JP5101893B2 - 欠陥ビットのメモリセルを避けてリペアー情報を保存する半導体メモリ装置及びその駆動方法 - Google Patents
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Description
図1は従来の半導体メモリ装置におけるリペアー情報の保存方法を説明するための図である。図1を参照すれば、メモリアレイ10は、ノーマルブロック11及びリダンダンシーブロック13を含む。ノーマルブロック11及びリダンダンシーブロック13には、図示しなかったが、ワードラインWLとビットラインBLの交差点上にメモリセル及びリダンダンシーセルが配列される。
結論として、従来の半導体メモリ装置においては、リペアー情報が誤保存されるおそれがあるという問題がある。
本発明の半導体メモリ装置及び駆動方法によれば、欠陥が発生したメモリセル及びビットラインを避けてリペアー情報が保存される。したがって、メモリセルに誤ったリペアー情報が保存される可能性は格段に低減する。
図2は本発明の一実施例による半導体メモリ装置を示す図である。図2を参照すれば、本発明の半導体メモリ装置は、メモリアレイ110及びデータ入出力部130を含む。
前記メモリアレイ110は、ノーマルブロック111及びリダンダンシーブロック113を含む。前記ノーマルブロック11には、図示しなかったが、ワードラインWLとビットラインBLの交差点上にメモリセルが配列される。前記リダンダンシーブロック113には、図示しなかったが、前記ノーマルブロック111のメモリセルを置換するためのリダンダンシーセルが配列される。
したがって、前記記録可能ビット区間115a、115b、115cには、前記情報パケットPF1、PF2、PF3が全て正しく保存できる。
図4を参照すれば、情報パケットPF1、PF2、PF3のそれぞれは、欠陥ビットアドレスPF1a、PF2a、PF3a及び連携ビットアドレスPF1b、PF2b、PF3bを含む。ただ、最後に連携される前記情報パケットPF3には、前記連携ビットアドレスPF3bが存在しないこともある。
望ましくは、本発明の半導体メモリ装置は、ビット選択制御部150及びアドレスレジスター170をさらに含む。
本発明の半導体メモリ装置によれば、欠陥が発生したメモリセル及びビットラインを避けてリペアー情報が保存される。したがって、メモリセルに誤リペアー情報が保存される可能性は格段に低減する。
図6は本発明の半導体メモリ装置の駆動方法を示す図で、リペアー情報領域に情報パケットPF1、PF2、PF3を保存する方法を示すフローチャートである。
図6を参照すれば、S610段階で、前記メモリアレイ110には、前記情報パケットPF1、PF2、PF3が保存されるリペアー情報領域115が割り当てられる。
S630段階で、前記リペアー情報領域115で、記録可能ビット区間115a、115b、115cを確認する。前記‘記録可能ビット区間’では、良好なビットが前記‘許容ビット数’以上連続的に存在することは前述したようである。
S650段階で、前記初期アドレス保存手段に初期アドレスSTADDを保存する。
図7は本発明の半導体メモリ装置の他の駆動方法を示す図で、情報パケットPF1、PF2、PF3の欠陥ビットアドレスPF1a、PF2a、PF3aを前記アドレスレジスター170に保存する方法を示すフローチャートである。
S720段階で、前記データ入出力部130によって、前記初期アドレスSTADDによる情報パケットPF1を読み出す。
S740段階で、情報パケットPF1に連携ビットアドレスPF1bが存在するか否かを判断する。
図7のフローチャートのような駆動方法によって、リペアー情報領域115で記録可能ビット区間115a、115b、115cに保存された前記情報パケットPF1、PF2、PF3の欠陥ビットアドレスPF1a、PF2a、PF3aをアドレスレジスター170に保存することができる。
例えば、本明細書では、ノーマルブロックの一部がリペアー情報領域に割り当てられる実施例を図示して説明したが、リペアー情報領域は、ノーマルブロックと別個の領域に具現できることは当業者には自明な事実である。
したがって、本発明の真正な技術的保護範囲は請求範囲の技術的思想によって決定されなければならない。
130 データ入出力部
115 リペアー情報領域
115a、115b、115c 記録可能ビット区間
PF1、PF2、PF3 情報パケット
PF1a、PF2a、PF3a 欠陥ビットアドレス
PF1b、PF2b、PF3b 連携ビットアドレス
PF1c、PF2c、PF3c リダンダンシービットアドレス
PRADD プロセスアドレス
SADD 選択アドレス
STADD 開始アドレス
XRED リダンダンシーアドレス
XST 開始制御信号
Claims (17)
- 半導体メモリ装置において、
複数のメモリセルを含み、一部領域がリペアー情報領域に割り当てられたメモリアレイであって、前記リペアー情報領域には複数の情報パケットが保存される前記メモリアレイ;及び
特定される前記情報パケットを読み出し、読み出された前記情報パケットに含まれる連携ビットアドレスによって、連携される他の情報パケットを読み出すように駆動されるデータ入出力部;を含み、
テストを行って欠陥のあるメモリセル及びビットラインを検索し、前記リペアー情報領域において、欠陥のない良好なビットが許容ビット数以上連続的に存在する記録可能ビット区間を確認して、情報パケットを前記記録可能ビット区間に保存し、
前記リペアー情報領域に保存される各情報パケットは、少なくとも欠陥が発生したメモリセルのビットアドレスを示す欠陥ビットアドレスを含む
ことを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記半導体メモリ装置は、
前記読み出された情報パケットに含まれる連携ビットアドレスによって、前記連携される他の情報パケットが記録されたビットを選択するように前記データ入出力部を制御するビット選択制御部をさらに含む
ことを特徴とする、請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記ビット選択制御部は、
前記読み出された情報パケットに含まれる連携ビットアドレスを入力し、入力された前記連携ビットアドレスをプロセスアドレスとして提供する連携アドレス確認手段;及び
対応するビットのメモリセルを選択するために、外部から入力されるY−アドレス又は前記プロセスアドレスのいずれかに対応する選択アドレスを前記データ入出力部に提供するY−デコーダーを備え、
前記連携アドレス確認手段から前記Y−デコーダーに提供されるデコーダー制御信号が活性化されている間、前記選択アドレスは、前記プロセスアドレスに対応するように制御される
ことを特徴とする、請求項2に記載の半導体メモリ装置。 - 前記ビット選択制御部は、
特定される前記情報パケットが保存されたメモリセルのビットアドレスを示す初期アドレスを保存する初期アドレス保存手段をさらに含み、
前記連携アドレス確認手段は、
所定の開始制御信号に応答して、前記初期アドレスを前記プロセスアドレスとして提供する
ことを特徴とする、請求項3に記載の半導体メモリ装置。 - 前記ビット選択制御部は、
前記データ入出力部から提供される前記情報パケットに含まれる欠陥ビットアドレスを保存するアドレスレジスターをさらに含み、
前記欠陥ビットアドレスは、欠陥が発生したメモリセルのビットアドレスである ことを特徴とする、請求項3に記載の半導体メモリ装置。 - 前記ビット選択制御部は、
前記アドレスレジスターに保存された欠陥ビットアドレスに対応する前記Y−アドレスに対し、所定のリダンダンシーイネーブル信号を発生する比較手段をさらに含み、
前記データ入出力部は、
前記リダンダンシーイネーブル信号に応答して、前記メモリアレイのメモリセルに代えてリダンダンシーセルを選択するように駆動される
ことを特徴とする、請求項5に記載の半導体メモリ装置。 - 前記Y−デコーダーは、
前記リダンダンシーイネーブル信号に応答して、ディスエーブルにされる
ことを特徴とする、請求項6に記載の半導体メモリ装置。 - 前記半導体メモリ装置は、
前記データ入出力部から提供される前記情報パケットに含まれる欠陥ビットアドレスを保存するアドレスレジスターをさらに含み、
前記欠陥ビットアドレスは、欠陥が発生したメモリセルのビットアドレスである
ことを特徴とする、請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記メモリセルは、不揮発性である
こと特徴とする、請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 複数のメモリセルを含むメモリアレイを有する半導体メモリ装置の駆動方法において、
前記メモリアレイの一部領域をリペアー情報領域に割り当てる段階;
前記リペアー情報領域を検索する段階;
前記リペアー情報領域で、良好なビットが許容ビット数以上連続的に存在する記録可能ビット区間を確認する段階;及び
前記記録可能ビット区間に、少なくとも欠陥ビットアドレス及び連携ビットアドレスを含む第1情報パケットと少なくとも欠陥ビットアドレスを含む第2情報パケットを記録する段階を含み、
前記第1情報パケット及び第2情報パケットの前記欠陥ビットアドレスは、
それぞれ欠陥が発生したメモリセルのビットアドレスを示し、
前記第1情報パケットの前記連携ビットアドレスは、
前記第2情報パケットが保存されるメモリセルのビットアドレスを示す
ことを特徴とする、半導体メモリ装置の駆動方法。 - 前記第1情報パケット及び前記第2情報パケットは、
メモリセルを置換するリダンダンシーセルのビットアドレスを示すリダンダンシービットアドレスをさらに含む
ことを特徴とする、請求項10に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。 - 前記第1情報パケットが保存されたメモリセルのビットアドレスを示す所定の初期アドレスを保存する段階をさらに含む
ことを特徴とする、請求項10に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。 - 前記メモリセルは、不揮発性である
ことを特徴とする、請求項10に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。 - 複数のメモリセルを含むメモリアレイを有する半導体メモリ装置の駆動方法において、
前記メモリアレイのリペアー情報領域に保存された第1情報パケットを読み出す段階;
及び
前記第1情報パケットに含まれる連携ビットアドレスによって、第2情報パケットを読み出す段階を含み、
テストを行って欠陥のあるメモリセル及びビットラインを検索し、前記リペアー情報領域において、欠陥のない良好なビットが許容ビット数以上連続的に存在する記録可能ビット区間を確認して、情報パケットを前記記録可能ビット区間に保存し、
前記リペアー情報領域に保存される各情報パケットは、少なくとも欠陥が発生したメモリセルのビットアドレスを示す欠陥ビットアドレスを含む
ことを特徴とする、半導体メモリ装置の駆動方法。 - 読み出された前記第1及び第2情報パケットに含まれる欠陥ビットアドレスを保存する段階をさらに含み、
前記欠陥ビットアドレスは、欠陥が発生したメモリセルのビットアドレスである
ことを特徴とする、請求項14に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。 - 前記第1情報パケットの読出しは、
所定の初期アドレスによって行われる
ことを特徴とする、請求項14に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。 - 前記メモリセルは、不揮発性である
ことを特徴とする、請求項14に記載の半導体メモリ装置の駆動方法。
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