JP4294971B2 - 不揮発性メモリ装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体集積回路装置に関するものであり、さらに具体的には、欠陥領域を代替するために必要なリダンダンシー構造を有する半導体メモリ装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般的に、半導体素子の小型化及び高集積化は製造工程において、様々な問題点を伴うので、収率の低下をもたらしうる。特に、メモリ素子において、メモリセルの欠陥による収率の低下が大きな問題点となっている。このような問題点を解決するための方法として、リダンダントセルが広く採用されている。すなわち、欠陥があるメモリセルを余分に形成したリダンダントセルによって代替することによって、欠陥を除去して収率を向上させる方法がそれである。
【0003】
これと共に、許容可能な欠陥セルの個数をスペックに明示し、この範囲内では、一部セルアレイに欠陥があっても使用が可能なメモリもある。例えば、NANDフラッシュメモリ装置は、DRAMやSRAMのようなメモリと異なり、一部セルアレイに欠陥があっても、使用が可能なメモリである。リダンダンシー構造を有する不揮発性半導体メモリ装置のアレイ構造を示すブロック図が図1に示されている。図1を参照すれば、メモリセルアレイはメインセル領域(main cell area)10とリダンダントセル領域(redundant cell area)20に区分される。例えば、メモリセル領域10は1024個のメモリセルブロックを含み、リダンダントセル領域20は16個のリダンダントセルブロックを含む。各リダンダントセルブロックは各メモリセルブロックと同一に構成される。各メモリブロックの行を制御するように対応する行デコーダが配置され、各リダンダンシーセルブロックのリダンダント行を制御するように対応するリダンダントデコーダが配置されている。
【0004】
先の説明のように、NANDフラッシュメモリ装置は欠陥があるメインセルブロック(欠陥セルブロックまたは不良ブロック(bad block))が存在しても、使用が可能である。すなわち、不良ブロックの数がリダンダントセルブロックの数を超えてもNANDフラッシュメモリ装置は使用可能である。例えば、すべてのリダンダントセルブロックが代替のために使われた状態で、K番目のメインセルブロックがバドブロックに判別されれば、使用者に不良ブロックがどこにあるかが分かるように、不良ブロックの特定アドレスに該当するメモリセル領域にK番目のメインセルブロックが不良ブロックであることを示すデータが書き込まれる。そのような不良ブロックの情報を利用して、使用者は不良ブロックが今後、メモリセルブロックとして使用されないように、メモリ装置のアドレス体系を再びマッピングすべきである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、自動で不良ブロックをマッピングする機能を有する半導体メモリ装置に関するものである。
【0006】
本発明の他の目的は、リダンダントメモリブロックのうち代替に使用されないメモリブロックが通常のメモリブロックとして使用されるようにするリダンダンシー構造を有する半導体メモリ装置を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明の特徴によると、不揮発性メモリ装置は、複数のメモリセルをそれぞれ有する複数の第1メモリセルブロックと、複数のメモリセルをそれぞれ有し、1以上の欠陥メモリセルブロックを含みうる複数の第2メモリセルブロックと、前記欠陥メモリセルブロックを前記第1メモリセルブロックに代替するブロック選択回路とを含み、前記第1メモリセルブロックは最上位アドレスから前記欠陥メモリセルブロックを代替する。
【0008】
望ましい実施形態によると、前記メモリ装置はNANDフラッシュメモリ装置として構成されうる。
【0009】
望ましい実施形態によると、代替されたブロックを除いた第1メモリセルブロックは通常メモリセルブロックで使用される。
【0010】
望ましい実施形態によると、 前記ブロック選択回路は前記欠陥メモリセルブロックを選択するためのアドレス情報を格納する。
【0011】
望ましい実施形態によると、前記ブロック選択回路はリダンダンシー信号を発生する。
【0012】
望ましい形態によると、前記リダンダンシー信号が入力されてディセーブル信号を発生するディセーブル回路をさらに含む。
【0013】
本発明の他の特徴によると、複数のメモリセルブロックを有する揮発性メモリ装置は、第1データを格納する第1メモリセルブロックと、第2データを格納する第2メモリブロックと、行アドレスに従って前記第1メモリセルブロックまたは前記第2メモリセルブロックを選択するためのデコーディング信号を発生するデコーディング信号発生回路と、前記行アドレスに応答してリダンダンシー信号を発生するアドレス貯蔵回路と、前記デコーディング信号と前記リダンダンシー信号に応答して前記第1メモリセルブロックを選択する第1行デコーダ回路と、前記デコーディング信号に応答して前記第2メモリセルブロックを選択する第2行デコーダ回路と、前記リダンダンシー信号に応答してディセーブル信号を発生するディセーブル回路とを含み、前記第1メモリセルブロックが欠陥メモリセルブロックであることを前記行アドレスが示す時に、前記ディセーブル回路は前記ディセーブル信号を発生し、前記第2メモリブロックは活性化される一方、前記第1メモリセルブロックは非活性化される。
【0014】
望ましい実施形態によると、前記メモリ装置はNANDフラッシュメモリ装置として構成されうる。
【0015】
望ましい実施形態によると、前記第1デコーディング回路は、前記デコーディング信号が入力され、第1出力信号を発生する第1検出回路と、前記第1出力信号と前記リダンダンシー信号が入力され、第1高電圧発生器イネーブル信号を発生する第2検出回路と、前記第1高電圧発生器イネーブル信号が入力され、第1メモリセルブロック選択信号を発生する第1高電圧発生器と、前記第1メモリセルブロック選択信号が入力され、第1スイッチブロックとをさらに含む。
【0016】
望ましい実施形態によると、前記第2デコーディング回路は、前記デコーディング信号が入力され、第2出力信号を発生する第3検出回路と、前記第2出力信号が入力され、第2高電圧発生器イネーブル信号を発生する第4検出回路と、前記第2高電圧発生器イネーブル信号が入力され、第2メモリセルブロック選択信号を発生する第2高電圧発生器と、前記第2メモリセルブロック選択信号が入力され、第2スイッチブロックとをさらに含む。
【0017】
本発明のまた他の特徴によると、不揮発性メモリ装置は、複数の第1メモリセルブロックと複数の第2メモリセルブロックを含むアレイと、行アドレスに応答してリダンダンシー信号を発生するアドレス貯蔵回路と、前記リダンダンシー信号に応答してディセーブル信号を発生するディセーブル回路と、前記行アドレスに従って前記第1メモリセルブロックまたは前記第2メモリセルブロックを選択するためのデコーディング信号を発生する行プリデコーダ回路と、前記デコーディング信号と前記リダンダンシー信号に応答して前記第1メモリセルブロックを選択する複数の第1行デコーダと、前記デコーディング信号に応答して前記第2メモリセルブロックを選択する複数の第2行デコーダとを含み、前記第1メモリセルブロックは最上位アドレスから逆順で前記第1メモリセルブロック内の欠陥メモリセルブロックを代替する。
【0018】
望ましい実施形態によると、前記欠陥メモリセルブロックに代替されない第1メモリセルブロックは通常メモリセルブロックで使用される。
【0019】
望ましい実施形態によると、前記アドレス貯蔵回路は前記第1メモリセルブロックを逆順で選択するために前記リダンダンシー信号を発生する。
【0020】
望ましい実施形態によると、前記第1行デコーダ各々は前記第1メモリセルブロックに各々対応する。
【0021】
望ましい実施形態によると、前記第1行デコーダ各々は、前記デコーディング信号が入力され、第1出力信号を発生する第1検出回路と、前記第1出力信号と前記リダンダンシー信号が入力され、第1高電圧発生器イネーブル信号を発生する第2検出回路と、前記第1高電圧発生器イネーブル信号が入力され、第1メモリセルブロック選択信号を発生する第1高電圧発生器と、前記第1メモリセルブロック選択信号が入力され、第1スイッチブロックとを含む。
【0022】
望ましい実施形態によると、前記第2行デコーダ各々は前記第2メモリセルブロックに各々対応する。
【0023】
望ましい実施形態によると、前記第2行デコーダ各々は、前記デコーディング信号が入力され、第2出力信号を発生する第3検出回路と、前記第2出力信号が入力され、第2高電圧発生器イネーブル信号を発生する第4検出回路と、前記第2高電圧発生器イネーブル信号が入力され、第2メモリセルブロック選択信号を発生する第2高電圧発生器と、前記第2メモリセルブロック選択信号が入力され、第2スイッチブロックとを含む。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図を参照して、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。
【0025】
図2は本発明の望ましい実施形態による不揮発性半導体メモリ装置を示すブロック図である。図3はメモリセルブロックM/RCM1−M/RCB16に各々対応する行デコーダ回路RD1−RD1008のうち一つを示す図面である。
【0026】
先ず、図2を参照すれば、本発明の望ましい実施形態による不揮発性半導体メモリ装置100は、データ情報を格納するためのメモリセルアレイを含む、このアレイは複数のメモリセルブロックで構成される。メモリセルブロックのうちのいくつかは、別途の不良ブロックの情報を格納せず、メインセルブロックまたはリダンダントセルブロックとして動作するように定義される。すなわち、本発明の望ましい実施形態による不揮発性半導体メモリ装置100は、自動マッピング機能を有し、そのような機能によれば、アドレス体系のマッピングのために、別途の読み出し動作が実行される必要がない。これを以下で詳細に説明する。
【0027】
図2に示したように、メモリセルブロックMCB1−MCB1008はメイン(または通常の)セルブロックを構成し、残りのメモリセルブロックM/RCB1−M/RCB16はリダンダントセルブロックとして使用されるように構成される。メモリセルブロックM/RCB1−M/RCB16は対応するリダンダンシー信号/RED1−/RED16に従って通常のセルブロックとして、または欠陥メモリセルブロックを代替するためのリダンダントセルブロックとして使用される。リダンダンシー信号/RED1−/RED16は最上位アドレスに対応するメモリセルブロックから逆順に活性化される。例えば、第1メモリセルブロックMCB1が不良ブロックである場合には、メモリセルブロックM/RCB1が不良ブロックMCB1を代替するように、対応するリダンダンシー信号/RED1が活性化される。更に他のメモリセルブロックMCBkが不良ブロックとして判断される場合には、メモリセルブロックM/RCB2が不良ブロックMCBkを代替するように、対応するリダンダンシー信号/RED2が活性化される。
【0028】
本発明の望ましい実施形態によれば、メモリセルブロックM/RCB1−M/RCB16の数はメモリ装置のリダンダント容量と許容可能な欠陥メモリセルブロックの数によって決める。そのように決められたメモリセルブロックM/RCB1−M/RCB16は、常にリダンダントセルブロックに固定されるのではなく、欠陥メモリセルブロックに代替されない時に、通常のセルブロックとして使用される。
【0029】
メモリセルブロックM/RCB1−M/RCB16各々は同一の構成を有する行デコーダ回路に連結される。これらの行デコーダ回路は、図3を参照すれば、NANDゲート201、202、インバーター203、NMOSトランジスタ204、206〜211及び高電圧スイッチ205を含む。NANDゲート201にはデコーディングされた信号Pi、Qi、Riが印加され、NANDゲート202にはNANDゲート201の出力信号と対応するリダンダンシー信号/REDiが印加される。高電圧スイッチ205はNANDゲート202の出力信号に応答してブロックワードラインBWLに各動作モードに必要な電圧を伝達する。NMOSトランジスタ206〜211で構成されるスイッチブロックはブロックワードラインBWLに連結され、ストリング選択ラインSSL、ワードラインWL16−WL1及び接地選択ラインGSLに選択信号SS、S16−S1、SGを伝達する。NMOSトランジスタ204はSSLラインとSSLGNDノードとの間に連結され、インバーター203を通じて出力されるNANDゲート202の出力信号によって制御される。NMOSトランジスタ204は対応するメモリセルブロックが選択されない時に、ストリング選択ラインSSLを接地電圧に固定させる。
【0030】
回路動作を説明すると、デコーディングされた信号Pi、Qi、Riが全部ハイレベルであり、リダンダンシー信号/REDiがハイレベルである時に、高電圧スイッチ205に対して高電圧発生回路(図示せず)から各動作モードに必要な高電圧が供給され、NANDゲート202の出力に応答してその高電圧をブロックワードラインBWLに伝達する。リダンダンシー信号/REDiがローレベルであれば、NANDゲート201の出力信号に関係なしに、NANDゲート202の出力信号はハイレベルになる。これは高電圧スイッチ205を活性化させ、その結果、欠陥メモリセルブロックに代えてメモリセルブロックM/RCBiが選択される。
【0031】
メモリセルブロックMCB1−MCB1008各々は同一の構成を有する行デコーダ回路に連結され、図4に示したように、これらの行デコーダ回路は、 NANDゲート212、インバーター213、214、NMOSトランジスタ215、217−222及び高電圧スイッチ216を含む。ここで、インバーター213に代えて、例えば、1つの入力端子がNANDゲート212の出力に連結され、もう1つの入力端子が電源電圧に連結されたNANDゲートが使用されてもよい。NANDゲート212にはデコーディングされた信号Pi、Qi、Riが印加され、NANDゲート212の出力信号はインバーター213を通じて高電圧スイッチ216に伝達される。高電圧スイッチ216はインバーター213の出力信号に応答してブロックワードラインBWLに対して各動作モードに必要な電圧を伝達する。NMOSトランジスタ217〜222で構成されるスイッチブロックはブロックワードラインBWLに連結され、ストリング選択ラインSSL、ワードラインWL16〜WL1及び接地選択ラインGSLに選択信号SS、S16〜S1、GSを伝達する。NMOSトランジスタ215はSSLラインとSSLGNDノードとの間に連結され、インバーター213、214を通じて出力されるNANDゲート212の出力信号によって制御される。NMOSトランジスタ215は対応するメモリセルブロックが選択されない時に、ストリング選択ラインSSLを接地電圧に固定させる。
【0032】
再び、図2を参照すれば、本発明の望ましい実施形態の不揮発性半導体メモリ装置100は、アドレス貯蔵回路120、ディセーブル回路140及び行プリデコーダ回路(row pre−decoder circuit)160を含む。アドレス貯蔵回路120は、欠陥メモリセルブロックと関連した行アドレスを格納するように構成されていて、このような機能は、例えば、レーザーヒューズ、電気ヒューズまたはEEPROMセルを利用して容易に実現することができる。アドレス貯蔵回路120は入力行アドレスRAに応答してリダンダンシー信号RED16−RED1を出力する。例えば、入力行アドレスが欠陥メモリセルブロックを指定するためのものであれば、入力行アドレスに対応するリダンダンシー信号が活性化される。
【0033】
ここで、アドレス貯蔵回路120の一例が大韓民国特許公開公報第1996−030255号に“不揮発性半導体メモリの行リダンダンシー”というタイトルで開示されており、この開示内容はレファレンスにより本明細書に取り込まれる。
【0034】
ディセーブル回路140はアドレス貯蔵回路120から出力されるリダンダンシー信号/RED16−/RED1に応答してディセーブル信号/RPDdisを発生する。例えば、リダンダンシー信号/RED[16:1]のうちいずれか一つが活性化されれば、ディセーブル回路140はディセーブル信号/RPDdisを活性化させる。行プリデコーダ160は、行アドレスRAをデコーディングして、デコーディングされた信号Pi、Qi、Riを出力する。そのように出力された信号Pi、Qi、Riは、先の説明のように、各行デコーダ回路RD1−RD1024に伝達される。ディセーブル信号/RPDdisが活性化される時に、行プリデコーダ回路160から出力されるデコーディングされた信号Pi、QiまたはRiは、入力行アドレスに関係なしに、全部非活性化状態となる。すなわち、現在入力された行アドレスに対応するメモリセルブロックMCBiは選択されない。代わりに、代替されたメモリセルブロックM/RCBiが対応するリダンダンシー信号によって選択される。
【0035】
本発明の望ましい実施形態による不揮発性半導体メモリ装置において、メモリセルアレイは複数のメモリセルブロックで構成される。メモリセルブロックのうちのいくつかのブロックは通常のメモリセルとして使用されるか、又は、欠陥メモリセルブロックを代替するために使用されるように、用途が選択的に割り当てられる。そのように割り当てられたメモリセルブロックは、例えば、欠陥メモリセルブロックを代替するために、最上位アドレスから逆順で順に選択されうる。これは不良ブロックを有するメモリ装置が最初に使用される時に、使用者が別途のアドレスマッピングを実行しなくてもよいことを意味する。さらに、メモリブロックM/RCB1−M/RCB16のうち代替のために使用されないブロックは通常のメモリブロックで使用されることができる。
【0036】
図5は図2に示した行プリデコーダ回路160の望ましい実施形態である。図5を参照すれば、行プリデコーダ回路160は三つのデコーディングブロックで構成される。第1デコーディングブロックは行アドレス信号A12、/A12、A13、/A13、A14、/A14をデコーディングしてデコーディング信号P1〜P8を出力し、8個のNANDゲート223−224とそれらのNANDゲートに各々対応する8個のインバーター225−226で構成される。各NANDゲートは3つの入力信号を受け入れるように行アドレス信号A12、/A12、A13、/A13、A14、/A14に連結されている。第2デコーディングブロックは行アドレス信号A15、/A15、A16、/A16、A17、/A17をデコーディングしてデコーディング信号Q1〜Q8を出力し、8個のNANDゲート227−228とそれらのNANDゲートに各々対応する8個のインバーター229−230で構成される。各NANDゲートは3つの入力信号を受け入れるように、行アドレス信号A15、/A15、A16、/A16、A17、/A17に連結され、ディセーブル信号/RPDdisが各NANDゲートに印加される。このような回路構成において、デコーディング信号Q1−Q8はディセーブル信号/RPDdisがハイレベルである時に、行アドレス信号に従って選択的に活性化される一方、ディセーブル信号/RPDdisがローレベルである時に、行アドレス信号に関係なしに、全部非活性化される。第3デコーディングブロックは行アドレス信号A18、/A18、A19、/A19、A20、/A20、A21、/A21をデコーディングしてデコーディング信号R1−R16を出力し、16個のNANDゲート231−232と前記NANDゲートに各々対応する16個のインバーター232−234で構成される。各NANDゲートは3つの入力信号を受け入れるように、行アドレス信号A18、/A18、A19、/A19、A20、/A20、A21、/A21に連結されている。
【0037】
図6は図2に示したディセーブル回路の望ましい実施形態である。図6を参照すれば、ディセーブル回路140は4つのNANDゲート235、236、237、238とNORゲート239で構成される。NANDゲート235にはリダンダンシー信号/RED1−RED4が印加され、NANDゲート236にはリダンダンシー信号/RED5−/RED8が印加される。NANDゲート237にはリダンダンシー信号/RED9−/RED12が印加され、NANDゲート238にはリダンダンシー信号/RED13−/RED16が印加される。NANDゲート235、236、237、238の出力信号はNORゲート239に印加される。リダンダンシー信号のうちいずれか一つがローに活性化されれば、ディセーブル信号/RPDdisがローに活性化される。これは行プリデコーダ回路160のデコーディング信号Qiがローレベルになるようにする。
【0038】
図7は本発明の望ましい実施形態による不揮発性半導体メモリ装置の読み出し動作を説明するための動作タイミング図である。本発明の望ましい実施形態による不揮発性半導体メモリ装置100はNANDフラッシュメモリ装置であり、このようなメモリ装置は電気的に消去及びプログラム可能であり、外部から入力されたコマンドとアドレスによって読み出し/書き込み動作を実行する。本発明の望ましい実施形態による不揮発性半導体メモリ装置の読み出し動作が参照図面に基づいて以下詳細に説明される。説明の便宜上、メモリセルブロックMCB1が欠陥メモリセルブロックと仮定すれば、欠陥メモリセルブロックに対応する行アドレス情報はよく知られた方式によりアドレス貯蔵回路120に格納されることは、この分野の通常の知識を持つ者に自明である。
【0039】
本発明の望ましい実施形態によるNANDフラッシュメモリ装置の読み出し動作を実行するためには、図7に示したように、読み出しコマンド“00h”が入出力ピンI0I−I08を通じてメモリ装置内に入力される。その次に、制御信号/WEに同期してアドレス信号A0−A7、A8−A15及びA16−A21が3回にわたって入出力ピンI0I−I08を通じてメモリ装置内に入力される。よく知られたように、第1サイクルで入力されるアドレスA0−A7は列アドレスであり、第2、そして第3サイクルで入力されるアドレスA8−A21は行アドレスである。ここで、入力された行アドレスがメモリセルブロックMCB1を指定するためのアドレスであれば、メモリセルブロックMCB1は選択されず、メモリセルブロックM/RCM1が選択される。さらに具体的に説明すれば、次の通りである。
【0040】
アドレス信号A0−A21が全部入力されれば、行プリデコーダ回路160は入力された行アドレス信号A12−A21をデコーディングしてデコーディング信号Pi、Qi、Riを出力する。入力された行アドレスがメモリセルブロックMCB1を指定するためのアドレスであるので、図7に示したように、デコーディング信号P1、Q2、R1のみがハイで活性化される。これと同時に、アドレス貯蔵回路120は行アドレスA12−A21が欠陥メモリセルブロックを指定するためのアドレスであるか否かを判別する。入力された行アドレスがメモリセルブロックMCB1を指定するためのアドレスであるので、アドレス貯蔵回路120はリダンダンシー信号/RED1をローに活性化させる。ディセーブル信号/RPDidsはリダンダンシー信号/RED1によって活性化され、その結果、ハイレベルに活性化されたデコーディング信号Q1はディセーブル信号/RPDdisによってローレベルになる。メモリセルブロックMCB1に対応する行デコーダ回路RD1はデコーディング信号Q1がローレベルになることによって非活性化される。すなわち、行デコーダ回路RD1内の高電圧スイッチ216が動作しない。
【0041】
一方、リダンダンシー信号/RED1が活性化されることによって、メモリセルブロックM/RCB1に対応する行デコーダ回路RD1024は、対応するデコーディング信号Pi、Qi、Riに関係なしに、活性化されたリダンダンシー信号/RED1に応答して動作する。すなわち、行デコーダ回路RD104内のNANDゲート202の出力信号は、対応するデコーディング信号Pi、Qi、Riに関係なしに、リダンダンシー信号/RED1によってハイに活性化される。これは高電圧スイッチ205を動作させ、その結果、リダンダントセルブロックとしてメモリセルブロックM/RCB1が選択される。以後、選択されたメモリセルブロックでデータを感知する動作はこの分野でよく知られているので、それに対する説明は省略する。
【0042】
本発明の望ましい実施形態において、メモリセルアレイの欠陥メモリセルブロックを示す行アドレス情報がアドレス貯蔵回路120に格納される。この時に、欠陥メモリセルブロックを代替するように指定されたメモリセルブロックの最上位アドレスから逆順で順に選択されるように行アドレス情報がアドレス貯蔵回路120に格納される。このような方式で、欠陥メモリセルブロックを指定されたメモリセルブロックM/RCBiによって代替することによって、別途の不良ブロック情報が欠陥メモリセルブロックに格納される必要がない。結果的に、使用者は、欠陥メモリセルブロックに対する別途のアドレスマッピングなしに、最下位アドレスから欠陥メモリセルブロックの数を引いたアドレスに該当する無欠陥メモリセルブロックを順に使用することができる。
【0043】
以上、本発明による回路の構成及び動作を上述の説明及び図面に従って明らかにしたが、これは本発明の例示的な説明に過ぎず、本発明の技術的思想及び範囲を逸脱しない範囲内で多様な変化及び変更が可能なことはもちろんである。例えば、メモリセルアレイにリダンダント専用メモリブロックを提供し、そのようリダンダント専用メモリブロックをよく知られたリダンダンシー方式によって使用してもよい。これと共に、メモリセルブロックまたはリダンダントセルブロックで使用されるメモリセルブロックを指定する方式が使用されうる。
【0044】
【発明の効果】
本発明によれば、別途の不良ブロックマッピングが必要ないメモリ装置を実現することによって、使用者に毎度にわたって不良ブロックマッピングを強いることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】一般的な不半導体メモリ装置のアレイ構造を示すブロック図である。
【図2】本発明による不半導体メモリ装置のブロック図である。
【図3】リダンダントメモリブロックで使用されるメモリブロックに対応する図2に示した行デコーダの望ましい実施形態を示す図である。
【図4】メインメモリブロックで使用されるメモリブロックに対応する図2に示した行デコーダの望ましい実施形態を示す図である。
【図5】図2に示した行プリデコーダの望ましい実施形態を示す図である。
【図6】図2に示した行プリデコーダディセーブル回路の望ましい実施形態を示す図である。
【図7】本発明による不半導体メモリ装置のバドブロックマッピング動作を説明するための動作タイミング図である。
【符号の説明】
100 不揮発性半導体メモリ装置。
120 アドレス貯蔵回路
140 ディセーブル回路
160 行プリデコーダ回路
Claims (10)
- 複数のメモリセルブロックを有する不揮発性メモリ装置において、
第1データを格納する第1メモリセルブロックと、
第2データを格納する第2メモリセルブロックと、
行アドレスに従って前記第1メモリセルブロックまたは前記第2メモリセルブロックを選択するためのデコーディング信号を発生するデコーディング信号発生回路と、
前記行アドレスに応答してリダンダンシー信号を発生するアドレス貯蔵回路と、
前記デコーディング信号と前記リダンダンシー信号に応答して前記第1メモリセルブロックを選択する第1行デコーダ回路と、
前記デコーディング信号に応答して前記第2メモリセルブロックを選択する第2行デコーダ回路と、
前記リダンダンシー信号に応答してディセーブル信号を発生するディセーブル回路とを含み、
前記第2メモリセルブロックが欠陥メモリセルブロックであることを前記行アドレスが示す時に、前記ディセーブル回路は前記ディセーブル信号を発生し、前記第1メモリブロックは活性化される一方、前記第2メモリセルブロックは非活性化され、前記第1メモリセルブロックは最上位アドレスから前記欠陥メモリセルブロックを代替し、代替されたブロックを除いた前記第1メモリセルブロックの他のブロックは、欠陥メモリセルブロックを代替するための予備メモリセルブロックとして割り当てられないで、データ情報を格納するための通常のメモリセルブロックとして使用されることを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - NANDフラッシュメモリ装置として構成されていることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記第1行デコーダ回路は、
前記デコーディング信号が入力され、第1出力信号を発生する第1検出回路と、
前記第1出力信号と前記リダンダンシー信号が入力され、第1高電圧発生器イネーブル信号を発生する第2検出回路と、
前記第1高電圧発生器イネーブル信号が入力され、第1メモリセルブロック選択信号を発生する第1高電圧発生器と、
前記第1メモリセルブロック選択信号が入力される第1スイッチブロックとをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記第2行デコーダ回路は、
前記デコーディング信号が入力され、第2出力信号を発生する第3検出回路と、
前記第2出力信号が入力され、第2高電圧発生器イネーブル信号を発生する第4検出回路と、
前記第2高電圧発生器イネーブル信号が入力される第2メモリセルブロック選択信号を発生する第2高電圧発生器と、
前記第2メモリセルブロック選択信号が入力され、第2スイッチブロックとをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。 - 複数の第1メモリセルブロックと複数の第2メモリセルブロックを含むアレイと、
行アドレスに応答してリダンダンシー信号を発生するアドレス貯蔵回路と、
前記リダンダンシー信号に応答してディセーブル信号を発生するディセーブル回路と、
前記行アドレスに従って前記第1メモリセルブロックまたは前記第2メモリセルブロックを選択するためのデコーディング信号を発生する行プリデコーダ回路と、
前記デコーディング信号と前記リダンダンシー信号に応答して前記第1メモリセルブロックを選択する複数の第1行デコーダと、
前記デコーディング信号に応答して前記第2メモリセルブロックを選択する複数の第2行デコーダとを含み、
前記第1メモリセルブロックは最上位アドレスから逆順で前記第2メモリセルブロック内の欠陥メモリセルブロックを代替し、代替されたブロックを除いた前記第1メモリセルブロックの他のブロックは、欠陥メモリセルブロックを代替するための予備メモリセルブロックとして割り当てられないで、データ情報を格納するための通常のメモリセルブロックとして使用されることを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記アドレス貯蔵回路は、前記第1メモリセルブロックを逆順で選択するように前記リダンダンシー信号を発生することを特徴とする請求項5に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記第1行デコーダ各々は前記第1メモリセルブロックに各々対応することを特徴とする請求項5に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記第1行デコーダ各々は、
前記デコーディング信号が入力され、第1出力信号を発生する第1検出回路と、
前記第1出力信号と前記リダンダンシー信号が入力され、第1高電圧発生器イネーブル信号を発生する第2検出回路と、
前記第1高電圧発生器イネーブル信号が入力され、第1メモリセルブロック選択信号を発生する第1高電圧発生器と、
前記第1メモリセルブロック選択信号が入力される第1スイッチブロックとを含むことを特徴とする請求項7に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記第2行デコーダ各々は前記第2メモリセルブロックに各々対応することを特徴とする請求項5に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記第2行デコーダ各々は、
前記デコーディング信号が入力され、第2出力信号を発生する第3検出回路と、
前記第2出力信号が入力され、第2高電圧発生器イネーブル信号を発生する第4検出回路と、
前記第2高電圧発生器イネーブル信号が入力され、第2メモリセルブロック選択信号を発生する第2高電圧発生器と、
前記第2メモリセルブロック選択信号が入力される第2スイッチブロックとを含むことを特徴とする請求項9に記載の不揮発性メモリ装置。
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