JP5122130B2 - 格子整合されなかった基板上に応力緩和層構造を形成する方法 - Google Patents

Description

本発明は、それぞれ異なる格子構造を有する基板上に応力緩和単結晶層構造を有する層組織を形成する方法に関する。特にこの方法は、例えば被覆されるシリコンのような被覆層を例えばシリコン・ゲルマニウムから成る薄い応力緩和層組織上に作製するために使用される。

急激に進歩するナノ技術は、より速いトランジスタ、特にＭＯＳ電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を常に要求する。出力の増大は、一般にトランジスタの寸法を小さくすることによって実現される。しかし、リソグラフィ方法やエッチング方法のようなチップ製造の重要な技術をより高性能なシステムに交換しなければならないので、このことは、非常に経費がかかりかつ高価である。別の方法は、より高品質な物質を使用することである。ここでは、特にひずみシリコン，ひずみシリコン・ゲルマニウム（Ｓｉ−Ｇｅ）又はシリコン・炭素（Ｓｉ−Ｃ）及びシリコン・ゲルマニウム・炭素（Ｓｉ−Ｇｅ−Ｃ）の使用が考えられる。このような弾性ひずみ層組織は、確かに特別な基板つまり応力緩和基板であるいわゆる「仮想基板」上のエピタキシャル成長を必要とする。ほとんど欠陥密度を有さないこれらの仮想基板の製造は、非常に経費がかかりかつ困難である。（Ｆ． Ｓｃｈａｅｆｆｌｅｒ， Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｓｃｉ． Ｔｅｃｈｎ． １２ （１９９７） ｐ． １５１５−１５４９）。

すなわち多くの場合に、単結晶層の製造が、任意に使用される基板の材料によって強く制限されるか、又は、層の品質が低下する。異なる結晶構造及び基板と層の材料との間の異なる格子定数（格子欠陥整合）が、一般に高品質の層の単結晶成長を阻止する。単結晶層が、整合しない格子定数で析出される場合、これらの単結晶は、最初に機械的にひずみが進む。すなわち、これらの単結晶層の格子構造が、この状態で最初の格子構造と異なる。したがって析出された層が、所定のひずみ度を超えた場合、機械的な応力が、移動の形成によって消失し、格子構造が最初の格子構造に近づく。この過程を応力緩和と呼ぶ。以下では「緩和」と記す。

素子に対して多くの場合に要求されている層厚の場合、形成された層と基板との間の境界面が、この緩和によって転位する。しかしこの場合、多くの転位が、この境界面から層の表面まで不都合に延在する（いわゆる線状欠陥）。多くのこれらの転位は、新たに成長している層を横切ってさらに続くので、これらの転位は、層の材料の電気特性及び光学特性を著しく劣化させる。

ある程度弾性的にひずんでいる状態のシリコン又はシリコン・ゲルマニウム（Ｓｉ−Ｇｅ），シリコン・炭素（Ｓｉ−Ｃ），又はシリコン−ゲルマニウム−炭素（Ｓｉ−Ｇｅ−Ｃ）の使用は、材料の特性、特に素子に対して極めて重要な電子及び正孔のキャリア移動度を改善する。これらの高い価の材料及びその他の高い価の材料の使用は、素子の構造の限界値を変更する必要なしにＭＯＳＦＥＴやＭＯＤＦＥＴのようなＳｉを母材にする高出力素子の性能の著しい向上を可能にする。確かに同じ層組織で電子の移動度に加えて正孔の移動度も大幅に高めるためには、Ｏｂｅｒｈｕｂｅｒ等，Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｂ ５８（１５） （１９９８） ｐ． ９９４１−９９４８にしたがって、ひずみシリコン中の四辺形ひずみ（ｔｅｔｒａｇｏｎａｌｅ Ｖｅｒｚｅｒｒｕｎｇ）を約１．３％以上大きくする必要がある。したがって、ひずみシリコンが、少なくとも３０％原子おＧｅを有する１００％に緩和された例えばＳｉ−Ｇｅ層から成る「仮想基板」上にエピタキシー形成されることによって、このことを実現することができる。

シリコン・ゲルマニウム−（ＳｉＧｅ）−材料組織は、熱力学的に完全に混合可能な組織であるので、その化合物は、任意の濃度で製造され得る。シリコン及びゲルマニウムは、確かに同じ結晶構造を特徴とするものの、格子定数が４．２％だけ相違する。すなわち、ＳｉＧｅ層又は純粋なＧｅ層が、シリコン上でひずんで成長する。格子定数を小さくするため、炭素をシリコン中に約２原子％まで代わりに混入してもよい。

例えばひずみのない定性的に高い価数のシリコン・ゲルマニウム層−（ＳｉＧｅ）−合金層をシリコン基板上に形成する従来の技術は、いわゆる「グレイデッド層（ｇｒａｄｅｄ ｌａｙｅｒ）」の使用である。この場合、このグレイデッド層は、ＳｉＧｅ層である。希望のＧｅ含有量に到達させるため、ＳｉＧｅ層のＧｅ濃度が、表面に向かって増大する。層の特性を維持するため、μｍ当たり約１０原子％のＧｅ含有量の上昇だけが使用され得るので、このような層は、達成されたＧｅ濃度に応じて１０マイクロメートルまでの厚さである。このことは、層の成長に関して経済的及び技術的観点から満足でない。

これらの「グレイデッド層」の層の成長は、Ｅ． Ａ． Ｆｉｔｚｇｅｒａｌｄ等のＴｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ， ２９４ （１９９７） ３−１０中に記されている。しかもこの方法は、層を非常に凹凸にし、転位を増殖させ、したがって領域の結晶傾斜を招く。その結果、層の経費のかかる研磨が必要になる。

Ｌｅｉｔｚ等のＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， Ｖｏｌ． ７９（２５） （２００１）． Ｐ． ４２４６−４２４８及びＣｈｅｎｇ等のＭａｔ．Ｒｅｓ． Ｓｏｃ． Ｓｙｍｐ．， Ｖｏｌ． ６８６ （２００２） Ａ１．５．１−Ａ１．５．６から、ウェハー・ボンディング及びエッチングによって構造を形成する方法が提唱されている。非常に多くの工程ステップが要求されるので、この方法は、高価でかつ技術的に非常に経費がかかる点が欠点である。

国際特許第９９／３８２０１号明細書中には、薄い応力緩和ＳｉＧｅ緩衝層の形成を可能にする方法が既に提唱されている。確かにこの方法の欠点は、実現可能な緩和度が比較的小さい点である（一般に５０−７０％）。この緩和度は、Ｇｅ含有量の増大と共に激しく低下する。緩和されたＳｉＧｅ層中の転位密度が比較的高い。例えば２８原子％のゲルマニウムを含む１００ｎｍの厚さのＳｉ−Ｇｅ層に対して、１０^７ｃｍ^−２分の領域内の転位密度が測定された（Ｌｕｙｓｂｅｒｇ等のＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ９２ （２００２） ｐ． ４２９０）。このとき、緩和すべきＳｉ−Ｇｅ層の層厚をさらに薄く（＜１００ｎｍ）維持する必要があるので、この方法は、さらに高いＧｅ濃度の場合は特に制限される。さもなければ、転位が、成長中に既に形成されるので、このことは必要である。

線状欠陥（Ｆａｄｅｎｖｅｒｓｅｔｚｕｎｇ）に作用する力が、層厚に比例するので、実現可能な緩和度及び最小転位密度は、均質なＳｉＧｅ層内では層厚に強く依存する。
国際特許第９９／３８２０１号明細書

本発明の課題は、応力緩和層構造を、シリコン基板上の又は絶縁体（ＳＯＩ）基板上の例えばＳｉ−Ｇｅ層パケットのような格子整合されなかった基板上に形成する方法を提供することにある。この方法は、従来の技術で説明した欠点を有さない。

特に好適な構成では、ひずむＳｉが、ひずんでいないシリコン・ゲルマニウム（Ｓｉ−Ｇｅ）又はそれぞれ異なる格子構造のその他の適切な材料上に形成されなければならない。これらの材料は、好ましくは平坦性の保証下で構成部分のその他の工程に対して必要になる。

さらに本発明の課題は、上述した好適な層構造を有する電子素子及び／又は光導電素子を提供することにある。

この課題は、格子整合されなかった基板上に応力緩和した単結晶層構造１，２，３，４を形成する以下の、少なくとも１つの層を有する単結晶層構造が、前記基板上にエピタキシー形成され、当該エピタキシー形成の場合、前記層構造の前記基板に面する境界面の、前記基板に対する格子定数の不整合が、前記層構造の内部の、前記基板に対する格子定数の不整合より大きく、成長後の転位密度が、１０^３ｃｍ^−２未満であるように、当該エピタキシャル層構造の全層厚が選択され、前記エピタキシャル層構造は、イオンによって貫通照射され、当該貫通照射の場合、点欠陥が、前記エピタキシャル層構造中に生成され、広範囲の欠陥領域が、このエピタキシャル層構造の真下の前記基板中に生成され、平均到達距離が、前記エピタキシャル層構造の前記全層厚より大きいように、イオンインプランテーションされるイオンのエネルギーが選択され、前記欠陥領域の上の前記エピタキシャル層構造が、応力緩和し、１０^６ｃｍ^−２未満の欠陥密度を有し且つ１ｎｍ未満の表面凹凸性を呈するように、前記エピタキシャル層構造が、前記イオンインプランテーション後に５５０−１０００℃の温度範囲内で不活性雰囲気、還元雰囲気又は酸化雰囲気内で熱処理される、ステップから成る方法によって解決される。

本発明の範囲内では、これまで行われているのとは違って、非常に良好な緩和層構造が、格子定数の比較的大きい不整合Δｆ_１を基板に対する境界面に沿って有する層構造を形成することによって格子整合されていない基板上に形成され得ることが予想外に判明した。基板に対する境界面に沿ったこの格子定数の不整合は、少なくとも１．５％、好ましくは２％以上、特に約４％でなければならない。格子定数のこれに応じて大きい不整合を有するこのような連続する層の例は、形成されたＧｅ層を有するＳｉ基板又は少なくとも３０原子−％Ｇｅ−の含有量の形成されたＳｉ−Ｇｅ層を有する特にＳｉ基板である。

基板に対する境界面に沿った大きい格子定数の不整合Δｆ_１に加えて、層構造は、層構造の中央領域内に格子定数のもう１つの不整合Δｆ_２を有する。この不整合Δｆ_２は、基板に比べてΔｆ_１よりも小さい、好ましくはΔｆ_１の半分だけである。それ故にこのような層構造は、異なる組成及び格子定数の異なる不整合（Δｆ_１及びΔｆ_２）を有する少なくとも２つの特定の層を備えるか又は少なくとも１つの高濃度に形成された層を備える。この高濃度に形成された層の場合、ゲルマニウムの濃度が、基板の表面に対して変化する。

適切な２層の層構造（順序：基板に接している第１層，第２層）に対する例は、特にゲルマニウム−Ｓｉ−Ｇｅ又はＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ−Ｓｉ_１−ｙＧｅ_ｙ，ｘ＞ｙ又はＧｅＣ−ＳｉＧｅである。一般にこれらの層は、追加の１−２原子％の炭素をさらに有する。

層構造のグレイデッド層中のゲルマニウム濃度の好適な実施の形態は、境界面である基板／層構造から層構造の表面にかけた連続して低下する濃度である。この場合、Δｆ_２が、基板に対する層構造の表面の組成の格子定数の不整合を意味する。別の好適な実施の形態は、Ｕ分布の構造である。このＵ分布の場合、境界面である基板／層構造と層構造の表面とに沿ったゲルマニウムの濃度が、層構造の中央領域よりも高い。この場合、Δｆ_２が、層構造の中央領域内の層構造の格子定数の不整合又は基板に対する層構造内に僅かなＧｅ含有量を有する組成を意味する。

グレイデッド層構造に対する特に適切な材料としては、特にＳｉ−Ｇｅ，Ｓｉ−Ｃ及びＳｉ−Ｇｅ−Ｃを挙げることができる。
エピタキシャル層構造の全体の層厚は、転位が１０^３／ｃｍ^２以上の密度（欠陥密度）を有する所定の厚さを下回るように選択する必要がある。多層の層構造の場合、基板に接する第１層がこの層に対するいわゆる臨界層厚よりも小さい層厚を有することをさらに保証する必要がある。この臨界層厚は、この層に対する最大層厚を規定する。この臨界層厚の場合、格子整合されていない基板上の欠陥のない成長がまだ可能である。それ故にこの臨界層厚を下回る層厚の場合、完全に仮像な（ｓｔｒｅｎｇ ｐｓｅｕｄｏｍｏｒｐｈｅｓ）、すなわち完全に欠陥のない成長が得られる。

形成すべき第１層の層厚は、臨界層厚がどのくらいの大きさか又は格子定数の不整合がどのくらいの大きさかに応じて当業者によって決定される。一般に、格子定数の不整合が大きいほど、臨界層厚は小さい。ここで挙げられた材料の場合、第１層の層厚は、一般に１〜２０ｎｍ、好ましくは１〜１５ｎｍである。Ｓｉ基板とこの上に形成された純粋なゲルマニウム層との組み合わせの場合、このゲルマニウム層の適切な層厚は、３ｎｍ〜４ｎｍにすぎない。層構造の３層構造の場合、このことは、第１層と第３層の双方に対して成立する。

第２層の層厚は、一般に明らかにより厚く選択される（５０〜４００ｎｍ）。転位密度（Ｖｅｒｓｅｔｚｕｎｇｓｄｉｃｈｔｅ）が規定通りに１０^３／ｃｍ^２より小さいように、層構造の全体の層厚が小さく選択されることが重要である。

本発明の範囲内では、イオンインプランテーションによって基板層中に埋設され形成された欠陥領域の上の上述したエピタキシー形成された単結晶層構造が、熱処理及び／又は酸化処理によって非常に良好に応力緩和することが判明している。このことは、従来の技術で使用される材料に比べて基板に対して比較的大きい格子の不整合を有する層構造用の材料を使用する場合に特に成立する。

本発明にしたがって応力緩和された層構造の割合は、熱処理及び／又は酸化処理後に一般に６０％以上、特に７０％以上にある。高い程度の緩和及び非常に小さい転位密度を有するこのような層構造は、「仮想基板」とも呼ばれる。

本発明の方法の第１構成では、基板上の一連の層を基礎にする。異なる化学組成及び異なる層厚を有する少なくとも２つのエピタキシャル層が、この基板上にエピタキシー形成される。この場合、層厚ｄ_１の第１層が、基板と大きく異なる格子定数つまり大きい弾性ひずみを有する。この第１層は、例えばシリコン上の薄い単一層だけの純粋なゲルマニウム層又はシリコン上の高いＧｅ含有量のＳｉ−Ｇｅ層でもよい。第１層ｄ_１（例えば、ｄ_１＝１〜２０ｎｍ）の層厚は、欠陥のない成長が可能であるようにいわゆる臨界層厚よりも小さい必要がある。次いで、例えば、所定の濃度、例えば３０原子％のＧｅ及び層厚ｄ_２（ｄ_２≫ｄ_１；例えば５０ｎｍ＜ｄ_２＜４００ｎｍ）を有する著しくより厚い第２Ｓｉ−Ｇｅ層が、第１層上に形成される。この場合、全体の層厚ｄ_１及びｄ_２は、密度＞１０^３ｃｍ^−２の転位が成長中に発生する臨界厚さを越えてはならない。このことは、全体の層厚が完全に仮像な（ｓｔｒｅｎｇ ｐｓｅｕｄｏｍｏｒｐｈｅｓ）、すなわち完全に欠陥のない成長を保証するいわゆる「臨界層厚」も超えてはならないことを意味する。

上述した２層組織と異なる方法の実施形の場合、連続して変化する濃度勾配を有するエピタキシャル層が、基板上に形成される。この場合、この濃度勾配は、一定でもよいし、例えばＵ字形に変化してもよい。

この代わりに、この方法の場合、３層組織を２層組織を手本にして形成してもよい。この場合、別の第３層が、第１層と第２層との上に形成される。この第３層は、第１層と同様に高い濃度及び小さい層厚を有する。これによって、Ｕ字状の濃度分布を有する実施形と同様に、対称な応力分布が、層構造中に生成され得る。

これらの特殊な層組織の使用の目的は、生成された仮想基板中の著しくより高い緩和度及びより小さい転位密度がより大きい格子の不整合時でも（例えば、より高いＧｅ濃度時でも）適切なイオンインプランテーション及び熱処理後に実現され得るように、緩和に対して確定される層パラメータを最適にすることである。転位による塑性緩和（ｐｌａｓｔｉｓｃｈｅ Ｒｅｌａｘａｔｉｏｎ）は、層密度とその都度の応力に依存する。

徐々に変化するＧｅ含有量を有する緩衝層が使用される従来の技術の場合と違って、この場合、格子定数の変化を故意に小さく保持するため、基板に対する境界面に沿った成長が、一般に少ないＧｅ含有量で開始され、ステップ状に上昇する、本発明の範囲内では、このような好適な層構造を形成する全く新規のアプローチが選択される。

非常に薄い層領域（２層の層構造若しくは３層の層構造内の第１層又は徐々に変化する層構造の開始領域）内では、基板の境界面に沿った格子の弾性ひずみが、層の成分を適切に選択することによって大きく向上する。この非常に薄い層領域の上に隣接する領域（２層の層構造若しくは３層の層構造内の第２層又は徐々に変化する層構造の中央領域若しくは表面領域）内では、その成分は、希望の緩和を実現しなければならないＧｅ含有量に急激に又は徐々に低下する。この効果は、第３領域（高いＧｅ濃度を有する３層の層構造の第３層又はＵ字状に徐々に変化する層構造の表面領域）によって増幅できる。

比較的大きい格子ひずみが基板と層構造との間の開始領域内で発生するこの実現すべき効果は、本発明の範囲内では基板に対して大きい格子定数の不整合を有する第１層を形成することによってだけで実現されるのではなくて、基板自体が炭素の添加によって層構造に比べて大きくなった格子定数の不整合を有することによっても実現される。

著しく緩和された層構造が、本発明の方法によって生成され得る。さらにこの層構造は、好ましくは一般に１ｍｍ未満の僅かな表面凹凸性を有し、成長後は１０^６ｃｍ^−２未満、特に１０^５ｃｍ^−２未満の僅かな欠陥密度しか有さない。このことは、この層構造上へのさらなるひずみ層の形成に対して特に好ましい。

この方法の好適な構成でひずみシリコンを生成するため又は層組織の保護も実現するため、もう１つの薄い層を層構造上にさらにエピタキシー形成してもよい。これに対しては、特にエピタキシャルシリコンが適している。層厚が十分小さい場合、この形成は、イオンインプランテーション及び熱処理の前又は後又は続く工程ステップの間に実施できる。

本発明の方法の請求項１によれば、欠陥領域が、イオンインプランテーションによってこのエピタキシャル層構造の真下に引き続き生成される。この場合、層厚，イオンの種類，イオンエネルギー及びイオン量に応じて、エピタキシャル層構造が傷付く。一般にエピタキシャル層構造が完全にアモルファス化せず、エピタキシャル層構造中の欠陥が十分に復元され得るように、イオンインプランテーション条件が選択される。

次いで、欠陥領域を有する基板と形成された層構造と場合によっては別のエピタキシー形成された層とから構成されたこの連続層は、熱処理される。その結果、仮想基板である層構造が、欠陥領域の上で応力緩和する。これによって、基板上で変更されたひずみ状態を有する少なくとも１つのエピタキシャル層構造が直接得られる。イオンインプランテーションは、インプランテーション・マスクの使用下で基板、特にウェハーの一部の領域内だけで実施してもよい。このような場合、エピタキシャル層構造のひずみ状態が、インプラントされた欠陥領域のほぼ上だけで緩和される。

異なる格子定数又は異なる結晶構造を有する材料が、本発明の範囲内では異なる格子構造と解される。

基板／欠陥領域とエピタキシャル層構造とから構成された上述した連続層は、異なる方法で製造してもよい。例えば層構造が、基板上にエピタキシー形成され得る。引き続き欠陥領域（の一部）が、形成された層の境界面の真下に生成される。当然に、方法ステップのこの順序に拘束されない。例えば欠陥領域を第１エピタキシャル層の形成前又は後に基板上に形成することによって、連続層の形成が好適に変更され得る。

本発明の意味では、別の層を補足して設けてもよい。例えば実際に存在する薄い移行層を基板と第１エピタキシャル層との間に設けてもよい。この移行層は、基板と同じ材料から成る。

イオンが、エピタキシー形成されている層又はさらに形成すべき層の真下に存在する方法で、欠陥領域は、特に軽いイオン（水素，ヘリウム，フッ素，ホウ素，炭素，窒素，硫黄等）又は層材料若しくは基板材料自体、すなわちＳｉ／ＳｉＧｅヘテロ構造の場合は例えばＳｉ若しくはＧｅのイオンを用いるイオンインプランテーションによって形成される。軽いイオンのイオンインプランテーションは、エピタキシャル層組織の強い損傷を阻止する。構造の意図しない不純物又はドーピングを阻止するイオンを使用することが好ましい。この目的では、希ガスのイオン（Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ等）も使用可能である。イオンインプランテーション・ドーピング及びイオンインプランテーションの深さは、エピタキシャル層構造の層厚並びに質量及び選択されたイオンのエネルギーに適合される。基板上に形成された第１層の下に最大損傷を発生させることが好ましい。このことは、気泡又はクラックを作るイオン（水素，ヘリウム，フッ素，ネオン，アルゴン等）に対して特に成立する。境界面である基板／エピタキシャル層構造に沿った及びエピタキシャル層構造自体の中の気泡又は中空の形成を阻止する必要がある。非常に軽いイオン（水素又はヘリウム）によるイオンインプランテーションに比べたＳｉのイオンインプランテーションの利点は、ドーピングが著しく（係数１００だけ）低減され得ることである。このことは、イオンインプランテーション時間を短縮し、これによって使用される基板としてのウェハーの使用率を著しく向上させる。

「仮想基板」のインプラントされた領域が応力緩和するように、連続層が熱処理されるか又は消費熱量が少なく保持される。例えばヘリウム又はＳｉのイオンインプランテーションによって生成された欠陥から、欠陥クラスタ及び転位が、引き続く焼戻し時に発生する。これらの欠陥クラスタ及び転位の一部が、基板からエピタキシャル層構造にかけて延在する。これらの欠陥及びエピタキシャル層構造中に発生する欠陥は、格子ひずみの緩和に作用する。一般に、僅かな格子欠陥を有する一部又は全体が応力緩和された薄いエピタキシャル層構造が形成される。この層構造は、好ましくは「仮想基板」として使用され得る。

代わりにこの緩和は、Ｏ_２又は水による酸化によっても実現され得る。したがって、緩和された領域を形成する純粋な熱処理の代わりに、処理としての酸化又は酸化と熱処理の組み合わせも使用され得る。これによって、層構造内部の素子の機能に対して重要である元素の濃度も上げることができる（例えば、ＳｉＧｅ中のＧｅのエンリッチメント）。

この方法は、シリコン技術で確立されている工程ステップを利用する。その結果、この技術は、非常に大きいウェハー（例えば、３００ｍｍのＳｉウェハー）上にも転換され得る。

これに関して、少なくとも１つの別のエピタキシャル層が、本発明にしたがってこの連続層上に形成され得る。第１エピタキシャル層構造の下の基板が、緩和状態にある。エピタキシャル層構造上の別のエピタキシー形成された層の材料が、同様にひずみ状態にある。この別に形成された層は、基板と同じ材料から構成され得る。エピタキシャル層構造は、一般に薄く、例えば約３００ナノメートルより小さく、特に２００ｎｍより小さく保持され得るので、優れた熱伝導性が全ての連続層内部で得られることが保証されている。エピタキシャル層構造とこの上に形成された別の層は、これらの層が薄いために基板とほぼ同一平面上の単一層のように機能する。それ故に用語「同一平面」は、基板の表面までの形成によって生じるステップの高さがリソグラフィの結像光学系の焦点深度の範囲より大きくないことを意味する。このとき、「仮想基板」と基板との間の平坦性がさらなる方法ステップの途中で十分であることが保証されている。仮想基板と場合によっては別の形成されている層との連続層が、例えば約１００〜４００、特に１００〜２００ナノメートルの厚さを有するか又はそれどころかさらに薄い。したがって、「システム・オン・チップ」（一平面上の異なる機能を有する異なる素子）の製造が、好ましくは本発明の範囲内で可能である。これに対して、例えばＭＯＳＦＥＴの製造に対しては、最初にゲートの誘電体（例えば、ＳｉＯ_２），ソース及びドレイン接点，ゲート接点及び場合によってはスペーサー並びにこの下にある別のドープされたチャネル領域，ソース領域及びドレイン領域が作られ得、そしてパシベーション層又は絶縁層中に埋設され得る。この場合、特定のトランジスタの型又は部品に拘束されない。

シリコン基板の代わりに、層構造の形成用のＳＯＩ基板（ＳｉＯ_２上のＳｉ）を使用してもよい。例えば水素の気泡又はヘリウムの気泡がもはや生成され得ない程度に、酸化物上のシリコンの層厚が薄くなる場合でも、より重いイオンの使用が特に好ましい。このことは、酸化物上の本当に小さい全層厚を可能にする。このことは、例えばＳＯＩ上の特殊な素子の製造に対して特に有益である。

本発明にしたがって製造された層組織は、表面の研磨が必要であることなしに支持ウェハー上にウェハーボンディングによって移植され得る。この場合、層組織の切り離し（Ａｂｓｐａｌｔｅｎ）が、いわゆるＳＭＡＲＴカット工程の追加の水素のイオンインプランテーション及び／又はヘリウムのイオンインプランテーションによって実施できる。この代わりに、エッチングを使用してもよい。このとき、切り離しは、別のエピタキシャル層だけ又は層構造が新しいウェハー、一般にＳｉＯ_２上に移植されるように実施される。特に層構造としてのＳｉ−Ｇｅ層の場合、これらのＳｉ−Ｇｅ層は、好ましくは選択的にエッチングされ得る。これによって、例えばひずみシリコンが、直接ＳｉＯ_２上に形成され得る。

以下に、本発明の層組織を限定することなしに本発明の層組織を４つの図及び実施の形態に基づいて詳しく説明する。

図１は、それぞれ異なる格子構造を有する２つの単結晶層を有する仮想基板の製造を示す。層の成長が、特にガス層エピタキシー又は分子線エピタキシーによって実施される。エピタキシャル層１、例えば数ナノメートルの厚さの純粋なゲルマニウム層がエピタキシー形成される。この代わりに、高いＧｅ含有量の薄いＳｉ−Ｇｅ層又は１−２原子％の炭素を含むＳｉ−Ｃ層を使用してもよい。引き続き、特定のＧｅ濃度、例えば３０原子％のＧｅを含み５０−２５０ｎｍの層厚ｄ_２を有するシリコン・ゲルマニウム−（ＳｉＧｅ）−層２が形成される。全層厚がより大きいことが利点である。何故なら、このことは、応力緩和仮想基板中の転位密度をより小さくするからである。

これに対して図２及び図３では、非常に不均質な濃度変化を有するＳｉ−Ｇｅ層が、この層中に形成され得る。この場合、成長が、より高いＧｅ濃度で、場合によっては純粋なゲルマニウムで開始され、次いで濃度が（例えば、３０原子％まで）低下される点が重要である。対称な応力構造に関しては、図４中の層４中に示したように、Ｕ字状の濃度変化が使用され得る。もう１つの層が、層１と類似の又は同じ特性を有する場合、層組織の対称な応力構造は、このもう１つの層を層２上に形成することによっても形成され得る。全体の層厚は、全ての場合において損傷濃度（最大で１０^３ｃｍ^−２）を呈する転位が成長中に既に発生している時の層厚より下にある必要がある。

例えばシリコンから成る薄い層（図４中の層５）をオプションでさらに形成してもよい。欠陥領域が、例えばイオンインプランテーションによってこの形成された層の下に生成され得る。これに対しては、好ましくは約１×１０^１６ｃｍ^−２ 個のＨｅのイオンインプランテーションが実施され得る。イオンのエネルギーは、イオンの平均到達距離が第１境界面の下、すなわち基板中の約１００−２００ｎｍにあるような層厚に適合され得る。Ｈｅのイオンインプランテーションの代わりに、１００ｎｍの層厚のシリコン・ゲルマニウム−（ＳｉＧｅ）−層１及び２に対する、例えば約１５０ｋｅＶのエネルギーと約１×１０^１４ｃｍ^−２ 個のＳｉのイオンインプランテーションも可能である。インプラントされたイオンは、結晶欠陥をＳｉＧｅ層の中と下に生成する。

引き続き、不活性Ｎ_２雰囲気中の９００℃の焼戻し（Ｔｅｍｐｅｒｕｎｇ）が、熱処理として数分間実施される。その他の不活性ガス（例えば、アルゴン）や本発明の目的に適している気体（例えば、Ｏ_２又はフォーミングガス）が使用され得る。非常に高く選択されてはならないこの温度管理の場合、応力緩和されたシリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）層構造が、欠陥領域の上に発生する。この焼戻し温度又は酸化温度は、全ての層組織と素子工程とに対して適合され得、著しく低い温度に低下され得る。例えば、適切なイオンインプランテーション後の層緩和が、６００度程度の温度で既に実現され得る。これらの要求を満たすため、基板上の本発明の連続層は、第１の実施の形態のように約５０〜５００ナノメートル又はそれ未満の厚さを有し得る。

もう１つの層５が、緩和されたシリコン・ゲルマニウム−（ＳｉＧｅ）−層２上にエピタキシー形成され得る（図４）。このとき、この別の層５は、対応する格子の不整合によってひずまれている。この別の層５は、例えばシリコン又はエピタキシャル層２と異なるゲルマニウム濃度を有するシリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）又は多層から構成され得る。シリコンの場合、ひずみシリコンが存在する。しかしながら、層１，２及び５の薄さによって、層１，２及び５の異なる領域の上述した定義の意味での平坦性並びに基板に対する熱伝導性が保証されている。

図４からの（ひずみＳｉ）層５は、荷電キャリアのより高い移動度に起因して好ましくは高速ＭＯＳＦＥＴ、特にｎ形チャネル及びｐ形チャネルＭＯＳＦＥＴの製造に使用され得る。

層構造の歪んでいない領域も、好ましくはｐ形ＭＯＳＦＥＴに製造され得る。例えばマスクが、イオンインプランテーション中に使用された場合に、これらの領域が発生する。基板の埋設されている欠陥領域の上にある層構造の領域だけが均質に緩和しているので、マスクによって保護された基板の領域の上に配置されている層構造の領域は均質に歪んでいるままである。

さらに、別の連続層及び工程から出発することができる：
第１エピタキシャル層１及び２又は３若しくは４としてのシリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）及びＳｉ−Ｇｅ−Ｃ及びＳｉ−Ｃに加えて、さらに一般的なＩＩＩ−Ｖ族の化合物、特にＩＩＩ−Ｖ族の窒化物（ＧａＮ，ＡＩＮ，ＩｎＮ）及び酸化物ぺロブスカイト（ｏｘｉｄｉｓｃｈｅ Ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ）を第１エピタキシャル層として配置してもよい。どんな場合でも、適切な材料が、適切な基板上に配置される点だけが重要である。その結果、異なる格子構造を有する少なくとも１つの層（５）が、こうして生成された「仮想基板」上に形成され得る。その後、素子、例えばトランジスタを製造するため、素子が製造され得る。

本発明の方法にしたがって製造された連続層は、特に金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）及び変調ドープ電界効果トランジスタ（ＭＯＤＦＥＴ）を製造するために利用され得る。共振トンネルダイオード、特に共振シリコン・ゲルマニウム−（ＳｉＧｅ）−トンネルダイオード又は量子カスケード・レーザを「仮想基板」上に形成することも可能である。さらに、フォト検出器をこれらの連続層のうちの１つの連続層から製造することが考えられる。さらに、シリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）１，２から構成された「仮想基板」上の層５としてのＧａＡｓの連続層からレーザを製造することが考えられる。

基板及び２層にエピタキシー形成された層構造を有する層組織の概略図である。 基板と層面に対して垂直に濃度が徐々に変化するエピタキシー形成された層構造とを有する層組織の概略図である。 基板と層面に対して垂直に濃度がＵ字状に徐々に変化するエピタキシー形成された層構造とを有する層組織及びもう１つのひずみ層の概略図である。 埋め込まれた欠陥構造を有する基板，２層にエピタキシー形成された層構造，インプランテーション・マスク及びもう１つのひずみ層の概略図である。

１ 層の厚さがｄ_１のエピタキシャル層１，（例えば、シリコン・ゲルマニウム又は純粋なゲルマニウム又はＳｉＣ）
２ 特定のＧｅ濃度で層の厚さがｄ_２のエピタキシャル層２（例えば、Ｓｉ−Ｇｅ又はＳｉ−Ｇｅ−Ｃ）
３ Ｇｅの濃度分布が非常に低下しているＳｉ−Ｇｅのエピタキシャル層
４ Ｕ字状のＧｅ濃度分布を有するＳｉ−Ｇｅのエピタキシャル層
５ 析出されたシリコン層又はＳｉＧｅ層又は多重層、例えばひずみシリコン
６ エピタキシャル層に対する第１境界面の近くの基板中の欠陥領域
７ イオンインプランテーション用のマスク

Claims (24)

1. 格子整合されなかった基板上に応力緩和した単結晶層構造（１，２，３，４）を形成する以下の、
   少なくとも１つの層を有する単結晶層構造が、前記基板上にエピタキシー形成され、当該エピタキシー形成の場合、前記層構造の前記基板に面する境界面の、前記基板に対する格子定数の不整合が、前記層構造の内部の、前記基板に対する格子定数の不整合より大きく、
   成長後の転位密度が、１０^３ｃｍ^−２未満であるように、当該エピタキシャル層構造の全層厚が選択され、
   前記エピタキシャル層構造は、イオンによって貫通照射され、当該貫通照射の場合、点欠陥が、前記エピタキシャル層構造中に生成され、広範囲の欠陥領域が、このエピタキシャル層構造の真下の前記基板中に生成され、
   平均到達距離が、前記エピタキシャル層構造の前記全層厚より大きいように、イオンインプランテーションされるイオンのエネルギーが選択され、
   前記欠陥領域の上の前記エピタキシャル層構造が、応力緩和し、１０^６ｃｍ^−２未満の欠陥密度を有し且つ１ｎｍ未満の表面凹凸性を呈するように、前記エピタキシャル層構造が、前記イオンインプランテーション後に５５０−１０００℃の温度範囲内で不活性雰囲気、還元雰囲気又は酸化雰囲気内で熱処理される、ステップから成る方法。
2. 前記基板に対する境界面に沿って少なくとも１．５％の格子定数の不整合を有する層構造が形成される請求項１に記載の方法。
3. 前記基板に対する境界面に沿って前記層構造の内部の少なくとも２倍の大きさの格子定数の不整合を有する層構造が形成される請求項１又は２に記載の方法。
4. 前記欠陥領域の上の前記層構造は、少なくとも６０％まで応力緩和する請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
5. シリコン−ゲルマニウム（Ｓｉ−Ｇｅ）又はシリコン−ゲルマニウム−炭素（ＳｉＧｅＣ）又は炭化珪素（ＳｉＣ）を含む層構造が、前記基板上に形成される請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
6. 低下しているＧｅ濃度分布を有する１つの層が、層構造として基板上に形成される請求項５に記載の方法。
7. Ｕ字状のＧｅ濃度分布を有する１つの層が、層構造として基板上に形成される請求項５に記載の方法。
8. ＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体、ＩＩＩ−Ｖ族の窒化物、ＩＩ−ＶＩ族の化合物半導体又は酸化物ぺロブスカイトを有する層構造が、前記基板上に形成される請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
9. 少なくとも２つの層を有する層構造が形成される請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
10. Ｓｉ上のＧｅの仮像な成長に対する臨界層厚より薄い層厚ｄ_１を有する仮像な薄い第１Ｇｅ層及び厚さｄ_２≫ｄ_１を有する第２Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層（２）が、層構造として基板上に形成される請求項９に記載の方法。
11. 層厚ｄ_１を有する第１Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層と厚さｄ_２を有する第２Ｓｉ_１−ｙＧｅ_ｙ層（２）とから構成され且つｘ＞ｙ及びｄ_２≫ｄ_１である２つのＳｉ−Ｇｅ層が、層構造として前記基板上に形成される請求項９に記載の方法。
12. １−２原子％の炭素含有量及び層厚ｄ_１を有する仮像な薄い第１Ｓｉ−Ｃ層（１）及び層厚ｄ_２≫ｄ_１を有する第２Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ層（２）が、層構造として基板上に形成される請求項９に記載の方法。
13. １−２原子％の炭素含有量をさらに含む少なくとも１つの層が形成される請求項９〜１２のいずれか１項に記載の方法。
14. 少なくとも３つの層を有する層構造が形成される請求項９〜１２のいずれか１項に記載の方法。
15. それぞれの層は、前記層構造の第１層及び第３層として形成され、これらの層は、当該組成及び層厚に関して等しい請求項１４に記載の方法。
16. 前記イオンインプランテーションのため、１×１０^１６個ｃｍ^−２のＨｅイオンが、前記欠陥領域（６）を生成するために使用される請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
17. 前記イオンインプランテーションのため、１×１０^１４個ｃｍ^−２のＳｉイオンが、前記欠陥領域（６）を生成するために使用される請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
18. 前記イオンインプランテーションのため、水素イオン、炭素イオン、窒素イオン、フッ素イオン、ホウ素イオン、燐イオン、砒素イオン、シリコンイオン、ゲルマニウムイオン、アンチモンイオン、硫黄イオン、ネオンイオン、アルゴンイオン、クリプトンイオン又はキセノンイオンが、前記欠陥領域（６）を生成するために使用される請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
19. 前記イオンインプランテーションは、イオンインプランテーション・マスク（７）を使用して実施される結果、前記層構造は、インプラントされた領域だけで応力緩和する請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法。
20. ひずみ層が形成されるように、もう１つのエピタキシャル層が、前記イオンインプランテーションと前記熱処理との前又は後に前記エピタキシャル層構造上に形成される請求項１〜１９のいずれか１項に記載の方法。
21. 前記エピタキシャル層構造は、第２基板又はＳｉＯ_２層を有する基板上に形成され、少なくとも前記第１基板が分離され、引き続き、ひずみ層が形成されるように、もう１つのエピタキシャル層が、前記層構造上に形成される請求項１〜１９のいずれか１項に記載の方法。
22. 前記もう１つのエピタキシャル層は、第２基板又はＳｉＯ_２層を有する基板上に形成され、次いで少なくとも前記第１基板及び前記層構造が分離される請求項２０に記載の方法。
23. シリコン若しくはシリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）を有する層、Ｓｉ−Ｇｅ−Ｃ層又はゲルマニウム層が、もう１つのエピタキシャル層として形成される請求項２０〜２２のいずれか１項に記載の方法。
24. ｎ型ＭＯＳＦＥＴ又はｐ型ＭＯＳＦＥＴが、もう１つのエピタキシャル層として前記ひずみ層で製造される請求項２０〜２３のいずれか１項に記載の方法。

Images