JP5133510B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図8は、本実施例による半導体装置1の構成を示す上視図である。また、図9は図8におけるI−I’断面の構造を示す図であり、図10は図8におけるII−II’断面の構造を示す図である。
次に、本実施例による半導体装置1の製造方法を図面と共に説明する。図13から図15は、半導体装置1の製造方法を示すプロセス図である。なお、以下では、図8におけるII−II’断面に相当する構造に基づいて説明する。
以上のように、本実施例による半導体装置1は、半導体基板11と、半導体基板11表面に形成された一対の低濃度拡散領域17sおよび17dと、一対の低濃度拡散領域17sおよび17d表面の少なくとも一部にそれぞれ形成され、一対の低濃度拡散領域17sおよび17dよりも不純物濃度が高い高濃度拡散領域18sおよび18dと、半導体基板11表面における一対の低濃度拡散領域17sおよび17dに挟まれた領域上に形成されたゲート絶縁膜13と、ゲート絶縁膜13上に形成され、ドレイン(17d)側の側面が、ゲート幅方向と平行な第1側面S11と、第1側面S11よりもゲート長方向に突出した第2側面S12と、第2側面S12の両端で第1側面S11と第2側面S12とを結ぶ第3側面S13とを含んでなるゲート電極15とを有して構成される。
また、本実施例による半導体装置1を用いて構成した電子回路100の構成を図16に示す。図16に示すように、電子回路100は、出力回路101と内部回路102とからなる。出力回路101は、出力用の電源電圧が印加される端子(出力用VDD)と出力端子との間に接続されたp型の出力トランジスタP1と、出力端子と接地された端子(出力用GND)との間に設けられたn型の出力トランジスタN1とを有する。出力トランジスタP1およびN1はそれぞれ本実施例による半導体装置1の構造を用いて、所定の半導体基板上に形成されている。
〔構成〕
図17は、本実施例による半導体装置2の構成を示す上視図である。また、図18は図17におけるIII−III’断面の構造を示す図であり、図19は図17におけるIV−IV’断面の構造を示す図である。
また、本実施例による半導体装置2の製造方法は、実施例1による半導体装置1の製造方法と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。ただし、本実施例では、図14(b)におけるレジストR2が、図17に示すゲート電極25、すなわち櫛歯状電極部15aだけでなく櫛歯状電極部25bを含むパターンに形成される。このため、図15(a)以降の工程において、ゲート電極15およびゲート絶縁膜13がゲート電極25およびゲート絶縁膜23にそれぞれ置き換えられる。
以上のように、本実施例による半導体装置2は、半導体基板11と、半導体基板11表面に形成された一対の低濃度拡散領域17sおよび17dと、一対の低濃度拡散領域17sおよび17d表面の少なくとも一部にそれぞれ形成され、一対の低濃度拡散領域17sおよび17dよりも不純物濃度が高い高濃度拡散領域18sおよび18dと、半導体基板11表面における一対の低濃度拡散領域17sおよび17dに挟まれた領域上に形成されたゲート絶縁膜23と、ゲート絶縁膜23上に形成され、ドレイン(17d)側およびソース(17s)側の両側面がそれぞれ、ゲート幅方向と平行な第1側面S11と、第2側面S12の両端で第1側面S11よりもゲート長方向に突出した第2側面S12と、第1側面S11と第2側面S12とを結ぶ第3側面S13とを含んでなるゲート電極25とを有して構成される。
また、本実施例による半導体装置2を用いて構成した電子回路の構成は、実施例1において図16を用いて説明したものと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
図21は、本実施例による半導体装置3の構成を示す上視図である。図21に示すように、半導体装置3は、実施例2による半導体装置2の構成と同様の構成において、ゲート電極25がゲート電極35に置き換えられた構成を有する。なお、図21においては、図示しないが、ゲート絶縁膜23も、ゲート電極35と同じ上面パターンを有するゲート絶縁膜に置き換えられている。
また、本実施例による半導体装置3の製造方法は、実施例1による半導体装置1の製造方法と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。ただし、本実施例では、図14(b)におけるレジストR2が、図21に示すゲート電極35、すなわち櫛歯状電極部35aおよび35bを含むパターンに形成される。このため、図15(a)以降の工程において、ゲート電極15およびゲート電極35下のゲート絶縁膜がゲート電極35およびこれと同じ上面パターンを有するゲート絶縁膜にそれぞれ置き換えられる。
以上のように、本実施例による半導体装置3は、半導体基板11と、半導体基板11表面に形成された一対の低濃度拡散領域17sおよび17dと、一対の低濃度拡散領域17sおよび17d表面の少なくとも一部にそれぞれ形成され、一対の低濃度拡散領域17sおよび17dよりも不純物濃度が高い高濃度拡散領域18sおよび18dと、半導体基板11表面における一対の低濃度拡散領域17sおよび17dに挟まれた領域上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、ドレイン(17d)側およびソース(17s)側の両側面がそれぞれ、ゲート幅方向と平行な第1側面S31と、第1側面S31よりもゲート長方向に突出した第2側面S32と、第2側面S32の両端で第1側面S31と第2側面S32とを結ぶ第3側面S33とを含んでなるゲート電極35とを有して構成される。
また、本実施例による半導体装置3を用いて構成した電子回路の構成は、実施例1において図16を用いて説明したものと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
図24は、本実施例による半導体装置4の構成を示す上視図である。図24に示すように、半導体装置4は、実施例2による半導体装置2または実施例3による半導体装置3と同様の構成において、ゲート電極25または35がゲート電極45に置き換えられた構成を有する。なお、図24においては、図示しないが、ゲート絶縁膜も、ゲート電極45と同じ上面パターンを有するゲート絶縁膜に置き換えられている。
また、本実施例による半導体装置4の製造方法は、実施例1による半導体装置1の製造方法と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。ただし、本実施例では、図14(b)におけるレジストR2が、図24に示すゲート電極45、すなわち櫛歯状電極部45aおよび45bを含むパターンに形成される。このため、図15(a)以降の工程において、ゲート電極15およびゲート電極45下のゲート絶縁膜がゲート電極45およびこれと同じ上面パターンを有するゲート絶縁膜にそれぞれ置き換えられる。
以上のように、本実施例による半導体装置4は、半導体基板11と、半導体基板11表面に形成された一対の低濃度拡散領域17sおよび17dと、一対の低濃度拡散領域17sおよび17d表面の少なくとも一部にそれぞれ形成され、一対の低濃度拡散領域17sおよび17dよりも不純物濃度が高い高濃度拡散領域18sおよび18dと、半導体基板11表面における一対の低濃度拡散領域17sおよび17dに挟まれた領域上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、ドレイン(17d)側およびソース(17s)側の両側面がそれぞれ、ゲート幅方向と平行な第1側面S41と、第1側面S41よりもゲート長方向に突出した第2側面S42と、第2側面S42の両端で第1側面S41と第2側面S42とを結ぶ第3側面S43とを含んでなるゲート電極45とを有して構成される。
また、本実施例による半導体装置4を用いて構成した電子回路の構成は、実施例1において図16を用いて説明したものと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
図27は、本実施例による半導体装置5の構成を示す上視図である。図27に示すように、半導体装置5は、実施例2から4による半導体装置2から4のいずれかと同様の構成において、ゲート電極25、35または45がゲート電極55に置き換えられた構成を有する。なお、図27においては、図示しないが、ゲート絶縁膜も、ゲート電極55と同じ上面パターンを有するゲート絶縁膜に置き換えられている。
また、本実施例による半導体装置5の製造方法は、実施例1による半導体装置1の製造方法と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。ただし、本実施例では、図14(b)におけるレジストR2が、図27に示すゲート電極55、すなわち櫛歯状電極部55aおよび55bを含むパターンに形成される。このため、図15(a)以降の工程において、ゲート電極15およびゲート電極55下のゲート絶縁膜がゲート電極55およびこれと同じ上面パターンを有するゲート絶縁膜にそれぞれ置き換えられる。
以上のように、本実施例による半導体装置5は、半導体基板11と、半導体基板11表面に形成された一対の低濃度拡散領域17sおよび17dと、一対の低濃度拡散領域17sおよび17d表面の少なくとも一部にそれぞれ形成され、一対の低濃度拡散領域17sおよび17dよりも不純物濃度が高い高濃度拡散領域18sおよび18dと、半導体基板11表面における一対の低濃度拡散領域17sおよび17dに挟まれた領域上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、ドレイン(17d)側およびソース(17s)側の両側面にそれぞれV字状の窪みを有するゲート電極55とを有して構成される。
また、本実施例による半導体装置5を用いて構成した電子回路の構成は、実施例1において図16を用いて説明したものと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
11 半導体基板
12 素子分離絶縁膜
12a シリコン酸化膜
12b シリコン窒化膜
13、23 ゲート絶縁膜
13A シリコン酸化膜
15、25、25’、35、45、55 ゲート電極
15a、25b、35a、35b、45a、45b、55a、55b 櫛歯状電極部
15A ポリシリコン膜
16、16’ チャネル形成領域
17d、17d’、17s、17s’ 低濃度拡散領域
18d、18s 高濃度拡散領域
21 層間絶縁膜
22s、22d コンタクト内配線
23s ソース電極
23d ドレイン電極
27d’、27s’ 領域
100 電子回路
101 出力回路
102 内部回路
B1〜B16 領域
C1、C2、C5、C6、C9、C10、C13、C14 角部
D 空乏層
L1〜L3 等濃度線
R1〜R3 レジスト
S11、S31、S41 第1側面
S12、S32、S42、S52 第2側面
S13、S33、S43、S53 第3側面
AR アクティブ領域
FR フィールド領域
P1、N1 出力トランジスタ
Claims (25)
- 半導体基板と、
前記半導体基板表面に形成された一対の拡散領域と、
前記半導体基板表面に形成されたゲート絶縁膜と、
前記半導体基板表面に前記ゲート絶縁膜を介して形成され、少なくとも一方の側面が、ゲート幅方向と平行な第1側面と、当該第1側面よりもゲート長方向に突出した第2側面と、前記第2側面の両端で前記第1側面と当該第2側面とを結ぶ第3側面とを含むと共に、信号線と接続するゲート電極と
を有し、
前記ゲート電極と前記拡散領域とが交差する角領域を備えると共に、
前記第2側面と前記第3側面とが形成する角領域において流れる電流と、前記第1側面と前記第3側面とが形成する角領域において流れる電流とを、前記ゲート電極と前記拡散領域とが交差する角領域において流れる電流と等しくした
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記ゲート電極は、両方の側面がそれぞれ、前記第1側面と前記第2側面と前記第3側面とを含んでなることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第2側面は、前記側面に所定の間隔を隔てて周期的に設けられていることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。
- 前記第2側面と前記第3側面とがなす角度および/または前記第1側面と前記第3側面とがなす角度は、90°であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第2側面と前記第3側面とがなす角および/または前記第1側面と前記第2側面とがなす角は、それぞれ鋭角または鈍角であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第1から第3側面の水平方向の長さは、前記ゲート電極に所定の電圧が印加された際に前記第2側面と前記第3側面とが形成する角および/または前記第1側面と前記第3側面とが形成する角の下における前記半導体基板に形成される空乏層の水平方向の広がりの2倍よりも長いことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極の一方の側面を形成する前記第2側面と、他方の側面を形成する前記第2側面とは、前記ゲート長方向において重ならないように交互に配置されていることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極の前記一方の側面は前記一対の拡散領域のうち一方の拡散領域上に位置し、他方の側面は前記一対の拡散領域のうち他方の拡散領域上に位置することを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 半導体基板と、
前記半導体基板表面に形成された一対の拡散領域と、
前記半導体基板表面に形成されたゲート絶縁膜と、
前記半導体基板表面に前記ゲート絶縁膜を介して形成され、少なくとも一方の側面にV字状の切欠き部がゲート長方向に形成されると共に、信号線と接続するゲート電極と
を有し、
前記ゲート電極と前記拡散領域とが交差する角領域を備えると共に、
前記V字状の切欠き部で形成されるV字の底部における角領域において流れる電流と、前記V字状の切欠き部で形成されるV字の上部における角領域において流れる電流とを、前記ゲート電極と前記拡散領域とが交差する角領域において流れる電流と等しくした
ことを特徴とする半導体装置。 - 前記拡散領域は、所定の不純物濃度を有する第1領域と、前記第1領域表面の少なくとも一部に形成され、前記第1領域よりも不純物濃度が高い第2領域とを含むことを特徴とする請求項1から9の何れか1項に記載の半導体装置。
- 請求項1から10の何れか1項に記載の前記半導体装置を静電気対策用の保護素子として用いたことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1から10の何れか1項に記載の前記半導体装置を入力段または出力段に備えたことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1から12の何れか1項に記載の前記半導体装置を備えた入力装置であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1から12の何れか1項に記載の前記半導体装置を備えた出力装置であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1から12の何れか1項に記載の前記半導体装置を備えた入出力装置であることを特徴とする半導体装置。
- 半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板表面に一対の第1拡散領域を形成する工程と、
前記半導体基板表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
少なくとも一方の側面が、ゲート幅方向と平行な第1側面と、当該第1側面よりもゲート長方向に突出した第2側面と、前記第2側面の両端で前記第1側面と当該第2側面とを結ぶ第3側面とを含み、所定の信号線と接続されるゲート電極を前記ゲート絶縁膜上に形成する工程と
を有すると共に、
前記ゲート電極と前記拡散領域とが交差する角領域を備え、
前記第2側面と前記第3側面とが形成する角領域において流れる電流と、前記第1側面と前記第3側面とが形成する角領域において流れる電流とが、前記ゲート電極と前記拡散領域とが交差する角領域において流れる電流と等しくなるよう形成する工程
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ゲート電極は、両方の側面がそれぞれ、前記第1側面と前記第2側面と前記第3側面とを含んでなることを特徴とする請求項16記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2側面は、前記側面に所定の間隔を隔てて周期的に設けられていることを特徴とする請求項16または17記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2側面と前記第3側面とがなす角度および/または前記第1側面と前記第3側面とがなす角度は、90°であることを特徴とする請求項16から18のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記前記第2側面と前記第3側面とがなす角および/または前記第1側面と前記第2側面とがなす角は、それぞれ鋭角または鈍角であることを特徴とする請求項16から18のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1から第3側面の水平方向の長さは、前記ゲート電極に所定の電圧が印加された際に前記第2側面と前記第3側面とが形成する角および/または前記第1側面と前記第3側面とが形成する角の下における前記半導体基板に形成される空乏層の水平方向の広がりの2倍よりも長いことを特徴とする請求項16から20のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ゲート電極の一方の側面を形成する前記第2側面と、他方の側面を形成する前記第2側面とは、前記ゲート長方向において重ならないように交互に配置されていることを特徴とする請求項17記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ゲート電極は、前記一方の側面が前記一対の第1拡散領域のうち一方の第1拡散領域上に位置し、他方の側面が前記一対の第1拡散領域のうち他方の第1拡散領域上に位置するように形成されることを特徴とする請求項16から22のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板表面に一対の第1拡散領域を形成する工程と、
前記半導体基板表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
少なくとも一方の側面にV字状の切欠き部がゲート長方向に有し、所定の信号線と接続されるゲート電極を前記ゲート絶縁膜上に形成する工程と
を有すると共に、
前記ゲート電極と前記拡散領域とが交差する角領域を備え、
前記V字状の切欠き部で形成されるV字の底部における角領域において流れる電流と、前記V字状の切欠き部で形成されるV字の上部における角領域において流れる電流とが、前記ゲート電極と前記拡散領域とが交差する角領域において流れる電流と等しくなるよう形成する工程
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記一対の第1拡散領域表面の少なくとも一部に、当該一対の第1拡散領域よりも不純物濃度が高い第2拡散領域を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項16から24の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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