JP5059199B2 - Cmosデコーディング回路 - Google Patents
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Description
ード線gwmaは、サブXデコーダの1つのグループを駆動し、第2のグローバルワードラインgwmbは、第2のグループのサブXデコーダを駆動する。これらのグループは、NANDゲート502での入力アドレスに応答して同時にデコードされる。NANDゲート502への入力レベルが全てハイの場合、NANDゲート502の出力レベルはローになり、インバータ504の出力レベルはローになる。これによってインバータ506、508の出力レベルはローになり、トランジスタ510、516はターンオンする。トランジスタ512、514はオフとなり、この状態で、トランジスタ510及び516の各々のドレインにおけるアクティブロー出力であるgwma及びgwmbは、ローレベルになる。トランジスタ512及び514の各々のドレインにおけるアクティブハイ出力であるgwma及びgwmbは、昇圧電圧gVpxgbの電位になる。同様に、少なくとも1つのNANDゲート502への入力レベルがローの場合、NANDゲート501の出力レベルはハイになり、インバータ504の出力レベルはローになる。この状態で、トランジスタ512、514はオンになり、トランジスタ510、516はオフになる。結果として、トランジスタ510のドレインでのアクティブローの出力gwmaと、トランジスタ516のドレインでのアクティブローの出力gwmbは、昇圧電圧gVpxgbの電位となる。トランジスタ510のドレインでのアクティブハイの出力gwmaと、トランジスタ516のドレインでのgwmbはロー電圧レベルとなる。
Claims (4)
- メモリにおけるCMOSデコーディング回路(500)であって、
アドレスデコーディング論理回路(502,504)が制御信号を生成し、
第1の交差結合されたトランジスタ対(518,520)が、前記アドレスデコーディング論理回路に結合され、第1及び第2の選択信号を生成し、前記制御信号に応答して前記第1及び第2の選択信号を第1の昇圧電圧と基準電位との間で切り換えると共に、
第2の交差結合されたトランジスタ対(522,524)が、前記アドレスデコーディング論理回路に結合され、第3及び第4の選択信号を生成し、前記制御信号に応答して前記第3及び第4の選択信号を第2の昇圧電圧と前記基準電位との間で切り換えることを特徴とするCMOSデコーディング回路。 - メモリにおけるCMOSデコーディング回路(500)であって、
nビット単位のワード線デコーディングアドレスを受け取り、相補出力を提供するn入力の論理ゲート(502)と、
前記論理ゲート(502)の前記相補出力に結合された第1側のデコーディング回路であって、第1のソースノード、第1のゲートノード、第1のドレインノード及び第1のバルクノードを有する第1のPMOSトランジスタ(518)であって、前記第1のソースノードが第1の昇圧電圧を受け取るようになっている、前記第1のPMOSトランジスタと、第2のソースノード、第2のゲートノード、第2のドレインノード及び第2のバルクノードを有する第2のPMOSトランジスタ(520)であって、前記第2のソースノードが前記第1の昇圧電圧を受け取り、前記第2のドレインノードが前記第1のゲートノードに結合され、前記第1のドレインノードが前記第2のゲートノードに結合されている、前記第2のPMOSトランジスタと、入力ノード及び出力ノードを有する第1のインバータ(506)であって、前記入力ノードが、前記論理ゲートの前記相補出力に結合され、かつ第1の負荷トランジスタを介して前記第1のドレインノードに結合されており、前記出力ノードが第2の負荷トランジスタを介して前記第2のドレインノードに結合されている、前記第1のインバータと、を含む前記第1側のデコーディング回路と、
前記論理ゲートの前記相補出力に結合された第2側のデコーディング回路であって、第3のソースノード、第3のゲートノード、第3のドレインノード及び第3のバルクノードを有する第3のPMOSトランジスタ(522)であって、前記第3のソースノードが第2の昇圧電圧を受け取るようになっている、前記第3のPMOSトランジスタと、第4のソースノード、第4のゲートノード、第4のドレインノード及び第4のバルクノードを有する第4のPMOSトランジスタ(524)であって、前記第4のソースノードが前記第2の昇圧電圧を受け取り、前記第4のドレインノードが前記第3のゲートノードに結合され、前記第3のドレインノードが前記第4のゲートノードに結合されている、前記第4のPMOSトランジスタと、入力ノード及び出力ノードを有する第2のインバータ(508)であって、前記入力ノードが、前記論理ゲートの前記相補出力に結合され、かつ第3の負荷トランジスタを介して前記第3のドレインノードに結合されており、前記出力ノードが第4の負荷トランジスタを介して前記第4のドレインノードに結合されている、前記第2のインバータと、を含む前記第2側のデコーディング回路と、を具備するCMOSデコーディング回路。 - 前記論理ゲートは、NANDゲート(502)を含む、請求項2に記載の回路。
- 前記論理ゲートは、インバータ(504)とカスケード接続されたNANDゲート(502)を含む、請求項2に記載の回路。
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