JP5195174B2 - 成膜装置及び成膜方法 - Google Patents

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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5195175B2 (ja) * 2008-08-29 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5195676B2 (ja) * 2008-08-29 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5572515B2 (ja) * 2010-10-15 2014-08-13 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
JP5599350B2 (ja) 2011-03-29 2014-10-01 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
JP5630393B2 (ja) * 2011-07-21 2014-11-26 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び基板処理装置
WO2013106949A1 (zh) * 2012-01-18 2013-07-25 清华大学 用于内部稀薄气流模拟验证及压力检测的变结构真空腔室
WO2014057836A1 (ja) 2012-10-11 2014-04-17 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP6134191B2 (ja) 2013-04-07 2017-05-24 村川 惠美 回転型セミバッチald装置
JP6294194B2 (ja) 2014-09-02 2018-03-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
TWI696724B (zh) * 2014-09-10 2020-06-21 美商應用材料股份有限公司 空間原子層沈積中的氣體分離控制
JP6552206B2 (ja) * 2015-02-02 2019-07-31 東京エレクトロン株式会社 排気管無害化方法及び成膜装置
JP6398761B2 (ja) 2015-02-04 2018-10-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6388552B2 (ja) 2015-03-03 2018-09-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6388553B2 (ja) 2015-03-03 2018-09-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6735549B2 (ja) 2015-11-04 2020-08-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びリング状部材
KR102567720B1 (ko) * 2016-01-26 2023-08-17 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치
JP7008629B2 (ja) * 2016-01-26 2022-01-25 ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド 基板処理装置
JP6680190B2 (ja) * 2016-11-14 2020-04-15 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
CN110137121B (zh) * 2018-02-09 2024-03-26 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
JP7048885B2 (ja) * 2018-03-15 2022-04-06 シンフォニアテクノロジー株式会社 Efem
JP7330060B2 (ja) * 2019-10-18 2023-08-21 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、制御装置及び圧力計の調整方法
JP7296854B2 (ja) * 2019-11-07 2023-06-23 東京エレクトロン株式会社 ガス供給方法及び基板処理装置
JP2024027409A (ja) 2022-08-17 2024-03-01 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5225366A (en) * 1990-06-22 1993-07-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Apparatus for and a method of growing thin films of elemental semiconductors
JP3144664B2 (ja) * 1992-08-29 2001-03-12 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP3376809B2 (ja) * 1996-03-27 2003-02-10 松下電器産業株式会社 有機金属気相成長装置
EP0987700B1 (en) * 1997-05-08 2004-08-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Device and method for manufacturing an optical recording medium
US20020195056A1 (en) * 2000-05-12 2002-12-26 Gurtej Sandhu Versatile atomic layer deposition apparatus
KR100558922B1 (ko) * 2004-12-16 2006-03-10 (주)퓨전에이드 박막 증착장치 및 방법
KR100631972B1 (ko) * 2005-02-28 2006-10-11 삼성전기주식회사 화학기상증착 공정을 이용한 초격자 반도체 구조를 제조하는 방법
US20070218702A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Asm Japan K.K. Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor
JP2008172083A (ja) * 2007-01-12 2008-07-24 Sharp Corp 気相成長装置および気相成長方法
US8043432B2 (en) * 2007-02-12 2011-10-25 Tokyo Electron Limited Atomic layer deposition systems and methods
US20100199914A1 (en) * 2007-10-10 2010-08-12 Michael Iza Chemical vapor deposition reactor chamber
JP5195176B2 (ja) * 2008-08-29 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5262452B2 (ja) * 2008-08-29 2013-08-14 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び基板処理装置

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