
1は、特に制限されないが、公知のCMOS集積回路製
造技術により単結晶シリコンのような1個の半導体基板
(半導体チップ)に形成される。この半導体集積回路1
は、半導体集積回路1が持つ所定の機能を用いる実動作
と前記所定の機能が達成されているかを検証するための
テスト動作とを行うことが可能である。
【0026】前記実動作で動作可能な複数の実動作回路
ブロックとして、例えば論理回路2L,3L及びメモリ
2M,3Mを備える。論理回路2Lとメモリ2Mは例え
ばディジタル信号処理等の所定の機能を達成する処理モ
ジュール2を成し、論理回路3Lとメモリ3Mは例えば
インタフェース処理などの所定に機能を達成する処理モ
ジュール3を成す。前記処理モジュール2,3はシステ
ムインタフェースバスNBに接続され、システムインタ
フェース回路4を介して外部端子Tsyに接続可能にさ
れる。また、前記処理モジュール2,3はシステムイン
タフェースバスNBによる他に、夫々に専用適に割当て
られた入出力ポート又は入出力端子I/O1,I/O2
を介して外部とインタフェース可能にされる。システム
インタフェースバスNBは、データ、アドレス信号、制
御信号を伝達する。
【0027】半導体集積回路1は、テストの為に、テス
ト制御回路(TPGC)5、テストインタフェース回路
6、及びテスト制御レジスタ7を有する。処理モジュー
ル2,3をテストするとき、実動作では外部に出力され
ない内部信号を外部に出力可能にするためのテスト入出
力バスTIOB、メモリ2M,3Mにテストパターンを
格納したりするときに用いるテストパターンバスTP
B、テスト動作における制御信号を伝達するテスト制御
バスTCBが設けられる。前記テストパターンバスTP
Bはテスト動作においてテスト制御回路5と前記メモリ
2M,3Mとの間で前記テストパターン、メモリアクセ
スアドレス信号、及びメモリアクセス制御信号を伝達す
る。テスト入出力バスTIOBは、前記テストモードに
おいて前記テストパターンアクセス比較回路5から前記
メモリ2M,3M及び論理回路2L,3Lへの前記テス
ト入力系列の供給と前記メモリ2M,3M及び論理回路
2L,3Lによるテスト結果出力系列の伝達を可能とす
る。テスト入出力バスTIOBはテストインタフェース
回路6を介して複数ビットの外部端子Tts1に接続可
能にされる。
【0028】前記テスト制御レジスタ7は、特に制限さ
れないが、半導体集積回路の図示を省略する特定の外部
端子等の設定等によりテストモードが設定されたとき、
システムインタフェース回路4を介して外部より制御デ
ータの設定が可能にされる。前記テスト制御レジスタ7
に設定された制御データがテスト制御バスTCBを介し
て伝達されることにより、メモリ2M,3M、論理回路
2L,3L、テストパターンアクセス比較回路5の間
の、前記バスTIOB,TPBによるバス接続を自由に
設定することができる。更に、前記テスト制御レジスタ
7に設定された制御情報はその他のテスト制御情報TC
Iとしてテスト制御回路5に伝達され、それによるテス
ト動作が指示される。
【0029】前記テスト制御回路5は、アクセス制御信
号が入力されるテスト端子Tts1、テスト期待値系列
が供給されるテスト端子Tts3、テスト入力系列が供
給されるテスト端子Tts4、故障検出信号が出力され
るテスト端子Tts5、メモリ制御回路11、スイッチ
回路SWTP、及び比較回路12を有する。半導体集積
回路テスト装置としてのテスタ10からテストパターン
を入力するとき、前記スイッチ回路SWTPは選択端子
a側に設定され、アクセス制御信号に含まれるメモリア
クセスアドレス信号及びメモリアクセス制御信号と、テ
スト入力系列及びテスト期待値系から成るテストパター
ンとが、テストパターンバスTPBに供給される。この
とき、制御レジスタ7の設定により、例えば、モジュー
ルテストの対象が処理モジュール2であり、メモリ3M
はテスト対象外であることが指定されているなら、その
アクセス制御信号にしたがってテストパターンがテスト
パターンバスTPBを経由してメモリM3に格納され
る。モジュールテスト動作を行うときは、前記スイッチ
回路SWTPが選択端子b側に設定され、テストパター
ンを格納したメモリM3からテストパターンバスTPB
に読み出されたテストパターンはテスト入出力バスTI
OBの入力経路を介してモジュールテスト対象の処理モ
ジュール2に供給される。処理モジュール2はテストパ
ターンにしたがって動作され、それによる動作結果はテ
スト入出力バスTIOBの出力経路を介して比較回路1
2に供給される。比較回路12は前記メモリ3Mから読
み出された期待値系列を処理モジュール2からの動作結
果と比較し、比較結果を故障検出信号としてテスタ10
に供給する。
【0030】ここで、半導体集積回路1の動作態様を説
明する。半導体集積回路1は、半導体集積回路1に意図
されたところの所定の機能を用いる実動作(通常動作)
と前記所定の機能が達成されているかを検証するための
テスト動作を行うことが可能である。
【0031】通常の動作では、処理モジュール2,3は
前記システムインタフェースバスNBに接続される。例
えば、図1において、端子Tsyより入力された信号が
システムインタフェースバスNBを介してメモリ2Mに
供給され、メモリ2Mに格納されたデータに対して論理
回路2Lとメモリ2Mを用いて信号処理を行い、信号処
理結果をシステムインタフェースバスNBを介してメモ
リ2Mからメモリ3Mに移動し、その後、処理モジュー
ル3で別の信号処理を行い、その信号処理結果を端子T
syより外部に出力する、といった、一連の信号処理を
行う。
【0032】半導体集積回路のテスト動作は、処理モジ
ュール2,3に通常動作と同じ動作をさせて全体的なテ
ストを行う通常動作テストと、処理モジュール毎に動作
させてその動作結果を評価するモジュールテストに大別
される。
【0033】図2には通常動作テストの処理フローチャ
ートが例示される。通常動作テスト時は、通常動作と同
様に各処理モジュール2,3はシステムインタフェース
バスNBに接続されている(S1)。テスタ10より端
子Tsyを介してテスト入力系列を入力する。入力され
たテスト入力系列に対して処理回路2,3は前記通常動
作と同様に、一連の処理を行い、処理結果である出力系
列を端子Tsy経由でテスタ10に出力する(S2)。
テスタ10は出力系列とテスタ10が予め内部持ってい
る期待系列とを比較し、半導体集積回路(LSI)全体
の故障を検出する(S3)。
【0034】図3にはテストインタフェース回路6を用
いるモジュールテスト動作の処理フローチャートが例示
される。このテスト動作では、テスト制御レジスタ7に
制御データを設定して、例えば被テストモジュールとし
て処理モジュール2の入出力をテスト入出力バスTIO
Bに接続する(S4)。処理モジュール2はテスト入出
力バスTIOBを介して半導体集積回1の外部より自由
に入出力可能になる。ここで、テスタ10よりテスト入
出力バスTIOBを介してテスト入力系列を入力する。
この時使用するテスト入力系列は処理モジュール2をテ
ストするテスト入力系列だけで良いから、必要とされる
テスト入力系列のステップ数は通常動作テストで使用す
るものと比較して短くて済む。テスト入力系列は処理モ
ジュール2にて一連の処理が行われ(S5)、出力系列
である処理結果をテスト入出力バスTIOBを介して端
子Tts1に出力する。テスタ10はテスト出力系列と
テスタ10が内部に予め持っている期待系列とを比較
し、処理モジュール2の故障を検出する(S6)。この
モジュールテストを順次繰返して半導体集積回路1の全
部の処理ジュールをテストすれば、半導体集積回路1を
全体的にテストすることが可能である。
【0035】前記モジュールテストでは被テスト処理モ
ジュール以外の処理モジュールのメモリは使用されない
状態に置かれている。前記テスト制御回路5は、そのよ
うな未使用メモリに着目し、そのときテスト対象以外の
未使用となるメモリにテスト入力系列と期待値系列から
なるテストパターンを格納し、格納したテストパターン
をモジュールテストに利用し、テスト入力系列による処
理結果と期待値系列とを比較して、その結果を故障検出
信号として出力する。
【0036】図4にはテスト制御回路5を用いたモジュ
ールテストの処理フローが例示される。この処理フロー
では例えば処理モジュール2をモジュールテストの対象
とする。
【0037】先ず、モジュールテストに先立って、従来
のモジュールテストの手法を用いて、全メモリ2M,3
Mのテストとテスト制御回路(TPGC)5のテストを
行なう。即ち、テスト制御レジスタ7を設定して、メモ
リM2,M3をテスト入出力バスTIOBに接続し(S
10)、テスタ10からテスト入出力バスTIOBを介
してメモリ2M,3Mに対するリード及びライト動作等
を繰返してメモリチェックテストを行う(S11)。テ
スタ10はそのテスト結果を判定し(S12)、故障を
検出すればそのデバイステストを終了する。
【0038】次に、テスト制御レジスタ7を設定して、
更にテスト制御回路5をテスト入出力バスTIOBに接
続すると共に、テスト端子Tts1〜Tts5をテスタ
10に接続し(S13)、メモリ制御回路11や比較回
路12を動作させて、テスト制御回路5の動作テストを
行う(S14)。テスタ10が動作結果をテスト入出力
バスTIOBや端子Tts5から取り込んで、テスト結
果を判定し(S15)、故障を検出すればそのデバイス
テストを終了する。
【0039】次に、端子Tsyを介してテスト制御レジ
スタ7を設定することにより、モジュールテスト対象と
される処理モジュール2をテスト入出力バスTIOBに
接続し(S16)、処理モジュール3のメモリ3Mをテ
ストパターンバスTPBに接続する(S17)。その後
で、スイッチSWTPを選択端子a側にセットして、メ
モリ3Mを半導体集積回路1の外部より直接アクセス制
御できるようにする(S18)。テスタ10よりテスト
入力系列と期待値系列を並列にならべたテストパターン
をメモリ3Mに書き込む(S19)。例えばメモリ3M
のデータ並列入出力ビット数が16ビットであるとする
と、例えば上位8ビットをテスト入力系列、下位8ビッ
トを期待値系列としたテストパターンが端子Tst3,
Tts4に供給される。
【0040】テストパターンの格納が終わったら、スイ
ッチSWTPを選択端子b側に切り換え、メモリ3Mを
メモリ制御回路11からアクセス制御できるようにする
(S20)。この状態で、テスト制御レジスタ7の設定
にしたがって、メモリ制御回路11や比較回路12が動
作可能にされ、TPGC5によるモジュールテスト動作
が開始される(S21)。TPGC5によるモジュール
テスト動作が開始されると、メモリ3Mに格納されてい
るテスト入力系列がテストパターンバスTPBに読み出
され、テスト入出力バスTIOBを介して処理モジュー
ル2に入力される。処理モジュール2はテスト入力系列
に従って動作し、それによって得られる動作結果は、メ
モリ3Mから読み出された期待系列と比較回路12によ
り比較され、比較結果が故障検出信号として出力される
(S22)。テスタ10は故障検出信号をモニタし、そ
の信号のパルス変化によって故障を検出すると、それ以
降のデバイステストを中止する(S23)。故障が検出
されなければ、処理モジュール2は良品であることが確
かめられる。
【0041】図5には本発明に係る半導体集積回路の第
2の例を示す。図5に示される構成は図1の構成に対
し、バス幅変換回路20,21、圧縮回路22、伸張回
路23、及び保持回路24を新たに備えている。
【0042】前記保持回路24は、前段の比較回路12
が不一致の比較結果を得たとき、その結果を保持して出
力する回路である。例えば、不一致の比較結果がハイレ
ベルパルスとすれば、前記保持回路24をセット・リセ
ット型フリップフロップで構成し、テスト動作開始前に
リセット状態とし、セット端子に前記比較結果を入力さ
せる。不一致が一旦発生すれば、保持回路24の出力は
リセットレベルからセットレベルに変化され、再びリセ
ットされるまでその状態を維持する。比較回路12で出
力系列と期待系列を比較をして、故障を検出しても、テ
スタ10の動作速度が半導体集積回路1の内部動作速度
に比べて格段に遅い場合には、パルス幅の短い故障検出
信号をテスタ10で確実に検出できない場合もある。例
えば半導体集積回路1が100MHz以上で動作し、テ
スタ10は80MHz以下で動作されるようなときであ
る。このような場合に前記保持回路24を採用すれば、
テスタ10は一定時間経過した後に故障検出信号をモニ
ターし、故障検出信号のレベルによって半導体集積回路
1の良/不良を判定すればよい。したがって、この保持
回路24を採用することにより、低速動作のテスタ10
でも確実に故障検出を行う事が可能になる。
【0043】バス幅変換回路(TPIBC)20は端子
Tts3,Tts4から供給されたテスト入力系列及び
テスト期待値系列の情報配列を前記テストパターンバス
TPBにおけるテストパターン伝達用のデータバス幅に
合わせて変更する。前記テストパターン入力に用いる端
子Tts3,Tts4は通常動作では必要無いから、で
きるだけ減らした方が良く、これに答える為に、前記バ
ス幅変換回路20で入力信号のバス幅変換を行う。例え
ばバス幅変換回路24としてシリアル・パラレル変換を
利用すれば、少ない数のテストパターン入力端子で、1
6ビット並列データ入出力のメモリ2M,3Mに対応す
ることができ、テスト動作だけに利用される外部端子の
数を減らすことができる。したがって、テストパターン
の外部入力端子を1ビットにすることも可能である。
【0044】バス幅変換回路(TPOBC)21は、前記
メモリ2M,3Mから前記テストパターンバスTPBに
読み出された前記テストパターンのテスト入力系列及び
テスト期待値系列の情報配列を前記テスト入出力バスT
IOBのバス幅に合わせて変更する。半導体集積回路1
ではテスト入出力バスTIOBのバス幅がメモリ2M,
3MのテストパターンバスTPBより広い場合が有り得
る。このような場合は、メモリ2M,3Mから複数回リ
ードされたデータを併せてテスト入出力バスTIOBに
出力すればよい。例えば、テスト入出力バスTIOBの
バス幅が32ビットで、テストパターンバスTPBにお
けるテスト入力系列のデータ幅が8ビットの場合はメモ
リ2M,3Mを4回読んだ時にテス入出力バスTIOB
にデータを出力すれば、所望のテスト入力系列を被テス
トモジュールに供給することが可能である。
【0045】前記圧縮回路(TPDC)22はテスタ1
0から与えられてバス幅変換回路20を通ったテストパ
ターンを圧縮してテストパターンバスTPBに供給す
る。前記伸張回路(TPDE)23は前記メモリ2M又
は3MからテストパターンバスTPBに読み出されたテ
ストパタンを伸張して前記バス幅変換回路21に出力す
る。前記メモリ2M,3Mの記憶容量が小さい場合に
は、必要なテストパターンをメモリ2M又は3Mに格納
することができない場合がある。このとき、前記圧縮回
路22及び伸張回路23を採用すれば、圧縮したデータ
をメモリ2M又は3Mに貯えればよく、比較的小さな記
憶容量のメモリでも対応可能になる。圧縮には、0や1
の数を数えるRH(ランレングス)符号方式などを採用
すればよい。尚、少ない記憶容量のメモリでモジュール
テストを行うには、モジュールテストの対象となる回路
を更に細かく分割する方法もあり、これについては後述
する。
【0046】図6には図5半導体集積回路の更に詳細な
一例であるDVD(Digital VideoDisc)コントローラ
を備えたDVDドライブシステムが例示される。
【0047】同図に示されるDVDドライブシステム
は、スピンドルモータ30で回転されるディスク(図示
せず)から光ピックアップ31にて記録情報を読取る。
光ピックアップ31はスレッドモータ32によりトラッ
クジャンプのためのスレッド送りが行われる。スピンド
ルモータ30及びスレッドモータ32はモータドライバ
IC33で駆動される。光ピックアップ31で読取られ
た記録情報は前処理LSI35により増幅され、波形整
形されてDVDコントローラ40に供給される。DVD
コントローラ40はマイクロコンピュータ等から成るシ
ステムコントローラ36の制御を受けて動作する。
【0048】前記DVDコントローラ40は、アナログ
データを2値化する2値化回路(Data−Strobe)4
1、復調回路(DVD−Demod)42、変調回路(DV
D−Mod)43、誤り訂正回路(DVD−ECC)44
L、オーディオインタフェース回路(Audio Processo
r)45、パーソナルコンピュータなどのホストコンピ
ュータとインタフェースされるATAPIインタフェー
ス回路(ATAPI)46L、システムインタフェース
回路(MICON IF)4、サーボ回路(SERV
O)48、クロック発振器回路(CPG)49、メモリ
コントロール回路50、テスト制御回路(TPGC)
5、メモリ44M、メモリ46M、テスト制御レジスタ
7、テストインタフェース回路6等のモジュールから構
成され、公知の半導体集積回路製造技術により1つの半
導体基板上に形成される。テスト制御回路(TPGC)
5、テスト制御レジスタ7、テストインタフェース回路
6の機能は前述の通りである。メモリ44Mと誤り訂正
回路44Lは誤り訂正モジュール44を構成し、メモリ
46MとATAPI46LはATAPIモジュール46
を構成する。
【0049】尚、DVDコントローラ40は、特に制限
されないが、DVDと共に、CD−ROM(Compact Di
sk−Read Only Memory)、音楽用のCDの再生も可能に
されており、その為に、CD用の復調回路(CD−D
A)47、CD−ROMからの読み取り情報に対するデ
スクランブラ48、そしてCD−ROMフォーマットの
データをデコードするROMデコーダ49を有してい
る。
【0050】前記CPG49は外部端子を介して接続さ
れる水晶発振子または外部クロックに基づいて、逓倍や
分周を行って、基準クロックを生成し、各機能ブロック
に供給する。この基準クロックに同期して、DVDコン
トローラ40は動作を行う。
【0051】前記誤り訂正回路44Lはガロア体/整数
の演算回路と制御回路から成り、誤り訂正の為の演算を
行う回路である。その詳細な一例は後述する。
【0052】前記メモリコントロール回路50はメモリ
44M,46M等のデータメモリに対する入出力の要求
の調停(アービトレーション)を行うとともに、システ
ムインタフェースバスNBのバス制御を行う。
【0053】前記システムインタフェース回路4はマイ
クロコンピュータで構成されるようなシステムコントロ
ーラ36に接続される。システムコントローラ36はシ
ステムインタフェースバスNBを介して復調回路42や
誤り訂正回路44L等の各回路を初期設定し、また、テ
スト制御レジスタ7を設定して、所望のモジュールをテ
スト入出力バスTIOBに接続したり、所望のメモリ4
M,46MをテストパターンバスTPBに接続する。
【0054】前記メモリ44Mは20Kビット程度の容
量を有し、前述の誤り訂正回路44Lと組み合わせて、
誤り訂正の演算を行う。この誤り訂正回路44Lとメモ
リ44Mの組み合わせを誤り訂正モジュール44と呼
び、図1の処理モジュール2に相当する。
【0055】前記メモリ46Mは2Mビット程度の容量
を有し、前述のATAPI回路46Lと組み合わせて、
パーソナルコンピュータなどのホストコンピュータとの
インタフェース制御を行う。このATAPI回路46L
とメモリ46Mの組み合わせをATAPIモジュール4
6と呼び、図1の処理モジュール3に相当する。
【0056】前記TPGC回路5は図5の半導体集積回
路で説明したようにメモリ制御回路11、比較回路12
等から構成され、メモリ44M,46Mへのテストパタ
ーン格納、誤り訂正モジュール44又はATAPIモジ
ュール46へのテスト入力系列送出、出力系列と期待値
系列との比較などを行う。
【0057】前記2値化回路41、変調回路43、及び
サーボ回路48等は前処理LSI35に接続される。前
処理LSI35はDVDディスクから光ピックアップ3
1で読み取った記録情報を増幅し、記録情報を再生する
ための情報信号を2値化回路41に与える。また、前処
理LSI35は情報信号のエンベロープ等からフォーカ
スエラー、トラッキングエラーの各信号を生成してサー
ボ回路48に供給する。サーボ回路48はそれらの情報
に基づき、光ピックアップ31のフォーカシングとトラ
ッキングの制御を行う。またトラッキング制御の低周波
成分を抽出して、D/A変換出力によって、光ピックア
ップ31のスレッドモータ32の制御を行う。また、サ
ーボ回路48はパルス検出によって、ディスクの回転速
度を検出し、サーボ処理を行い、D/A変換出力によっ
て、スピンドルモータ30の制御を行う。前記光ピック
アップ31のフォーカシング及びトラッキング、そして
スレッドモータ32及びスピンドルモータ30の駆動
は、モータドライバIC33で行う。
【0058】図7には前記メモリ44Mの詳細な一例が
示される。メモリ44Mは、メモリアレイ60、カラム
選択回路61、カラムデコーダ62、ロウデコーダ6
3、入力データコントローラ64、タイミングコントロ
ーラ65、データ出力バッファ66、データ入力バッフ
ァ67、スイッチ回路SW04,SW05から成る。前
記メモリ46も同様に構成される。
【0059】前記メモリアレイ60は例えばメモリセル
がマトリクス配置され、メモリセルの選択端子がワード
線に、メモリセルのデータ入出力端子がビット線に接続
される。前記カラム選択回路61はビット線を選択的に
読み出しコモンデータ線RCD又は書き込みコモンデー
タ線WCDに導通させるスイッチ回路として構成され
る。ロウデコーダ63はメモリアクセスアドレス信号の
内のロウアドレス信号をデコードし、デコード結果に従
って前記ワード線選択動作を行う。前記カラムデコーダ
63はメモリアクセスアドレス信号の内のカラムアドレ
ス信号をデコードし、デコード結果に従って前記カラム
選択回路61にビット線選択動作をさせる。
【0060】すなわち、書き込み動作ではカラムアドレ
ス信号が指示するビット線を書き込みコモンデータデー
タ線WCDに導通させ、読み出し動作ではカラムアドレ
ス信号が指示するビット線を読み出しコモンデータ線R
CDに導通させる。書き込みデータはデータ入力バッフ
ァ67から入力データコントローラ64に供給され、入
力データコントローラ64は所定の書き込みタイミング
に同期して書込みデータを前記書き込みコモンデータ線
WCDに与える。読み出しコモンデータ線RCDに読み
出された読み出しデータはデータ出力バッファ66を介
して出力動作される。データ入力バッファ67及びデー
タ出力バッファ66の動作はアクセス制御信号にしたが
ってタイミングコントローラ65が制御する。
【0061】前記メモリ44MとバスNB,TPB,T
IOBの接続は前記スイッチ回路SW04,SW05を
介して行われる。スイッチ回路SW04は3個のスイッ
チs11〜s13を有し、SW05は5個のスイッチs
14〜s18を有し、各スイッチは選択端子a,bを有
する。各スイッチs11〜s18の選択状態はテスト制
御バスTCBの制御信号によって決定される。
【0062】図8には主な動作モードにおける前記スイ
ッチs11〜s18の選択状態が例示される。前記実動
作ではスイッチ回路04、SW05の全ての選択端子は
a側に設定され、メモリ44Mはシステムインタフェー
スバスNBに接続され、テストパターンバスTPB及び
テスト入出力バスTIOBから切り離される。テストパ
ターンの書き込み又は読み出しを行うパターンアクセス
動作時は、スイッチ回路04は端子b側、スイッチ回路
SW05は選択a側に設定される。これによって、メモ
リ44MはテストパターンバスTPBとアドレス、アク
セス制御信号、及びテストパターンを入出力可能にされ
る。ブロックテスト即ち処理モジュール単位のテストで
は、スイッチ回路05が端子a側に設定されればよい
(スイッチ回路SW04の選択状態は任意でよい)。こ
れにより、メモリ44Mはテスト入出力バスTIOBを
介してテストパターンアクセス比較回路5からアドレ
ス、アクセス制御信号、及び必要な書込みデータ等のテ
ストパターンが供給され、また、テストパターンしたが
ってメモリから読み出されデータがテスト入出力バスT
IOBに供給される。
【0063】次に、図6に例示されるDVDドライブシ
ステムにおける記録情報再生時の動作を説明する。
【0064】マイクロコンピュータによって構成される
前記システムコントローラ36は、その入出力回路から
のコマンド入力や、入出力ポートのキー入力を監視して
おり、入力があった場合には、入力されたコマンドやキ
ーの内容を解読して、これに従って、動作を開始する。
【0065】前記システムコントローラ36は、システ
ムインタフェース回路4を介して、サーボ回路48にお
けるサーボ動作設定レジスタを初期設定して、フォーカ
ス、トラッキングサーボ制御を動作させ、フォーカスが
ロックすると、スピンドルモータ30でディスクを回転
させ、更に、光ピックアップ31を所定の位置に移動さ
せる。
【0066】光ピックアップ31によって読み出された
データは、前処理LSI35でデジタル信号に変換さ
れ、前記DVDコントローラ40に入力される。入力さ
れたデータは、先ず、復調回路(DVD−Demod)42
に入力され、DVDの場合、8−16方式の復調、デイ
ンタリーブ、シンクの検出などが順次行われる。所定の
量のデータが復調されると、メモリコントロール回路5
0に入力要求が与えられる。メモリコントロール回路5
0は、所定のタイミングで、入力要求を受け付けて、復
調されたデータを、復調回路42から、メモリ44Mへ
転送する。
【0067】メモリ44Mに所定量のデータ(DVDの
場合、1ブロック:182×208バイト)が蓄積され
ると、メモリコントロール回路50から割込み要求が発
生し、誤り訂正回路44Lで割込みが受け付けられる
と、それによって、誤り訂正処理(復号化)が開始され
る。
【0068】所定のデータの誤り訂正処理が行われる
と、誤り訂正回路44Lは所定のレジスタなどを設定し
て、データ出力を指示する。誤り訂正回路44Lの指示
を受けてメモリコントロール回路50は、誤り訂正処理
の行われたデータをメモリ44Mからメモリ46Mへ転
送する。この後、一連の誤り訂正処理が続き、メモリコ
ントロール回路50が持っているメモリ46Mのポイン
タなどで、メモリ46Mへのデータ転送量が所定量にな
った事を検出すると、メモリコントロール回路50は所
定のタイミングで、メモリ46Mから、ATAPIイン
タフェース回路46Lへデータを出力し、ATAPIイ
ンタフェース回路46Lはパーソナルコンピュータ(P
C)のようなホスト装置のインタフェース回路に向けて
データを出力する。
【0069】また、コマンドやキーの内容によっては、
誤り訂正回路44Lは汎用インタフェース回路(汎用I
F)52の所定のレジスタなどを設定して、データ出力
を指示する。汎用インタフェース回路52からのデータ
は、映像データの場合、図示はされない、MPEG回路
に供給され、圧縮が解除されて、例えば、LCDなどの
表示装置に表示される。
【0070】コマンドやキーの指示が完了するか、次の
コマンドやキーが入力されるまで、上記動作が継続され
る。
【0071】次に、図6のDVDドライブシステムにお
ける情報記録動作を説明する。前記同様に、システムコ
ントローラ36は、その入出力回路からのコマンド入力
や、入出力ポートからのキー入力を監視しており、入力
があった場合は、入力されたコマンドやキーの内容を解
読して、これに従って、動作を開始する。
【0072】システムコントローラ36は、システムイ
ンタフェース回路4を介して、サーボ回路48の動作を
初期設定して、フォーカス、トラッキングサーボ制御を
動作させ、フォーカスがロックすると、スピンドルモー
タ制御を動作させ、ディスクを回転させ、更に、光ピッ
クアップ31を所定の位置に移動させる。
【0073】ATAPIインタフェース回路46Lはパ
ーソナルコンピュータなどのホスト装置にデータ要求を
出して、データを入力する。所定量のデータが入力され
ると、ATAPIインタフェース回路46Lはメモリコ
ントロール回路50に対して入力要求を出す。メモリコ
ントローラ回路50は所定のタイミングで、入力要求を
受け付け、ATAPIインタフェース回路46Lから入
力されたデータをメモリ46Mへ転送し、一時的に格納
する。その後、一連の動作を継続し、メモリコントロー
ル回路50は、それが持っているメモリ46Mのための
ポインタなどで、メモリ46Mのデータ格納量が所定量
になった事を検出すると、所定のタイミングでメモリ4
6Mから、メモリ44Mへデータを転送する。
【0074】メモリ44Mに所定量のデータ(DVDの
場合、1ブロック)が蓄積されると、メモリコントロー
ル回路50から誤り訂正回路44Lに対して割込み要求
が与えられ、これによって誤り訂正回路44Lはメモリ
44Mが保有するデータに対してパリティ付加処理(符
号化)を行う。
【0075】誤り訂正回路44Lはメモリ44Mが保持
する所定のデータに対するパリティ付加処理を完了した
とき、パリティ付加処理の完了を変調回路43に与え
る。これを受けて変調回路43はメモリコントロール回
路50に転送制御を起動し、これによって、メモリコン
トロール回路50は、パリティー付加処理の完了された
データをメモリ44Mから変調回路43に内部転送す
る。DVDデータの場合、変調回路43はインターリー
ブ、シンクの挿入、8−16方式の変調などを随時行っ
てデータを出力する。出力されたデータは、前処理LS
I35で増幅され、光ピックアップ31を介して光ディ
スクに書き込まれる。
【0076】図9には図6の前記DVDドライブシステ
ムを全体的に示してある。図6の光ピックアップ31は
フォーカシング及びトラッキング用のアクチュエータ3
1Aとレーザーダイオード等から成るピックアップ31
Pによって構成される。図6のモータドライバIC33
はアクチュエータ31Aのドライバ33Da、スレッド
モータのドライバ33Dt、及びスピンドルモータ30
のドライバ33Dsを含んでいる。ここではリードチャ
ンネル70によって前処理LSI35を総称している。
リードチャンネル70は読み取り情報のプリアンプ等を
含む。
【0077】DVDコントローラ40はCD及びDVD
といったリームバブルなディスク71に対する情報の記
録・再生、並びに前記ディスク71に対するサーボ制御
に用いられる。即ち、DVDコントローラー40は、ト
ラッキングエラー信号TEや、フォーカスエラー信号F
Eなどをリードチャンネル70から取得し、ピックアッ
プ31Pのトラッキング及びフォーカシング等を達成す
るように、サーボ制御信号SVDA0、SVDA1をド
ライバ33Daに与え、サーボ制御信号SVDA3をド
ライバ33Dsに与える。更に、DVDコントローラ4
0は、ディスク71から読み出されてリードチャンネル
70で増幅された信号DINを入力して復調し、また、
ディスク71に書き込むべきデータを変調する。ホスト
インタフェース(前記ATAPIインタフェース回路4
6L)は、エンハンスドIDE(Integrated Device El
ectronics)バス等のバスを介して、パーソナルコンピ
ュータなどのホスト装置と接続され、コマンドなどを入
力し、ステータスなどの表示と、データの出力などを行
う。
【0078】光ディスク71の記録情報はピックアップ
31Pによって読み取られる。ピックアップ31Pは、
発光素子(レーザダイオード)によってレーザ出力光を
出力し、光ディスク71からの反射光を受光素子(フォ
トダイオード)で検出する。ピックアップ31Pの位置
はアクチュエータ31Aとスレッドモータ32によって
制御される。
【0079】ピックアップ31Pの出力した信号は、リ
ードチャネル70で増幅され、ディジタル化される。シ
ステムコントローラ(マイクロコンピュータ)36は、
リードチャネル70に対して、SCI(Serial Communi
cation Interface)及びI/Oポートを用いて、制御を
行う。
【0080】ディスク71が着脱自在に搭載される図示
を省略するトレイに対しては、オープンスイッチ、クロ
ーズスイッチの制御信号をシステムコントローラ36の
I/Oポートから入力し、イジェクトスイッチ信号を割
込み要求信号として入力し、トレイ(ローディング)モ
ータをシステムコントローラ36のPWM(Pulse Widt
h Modulation)タイマの出力で駆動する。
【0081】図9に示されたDVDドライブシステムは
DVDの他に、CD−ROMに対する記録再生、そして
CD−DAに対する再生を行う事ができる。基本的な再
生処理等はDVDとほぼ同じである。即ち、DVDと同
様に、CD−ROMやCD−DAといったディスクから
ピックアップ31Pで読み出された信号は、リードチャ
ンネル70のプリアンプで増幅された後、波形整形回路
でディジタル波形に整形される。CD−ROMのデータ
はDVDコントローラ40の前記復調回路42でディジ
タル復調され、前述と同様に誤り誤り訂正回路44Lを
介してエラー訂正が行われ、デスクランブル回路48で
デスクランブルされる。デスクランブル処理後のデータ
は、ROMデコーダ49でCD−ROMフォーマットか
らホスト装置へのデータ形式にデコードされ、ATAP
Iインタフェース回路46Lを介してホスト装置に与え
られる。CD−DAのデータは復号回路42で復号さ
れ、誤り訂正などが行われた後に、ATAPIインタフ
ェース回路42を介してホスト装置に出力される。
【0082】システムコントローラ36は、ディスク7
1がロードされると、ディスク上のTOC(Table Of C
ontents)情報などを読み出し、これをバッファメモリ
に格納する。CDの場合、リードイン部のTOC情報
は、最大100曲であり、それぞれ9バイトなどのデー
タであるから、記憶密度の高いバッファメモリに格納す
ることにより、物理的な利用効率を向上するとともに、
システムコントローラ36によって随時リード可能であ
るから、シーク時に移動量を算出したり、ホストインタ
フェースからのコマンドなどに対応して即座に使用する
ことができる。
【0083】また、DVD−ROMディスクに対してシ
ステムコントローラ36はリードデータのIDやコピー
プロテクションデータを随時リードする。
【0084】更に、DVD−RAMディスクに対してシ
ステムコントローラ36は欠陥情報を読み出して、バッ
ファメモリに保持しておき、システムコントローラ36
が、ホストインタフェース回路(ATAPIインタフェ
ース回路46L)を介してホストシステムから指示され
る論理アドレスを、物理アドレスに変換する際に参照す
る。
【0085】次に、図6に示されるDVDドライブシス
テムにおけるモジュールテスト動作を説明する。
【0086】図10にはDVDドライブシステムにおけ
る、メモリ44Mと誤り訂正回路44Lからなる誤り訂
正モジュール44のテスト動作のフローが示される。
【0087】DVDドライブシステムの回路は実動作
(通常動作)時にはシステムインタフェースバス(通常
バス)NBにより接続されており、各回路間で処理した
信号の授受を行う。テスト時にはテスト制御バスTCB
を制御して、被テストモジュールの入出力端子をテスト
入出力バスTIOBに接続する。テストで使用しないメ
モリはテストパターンバスTPBに接続され、テストパ
ターンの格納に使用する。テストパターンの格納、入力
系列の生成、期待値系列と出力系列の比較はテスト制御
回路(TPGC)5にて行う。
【0088】まず、メモリ44M,46M、TPGC5
をテスト入出力バスTIOBに接続し、テスタを用い
て、動作チェックを行なう(S30,S31)。
【0089】メモリ44M,46MとTPGC5に問題
の無い事を確認したら、テスト制御レジスタ7を設定し
て、誤り訂正モジュール44をテスト入出力バスTIO
Bに接続し(S32)、メモリ46Mをテストパターン
バスTPBに接続する(S33)。接続が終わったら、
TPGC5をパターン入力モードとし(S34)、テス
タよりメモリ46Mに誤り訂正モジュール用のテストパ
ターンを書込む(S35)。その後、TPGC5を出力
モードに設定しメモリ46Mの制御権をTPGC5とす
る(S36)。その後、制御レジスタ7の設定値にした
がってTPCG5の動作をスタートさせ、テスト動作を
開始する(S37)。テスト動作を開始させると、TP
GC5よりテスト入力系列がテスト入出力バスTIOB
を介して誤り訂正回路44Lに入力され、誤り訂正回路
44Lとメモリ44Mとの間で一連の処理が行われ、テ
スト結果データ(テスト出力系列)がテスト入出力バス
TIOBに出力される。このテスト出力系列はTPGC
5内の比較回路12にて期待系列と比較され(S3
8)、誤り訂正モジュール44の故障検出が行われる
(S39)。
【0090】半導体集積回路の製造工程において発生し
たプロセスバラツキに起因する不良を検出する為にはア
ット・スピード・テスト(実動作周波数テスト)が有力な
手法とされているが、外部のテスタを用いた従来の手法
では、半導体集積回路の動作周波数と比較して、テスタ
の動作周波数が低い場合には実動作周波数でのテストが
できないという問題があった。
【0091】このような場合に、本発明を適用したDV
Dコントローラ40のような半導体集積回路1を用いれ
ば、テスト動作時に外部のテスタと半導体集積回路にお
ける入出力ピンとのインタフェースを介在させないで済
むから、半導体集積回路1のテストを実動作周波数近傍
で行う事ができ、不良品を効率よく検出する事ができ
る。また、テストパターンの入力は低速でも良いから、
安価なローエンドテスタを用いる事ができ、半導体集積
回路1におけるテストコストの削減につなげることがで
きる。
【0092】ここで、処理モジュールを更に分割してテ
スト可能にするサブモジュールテストについても説明す
る。前述した、誤り訂正モジュール44を例に、誤り訂
正回路44Lを更に分割してテストを行う為の詳細な一
例を説明する。
【0093】図11には前記誤り訂正回路44Lの詳細
な一例が示される。同図に示される誤り訂正回路44
は、2個のガロア体乗算器81、1個のガロア体加算器
82、64ワードのガロアバッファ83、4ワードのガ
ロアレジスタ84、3個のポインタPS1,PS2,P
D、ポインタエンド値が設定されるレジスタPEND、
8ワードの整数レジスタ85、1個の整数加減算器8
6、セレクタ89で選択されたポインタPS1,PS
2,PDの値とレジスタPENDの設定値を比較するコ
ンパレータ90、演算結果を保持するフラグレジスタ9
1、フラグレジスタが保持する値を判定するマスク付き
比較器92、マスク付き比較器92の出力などに基づい
て誤り訂正回路44Lを待機状態にするための情報を保
持する待機レジスタ93から成る。
【0094】ガロアバッファ83、ガロアレジスタ8
4、2個のガロア体乗算器81は6本の内部バス87で
接続されており、ガロアバッファ83、ガロアレジスタ
84に格納されたデータの演算を行って、その結果をガ
ロアバッファ83、ガロアレジスタ84に再格納する。
演算器81,82の入力にはセレクタ88が設けられて
おり、演算に使われるデータが供給される内部バス87
を選択できる。演算器81,82の出力は内部バス87
を介して、ガロアバッファ83又はガロアレジスタ84
に格納される。
【0095】ガロアバッファ83は、ポインタPS1、
PS2で指定されたアドレスの2ワードを同時にバス8
7に出力し、同時にポインタPDで指定されたアドレス
に内部バス87からデータを取り込む。ポインタのPS
1,PS2,PDの値はガロア体演算と同一サイクル内
に、増減(+1/−1)が可能である。ポインタPS
1,PS2,PDの値は、整数レジスタ85から書き込
みと読み出しが行われる。整数レジスタ85にはポイン
タPS1,PS2,PDの制御に必要な値を演算するた
めに必要なデータが格納されており、接続された整数加
減算器86を用いて演算が行われる。
【0096】前記誤り訂正回路44Lには、システムイ
ンタフェースバス(通常バス)NBとテスト入出力バスT
IOBが接続可能にされており、テスト制御バスTCB
からの制御データで内部切替スイッチ回路SW06〜S
W08を切り替える事によって、誤り訂正回路44Lを
選択的にシステムインタフェースバスNB又はテスト入出
力バスTIOBに接続し、更に、誤り訂正回路44Lの
内部とテスト入出力バスTIOBとの接続点を切り換え
可能になる。図11においてテスト入出力バスTIOB
はテスト入力バスTIB及びテスト出力バスTOBに分
けて図示されている。
【0097】図12には主な動作モードにおける前記ス
イッチ回路SW06〜SW08の選択状態が例示され
る。実動作時にはスイッチ回路SW06〜08の選択端
子はb側に設定される。システムインタフェースバスN
Bを介してデータの入力が行われ、入力データに対して
ガロア体乗算器81等による演算が行われ、演算結果が
システムインタフェースバスNBに返される。
【0098】誤り訂正モジュール44全体をテストする
モジュールテスト時には、スイッチ回路SW06の選択
端子がa側に設定され、スイッチ回路SW07、SW0
8の選択端子がb側に設定される。これにより、誤り訂
正回路44Lへの入力は全てテスト入力バスTIBを介
して可能にされる。また誤り訂正回路44Lの内部動作
結果はテスト出力バスTOBを介して外部でモニタ可能
にされる。前記バスTOB、TIBはテスト入出力バス
TIOB介してテスタ10やTPGC5に接続され、一
連のテストが行われる。
【0099】誤り訂正回路44Lには3つの分割スイッ
チ回路SW06〜SW08があり、これを利用すれば、
モジュールを更に細かく分割してサブモジュールテスト
を行う事ができる。例えば、スイッチ回路SW08の全
ての選択端子をa側に設定すると、ガロア体演算器81
及びガロア体加算器82のサブモジュールの入力は全て
テスト入力バスTIBとされる。これにより、ガロア体
演算器81,82に対して一連のテストを行って、その
結果をテスト出力バスTOBを経由してTPGC5に供
給することにより、ガロア体演算器81,82のサブモ
ジュールに対して故障検出を行うことができる。
【0100】例えば、スイッチ回路SW06、SW08
の全ての選択端子をb側に設定し、スイッチ回路SW0
7の全ての選択端子をa側に設定しすると、ガロアバッ
ファ83のサブモジュールの入力は全てテスト入力バス
TIBとされる。これにより、ガロアバッファ83に対
して一連のテストを行って、その結果をテスト出力バス
TOBを経由してTPGC5に供給することにより、ガ
ロアバッファ83のサブモジュールに対して故障検出を
行うことができる。
【0101】前記サブモジュールテストとモジュールテ
ストを比較すると、サブモジュールテストはテストの対
象となる回路が少なくなる為にテストパターンのステッ
プ数は短くなる。また、モジュール内の全サブモジュー
ルについてテストを行えば、誤り訂正モジュール44L
全体の動作をテストする事が可能となる。モジュールテ
スト及びサブモジュールテストでは、そのとき未使用の
メモリを使用する為、テストパターン格納に用いるメモ
リ容量が少ない場合には、サブモジュールテストを複数
回繰り返してモジュール全体をテストするという手法は
非常に有効である。
【0102】図13には前記誤り訂正回路44Lにおけ
るサブモジュールテストのテスト動作のフローが例示さ
れる。先ず、メモリ44M,46M、TPGC5をテス
ト入出力バスTIOBに接続し、テスタを用いて、動作
チェックを行なう(S40,S41)。
【0103】メモリ44M,46MとTPGC5に問題
の無い事を確認したら、テスト制御レジスタ7を設定し
て、ガロア体演算器81,82から成るガロア体演算器
サブモジュールをテスト入出力バスTIOBに接続し
(S42)、メモリ46MをテストパターンバスTPB
に接続する(S43)。接続が終わったら、TPGC5
をパターン入力モードとし(S44)、テスタよりメモ
リ46Mにガロア体演算器サブモジュール用のテストパ
ターンを書込む(S45)。その後、TPGCを出力モ
ードに設定しメモリ46Mの制御権をTPGC5とする
(S46)。その後、制御レジスタ7の設定値にしたが
ってTPCG5の動作をスタートさせ、テスト動作を開
始する(S47)。テスト動作を開始させると、TPG
C5より入力系列がテスト入出力バスTIOBを介して
ガロア体演算器サブモジュールに入力され、ガロア体演
算器サブモジュールで演算処理が行われ、演算結果デー
タがテスト入出力バスTIOBに出力される。出力系列
はTPGC5内の比較回路にて期待系列と比較され(S
48)、ガロア体演算器サブモジュールの故障検出が行
われる(S49)。
【0104】次に、図6に示されるDVDドライブシス
テムにおけるメモリを持たないモジュールに対するテス
ト動作を説明する。
【0105】図14には図6のサーボ回路(サーボモジ
ュール)48に対するモジュールテストの動作フローが
例示される。基本的な処理手順は図10の場合と同様で
あり、メモリ44M,46MとTPGC5をチェックし
(S50,S51)、その結果問題が無ければ、テスト
制御レジスタ7の設定により、サーボモジュール48を
テスト入出力バスTIOBに接続し(S52)、メモリ
46MをテストパターンバスTPBに接続する(S5
3)。接続が終わったら、TPGC5をパターン入力モ
ードとして(S54)、テスタ10より、メモリ2にサ
ーボモジュール48のテストパターンを書込む(S5
5)。その後、TPGC5にメモリ46Mのアクセス権
を渡し(S56)、テスト制御レジスタ7の設定により
TPGC5によるテスト動作を開始させる(S57)。
サーボモジュール48はTPGC5からテスト入出力バ
スTIOBを介して与えられるテストパターンを入力し
て動作し、動作結果がテスト入出力バスTIOBを介し
てTPGC5に返され、TPCG5は、返された動作結
果をメモリ46Mからのテスト期待値系列と比較する
(S58)。テスタは比較結果に基づいてサーボモジュ
ール48の故障検出を行うことができる。
【0106】図15にはマルチプロセッサ化された半導
体集積回路に本発明を適用した例を示す。同図に示され
るマルチプロセッサ化された半導体集積回路100は、
特に制限されないが、実動作回路ブロックとして2個の
CPU101,102を有し、それらを並列動作させる
ことによって、データの処理速度を向上させることがで
きる。CPU101,102は1次キャッシュメモリ1
03,104を内蔵する。夫々のCPU101,102
には他の実動作回路ブロックとして2次キャッシュメモ
リ105,106が接続され、2次キャッシュメモリ1
05,106はシステムインタフェースバスNBに接続
される。システムインタフェースバスNBにはSDRA
M(Synchronous Dynamic Random Access Memory)10
7が接続される。その他に前記システムインタフェース
回路4、テストインタフェース回路6、テストアクセス
比較回路5等が設けられている。テスト用のバスとし
て、テストパターンバスTPB、テスト入出力バスIO
B、テスト制御バスTCBが設けられている。
【0107】図15では2次キャッシュメモリ105,
106をモジュールテストの為のテストパターン格納に
利用する。それら2次キャッシュメモリ105,106
がバスTPB,TIOB,TCBに接続され、モジュー
ルテストに際してCPU101,102とは独立に動作
可能にされる。要するに、メモリ105又は106にテ
ストパターンを格納し、格納したテストパターンを読み
出すとき、その動作はCPU101,102と独立し得
るようにされる。
【0108】テスト時にはテスト制御バスTCBの制御
によって、各回路はテスト入出力バスTIOBに接続さ
れる。2次キャッシュメモリ105,106はテストパ
ターン格納の為にテストパターンバスTPBに選択的に
接続可能である。
【0109】通常の動作について説明する。通常動作時
は、システムインタフェース回路4を介して、データが
SDRAM107に格納される。CPU105は、必要
なデータを2次キャッシュメモリ105に移動し、次に
データを1次キャッシュメモリ103に移動させ、1次
キャッシュメモリ103と内部回路で必要な処理を行
う。その後データは、2次キャッシュ105を介してS
DRAM107に格納される。複数のCPU101,1
02を用いて一連の処理を行う為、1個のCPUを持つ
プロセッサと比較して動作が高速であり、音声や画像処
理等の並列処理に好適なデータに対して威力を発揮す
る。
【0110】このマルチプロセッサ化された半導体集積
回路100をテストする場合は次のようにする。図16
にはそのテストフローが例示される。まず、キャッシュ
メモリ105,106、TPGC5をテスト入出力バス
TIOBに接続し、テスタを用いて、動作チェックを行
なう(S60,S61)。
【0111】キャッシュメモリ105,106とTPG
C5に問題が無ければ、テスト制御レジスタ7の設定に
より、CPU101をテスト入出力バスTIOBに接続
し(S62)、2次キャッシュメモリ106をテストパ
ターバスTPBに接続する(S63)。接続が終わった
ら、TPGC5をパターン入力モードに設定し、2次キ
ャッシュメモリ106を外部からアクセス可能とし(S
64)、テスタより、2次キャッシュメモリ106にC
PU101モジュールのテストパターンを書込む(S6
5)。その後、2次キャッシュメモリ106に対するア
クセス権をTPGC5に与え(S66)、テスト制御レ
ジスタ7の設定によりTPGC5によるテスト動作を開
始させる(S67)。TPGC5によるテスト動作を開
始させると、TPGC5よりテスト入力系列がテスト入
出力バスTIOBを介してCPU101に供給され、そ
れによってCPU101が動作され、動作結果がテスト
入出力バスTIOBを介してTPGC5に入力される。
TPGC5は入力されたテスト結果を、キャッシュメモ
リ106からのテスト期待値系列と比較し、比較結果は
テスタに与えられる(S68)。これによってテスタは
CPU101の故障検出を行うことができる。
【0112】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々変更可能であることは言うまでもない。
【0113】例えば、実動作回路ブロックは、誤り訂正
回路、ATAPIインタフェース回路、それらのワーク
メモリ、CPU、2次キャッシュメモリに限定されず、
適宜変更可能である。また、処理モジュールはメモリを
有する誤り訂正モジュールとATAPIモジュール、メ
モリを有しないサーボ回路に限定されず、適宜変更可能
である。テストモードの設定はレジスタに対する制御デ
ータの設定で行ってもよい。テスト入力系列とテスト期
待値系列はテスタよりシリアルに入力する場合に限定さ
れず、半導体集積回路の外部端子数に余裕があるならパ
ラレルに入力してもよい。テスト期待値系列とテスト入
力系列は双方を直列に混在させてテスタからビットシリ
アルに入力するようにしてもよい。
【0114】また、テスタで圧縮したテストパターンを
半導体集積回路に供給し、半導体集積回路側ではテスト
パターンの圧縮を行わないようにしてもよい。テスト動
作の実行時にメモリから読み出した圧縮テストパタンを
伸張してテスト対象モジュールに与えればよい。これに
より、テスタが半導体集積回路に供給すべきテストパタ
ーンのデータ量を相対的に減らすことができ、テストパ
ターンの転送時間の短縮に寄与することができる。ただ
しこの場合にはテスタは所定のデータ圧縮機能を持たな
ければならない。
【0115】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【0116】すなわち、テストモードにおいてテスト対
象に指定されずに未使用となるオンチップメモリに予め
テスタからテスト入力系列及びテスト期待値系列から成
るテストパターンを格納し、格納されたテストパタンを
利用して、半導体集積回路内部で独自にテストを行うオ
ンチップテスト機能を実現することができる。したがっ
て、テスト専用メモリを別途オンチップさせることを要
しない。テストパターンをメモリに格納する動作速度は
低速で済み、テスタは内部で比較されたテスト結果を取
得すればよい。テスタは、実動作周波数による高速動作
に同期して動作結果を受取って比較動作動作を行うこと
を要しない。したがって、ローエンドに比較的低速なテ
スタにて実動作周波数テストを行うことが可能になる。
テストパターンに従ってテスト動作を行うときテスタに
接続する外部端子を介して信号伝達を行わずに済むか
ら、半導体集積回路の実動作周波数テストを容易に行う
事ができる。
【0117】前記テスト制御回路は、比較不一致を得た
とき、その結果を保持して出力する保持回路を有するこ
とにより、比較不一致結果が高速パルス変化されるよう
なことはないから、テスタはテスト結果を任意のタイミ
ングで参照するだけで、比較不一致結果を取得すること
ができる。
【0118】前記テスト制御回路は、外部から与えられ
たテストパターンを圧縮して前記メモリに供給可能にす
る圧縮回路と、前記メモリから読み出されたテストパタ
ンを伸張する伸張回路とを有することにより、オンチッ
プメモリに格納可能なテストパタンの実質的なデータ量
を増やすことができ、それによって、テストパターンの
書き込み回数が減るので、テスト効率を向上させること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体集積回路の一例を示すブロ
ック図である。
【図2】実動作テストの処理手順を例示するフローチャ
ートである。
【図3】テストインタフェース回路を用いるモジュール
テストの処理手順を例示するフローチャートである。
【図4】テストパターンアクセス比較回路を用いたモジ
ュールテストの処理手順を例示するフローチャートであ
る。
【図5】本発明に係る半導体集積回路の第2の例を示す
ブロック図である。
【図6】図5半導体集積回路の更に詳細な一例であるD
VDコントローラを備えたDVDドライブシステムを例
示するブロック図である。
【図7】DVDコントローラに含まれるメモリの詳細を
例示するブロック図である。
【図8】メモリが備えたバス切り換え用スイッチ回路の
選択状態を例示する説明図である。
【図9】図6のDVDドライブシステムを全体的に示し
たブロック図である。
【図10】DVDドライブシステムにおけるメモリと誤
り訂正回路から成る誤り訂正モジュールのテスト動作を
例示するフローチャートである。
【図11】サブモジュールテストへの適用を考慮した誤
り訂正回路の詳細を例示するブロック図である。
【図12】図11の誤り訂正回路が備えたサブモジュー
ルテスト用スイッチ回路の選択状態を例示する説明図で
ある。
【図13】誤り訂正回路におけるサブモジュールテスト
のテスト動作を例示すフローチャートである。
【図14】図6のサーボモジュールに対するモジュール
テスト動作を例示するフローチャートである。
【図15】マルチプロセッサ化された本発明に係る半導
体集積回路を例示するブロック図である。
【図16】図15のマルチプロセッサ化された半導体集
積回路のテスト動作を例示するフローチャートである。
【符号の説明】
1 半導体集積回路 2、3 処理モジュール 2M,3M メモリ 2L,3L 論理回路 5 テストパターンアクセス比較回路 10 テスタ 11 メモリ制御回路 12 比較回路 TPB テストパターンバス TIOB テスト入出力バス TCB テスト制御バス NB システムインタフェースバス 20,21 バス幅変換回路 22 圧縮回路 23 伸張回路 24 保持回路 40 DVDコントローラ 44M,46M メモリ 44L 誤り訂正回路 46L ATAPI回路 48 サーボ回路 SW06〜SW08 スイッチ回路 100 半導体集積回路 101,102 CPU 105,106 2次キャッシュメモリ
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/66 G01R 31/28 V 21/822 Q 27/04 H01L 27/04 T H03K 19/00 Fターム(参考) 2G132 AA03 AB01 AC10 AD06 AE30 AG02 AH01 AK09 AL32 4M106 AA01 AC07 5B048 AA20 CC02 DD05 DD08 DD10 5F038 DF05 DT02 DT04 DT05 DT07 DT08 DT15 DT17 EZ20 5J056 BB60 CC00 CC09

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体集積回路が持つ所定の機能を用い
    る実動作と前記所定の機能が達成されているかを検証す
    るためのテスト動作とを行うことが可能な半導体集積回
    路であって、前記実動作で動作可能な複数の実動作回路
    ブロックとして論理回路及びメモリを備え、前記テスト
    動作において、指定された前記メモリを用い、指定され
    たその他の前記実動作回路ブロックをテスト対象として
    制御するテスト制御回路を有し、前記テスト制御回路
    は、外部から与えられたテスト入力系列及びテスト期待
    値系列を有するテストパターンを、指定されたメモリに
    格納し、メモリに格納されたテスト入力系列を前記指定
    されたメモリからテスト対象の実動作回路ブロックに供
    給し、当該実動作回路ブロックから出力されるテスト出
    力結果を、前記指定されたメモリから読み出されたテス
    ト期待値系列と比較し、比較結果を外部に出力するもの
    であることを特徴とする半導体集積回路。
  2. 【請求項2】 前記テスト制御回路は、比較不一致を得
    たとき、その結果を保持して出力する保持回路を有して
    成るものであることを特徴とする請求項1記載の半導体
    集積回路。
  3. 【請求項3】 前記テスト制御回路は、外部から与えら
    れたテストパターンを圧縮して前記メモリに供給可能に
    する圧縮回路と、前記メモリから読み出されたテストパ
    タンを伸張する伸張回路とを有して成るものであること
    を特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
  4. 【請求項4】 前記実動作において前記実動作回路ブロ
    ックと半導体集積回路の外部との間でデータ、アドレス
    信号入力及び制御信号を伝達するシステムインタフェー
    スバスと、前記テスト動作において前記テスト制御回路
    と前記メモリとの間で前記テストパターン、メモリアク
    セスアドレス信号、及びメモリアクセス制御信号を伝達
    するテストパターンバスと、前記テスト動作において前
    記テスト制御回路と前記メモリ及び論理回路との間で前
    記テスト入力系列又はテスト結果出力系列を伝達可能な
    テスト入出力バスと、を有して成るものであることを特
    徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
  5. 【請求項5】 前記テスト制御回路は、外部から与えら
    れたテスト入力系列及びテスト期待値系列の情報配列を
    前記テストパターンバスにおけるテストパターン伝達用
    のデータバス幅に合わせて変更する第1データ幅変換回
    路を有して成るものであることを特徴とする請求項4記
    載の半導体集積回路。
  6. 【請求項6】 前記テスト制御回路は、前記メモリから
    前記テストパターンバスに読み出された前記テストパタ
    ーンのテスト入力系列及びテスト期待値系列の情報配列
    を前記テスト入出力バスのデータバス幅に合わせて変更
    する第2データ幅変換回路を有して成るものであること
    を特徴とする請求項4記載の半導体集積回路。
  7. 【請求項7】 前記論理回路は、直列的に接続された複
    数の論理段を有し、前記複数の論理段の中から選択され
    た任意の論理段に前記テスト入出力バスを接続可能にす
    るスイッチ回路を有して成るものであることを特徴とす
    る請求項4記載の半導体集積回路。
  8. 【請求項8】 前記論理回路として、記録媒体から読取
    られた記録情報の再生に用いられる誤り訂正回路及びホ
    ストインタフェース回路を有することをと特徴とする請
    求項1記載の半導体集積回路。
  9. 【請求項9】 CPUを論理回路としキャッシュメモリ
    をメモリとするマルチプロセッサを構成するプロセッサ
    モジュールを複数個有することを特徴とする請求項1記
    載の半導体集積回路。
  10. 【請求項10】 半導体集積回路が持つ所定の機能を用
    いる実動作で利用される複数の実動作回路ブロックとし
    て論理回路及びメモリを備えた半導体集積回路をテスト
    装置に接続し、任意の実動作回路ブロックを指定してテ
    ストを行う方法であって、前記半導体集積回路はテスト
    制御回路を有し、前記テスト装置から前記半導体集積回
    路にテストパターンを供給する処理と、供給されたテス
    トパターンを前記テスト制御回路が所定のメモリに格納
    する処理と、前記テスト制御回路が前記テストパターン
    を前記所定のメモリから取り込む処理と、前記テスト制
    御回路が前記取り込まれた前記テストパターンの入力系
    列を所定の実動作回路ブロックに供給して動作させる処
    理と、前記テスト制御回路が前記取り込まれた前記テス
    トパターンの期待値系列を前記所定の実動作回路ブロッ
    クの動作により得られる結果出力データと比較し、比較
    結果をテスト装置に出力する処理と、を含むことを特徴
    とする半導体集積回路のテスト方法。
  11. 【請求項11】 前記出力する処理は、比較不一致を得
    たとき、その結果をラッチして出力することを特徴とす
    る請求項10記載の半導体集積回路のテスト方法。
  12. 【請求項12】 前記半導体集積回路の前記実動作にお
    ける前記実動作回路ブロックの動作速度よりも遅いテス
    ト装置を用いることを特徴とする請求項10記載の半導
    体集積回路のテスト方法。
  13. 【請求項13】 前記テスト装置が前記所定のメモリと
    前記所定の実動作回路ブロックを指定する処理を更に含
    むことを特徴とする請求項10記載の半導体集積回路の
    テスト方法。
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