JP5129933B2 - ワードライン電圧発生回路及びそれを持つ不揮発性メモリ装置 - Google Patents
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Description
R311=KxR331、 R312=Kx332、 R313=KxR333
R314=KxR334+(mΔR)x(R334/R336)
R315=KxR335+(mΔR)x(R335/R336)
R316=KxR336、
mはワードライン電圧ループナンバー
R317=KxR337、 R318=KxR338、 R319=KxR339
R337>R338>R339
120 行選択回路
130 感知増幅及びラッチ回路
140 データ入出力回路
150 パス/フェイルチェック回路
160 制御ロジック
170 ループカウンタ
180 デコーダ
190 ワードライン電圧発生回路
200 コントローラ
210 チャージポンプ
220 電圧分配器
230 基準電圧発生器
240 比較器
250 オシレータ
260 クロックドライバ
270 チャージポンプ制御器
Claims (33)
- 増加型ステップパルス電圧を生成するワードライン電圧発生回路において、
プログラム電圧に連結された第1回路部と、
前記第1回路部とプログラム電圧と第1乃至第3回路部の抵抗の和に対する前記第3回路部の抵抗の比との積である分配電圧との間に連結され、プログラムステップコードによって制御される第2回路部と、
前記分配電圧と接地電圧との間に連結された第3回路部とを含み、
前記第1乃至第3回路部のそれぞれは、直列に連結された多数の抵抗器および各抵抗器に並列に連結されたスイッチ、または、並列に連結された多数の抵抗器および各抵抗器に直列に連結されたスイッチを含み、前記第1乃至第3回路のそれぞれの抵抗値は、前記スイッチの制御を通じて異なるように設定可能であり、
前記第1回路部と前記第3回路部とは対称とされる構成を有し、前記第1回路部の抵抗値と前記第3回路部の抵抗値との間に正比例関係が維持されるように制御して、前記プログラムステップコードの変更なしにスタートプログラム電圧を固定された値に維持しながら前記プログラム電圧の増加分を任意の値(NΔV、N>0であるすべての実数値)に異なるように設定可能としたことを特徴とするワードライン電圧発生回路。 - 前記第1及び第3回路部のそれぞれは直列に連結された多数の抵抗器と前記各抵抗器に並列に連結されたスイッチとを含み、前記スイッチの制御を通じて前記第1及び第3回路部のそれぞれの抵抗値を異なるように設定可能としたことを特徴とする請求項1に記載のワードライン電圧発生回路。
- 前記第1及び第3回路部のそれぞれは並列に連結された多数の抵抗器と前記各抵抗器に直列に連結されたスイッチとを含み、前記スイッチの制御を通じて前記第1及び第3回路部のそれぞれの抵抗値を異なるように設定可能としたことを特徴とする請求項1に記載のワードライン電圧発生回路。
- 前記第1回路部内の抵抗器の抵抗値は前記第3回路部内の同一の位置にある抵抗器の抵抗値と正比例関係を有し、前記第1回路部内の抵抗器に連結されたスイッチと前記第3回路部の同一の位置にある抵抗器に連結されたスイッチとは同時に動作するスイッチセットで構成することを特徴とする請求項1に記載のワードライン電圧発生回路。
- 前記スイッチセットの動作によってスタートプログラム電圧を固定された値に維持しながらプログラム電圧の増加分を異なるように設定可能としたことを特徴とする請求項4に記載のワードライン電圧発生回路。
- 前記スイッチはヒューズ又はトランジスタのうちのいずれか一つであることを特徴とする請求項5に記載のワードライン電圧発生回路。
- 前記ワードライン電圧発生回路はクロック信号に応答して選択された行にプログラム電圧を提供するチャージポンプと、前記分配電圧と基準電圧とを比べて前記クロック信号を発生するチャージポンプ制御器とをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のワードライン電圧発生回路。
- 増加型ステップパルス電圧を生成するワードライン電圧発生回路において、
プログラム電圧に連結された第1回路部と、
前記第1回路部とプログラム電圧と第1乃至第3回路部の抵抗の和に対する前記第3回路部の抵抗の比との積である分配電圧との間に連結され、プログラムステップコードによって制御される第2回路部と、
前記分配電圧と接地電圧との間に連結された第3回路部とを含み、
前記第1乃至第3回路部のそれぞれは、直列に連結された多数の抵抗器および各抵抗器に並列に連結されたスイッチ、または、並列に連結された多数の抵抗器および各抵抗器に直列に連結されたスイッチを含み、前記第1乃至第3回路のそれぞれの抵抗値は、前記スイッチの制御を通じて異なるように設定可能であり、
前記第1回路部と前記第3回路部とは対称とされる構成を有し、前記第1回路部内の抵抗器の抵抗値が、K(K>1である実数)と前記第1回路部内の抵抗器と同一の位置にある第3回路部内の抵抗器の抵抗値との積と、第m番目のプログラムループ時の第2回路内の抵抗器の抵抗と前記第3回路内の抵抗器の抵抗値に対する前記第3回路内の抵抗器に隣接する別の抵抗器の抵抗値の比との積との和となる関係が維持されるように制御して、前記プログラムステップコードの変更なしにターゲットプログラム電圧を固定された値に維持しながら前記プログラム電圧の増加分を任意の値(NΔV、N>0であるすべての実数値)に異なるように設定可能としたことを特徴とするワードライン電圧発生回路。 - 前記第1及び第3回路部のそれぞれは直列に連結された多数の抵抗器と前記各抵抗器に並列に連結されたスイッチとを含み、前記スイッチの制御を通じて前記第1及び第3回路部のそれぞれの抵抗値を異なるように設定可能としたことを特徴とする請求項8に記載のワードライン電圧発生回路。
- 前記第1及び第3回路部のそれぞれは並列に連結された多数の抵抗器と前記各抵抗器に直列に連結されたスイッチとを含み、前記スイッチの制御を通じて前記第1及び第3回路部のそれぞれの抵抗値を異なるように設定可能としたことを特徴とする請求項8に記載のワードライン電圧発生回路。
- 前記第1回路部内の抵抗器の抵抗値は、K(K>1である実数)と前記第1回路部内の抵抗器と同一の位置にある第3回路部内の抵抗器の抵抗値との積と、第m番目のプログラムループ時の第2回路内の抵抗器の抵抗と前記第3回路内の抵抗器の抵抗値に対する前記第3回路内の抵抗器に隣接する別の抵抗器の抵抗値の比との積との和となる関係を有し、前記第1回路部内の抵抗器に連結されたスイッチと前記第3回路部の同一の位置にある抵抗器に連結されたスイッチとは同時に動作するスイッチセットで構成することを特徴とする請求項8に記載のワードライン電圧発生回路。
- 前記スイッチセットの動作によってターゲットプログラム電圧を固定された値に維持しながらプログラム電圧の増加分を異なるように設定可能としたことを特徴とする請求項11に記載のワードライン電圧発生回路。
- 前記スイッチはヒューズ又はトランジスタのうちのいずれか一つであることを特徴とする請求項12に記載のワードライン電圧発生回路。
- 増加型ステップパルスプログラム方法を使う不揮発性メモリ装置において、
プログラムステップコードに応答してワードライン電圧を発生するワードライン電圧発生回路と、
プログラムサイクルの間前記プログラムステップコードを順次に活性化するプログラム制御器とを含み、
前記ワードライン電圧発生回路はプログラム電圧と連結された第1回路部と、前記第1回路部とプログラム電圧と第1乃至第3回路部の抵抗の和に対する前記第3回路部の抵抗の比との積である分配電圧との間に連結され、プログラムステップコードによって制御される第2回路部と、前記分配電圧と接地電圧との間に連結される第3回路部とを含み、
前記第1乃至第3回路部のそれぞれは、直列に連結された多数の抵抗器および各抵抗器に並列に連結されたスイッチ、または、並列に連結された多数の抵抗器および各抵抗器に直列に連結されたスイッチを含み、前記第1乃至第3回路のそれぞれの抵抗値は、前記スイッチの制御を通じて異なるように設定可能であり、
前記第3回路部は前記第1回路部と対称とされる構成を有し、前記第1回路部の抵抗値と前記第3回路部の抵抗値との間に正比例関係が維持されるように制御して、前記プログラムステップコード変更なしにスタートプログラム電圧を固定された値に維持しながら前記ワードライン電圧の増加分を任意の値(NΔV、N>0であるすべての実数値)に異なるように設定可能としたことを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記第1及び第3回路部のそれぞれは直列に連結された多数の抵抗器と前記各抵抗器に並列に連結されたスイッチとを含み、前記スイッチの制御を通じて前記第1及び第3回路部のそれぞれの抵抗値を異なるように設定可能としたことを特徴とする請求項14に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記第1及び第3回路部のそれぞれは並列に連結された多数の抵抗器と前記各抵抗器に直列に連結されたスイッチとを含み、前記スイッチの制御を通じて前記第1及び第3回路部のそれぞれの抵抗値を異なるように設定可能としたことを特徴とする請求項14に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記第1回路部内の抵抗器の抵抗値は前記第3回路部内の同一の位置にある抵抗器の抵抗値と正比例関係を有し、前記第1回路部内の抵抗器に連結されたスイッチと前記第3回路部の同一の位置にある抵抗器に連結されたスイッチとは同時に動作するスイッチセットで構成することを特徴とする請求項14に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記スイッチセットの動作によってスタートプログラム電圧を固定された値に維持しながらプログラム電圧の増加分を異なるように設定可能としたことを特徴とする請求項17に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記スイッチはヒューズ又はトランジスタのうちのいずれか一つであることを特徴とする請求項18に記載の不揮発性メモリ装置。
- 増加型ステップパルスプログラム方法を使う不揮発性メモリ装置において、
プログラムステップコードに応答してワードライン電圧を発生するワードライン電圧発生回路と、
プログラムサイクルの間前記プログラムステップコードを順次に活性化するプログラム制御器とを含み、
前記ワードライン電圧発生回路はプログラム電圧と連結された第1回路部と、前記第1回路部とプログラム電圧と第1乃至第3回路部の抵抗の和に対する前記第3回路部の抵抗の比との積である分配電圧との間に連結され、プログラムステップコードによって制御される第2回路部と、前記分配電圧と接地電圧との間に連結される第3回路部とを含み、
前記第1乃至第3回路部のそれぞれは、直列に連結された多数の抵抗器および各抵抗器に並列に連結されたスイッチ、または、並列に連結された多数の抵抗器および各抵抗器に直列に連結されたスイッチを含み、前記第1乃至第3回路のそれぞれの抵抗値は、前記スイッチの制御を通じて異なるように設定可能であり、
前記第3回路部は前記第1回路部と対称とされる構成を有し、前記第1回路部内の抵抗器の抵抗値が、K(K>1である実数)と前記第1回路部内の抵抗器と同一の位置にある第3回路部内の抵抗器の抵抗値との積と、第m番目のプログラムループ時の第2回路内の抵抗器の抵抗と前記第3回路内の抵抗器の抵抗値に対する前記第3回路内の抵抗器に隣接する別の抵抗器の抵抗値の比との積との和となる関係が維持されるように制御して、前記プログラムステップコード変更なしにターゲットプログラム電圧を固定された値に維持しながら前記ワードライン電圧の増加分を任意の値(NΔV、N>0であるすべての実数値)に異なるように設定可能とすることを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記第1及び第3回路部のそれぞれは直列に連結された多数の抵抗器と前記各抵抗器に並列に連結されたスイッチとを含み、前記スイッチの制御を通じて前記第1及び第3回路部のそれぞれの抵抗値を異なるように設定可能としたことを特徴とする請求項20に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記第1及び第3回路部のそれぞれは並列に連結された多数の抵抗器と前記各抵抗器に直列に連結されたスイッチとを含み、前記スイッチの制御を通じて前記第1及び第3回路部のそれぞれの抵抗値を異なるように設定可能としたことを特徴とする請求項20に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記第1回路部内の抵抗器の抵抗値は、K(K>1である実数)と前記第1回路部内の抵抗器と同一の位置にある第3回路部内の抵抗器の抵抗値との積と、第m番目のプログラムループ時の第2回路内の抵抗器の抵抗と前記第3回路内の抵抗器の抵抗値に対する前記第3回路内の抵抗器に隣接する別の抵抗器の抵抗値の比との積との和となる関係を有し、前記第1回路部内の抵抗器に連結されたスイッチと前記第3回路部の同一の位置にある抵抗器に連結されたスイッチとは同時に動作するスイッチセットで構成することを特徴とする請求項20に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記スイッチセットの動作によってターゲットプログラム電圧を固定された値に維持しながらプログラム電圧の増加分を異なるように設定可能としたことを特徴とする請求項23に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記スイッチはヒューズ又はトランジスタのうちのいずれか一つであることを特徴とする請求項24に記載の不揮発性メモリ装置。
- 増加型ステップパルスプログラム方法を使う不揮発性メモリ装置において、
行と列に配列されたメモリセルと、
クロック信号に応答して選択された行にプログラム電圧を提供するチャージポンプと、
プログラムステップコードに応答してプログラム電圧を分配する電圧分配器と、
前記分配電圧と基準電圧とを比べて前記クロック信号を発生するチャージポンプ制御器とを含み、
前記電圧分配器は前記プログラム電圧に連結された第1回路部と、前記第1回路部と前記分配電圧との間に連結され、前記プログラムステップコードによって制御される第2回路部と、前記分配電圧と接地電圧との間に連結される第3回路部とを含み、
前記第1乃至第3回路部のそれぞれは、直列に連結された多数の抵抗器および各抵抗器に並列に連結されたスイッチ、または、並列に連結された多数の抵抗器および各抵抗器に直列に連結されたスイッチを含み、前記第1乃至第3回路のそれぞれの抵抗値は、前記スイッチの制御を通じて異なるように設定可能であり、
前記第3回路部は前記第1回路部と対称とされる構成を有し、前記第1回路部の抵抗値と前記第3回路部の抵抗値との間に正比例関係が維持されるように制御して、前記プログラムステップコードの変更なしにスタートプログラム電圧を固定された値に維持しながら前記プログラム電圧の増加分を任意の値(NΔV、N>0であるすべての実数値)に異なるように設定可能としたことを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記第1回路部内の抵抗器の抵抗値は前記第3回路部内の同一の位置にある抵抗器の抵抗値と正比例関係を有し、前記第1回路部内の抵抗器に連結されたスイッチと前記第3回路部の同一の位置にある抵抗器に連結されたスイッチとは同時に動作するスイッチセットで構成することを特徴とする請求項26に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記スイッチはヒューズ又はトランジスタのうちのいずれか一つであることを特徴とする請求項27に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記メモリセルのそれぞれは1ビットデータを貯蔵する単一レベルメモリセル又はnビットデータ(n=2またはそれより大きい定数)を貯蔵するマルチレベルメモリセルのうちのいずれか1つを含むことを特徴とする請求項26に記載の不揮発性メモリ装置。
- 増加型ステップパルスプログラム方法を使う不揮発性メモリ装置において、
行と列に配列されたメモリセルと、
クロック信号に応答して選択された行にプログラム電圧を提供するチャージポンプと、
プログラムステップコードに応答してプログラム電圧を分配する電圧分配器と、
前記分配電圧と基準電圧とを比べて前記クロック信号を発生するチャージポンプ制御器とを含み、
前記電圧分配器は前記プログラム電圧に連結された第1回路部と、前記第1回路部と前記分配電圧との間に連結され、前記プログラムステップコードによって制御される第2回路部と、前記分配電圧と接地電圧との間に連結された第3回路部とを含み、
前記第1乃至第3回路部のそれぞれは、直列に連結された多数の抵抗器および各抵抗器に並列に連結されたスイッチ、または、並列に連結された多数の抵抗器および各抵抗器に直列に連結されたスイッチを含み、前記第1乃至第3回路のそれぞれの抵抗値は、前記スイッチの制御を通じて異なるように設定可能であり、
前記第3回路部は前記第1回路部と対称とされる構成を有し、前記第1回路部内の抵抗器の抵抗値が、K(K>1である実数)と前記第1回路部内の抵抗器と同一の位置にある第3回路部内の抵抗器の抵抗値との積と、第m番目のプログラムループ時の第2回路内の抵抗器の抵抗と前記第3回路内の抵抗器の抵抗値に対する前記第3回路内の抵抗器に隣接する別の抵抗器の抵抗値の比との積との和となる関係が維持されるように制御して、前記プログラムステップコードの変更なしにターゲットプログラム電圧を固定された値に維持しながら前記プログラム電圧の増加分を任意の値(NΔV、N>0であるすべての実数値)に異なるように設定可能としたことを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記第1回路部内の抵抗器の抵抗値は前記第3回路部内に同一の位置にある抵抗器の抵抗値と正比例関係を有し、前記第1回路部内の抵抗器に連結されたスイッチと前記第3回路部の同一の位置にある抵抗器に連結されたスイッチとは同時に動作するスイッチセットで構成することを特徴とする請求項30に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記スイッチはヒューズ又はトランジスタのうちのいずれか1つであることを特徴とする請求項31に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記メモリセルのそれぞれは1ビットデータを貯蔵する単一レベルメモリセル又はnビットデータ(n=2またはそれより大きい定数)を貯蔵するマルチレベルメモリセルのうちのいずれか一つを含むことを特徴とする請求項30に記載の不揮発性メモリ装置。
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