JP5062520B2 - 透明酸化スズ粉末 - Google Patents
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Description
〔1〕水酸化スズ水溶液にフッ素源を添加し、脱水後、湿度50%以上の不活性雰囲気下、350〜800℃で加熱処理して製造され、アンチモン、リン、およびインジウムの何れも含有せず、フッ素を0.3〜5.0%含有することを特徴とする導電性酸化スズ粉末。
〔2〕圧粉体積抵抗率が10Ω・cm以下である上記[1]に記載する導電性酸化スズ粉末。
〔3〕水酸化スズ水溶液にフッ素源を添加し、脱水後、湿度50%以上の不活性雰囲気下、350〜800℃で加熱処理することによって、上記[1]または上記[2]に記載する導電性酸化スズ粉末を製造する方法。
〔4〕上記[1]または上記[2]に記載する導電性酸化スズ粉末を30〜80%含有し、膜厚2〜3μmにおいて、可視光の光透過率80%以上および赤外線の光透過率60%以下である透明薄膜。
〔5〕表面抵抗が1×1010Ω/□以下である上記[4]に記載する透明薄膜。
〔6〕上記[1]または上記[2]に記載する導電性酸化スズ粉末を分散させた分散液。
水酸化スズ水溶液を用い、これにフッ素源を添加して水中でフッ素源を導入する。水酸化スズ水溶液は、例えば、塩化スズ水溶液とアルカリによる加水分解反応によって水酸化スズを生成させた水溶液を用いることができる。
加熱処理によって、水酸化スズが酸化スズになり、共存するフッ素が酸化スズに導入される。加熱処理後、冷却し、フッ素含有量0.3〜5.0%の導電性および赤外線遮蔽効果に優れた、平均粒度1〜3μmの酸化スズ粉末を得ることができる。
〔平均粒径(D50)〕レーザー回折・散乱法に基づき、レーザー回折式粒度分布測定装置によって測定した。
〔体積抵抗〕100kgf/cm2の加圧状態における体積抵抗値について、四端子法に基づき、デジタルマルチメーターによって測定した。
〔フッ素含有量〕原子吸光分析法に基づき、ICP発光分析装置によって測定した。
〔光透過率〕市販の透明アクリル樹脂(製品名アクリディックA−168、樹脂分50%)に、製造した酸化スズ粉末を加え、酸化スズ含有量70%、膜厚2μmの薄膜を形成し、この薄膜について、可視光透過率および赤外線透過率を分光光度法に基づき分光光度計によって測定した。
〔表面抵抗〕酸化スズ含有量70%、膜厚2μmの薄膜について、四探針法に基づきハイレスタによって測定した。
水酸化スズ水溶液に、水酸化スズに対するフッ素量が1%となるように(最終的に酸化スズ中のフッ素量0.5%になるように)フッ化スズを添加し、攪拌してこれらを水中で均一接触させる。攪拌したものを脱水し、湿度50%以上の不活性雰囲気下(窒素ガス雰囲気下)で600℃、2時間加熱保持した後に冷却し、上記フッ素量がドープされた酸化スズ粉末を得た。該粉末の体積抵抗率は1.1Ω・cmであり、平均粒径(D50)は2.4μmであった。この酸化スズ粉末を市販のアクリル樹脂とともにキシレン−トルエン混合溶液に添加し、ペイントシェーカーを用いてビーズ分散して分散液を作成した。この分散液をPETフィルムに塗布し、1時間風乾して透明薄膜を形成した。この薄膜について、可視光透過率および赤外線透過率を分光光度測定した。また表面抵抗を測定した。この結果を表1に示した。
水酸化スズ水溶液に、水酸化スズに対するフッ素量が5%となるように(最終的に酸化スズ中のフッ素量3.0%になるように)フッ化スズを添加したこと以外は実施例1と同様にして酸化スズ粉末を製造した。得られた酸化スズ粉末の体積抵抗率は3.8Ω・cmであり、平均粒径(D50)は1.9μmであった。
この酸化物粉末を市販のアクリル樹脂とともにキシレン・トルエン混合溶液に添加し、ペイントシェーカーを用いてビーズ分散して分散液を作成した。この分散液をPETフィルムに塗布し、1時間風乾して透明薄膜を形成した。この薄膜について、可視光透過率および赤外線透過率を分光光度測定した。また表面抵抗を測定した。この結果を表1に示した。
水酸化スズ水溶液に、水酸化スズに対するフッ素量が3.0%となるように(最終的に酸化スズ中のフッ素量1.0%になるように)フッ化スズを添加し、加熱温度を500℃としたこと以外は実施例1と同様にして酸化スズ粉末を製造した。得られた酸化スズ粉末の体積抵抗率は0.5Ω・cmであり、平均粒径(D50)は2.2μmであった。
この酸化スズ粉末を市販のアクリル樹脂とともにキシレン・トルエン混合溶液に添加し、ペイントシェーカーを用いてビーズ分散して分散液を作成した。この分散液をPETフィルムに塗布し、1時間風乾して透明薄膜を形成した。この薄膜について、可視光透過率および赤外線透過率を分光光度測定した。また表面抵抗を測定した。この結果を表1に示した。
最終的に酸化スズ中のフッ素量が0.3%になるように水酸化スズにフッ化スズを加えて、加熱温度を500℃にした以外は実施例1と同様の条件で酸化スズ粉末を製造した。得られた酸化スズ粉末の体積抵抗および平均粒径(D50)を表1に示した。この酸化スズ粉末を実施例1と同様の条件で透明薄膜を形成した。この薄膜について、可視光透過率および赤外線透過率を分光光度測定した。また表面抵抗を測定した。この結果を表1に示した。
加熱温度を400℃、700℃にした以外は実施例1と同様の条件で酸化スズ粉末を製造した。この酸化スズ粉末の体積抵抗および平均粒径(D50)を表1に示した。この酸化スズ粉末を実施例1と同様の条件で透明薄膜を形成した。この薄膜について、可視光透過率および赤外線透過率を分光光度測定した。また表面抵抗を測定した。この結果を表1に示した。
加熱温度を850℃にした以外は実施例1と同様の条件で酸化スズ粉末を製造した。この酸化スズ粉末の体積抵抗および平均粒径(D50)を表1に示した。この酸化スズ粉末を実施例1と同様の条件で透明薄膜を形成した。この薄膜について、可視光透過率および赤外線透過率を分光光度測定した。また表面抵抗を測定した。この結果を表1に示した。
加熱処理雰囲気の湿度を30%にした以外は実施例1と同様の条件で酸化スズ粉末を製造した。この酸化スズ粉末の体積抵抗および平均粒径(D50)を表1に示した。この酸化スズ粉末を実施例1と同様の条件で透明薄膜を形成した。この薄膜について、可視光透過率および赤外線透過率を分光光度測定した。また表面抵抗を測定した。この結果を表1に示した。
最終的に酸化スズ中のフッ素量がおのおの0.1%、10%になるようにフッ化スズの添加量を調整した以外は実施例1と同様の条件で酸化スズ粉末を製造した(比較例3、4)。加熱温度を300℃にした以外は実施例1と同様の条件で酸化スズ粉末を製造した(比較例5)。これらの酸化スズ粉末の体積抵抗および平均粒径(D50)を表1に示した。この酸化スズ粉末を実施例1と同様の条件で透明薄膜を形成した。この薄膜について、可視光透過率および赤外線透過率を分光光度測定した。また表面抵抗を測定した。この結果を表1に示した(A1〜A6は実施例1〜6、B1〜B5は比較例1〜5)。
Claims (6)
- 水酸化スズ水溶液にフッ素源を添加し、脱水後、湿度50%以上の不活性雰囲気下、350〜800℃で加熱処理して製造され、アンチモン、リン、およびインジウムの何れも含有せず、フッ素を0.3〜5.0%含有することを特徴とする導電性酸化スズ粉末。
- 圧粉体積抵抗率が10Ω・cm以下である請求項1に記載する導電性酸化スズ粉末。
- 水酸化スズ水溶液にフッ素源を添加し、脱水後、湿度50%以上の不活性雰囲気下、350〜800℃で加熱処理することによって、請求項1または請求項2に記載する導電性酸化スズ粉末を製造する方法。
- 請求項1または請求項2に記載する導電性酸化スズ粉末を30〜80%含有し、膜厚2〜3μmにおいて、可視光の光透過率80%以上および赤外線の光透過率60%以下である透明薄膜。
- 表面抵抗が1×1010Ω/□以下である請求項4に記載する透明薄膜。
- 請求項1または請求項2に記載する導電性酸化スズ粉末を分散させた分散液。
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