JP5173042B2 - ガスセンサの製造方法 - Google Patents

ガスセンサの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5173042B2
JP5173042B2 JP2012033066A JP2012033066A JP5173042B2 JP 5173042 B2 JP5173042 B2 JP 5173042B2 JP 2012033066 A JP2012033066 A JP 2012033066A JP 2012033066 A JP2012033066 A JP 2012033066A JP 5173042 B2 JP5173042 B2 JP 5173042B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas sensor
protective layer
sensor element
porous protective
laminate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012033066A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012093377A (ja
Inventor
誠 栗林
正樹 水谷
森  茂樹
達彦 村岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Spark Plug Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP2012033066A priority Critical patent/JP5173042B2/ja
Publication of JP2012093377A publication Critical patent/JP2012093377A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5173042B2 publication Critical patent/JP5173042B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Oxygen Concentration In Cells (AREA)

Description

本発明は、測定対象ガス中の特定ガス成分の濃度を検出するためのガスセンサの製造方法に関する。
従来から、自動車から排出される排気ガス等の被測定ガス中の特定ガス成分の濃度に応じて電気的特性が変化するガスセンサ素子を備えたガスセンサが知られている。このガスセンサ素子は、排気ガス中の酸素等の濃度を検出して外部に出力する板状のガスセンサ素子本体を備えている。また、このガスセンサ素子本体は、例えば、ジルコニアを主体とする固体電解質体に白金を主体とする一対の電極を備えたセルを少なくとも1つ以上有している。
そして、このようなガスセンサ素子本体におけるセルは温度が低いと活性化しないことから、これを加熱するための板状のヒータが積層された積層型のガスセンサ素子も知られている。このようなヒータとしては、例えばアルミナを主体としたセラミック基板(絶縁層)と発熱抵抗体とから形成されたものが用いられている。
このようなガスセンサ素子については、排気ガス中に含まれる凝縮水が付着した場合にクラックが発生しやすいことから、凝縮水が付着する外周部分にセラミックからなる多孔質保護層が形成される。このような多孔質保護層を形成することで、凝縮水が付着した場合に、この凝縮水を多孔質保護層内で分散させながら緩慢に浸透させることができ、ガスセンサ素子を構成するガスセンサ素子本体やヒータにおけるクラックの発生を抑制することができる。特に、板状のガスセンサ素子については、それを構成するガスセンサ素子本体やヒータの各稜(以下、角部と言う。)にクラックが発生し易いことから、この角部に適切な厚みの多孔質保護層を設けることが重要となっている。また、凝縮水が付着する部分としては、被測定ガスに晒されるガスセンサ素子の先端部が挙げられ、その先端部に多孔質保護層を設ける必要がある。
このような多孔質保護層の形成方法としては、例えば溶媒中に原料となるセラミック粉末等を分散させて得られるスラリー中に、ガスセンサ素子本体とヒータとからなる積層体を浸漬させる所謂ディップ法、またガスセンサ素子本体とヒータとからなる積層体にセラミック粉末等を溶射(プラズマ溶射)する溶射法が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2003−322632号公報
しかしながら、従来の多孔質保護層については必ずしも厚みが均一となっておらず、特にガスセンサ素子本体とヒータとからなる積層体の角部に形成される多孔質保護層は薄く、これらの角部間にあたる平面部に形成される多孔質保護層は厚くなる傾向にある。このため、クラックが発生し易い角部の多孔質保護層を厚くしたものについては、平面部の多孔質保護層が不必要に厚くなることがある。
このように多孔質保護層に不必要に厚い部分があるものについては、ヒータから発せられた熱がこの多孔質保護層へと逃げてしまい、ガスセンサ素子本体が活性化するまでの時間であるライトオフタイムが長期化し、ヒータの消費電力も増加する。なお、ライトオフタイムとは、具体的にはヒータに通電を開始してからガスセンサが測定可能な状態となるまでに要する時間のことを指し、例えば一般的な酸素センサの場合、ガスセンサ素子が450℃に上昇するまでに要する時間を指す。
また、このような不均一な厚み(膜厚が厚い部位と薄い部位が混在する)の多孔質保護層については、多孔質保護層の膜厚が厚い部位と薄い部位とで製造時の乾燥収縮や焼成収縮によりできた応力にばらつきが生じ、ガスセンサ使用時に衝撃等が加わった際、このばらつきに起因して、多孔質保護層が積層体から剥離する虞がある。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、ライトオフタイムの長期化や、ヒータの消費電力が抑制されると共に、ガスセンサ素子本体とヒータとからなる積層体におけるクラックや、それに形成される多孔質保護層の剥離が抑制され、信頼性に優れたガスセンサの製造方法を提供することを目的としている。
本発明のガスセンサの製造方法によって製造されるガスセンサは、例えば、軸線方向に延びる板状形状をなし、先端部が被測定ガス中に晒され、被測定ガス中の特定成分を検出するためのガスセンサ素子と、該ガスセンサ素子の先端部を自身の先端から突出するようにして前記ガスセンサ素子を自身の内部に保持した略筒状の主体金具とを有し、前記ガスセンサ素子が、内部に発熱体を有するヒータ、及び板状の固体電解質体に一対の電極が配置された少なくとも1つのセルを有するガスセンサ素子本体が積層された積層体と、ガスセンサ素子の先端部となる積層体の部位を少なくとも覆う多孔質保護層とを有するガスセンサであって、前記多孔質保護層は、前記積層体上に前記多孔質保護層の成分を含むコート液を噴霧することにより形成されてなり、前記ガスセンサ素子の先端部に形成された前記多孔質保護層の最大厚みをTMAX、最小厚みをTMINとしたとき、TMAX≦700μm、TMIN≧100μmかつ(TMAX−TMIN)/TMAX≦0.6である。
このように、特定範囲に形成される多孔質保護層の最大厚みTMAXを700μm以下とすることで、ヒータから発せられた熱がこの多孔質保護層へと逃げることを抑制し、ガスセンサ素子本体が活性するまでの時間であるライトオフタイムの長期化や、ヒータの消費電力を抑制することができる。この最大厚みTMAXは、さらにライトオフタイムを短縮し、ヒータの消費電力を抑制する観点から、600μm以下とすることが好ましい。
一方、特定範囲に形成される多孔質保護層の最小厚みTMINを100μm以上とすることで、この多孔質保護層に付着した凝縮水を多数の気孔に分散させながら緩慢に浸透させ、ガスセンサ素子本体とヒータとからなる積層体に到達する前に有効に分散させることができ、該積層体におけるクラックの発生を抑制することができる。この最小厚みTMINは、さらに該積層体におけるクラックの発生を抑制する観点から、150μm以上とすることが好ましい。
なお、この多孔質保護層は、ガスセンサ素子を主体金具の内部に保持したときに、主体金具の先端から突出するガスセンサ素子の先端部に少なくとも形成されている。被測定ガスに晒されるガスセンサ素子の先端部に多孔質保護層が形成されることにより、被測定ガス中に含まれる凝縮水がガスセンサ素子に付着したとしても多孔質保護層が水分を緩慢に浸透させていき、積層体のクラックを防止することができる。また、ガスセンサ素子の先端部に多孔質保護層が形成されることにより、ヒータから発生された熱が多孔質保護層へ逃げることを有効に抑制し、ライトオフタイムを短縮でき、さらに消費電力を抑制することができる。なお、多孔質保護層は、ガスセンサ素子の先端部だけでなく、ガスセンサ素子の後端部側まで形成されていてもよい。
そして、多孔質保護層の最大厚みTMAX、最小厚みTMINは、このガスセンサ素子の先端部に設けられた多孔質保護層の厚みの最大、最小のことを指す。つまり、ライトオフタイムの長期化の影響及びヒータの消費電力の影響や、積層体のクラックの影響を最も受けやすいガスセンサ素子の先端部における多孔質保護層を最大厚みTMAX≦700μm、TMIN≧100μmとすることで、ライトオフタイムの長期化の影響や、積層体のクラックの影響を有効に抑制できる。なお、多孔質保護層の最大厚みTMAX、最小厚みTMINは、ガスセンサ素子の幅方向に計測した厚み及びガスセンサ素子の長手方向に計測した厚みの中で最も長い、もしくは短い厚みのことを指す。
また、特に該積層体が板状であるものについては、その角部に形成される多孔質保護層の厚さが薄くなり易く、クラックが発生し易いことから、このような角部に形成される多孔質保護層が多孔質保護層全体の中で最も薄い部分となるとき(最小厚みTMINとなるとき)に、この角部に形成される多孔質保護層の厚みを少なくとも100μmとすることで、クラックの発生しやすい角部に十分な厚さの多孔質保護層を設け、クラックの発生を有効に抑制することができる。
なお、「角部」とは、ガスセンサ素子本体とヒータとからなる積層体の2つの平面によって形成される線状の稜だけでなく、例えば、2つの平面をR形状で連結する曲面状の部分をも含めるものとする。また、このような角部における多孔質保護層の厚さは、このような角部と多孔質保護層の表面とに接して形成される最小の仮想円の直径を指す。
さらに、このような場合において、多孔質保護層の最大厚みTMAX及び最小厚みTMINを、(TMAX−TMIN)/TMAX≦0.6を満たすものとすることで、衝撃等が加わった場合であっても、多孔質保護層がガスセンサ素子本体とヒータとからなる積層体から剥離することを抑制することができる。
すなわち、(TMAX−TMIN)/TMAXが0.6を超えるような厚みが不均一な多孔質保護層、より具体的には厚みの差が大きい多孔質保護層については、不均一な厚みにより製造時の乾燥収縮や焼成収縮によりできる応力のばらつきにより、ガスセンサ使用時に衝撃等が加わった際、多孔質保護層が積層体から剥離する虞がある。(MAX−TMIN)/TMAXが0.6以下となるような多孔質保護層とすることで、乾燥収縮や焼成収縮によりできる応力のばらつきを少なくし、ガスセンサ使用時に衝撃等が加わったとしても、多孔質保護層が積層体から剥離することを抑制できる。
従って、多孔質保護層をTMAX≦700μm、TMIN≧100μmかつ(TMAX−TMIN)/TMAX≦0.6を満たすものすることで、ライトオフタイムの長期化や、ヒータの消費電力を抑制すると共に、ガスセンサ素子本体とヒータとからなる積層体におけるクラックや、それに形成される多孔質保護層の剥離も抑制することができ、信頼性に優れたガスセンサとすることができる。
また、主体金具の先端部から突出する部分に形成される多孔質保護層の表面粗さRaは15μm以下とすることが好ましい。このように多孔質保護層の表面粗さRaが15μm以下であれば、その気孔の分布が均一となりやすく、凝縮水が付着した場合に、この凝縮水が多孔質保護層の気孔に均一に分散されて浸透するため、ガスセンサ素子本体とヒータとからなる積層体におけるクラックの発生をより一層抑制することができる。
本発明のガスセンサの製造方法は、軸線方向に延びる板状形状をなし、先端部が被測定ガス中に晒され、被測定ガス中の特定成分を検出するためのガスセンサ素子と、該ガスセンサ素子の先端部を自身の先端から突出するようにして前記ガスセンサ素子を自身の内部に保持した略筒状の主体金具とを有し、前記ガスセンサ素子が、内部に発熱体を有するヒータ、及び板状の固体電解質体に一対の電極が配置された少なくとも1つのセルを有するガスセンサ素子本体が積層された積層体と、前記ガスセンサ素子の先端部となる積層体の部位を少なくとも覆う多孔質保護層とを有するガスセンサの製造方法であって、前記積層体を、前記軸線方向を中心に回転させながら、前記軸線方向に垂直な方向から前記多孔質保護層の成分を含むコート液を、前記軸線方向が長径となる楕円形状に噴霧する工程を含むことを特徴としている。
また、本発明のガスセンサの製造方法においては、前記楕円形状の長径が前記積層体の前記軸線方向における前記多孔質保護層の形成領域の長さの1.2倍以上であり、短径が前記積層体の幅の1.2倍以上であることが好ましい。
本発明のガスセンサの製造方法によれば、ガスセンサ素子本体とヒータとが積層された積層体に多孔質保護層の成分を含むコート液を噴霧してガスセンサ素子を製造する際、その噴霧形状を楕円形状とすると共に、この楕円形状の長径が積層体の軸線方向となるようにすることで、積層体の軸線方向におけるコート液の被着量を均一化することができる。これにより、(TMAX−TMIN)/TMAX≦0.6を満たす多孔質保護層を容易に形成することができ、信頼性に優れるガスセンサを製造することができる。
特に、楕円形状の長径が積層体の軸線方向における多孔質保護層の形成領域の長さの1.2倍以上となるようにし、短径が積層体の幅の1.2倍以上となるようにすることで、より積層体の軸線方向におけるコート液の被着量を均一化でき、信頼性に優れたガスセンサを製造することができる。
本発明よれば、ガスセンサ素子本体とヒータとからなる積層体に形成される多孔質保護層の最大厚みをTMAX、最小厚みをTMINとしたとき、TMAX≦700μm、TMIN≧100μmかつ(TMAX−TMIN)/TMAX≦0.6を満たすものとすることで、ライトオフタイムの長期化や、ヒータの消費電力を抑制すると共に、ガスセンサ素子本体とヒータとからなる積層体におけるクラックや、それに形成される多孔質保護層の剥離も抑制することができ、信頼性に優れたガスセンサとすることができる。
また、本発明によれば、積層体への多孔質保護層の形成の際、多孔質保護層の成分を含むコート液を長径が積層体の軸線方向となるように楕円形状に噴霧することで、上記した信頼性に優れるガスセンサを容易に製造することができる。
本発明のガスセンサの一例を示す断面図。 本発明に用いられる積層体の一例を示す分解斜視図。 本発明に用いられる積層体の一例を示す斜視図。 図3に示す積層体のA−A’矢視断面図。 多孔質保護層の形成工程を説明するための図。 スプレー方法の一例を示す模式図。 図6(b)におけるA−A’矢視図。 円形形状のスプレー形状により得られる多孔質保護層を示す模式的外観図。 楕円形状のスプレー形状により得られる多孔質保護層を示す模式的外観図。 スプレー方法の他の例を示す模式図。
以下に、本発明のガスセンサについて図面を参照して説明する。以下では、本発明のガスセンサとして、自動車や各種内燃機関における空燃比フィードバック制御に使用されるものであって、測定対象気体となる排ガス中の特定ガスを検出するガスセンサ素子が組みつけられると共に、内燃機関の排気管に装着される全領域空燃比センサを例に挙げて説明する。
図1は、本発明のガスセンサ1の全体構成を示す断面図である。ガスセンサ1は、排気管に固定するためのネジ部14が外表面に形成された筒状の主体金具10と、軸線方向(ガスセンサ1の長手方向:図中上下方向)に延びる板状形状をなすガスセンサ素子20と、このガスセンサ素子20の径方向周囲を取り囲むように配置される筒状のセラミックスリーブ27と、軸線方向に貫通するコンタクト挿通孔31の内壁面がガスセンサ素子20の後端部の周囲を取り囲む状態で配置される絶縁コンタクト部材30と、ガスセンサ素子20と絶縁コンタクト部材30との間に配置される5個の接続端子36(図1では、1個図示)と、を備えている。
主体金具10は、軸線方向に貫通する貫通孔12と、この貫通孔12の径方向内側に突出する棚部15とを有する略筒状形状に構成されている。この棚部15は、軸線方向に垂直な平面に対して傾きを有する内向きのテーパ面として形成されている。また、ガスセンサ素子20は、先端部20a(後述する検出部)が主体金具10の先端11の外部に配置され、電極端子部301、302が主体金具10の後端部13の外部に配置されるようにして、主体金具10の貫通孔12内に挿入されている。
なお、主体金具10の貫通孔12の内部には、ガスセンサ素子20の径方向周囲を取り囲む状態で、環状形状のセラミックホルダ24、粉末充填層25、26(以下、滑石リング25、26ともいう)、及び上述のセラミックスリーブ27が、この順に先端側から後端側にかけて積層されている。また、セラミックスリーブ27と主体金具10の後端部13との間には、加締パッキン28が配置されており、セラミックホルダ24と主体金具10の棚部15との間には、セラミックホルダ24や滑石リング25を保持し、気密性を維持するための金属ホルダ23が配置されている。なお、主体金具10の後端部13は、加締パッキン28を介してセラミックスリーブ27を先端側に押し付けるように、加締められている。
一方、主体金具10の先端側(図1における下方)外周には、ガスセンサ素子20の突出部分を覆うと共に、複数の孔部を有する金属製(例えば、ステンレスなど)の二重の外部プロテクタ40及び内部プロテクタ41が、溶接等によって取り付けられている。
そして、主体金具10の後端側外周には、外筒50が固定されている。また、外筒50の後端側(図1における上方)の開口部には、ガスセンサ素子20の電極端子部301、302とそれぞれ電気的に接続される5本のリード線52(図1では3本図示)が押通されるリード線押通孔55が形成されたグロメット54が配置されている。
また、主体金具10の後端部13より突出されたガスセンサ素子20の後端側(図1における上方)には、絶縁コンタクト部材30が配置される。なお、この絶縁コンタクト部材30は、ガスセンサ素子20の後端側の表面に形成される電極端子部301、302の周囲に配置される。この絶縁コンタクト部材30は、軸線方向に貫通するコンタクト挿通孔31を有する筒状形状に形成されると共に、外表面から径方向外側に突出する鍔部32が備えられている。絶縁コンタクト部材30は、鍔部32が保持部材58を介して外筒50に当接することで、外筒50の内部に配置される。
次に、ガスセンサ素子20について詳細に説明する。ガスセンサ素子20は、測定対象となるガスに向けられる先端側(図中下方)が検出部とされ、後端側(図中上方)の表裏面に電極端子部301、302が形成された軸線方向に延びる板状形状の積層体21と、この積層体21の少なくとも先端部20aを覆うように形成された多孔質保護層22とから構成される。
接続端子36は、ガスセンサ素子20と絶縁コンタクト部材30との間に配置されることで、ガスセンサ素子20の電極端子部301、302にそれぞれ電気的に接続される。また、接続端子36は、外部からセンサの内部に配設されるリード線52にも電気的に接続されており、リード線52が接続される外部機器と電極端子部301、302との間に流れる電流の電流経路を形成する。
図2は積層体21の分解斜視図であり、図3は積層体21の斜視図である。図2に示すように、積層体21は、ガスセンサ素子本体(検出素子)100とヒータ200とが積層されたものであり、さらにガスセンサ素子本体100は、酸素濃度検出セル110と酸素ポンプセル130とが積層されたものである。
ヒータ200は、アルミナを主体とする第1基体201及び第2基体203と、第1基体201と第2基体203とに挟まれ、白金を主体とする発熱体202を有している。発熱体202は、先端側に位置する発熱部202aと、発熱部202aから第1基体201の長手方向に沿って延びる一対のヒータリード部202bとを有している。そして、ヒータリード部202bの端末は、第1基体201に設けられるヒータ側スルーホール201aを介して電極端子部302と電気的に接続している。
酸素濃度検出セル110は、第1固体電解質体112と、その第1固体電解質体112の両面に形成された第1電極111及び第2電極113とから形成されている。第1電極111は、第1電極部111aと、第1電極部111aから第1固体電解質体112の長手方向に沿って延びる第1リード部111bとから形成されている。第2電極113は、第2電極部113aと、第2電極部113aから第1固体電解質体112の長手方向に沿って延びる第2リード部113bとから形成されている。
そして、第1リード部111bの端末は、第1固体電解質体112に設けられる第1スルーホール112a、後述する絶縁層120に設けられる第2スルーホール120a、第2固体電解質体132に設けられる第4スルーホール132a及び保護層140に設けられる第6スルーホール140aを介して電極端子部301と電気的に接続する。一方、第2リード部113bの端末は、後述する絶縁層120に設けられる第3スルーホール120b、第2固体電解質体132に設けられる第5スルーホール132b及び保護層140に設けられる第7スルーホール140bを介して電極端子部301と電気的に接続する。
一方、酸素ポンプセル130は、第2固体電解質体132と、その第2固体電解質体132の両面に形成された第3電極131、第4電極133とから形成されている。第3電極131は、第3電極部131aと、この第3電極部131aから第2固体電解質体132の長手方向に沿って延びる第3リード部131bとから形成されている。第4電極133は、第4電極部133aと、この第4電極部133aから第2固体電解質体132の長手方向に沿って延びる第4リード部133bとから形成されている。
そして、第3リード部131bの端末は、第2固体電解質体132に設けられる第5スルーホール132b及び保護層140に設けられる第7スルーホール140bを介して電極端子部301と電気的に接続する。一方、第4リード部133bの端末は、後述する保護層140に設けられる第8スルーホール140cを介して電極端子部301と電気的に接続する。なお、第2リード部113bと第3リード部131bは第3スルーホール120bを介して同電位となっている。
これら第1固体電解質体112、第2固体電解質体132は、ジルコニア(ZrO)に安定化剤としてイットリア(Y)又はカルシア(CaO)を添加してなる部分安定化ジルコニア焼結体から構成されている。
発熱体202、第1電極111、第2電極113、第3電極131、第4電極133、電極端子部301及び電極端子部302は、白金族元素で形成することができる。これらを形成する好適な白金族元素としては、Pt、Rh、Pd等を挙げることができ、これらはその一種を単独で使用することもできるし、又二種以上を併用することもできる。
もっとも、発熱体202、第1電極111、第2電極113、第3電極131、第4電極133、電極端子部301及び電極端子部302は、耐熱性及び耐酸化性を考慮するとPtを主体にして形成することがより一層好ましい。さらに、発熱体202、第1電極111、第2電極113、第3電極131、第4電極133、電極端子部301及び電極端子部302は、主体となる白金族元素の他にセラミック成分を含有することが好ましい。このセラミック成分は、固着という観点から、積層される側の主体となる材料(例えば、第1固体電解質体112、第2固体電解質体132の主体となる成分)と同様の成分であることが好ましい。
そして、上記酸素濃度検出セル110と酸素ポンプセル130との間に、絶縁層120が形成されている。絶縁層120は、絶縁部121と拡散律速部122とからなる。この絶縁層120の絶縁部121には、第2電極部113a及び第3電極部131aに対応する位置にガス検出室120cが形成されている。このガス検出室120cは、絶縁層120の幅方向で外部と連通しており、該連通部分には、外部とガス検出室120cとの間のガス拡散を所定の律速条件下で実現する拡散律速部122が配置されている。
絶縁部121は、絶縁性を有するセラミック焼結体であれば特に限定されなく、例えば、アルミナやムライト等の酸化物系セラミックを挙げることができる。拡散律速部122は、アルミナからなる多孔質体である。この拡散律速部122によって検出ガスがガス検出室120cへ流入する際の律速が行われる。
また、第2固体電解質体132の表面には、第4電極133を挟み込むようにして、保護層140が形成されている。この保護層140は、第4電極部133aを挟み込む多孔質の電極保護部142が、第4リード部133bを挟み込む補強部141に形成された貫通孔141aに挿入されている。
図4は図3のA−A´にて切断した切断面である。なお、図4は、積層体21に加えて多孔質保護層22を表示しており、実質的にガスセンサ素子20の切断面となるものである。
多孔質保護層22は、積層体21の先端部20aの全周を覆っている。この多孔質保護層22は、先端部20aが被水したとき、クラックが発生することを防止することを目的として形成されている。
本発明では、このような多孔質保護層22の最大厚みをTMAX、最小厚みをTMINとしたとき、TMAX≦700μm、TMIN≧100μmかつ(TMAX−TMIN)/TMAX≦0.6とすることを特徴としている。本発明では、多孔質保護層22をこのような条件を満たすものとすることで、ライトオフタイムの長期化や、ヒータ200の消費電力を抑制すると共に、ガスセンサ素子本体100とヒータ200とからなる積層体21におけるクラックや、それに形成される多孔質保護層22の剥離を抑制することができ、信頼性に優れたガスセンサ1とすることができる。
また、特に積層体21のように外形形状が板状であるものについては、その角部に形成される多孔質保護層22の厚さが薄くなり、クラックが発生し易いことから、このような角部に形成される多孔質保護層22がその他の部分に形成される多孔質保護層22に比べて薄くなるとき(角部の多孔質保護層22の厚さが最小厚みTMINとなるとき)、この角部に形成される多孔質保護層の厚みを少なくとも100μmとすることで、角部におけるクラックの発生を有効に抑制することができる。
ここで、一般に、多孔質保護層22は、図1に示されるように、積層体21の先端部から主体金具10の貫通孔12内に達するように形成されるが、上記したような各要件については主体金具10の先端11よりも先端側の部分であるガスセンサ素子20の先端部20aに形成された多孔質保護層22について満たされていればよく、主体金具10の先端11よりも後端側、すなわち主体金具10の貫通孔12内に形成された多孔質保護層22については必ずしも上記条件が満たされている必要はない。少なくとも主体金具10の先端11よりも先端側のガスセンサ素子20の先端部20aに形成された多孔質保護層22について上記条件がみたされていることで、上記したような各種効果を十分に得ることができる。
多孔質保護層22の厚みは、例えば図4に示されるような断面において、積層体21の平面部に形成された部分については、積層体21の平面部表面から、この表面に垂直な方向の多孔質保護層22の表面までの距離であり、また積層体21の角部に形成された部分については、角部と多孔質保護層の表面とに接して形成される最小の仮想円の直径である。
また、多孔質保護層22の最大厚みTMAX、最小厚みTMINは、突出部分に形成された多孔質保護層22の中で最も厚い部分あるいは薄い部分の厚みを指す。すなわち、主体金具10の先端11よりも先端側に突出する積層体21の先端面、4つの側面(いわゆるガスセンサ素子20の先端部20aに対応する積層体21の先端面および4つの側面)およびこれらの面によって形成される角部に形成される多孔質保護層22の中で最も厚い部分の厚みが最大厚みTMAXであり、最も薄い部分の厚みが最小厚みTMINである。
従って、例えば図4に示されるようなガスセンサ素子20の長手方向に垂直な切断面、あるいは図示しないがガスセンサ素子20の長手方向に平行な切断面を見た場合、いずれの場合についても、その切断面における多孔質保護層22の最大の厚みである切断面最大厚みtMAX、最小の厚みである切断面最小厚みtMINはそれぞれ、tMAX≦TMAX、tMIN≧TMINとなっている。また、(TMAX−TMIN)/TMAX≦0.6が満たされていれば、(tMAX−tMIN)/tMAX≦0.6となっている。
このような突出部分に形成される多孔質保護層22については、上記したようにTMAX≦700μm、TMIN≧100μmかつ(TMAX−TMIN)/TMAX≦0.6とされていればよいが、ライトオフタイムの長期化や、ヒータ200の消費電力をより一層抑制し、また積層体21におけるクラックも抑制する観点から、TMAX≦600μmかつTMIN≧150μmとすることが好ましい。
また、突出部分に形成される多孔質保護層22については、表面粗さRaを15μm以下とすることが好ましい。このように多孔質保護層22の表面粗さRaが15μm以下とされていることで、その気孔の分布が均一となりやすく、凝縮水が付着した場合に、この凝縮水が多孔質保護層22の気孔に均一に分散されて浸透するため、積層体21におけるクラックの発生がより一層抑制される。なお、表面粗さ Raは算術平均粗さRaのことであり、算術平均粗さRaの値は、JIS:B0601(1994年)の3「定義された算術平均粗さの定義及び表示」によって表されたものである。
次に、上記したような多孔質保護層22を有するガスセンサ素子20の製造方法について説明する。なお、焼成前の部位と焼成後の部位とは同符号を用いて説明している。例えば、焼成後に第1固体電解質体112となる未焼成第1固体電解質体112のように説明している。
まず、ガスセンサ素子本体100とヒータ200とが積層された積層体21の製造について説明する。初めに、第1原料粉末と可塑剤とを湿式混合することによりスラリーを用意する。第1原料粉末は、例えば、アルミナ粉末97質量%と、焼結調整剤としてのシリカ3質量%とからなるものである。また可塑剤は、例えばブチラール樹脂及びジブチルフタレート(DBP)からなるものである。
そして、ドクターブレード装置を使用したシート成形法により、このスラリーを例えば厚さ0.4mmのシート状物に成形した後、140mm×140mmに切断し、未焼成補強部141、第1未焼成基体201、第2未焼成基体203、未焼成絶縁層120の未焼成絶縁部121を得る。そして、未焼成補強部141に貫通孔141aを形成する。また、未焼成絶縁部121に、ガス検出室120cを形成する。
一方、第2原料粉末と可塑剤とを湿式混合することによりスラリーを用意する。第2原料粉末は、例えば、アルミナ粉末63質量%と、焼結調整剤としてのシリカ3質量%と、カーボン粉末34質量%とからなるものである。また、可塑剤は、例えばブチラール樹脂及びDBPからなるものである。そして、このスラリーを用い、未焼成電極保護部142を得る。
また、第3原料粉末と可塑剤とを湿式混合することによりスラリーを用意する。第3原料粉末は、例えば、ジルコニア粉末97質量%と、焼結調整剤としてシリカ(SiO粉末及びアルミナ粉末合計3質量%)とからなるものである。また、可塑剤は、例えばブチラール樹脂及びDBPからなるものである。このスラリーを用い、第1未焼成固体電解質体112及び第2未焼成固体電解質体132を得る。
さらに、例えば、アルミナ粉末100質量%及び可塑剤を湿式混合することによりスラリーを用意する。可塑剤は、例えばブチラール樹脂及びDBPからなるものである。このスラリーを用い、未焼成絶縁層120の未焼成拡散律速部122を得る。
そして、下方から順に第1未焼成基体201、未焼成発熱体202、第2未焼成基体203、第1未焼成電極111、第1未焼成固体電解質体112、第2未焼成電極113、未焼成絶縁層120、第3未焼成電極131、第2未焼成固体電解質体132、第4未焼成電極133、未焼成保護層140等を積層する。
具体的には、第1未焼成基体201上に、白金を主体とするペーストを用い、スクリーン印刷により未焼成発熱体202を形成する。そして、未焼成発熱部102を挟み込むようにして第2未焼成基体203を積層する。
そして、第1未焼成固体電解質体112上に、第1未焼成電極111を形成する。なお、第1未焼成電極111は、例えば白金90質量%及びジルコニア粉末10質量%の白金ペーストからなるものである。すなわち、この白金ペーストをスクリーン印刷法によって印刷することで、第1未焼成電極111が形成される。
さらに、第2未焼成基体203に、第1未焼成電極111を挟み込むようにして第1未焼成固体電解質体112を積層し、さらに、その第1未焼成固体電解質体112上に第2未焼成電極113を印刷して形成する。なお、第2未焼成電極113は第1未焼成電極111と同様の材料からなるものである。
そして、第2未焼成電極113上に未焼成絶縁層120を形成する。具体的には、未焼成絶縁部121、未焼成拡散律速部122を形成する。なお、焼成後、ガス検出室120cとなる部位、及び焼成後、多孔質保護層22が配置される第1固体電解質体と第2固体電解質体との間には、カーボンを主体とするペーストを印刷する。
さらに、第2未焼成固体電解質体132上に、第3未焼成電極131を印刷し、第3未焼成電極131を挟み込むようにして、未焼成絶縁層120に積層する。そして、第2未焼成固体電解質体132上に第4未焼成電極133を印刷する。なお、第3未焼成電極131、第4未焼成電極133は、第1未焼成電極111と同様の材料からなるものである。そして、第4未焼成電極133上に、未焼成保護層140を積層する。未焼成保護層140は、予め未焼成電極保護部142を未焼成補強部141の貫通孔141aに挿入したものである。
そして、これらを1MPaで加圧して圧着後、所定の大きさに切断し、未焼成積層体21を得る。その後、未焼成積層体21を樹脂抜きし、さらに焼成温度1500℃で1時間保持し、積層体21を得る。
次に、積層体21への多孔質保護層22の形成について説明する。本発明では、以下に示すように、セラミック原料粉末と溶媒との混合物であるコート液をスプレー(噴霧)して未焼成多孔質保護層22を形成することで、上記したようなTMAX≦700μm、TMIN≧100μmかつ(TMAX−TMIN)/TMAX≦0.6となる多孔質保護層22を形成することができる。
また、ディップ法によって未焼成多孔質保護層22を形成する場合、必要な厚みを得るためにディップと乾燥と複数回繰り返して行う必要があるが、上記したようなスプレー法によれば数秒程度のスプレーで必要な厚みの未焼成多孔質保護層22を形成することができ、製造時間の大幅な短縮を図ることができる。
以下、具体的に多孔質保護層22の形成について説明する。まず、図5に示すように、原料であるスピネル粉末と、チタニア粉末とを調合し、さらに揮発性溶剤としてのエタノールを加えてコート液を得る。そして、このコート液を積層体21にスプレーし、乾燥させ、焼成後に多孔質保護層22となる未焼成多孔質保護層22を形成する。
スプレーは、図6に示すように、支持部材400によって積層体21の後端側を支持した状態で、まず先端側からニードル式のノズルを用いたスプレー装置401によってスプレーすることにより積層体21の先端部分にコート液を被着させた後(a)、積層体21を回転させつつスプレー装置401によって側方からスプレーして積層体21の側方部分にコート液を被着させる(b)。
なお、図6において、402は、周囲に飛散したセラミック粉末(コート液からエタノールが揮発したもの)を回収して再利用するための吸引装置を示している。この吸引装置402で回収されたセラミック粉末は再度エタノールに分散させることによって容易に再利用することができる。
このように方向を変えて2段階のスプレーを行う方法によれば、積層体21の先端部分及び側方部分に均一に未焼成多孔質保護層22を形成することができる。また、先に先端部分に向けてスプレーを行うことで、先端部分に形成された未焼成多孔質保護層22の端部をその後に形成される側方部分の多孔質保護層22で覆うことができ、先端部分に形成された多孔質保護層22を剥がれ難くすることができる。
そして、図6(b)に示すような側方部分へのスプレーについては、図7に示すように、スプレー形状Sを楕円形状とし、その長径Sが積層体21の軸線方向となるようにすることが好ましい。なお、図7は、図6(b)におけるA−A’矢視図であり、スプレー装置401側から見た積層体21に対するスプレー状態を示したものである。また、図7においては、吸引装置402の図示を省略している。
このように、スプレー形状Sを楕円形状とすると共に、その長径Sが積層体21の軸線方向となるようにすることで、積層体21の軸線方向におけるコート液の被着量(未焼成多孔質保護層22の被着量)を均一化することができる。すなわち、スプレー形状Sを従来のような単なる円形形状とした場合、例えば図8に模式的に示すように、コート液Cの被着する厚みは、スプレー形状Sの中心部分に相当する部分が厚く、そこから軸線方向の両側に向かって薄くなる。
これに対して、スプレー形状Sを楕円形状とした場合、例えば図9に模式的に示すように、コート液Cの被着する厚みを軸線方向においてほぼ一定とすることができ、具体的には軸線方向におけるコート液Cの最大厚みと最小厚みとの差を100μm以下とすることができる。これにより、例えば上記した(TMAX−TMIN)/TMAX≦0.6を満たす多孔質保護層22を容易に形成することができ、該多孔質保護層22におけるクラックの発生や、使用時の衝撃等による剥離が抑制されたガスセンサ1を製造することができる。
このような楕円形状における長径Sおよび短径Sの大きさは必ずしも制限されるものではないが、図7に示されるように積層体21のうち多孔質保護層22を形成しようとする形成領域21aの全体にコート液を同時に付着させる観点から、長径Sが形成領域21aの軸線方向の長さGの1.2倍以上、短径Sが積層体21の幅Gの1.2倍以上であることが好ましい(S≧1.2G、S≧1.2G)。
なお、形成領域21aとは、上記したように積層体21において多孔質保護層22を形成しようとする領域を指し、具体的には図7に示されるような場合において、積層体21のうち支持部材400から突出した領域を指す。
また、図7は回転途中の積層体21の一状態を示したものであり、積層体21の幅方向が図の上下方向となったときの状態を図示したものである。このように積層体21が回転する場合、図の上下方向に積層体21の幅方向と厚さ方向とが交互に位置することとなるが、通常、このような場合であっても短径Sは一定の大きさに維持される。
なお、長径Sおよび短径Sは、図示されるように積層体21が配置されている場所において測定されるものであり、具体的にはスプレー方向に対して垂直な平面であって、回転する積層体21の回転軸を通る平面において測定されるものである。
長径Sおよび短径Sの大きさは、コート液Cを積層体21の形成領域21aに集中的にスプレーし、周囲への飛散を低減する観点から、長径Sが形成領域21aの長さGの2倍以下、短径Sが積層体21の幅Gの2倍以下であることが好ましい(S≦2G、S≦2G)。これにより、コート液Cを積層体21の形成領域21aに集中的にスプレーし、周囲への飛散を低減することができ、積層体21に被着されずに回収あるいは廃棄されるコート液Cの量を低減し、ガスセンサ1の生産性を向上させることができる。すなわち長径Sが形成領域21aの長さGの2倍を超える場合、または短径Sが積層体21の幅Gの2倍を超える場合、積層体21に対してスプレー形状Sとしての楕円形状が大きすぎることとなり、積層体21の周囲へのコート液Cの飛散が多くなり好ましくない。
なお、長径Sおよび短径Sの調整は、通常、スプレー装置401においてコート液を吐出するために用いられるノズルの形状を適宜選択することにより行うことができ、例えば市販されているスプレーノズルのうち楕円スプレーノズルなどと呼ばれるものの中から適宜選択することにより行うことができる。
以上、先端側および側方側から2段階に分けてスプレーする方法について説明したが、このような2段階に分けてスプレーする方法に替えて、図10に示すように、これらの中間位置から斜めにスプレーする1段階のスプレーを行っても良い。
これらのスプレーにおいては、コート液に水ではなく、エタノール等の揮発性溶剤を使用し、回転速度やスプレーの噴霧時間等を適宜選択することで、積層体21の表面にコート液が付着した時点で揮発性溶媒を揮発させ、乾燥したセラミック原料粉末を積層体21の表面に容易に付着させることができる。これにより途中で乾燥時間を設けることなく、必要な厚みの未焼成多孔質保護層22を得ることができる。
多孔質保護層22の最大厚みTMAX、最小厚みTMINおよび(TMAX−TMIN)/TMAXの調整は、このような未焼成多孔質保護層22を形成する際の積層体21の各部への実質的なスプレー量を調整することで行うことができる。具体的には、例えば図6(b)に示されるような積層体21を回転させながら側方からスプレーを行う場合について、スプレー形状を楕円形状としたり、スプレーを行う範囲をずらしたり、スプレーと積層体21との間に遮蔽板を挟んだり、その他に溶媒の粘度、スプレー時間、スプレー距離等を変えることにより行うことができる。
また、多孔質保護層22の表面粗さRaは、未焼成多孔質保護層22を形成する際のスプレーする距離、具体的には積層体21とスプレー装置401との距離を調整することにより行うことができる。すなわち、スプレーする距離を短くすることで、セラミック原料粉末と溶媒とを同様に付着させ、セラミック原料粉末を密な状態で付着させることができ、結果として多孔質保護層22の表面粗さRaを小さくすることができる。一方、スプレーする距離を長くした場合、コート液から溶媒が揮発し、主としてセラミック原料粉末が付着するため、セラミック原料粉末が粗な状態で付着し、結果として多孔質保護層22の表面粗さRaが大きくなりやすい。
そして、未焼成多孔質保護層22が形成された積層体21は大気雰囲気下にて昇温していき、最高温度1000℃で1時間保持する熱処理を行った後、空冷にて冷却することで、図1あるいは図4に示されるような多孔質保護層22が形成された積層型のガスセンサ素子20とすることができる。
その後は公知の製造方法によりガスセンサ1を作製する。具体的には、製造されたガスセンサ素子20を金属ホルダ23に挿入し、さらにセラミックホルダ24、滑石リング25で固定し、組立体を作製する。その後、この組立体を主体金具10に固定し、滑石リング26、セラミックスリーブ27を挿入し、主体金具10の後端部13にて加締めて下部組立体を作製する。なお、下部組立体には、あらかじめ外部プロテクタ40、内部プロテクタ41が取付けられている。一方、外筒50、絶縁コンタクト部材30、グロメット54等を組みつけ、上部組立体を作製する。そして、下部組立体と上部組立体と接合し、ガスセンサ1を得る。
以上、本発明のガスセンサとその製造方法について一例を挙げて説明したが、本発明におけるガスセンサ素子としては、必ずしもガスセンサ素子本体が酸素濃度検出セルと酸素ポンプセルとからなるものである必要はなく、酸素ポンプセルを有しない酸素濃度検出セルのみからなるものであってもよい。このようなものについても、多孔質保護層の最大厚みや最小厚み等を所定のものとすることで、所定の効果を得ることができる。
次に、本発明について実施例を参照して詳細に説明する。
(実施例1)
まず、ガスセンサ素子本体とヒータとからなる積層体として、図2、3に示されるようなガスセンサ素子本体が主として酸素濃度検出セルと酸素ポンプセルとからなるものを用意した。一方、未焼成多孔質保護層を形成するためのコート液として、スピネル粉末とチタニア粉末との混合物にエタノールを加えたものを用意した。そして、図6(a)に示されるように、支持部材によって積層体の後端側を支持した状態で、その先端側からスプレーを行い、その後、図6(b)に示されるように、この積層体を回転させながら側方からスプレーを行い、積層体の先端部および側方部に未焼成多孔質保護層が形成された未焼成ガスセンサ素子を製造した。
この際、最終的な多孔質保護層の最小厚みTMINが50μm〜800μmとなるように、また(TMAX−TMIN)/TMAXが0.2〜0.5となるように未焼成多孔質保護層の厚みを調整した複数の未焼成ガスセンサ素子を製造した。なお、多孔質保護層の最小厚みTMIN等の調整は、スプレー時間と、スプレー距離とを変化させて行った。また、未焼成多孔質保護層は、積層体の外側部分のうち少なくともガスセンサとしたときに主体金具の先端から突出する部分に形成した。
そして、製造された未焼成ガスセンサ素子を大気雰囲気下にて昇温していき、最高温度1000℃で1時間保持する熱処理を行った後、空冷にて冷却し、図1あるいは図4に示されるような多孔質保護層が形成されたガスセンサ素子を得た。
次に、このようにして得られたガスセンサ素子について被水試験を行った。被水試験は、ヒータにより500℃まで加熱したガスセンサ素子にマイクロシリンジで0.1μlの水を連続して10回滴下し、ガスセンサ素子における割れの発生およびセンサ出力の低下を観察した。結果を表1に示す。なお、表1中、「○」は割れの発生がなく、センサ出力の低下もなかったことを示し、「△」は割れが発生したものの、センサ出力は低下しなかったことを示し、「×」は割れが発生し、センサ出力も低下したことを示す。
Figure 0005173042
表1から明らかなように、多孔質保護層の最小厚みTMINが100μm未満では、ガスセンサ素子に割れが発生し、センサ出力も低下することがわかる。これに対して、多孔質保護層の最小厚みTMINが100μm以上であれば、ガスセンサ素子に割れが発生するものの、センサ出力の低下が抑制され、さらに多孔質保護層の最小厚みTMINが150μm以上であれば、割れの発生も抑制されることがわかる。
(実施例2)
ガスセンサ素子として、多孔質保護層の最大厚みTMAXを50μm〜800μmの間で変化させ、(TMAX−TMIN)/TMAXを0.2〜0.5とした複数のガスセンサ素子を製造した。なお、ガスセンサ素子の基本的な構造は実施例1と同様とし、多孔質保護層の最大厚みTMAX等の調整はスプレー時間と、スプレー距離とを変化させて行った。
次に、このようなガスセンサ素子について活性時間の評価を行った。活性時間の評価は、各ガスセンサ素子10本のヒータにDuty制御で電圧12Vを印加して、内部抵抗400Ωの到達時間が基準値内であるか否かを調べることで行った。結果を表2に示す。なお、表2中、「○」は10本のガスセンサ素子の全てが基準値内となったことを示し、「△」は10本のガスセンサ素子のうち少なくとも1本が基準値内となったことを示し、「×」は10本のガスセンサ素子の全てが基準値外となったことを示す。
Figure 0005173042
表2から明らかなように、多孔質保護層の最大厚みTMAXが700μmを超えると活性時間が基準値外となることがわかる。そして、多孔質保護層の最大厚みTMAXが700μm以下となると活性時間が基準値内となりやすく、さらに多孔質保護層の最大厚みTMAXが600μm以下となると活性時間がほぼ基準値内となることがわかる。
(実施例3)
ガスセンサ素子として、(TMAX−TMIN)/TMAXをおよそ0.1〜0.8の範囲で変化させ、TMINを400μm又はTMAXを800μmに固定した複数のガスセンサ素子を製造した。なお、ガスセンサ素子の基本的な構造は実施例1と同様とし、多孔質保護層の(TMAX−TMIN)/TMAX等の調整は未焼成多孔質保護層を形成する際のスプレー範囲を変化させて行った。
次に、このようなガスセンサ素子について衝撃試験(振り子試験)を行った。振り子試験は、各ガスセンサ素子を10本ずつ纏めて並べ、所定角度で振り子を落としたときの多孔質保護層の剥離の有無を観察した。結果を表3に示す。なお、表3中、「○」は10本のガスセンサ素子のいずれにも剥離が発生しなかったことを示し、「△」は10本のガスセンサ素子の少なくとも1本に剥離が発生したことを示し、「×」は10本のガスセンサ素子の全てに剥離が発生したことを示す。
Figure 0005173042
表3から明らかなように、(TMAX−TMIN)/TMAXが0.7を超えると剥離の発生が多くなることがわかる。そして、(TMAX−TMIN)/TMAXが0.7以下となると剥離の発生が少なくなり、さらに(TMAX−TMIN)/TMAXが0.6以下となるとほぼ剥離の発生がなくなることがわかる。
(実施例4)
ガスセンサ素子として、最大厚みTMAXを500μm、最小厚みTMINを300μmかつ(TMAX−TMIN)/TMAXを0.4で一定とし、表面粗さRaのみを2〜20μm範囲で変化させたものを製造した。なお、ガスセンサ素子の基本的な構造は実施例1と同様とし、表面粗さRaの調整は未焼成多孔質保護層を形成する際のスプレーにおける距離、すなわち積層体とスプレー装置との距離を変化させることで行った。
次に、このようにして得られたガスセンサ素子について被水試験を行った。被水試験は、ヒータにより500℃まで加熱したガスセンサ素子にマイクロシリンジで0.1μlの水を連続して20回滴下し、ガスセンサ素子における割れの発生およびセンサ出力の低下の有無を観察した。結果を表4に示す。なお、表1中、「○」は割れの発生がなく、センサ出力の低下もなかったことを示し、「△」は割れが発生したものの、センサ出力の低下がなかったことを示す。
Figure 0005173042
表4から明らかなように、多孔質保護層の表面粗さRaが15μmを超えると、ガスセンサ素子に割れが発生することがわかる。これに対して、多孔質保護層の表面粗さRaが15μm以下であれば、ガスセンサ素子における割れの発生が抑制されることがわかる。
以上のことから、多孔質保護層の最大厚みをTMAX、最小厚みをTMINとしたとき、TMAX≦700μm、TMIN≧100μmかつ(TMAX−TMIN)/TMAX≦0.6を満たすものとすることで、ガスセンサ素子における割れの発生を抑制し、活性時間も短くしつつ、多孔質保護層の剥離も抑制でき、これを用いたガスセンサを信頼性に優れたとできることがわかる。
1…ガスセンサ、10…主体金具、11…主体金具の先端、20…ガスセンサ素子(20a…先端部)、21…積層体(21a…形成領域)、22…多孔質保護層、100…ガスセンサ素子本体、200…ヒータ、S…スプレー形状、S…スプレー形状(楕円形状)の長径、S…スプレー形状(楕円形状)の短径、G…積層体の軸線方向における多孔質保護層の形成領域の長さ、G…積層体の幅

Claims (2)

  1. 軸線方向に延びる板状形状をなし、先端部が被測定ガス中に晒され、被測定ガス中の特定成分を検出するためのガスセンサ素子と、該ガスセンサ素子の先端部を自身の先端から突出するようにして前記ガスセンサ素子を自身の内部に保持した略筒状の主体金具とを有し、前記ガスセンサ素子が、内部に発熱体を有するヒータ、及び板状の固体電解質体に一対の電極が配置された少なくとも1つのセルを有するガスセンサ素子本体が積層された積層体と、前記ガスセンサ素子の先端部となる積層体の部位を少なくとも覆う多孔質保護層とを有するガスセンサの製造方法であって、
    前記積層体を、前記軸線方向を中心に回転させながら、前記軸線方向に垂直な方向から前記多孔質保護層の成分を含むコート液を、前記軸線方向が長径となる楕円形状に噴霧する工程を含むことを特徴とするガスセンサの製造方法。
  2. 前記楕円形状の長径が前記積層体の前記軸線方向における前記多孔質保護層の形成領域の長さの1.2倍以上であり、短径が前記積層体の幅の1.2倍以上であることを特徴とする請求項記載のガスセンサの製造方法。
JP2012033066A 2007-02-05 2012-02-17 ガスセンサの製造方法 Active JP5173042B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012033066A JP5173042B2 (ja) 2007-02-05 2012-02-17 ガスセンサの製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007025369 2007-02-05
JP2007025369 2007-02-05
JP2012033066A JP5173042B2 (ja) 2007-02-05 2012-02-17 ガスセンサの製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008014779A Division JP2008216241A (ja) 2007-02-05 2008-01-25 ガスセンサとその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012093377A JP2012093377A (ja) 2012-05-17
JP5173042B2 true JP5173042B2 (ja) 2013-03-27

Family

ID=39836429

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008014779A Withdrawn JP2008216241A (ja) 2007-02-05 2008-01-25 ガスセンサとその製造方法
JP2012033066A Active JP5173042B2 (ja) 2007-02-05 2012-02-17 ガスセンサの製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008014779A Withdrawn JP2008216241A (ja) 2007-02-05 2008-01-25 ガスセンサとその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (2) JP2008216241A (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5287807B2 (ja) * 2009-10-28 2013-09-11 株式会社デンソー ガスセンサ素子
JP5218477B2 (ja) * 2010-06-04 2013-06-26 株式会社デンソー ガスセンサ素子及びその製造方法
JP5218602B2 (ja) 2011-05-27 2013-06-26 株式会社デンソー ガスセンサ素子及びその製造方法、並びにガスセンサ
JP2013242231A (ja) * 2012-05-21 2013-12-05 Toyota Motor Corp ガスセンサ素子の保護膜の成膜方法、及び当該方法によって形成された保護膜を備えるガスセンサ素子
JP6014000B2 (ja) * 2013-09-17 2016-10-25 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ素子及びガスセンサ
JP6221887B2 (ja) * 2014-03-26 2017-11-01 株式会社デンソー ガスセンサ素子及びその製造方法
JP6530620B2 (ja) * 2014-03-28 2019-06-12 日本碍子株式会社 膜接合構造体の製法
JP6573767B2 (ja) * 2014-03-28 2019-09-11 日本碍子株式会社 膜接合構造体の製法
JP6476607B2 (ja) * 2014-06-30 2019-03-06 株式会社デンソー ガスセンサ素子
JP6613203B2 (ja) * 2016-05-12 2019-11-27 日本特殊陶業株式会社 ガスセンサ素子の製造方法及びガスセンサの製造方法
JP6485411B2 (ja) * 2016-06-14 2019-03-20 トヨタ自動車株式会社 排気センサの制御装置
JP7261640B2 (ja) * 2019-03-29 2023-04-20 日本碍子株式会社 ガスセンサのセンサ素子

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6154444A (ja) * 1984-08-27 1986-03-18 Hitachi Chem Co Ltd 酸素濃度の検出素子
JP3766572B2 (ja) * 1999-09-28 2006-04-12 日本特殊陶業株式会社 酸素センサ素子の製造方法
JP2002168828A (ja) * 2000-11-28 2002-06-14 Kyocera Corp 酸素センサ
JP4014513B2 (ja) * 2002-02-28 2007-11-28 日本特殊陶業株式会社 セラミックヒータ、積層型ガスセンサ素子及びその製造方法、並びに積層型ガスセンサ素子を備えるガスセンサ
JP4383897B2 (ja) * 2004-01-08 2009-12-16 日本特殊陶業株式会社 積層型ガスセンサ素子の製造方法
JP4583187B2 (ja) * 2005-01-27 2010-11-17 京セラ株式会社 セラミックヒータ素子及びそれを用いた検出素子
JP4570091B2 (ja) * 2005-06-10 2010-10-27 日本特殊陶業株式会社 積層型ガスセンサ素子及びガスセンサ

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008216241A (ja) 2008-09-18
JP2012093377A (ja) 2012-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5173042B2 (ja) ガスセンサの製造方法
JP6014000B2 (ja) ガスセンサ素子及びガスセンサ
JP6533426B2 (ja) ガスセンサ素子及びガスセンサ
US7329844B2 (en) Prismatic ceramic heater for heating gas sensor element, prismatic gas sensor element in multilayered structure including the prismatic ceramic heater, and method for manufacturing the prismatic ceramic heater and prismatic gas sensor element
JP4014513B2 (ja) セラミックヒータ、積層型ガスセンサ素子及びその製造方法、並びに積層型ガスセンサ素子を備えるガスセンサ
JP2007139749A (ja) ガスセンサ素子及びガスセンサ
JP4014623B2 (ja) ガスセンサ
JP4567547B2 (ja) ガスセンサ素子及びその製造方法並びにガスセンサ
JP2006171013A (ja) セラミックヒータ、積層型ガスセンサ素子及び積層型ガスセンサ素子を備えるガスセンサ
JP7227824B2 (ja) ガスセンサのセンサ素子
JP2007206082A (ja) セラミックヒータ、積層型ガスセンサ素子及びその製造方法、並びに積層型ガスセンサ素子を備えるガスセンサ
JP2015087162A (ja) ガスセンサ素子、ガスセンサおよびガスセンサ素子の製造方法
JP4383897B2 (ja) 積層型ガスセンサ素子の製造方法
JP7265558B2 (ja) センサ素子
JPS6126022B2 (ja)
JP2013234896A (ja) ガスセンサ素子およびガスセンサ
JP2007132954A (ja) セラミックヒータ、積層型ガスセンサ素子及び積層型ガスセンサ素子を備えるガスセンサ
JP2018021821A (ja) ガスセンサ素子およびガスセンサ素子の製造方法
JP2012242284A (ja) ガスセンサ素子の製造方法
US20210389270A1 (en) Sensor element of gas sensor
JP3677920B2 (ja) 酸素濃度検出器
JP7261640B2 (ja) ガスセンサのセンサ素子
JP7351783B2 (ja) ガスセンサ素子の製造方法
JP5097082B2 (ja) ガスセンサとその製造方法
JP7195996B2 (ja) ガスセンサのセンサ素子

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120301

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120301

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121002

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121121

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121211

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121226

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5173042

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250