JP5055130B2 - 基板ホルダー、基板被膜装置および基板被膜方法 - Google Patents
基板ホルダー、基板被膜装置および基板被膜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5055130B2 JP5055130B2 JP2007543829A JP2007543829A JP5055130B2 JP 5055130 B2 JP5055130 B2 JP 5055130B2 JP 2007543829 A JP2007543829 A JP 2007543829A JP 2007543829 A JP2007543829 A JP 2007543829A JP 5055130 B2 JP5055130 B2 JP 5055130B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- substrate holder
- process chamber
- chamber
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Robotics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【0001】
本発明は、少なくとも1つの基板を、反応装置のハウジングのプロセスチャンバー中に保持し、操作装置とかみ合うための領域を有し、基板の、少なくともその周囲を載せる支持領域を有する装置に関する。
【0002】
本発明はさらに被膜装置、特にMOCVD装置の形式、好ましくはHVPEの形式の装置であって、基板ホルダーに保持された少なくとも1つの基板に層を堆積させるための処理チャンバーを有し、処理チャンバーはヒーターにより処理温度に温度が上げられる被膜装置に関する。
【0003】
さらに、本発明は、少なくとも1つの基板に少なくとも1つの層を堆積させる方法に関する、基板は、反応装置ハウジングのプロセスチャンバー中の基板ホルダー上で処理温度において被膜され、その後、特に冷却又は加熱することなく下方からのレーザー光の照射を受け、基板から層の少なくとも一部が引き離される方法に関する。
【背景技術】
【0004】
US6,750,121B1は、窒化ガリウム層をサファイア基板に堆積する方法、熱膨張の係数が異なるために、層及び基板の熱的特性が、非常に異なり、比較的高温で堆積された層が冷却されると亀裂が生じることを開示している。
【0005】
そのような亀裂を防止するため、US6,750,121B1は、基板は実質的に処理温度において下方からのレーザー光によって処理されることが提案され、レーザー光はサファイア層を突き抜け、窒化ガリウム層の少なくとも一部が基板から引き離され、冷却されても亀裂が生じないことが開示されている。このようにして生成された窒化ガリウム層は、その後基板として他の被膜がなされる。その後、処理のさらなる段階において、窒化ガリウム層はサファイア基板から完全に引き離される。
【0006】
DE1223731は、被膜装置のプロセスチャンバーの積載する及び積載しないメカニズムについて開示する、その内容は、基板ホルダーは、グリッパによって、基板ホルダーキャリアから持ち去られる、基板ホルダーは円形の形状をしており、グリッパは、周囲から基板の下をつかむ。
【特許文献1】
US6,750,121B1
【特許文献2】
DE1223731
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
上述の先行技術に基づいて、本発明は、層を基板の上に堆積するための改良された方法を提供する。その改良された方法において、層と基板の熱膨張特性は、異なり、特に、窒化ガリウム層基板の製造をすることができる。その改良された方法は、特に、サファイア基板上に1又は複数の厚い窒化ガリウム層を堆積させることを改良することを目的とするものであり、前記層は、その後、基板から引き離される。
【0008】
本発明の目的は、何よりも先ず、独立請求項に記載された発明によって達成される。さらなる請求項は、正式には従属請求項というが、本発明を有利に発展させたものであり、独立請求項との組み合わせによる場合のみならず、従属請求項自身により解決されているものもある。
【課題を解決するための手段】
【0009】
基板ホルダーは支持領域が光学的基板処理過程の波長を透過する点が、本発明の特徴である。その結果、被膜処理後の光学的処理は、同一の基板ホルダー上で行なわれる。光学的処理は、基板ホルダーをプロセスチャンバーから処理チャンバーに、DE10232731に開示されているような操作装置によって移動させることにより可能であり、処理チャンバーは、好ましくはプロセスチャンバーに直接的に隣接し、実質的にプロセスチャンバーと同じ温度に保たれる。プロセスチャンバーと処理チャンバーは、壁によって互いに隔てられていることも可能である。前記二つのチャンバーは、同一の空間の一部を占めていてもよい。
【0010】
好ましい態様においては、基板ホルダーは、環状の形状である。この目的のため、基板ホルダーは、円形リング又は環の形状をした基体を有していてもよい。基体の中心の空間は、基板の表面領域よりも幾分大きい輪郭を有する。この態様の結果として、基板表面の全体は基体の中心の空間を通過し、基板の下面に作用する下方からのレーザービームによって処理されることができる。支持領域は、好ましくは、基体上に載せられた支持要素によって形成されている。しかしながら、支持要素は、他の方法で基体に結合していてもよい。重要なことは、支持要素が光学的基板処理過程の波長を透過することである。この場合、支持要素は一部分でも、多部分を形成していてもよい。しかしながら、支持要素は中心空間に突き出す部分を有し、基板を載せる。支持要素は、好ましくは、基板と同じ材料からなる、すなわち、好ましくはサファイア(Al2O3)である。基板ホルダー上には多くの基板を置くことができる。この目的のため、基板ホルダーは、グリッドの態様で多くの開口を有し、その周囲には、基板の周囲が載る。支持要素は、好ましくは、処理に必要とされる波長を透過するので、基板は、その表面全体が支持要素の上に載ることが可能である。しかしながら、支持要素は、好ましくは、円状のディスクを形成し、基体のステップの上に置かれる。
【0011】
適切なガス入口装置とともに、プロセスチャンバーを形成するCVD装置は、少なくとも1つのガス排出装置と基板又は基板ホルダー又は基板ホルダーを載せる基板ホルダーキャリアを加熱するヒーターも備える。このヒーターは、抵抗ヒーターであってもよい。赤外線ヒーター又はRFヒーターであってもよい。プロセスチャンバー中には、好ましくは基板ホルダーキャリアが存在し、その上に基板ホルダーが操作装置によって置かれる。基板ホルダーキャリアは、好ましくは台を有し、支持要素がその台の上に置かれ、その台の上方に基板ホルダーをそっと置く。基板ホルダーキャリアはプロセスチャンバーの床の開口に置いてもよい。この開口の底は、ガスクッションを形成するガス排出ノズルを有し、前記ガスクッション上で、基板ホルダーキャリアは、浮遊した状態で回転駆動される。基板ホルダーキャリアは、好ましくは、開口の底から出るガスによって回転駆動される。
【0012】
処理チャンバーがプロセスチャンバーに併設されている。処理チャンバーにおいて、実質的に同じ温度で光学的後処理が行なわれる。この目的のために、基板を上に載せた基板ホルダーは、操作装置によって、プロセスチャンバーから処理チャンバーに移される。ここで、上述のように、加熱は下方より行われる。下方からの基板へのレーザー光の照射は、例えば、波長355nmのレーザービームによって行なわれる。それ故、処理チャンバーの底の凹部にレーザーアレイを有する。しかしながら、単一のレーザーを用いてその方向に影響を与えることが可能であり、基板の全表面領域を一線一線又はらせん状にスキャンする。その過程は、慣例のプロセス圧力、すなわち10から1000hPaの間の圧力において行なわれる。光学的処理はこの範囲の全圧下で行なわれてもよい。プロセスチャンバー及び処理チャンバーは、例えば希ガス又は窒素又は水素といった不活性ガスによって、適切な方法でパージされていてもよい。さらに、アンモニアのような表面安定化ガスを用いてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【0013】
図1に表した実施例は、基板ホルダー1であり、SiC、TaCからなる又は熱分解のBNで被膜されたグラファイト又は石英ガラスからなる環状の基体6を有する。基体6は、外壁に円周の溝を有し、フォーク形状の操作装置とかみ合う領域を形成する。このことは、DE10232731に挙げられている。内部の空間7は、回転対称であり、環状の基体6は基板2の直径よりも大きい直径を有する。
【0014】
基体6は、周囲のリブ9を形成して、段を形成する。サファイア体は、環状ディスクの形状をしており、支持要素8を形成し、基体6のステップ上に存在する。支持要素8は、その外周8’’によって、基体6のステップ上に載っている。支持要素8の内周8’は、基体6の中央の空間7に突き出している。
【0015】
この空間7に突き出している内周8’は、基板2の周囲2’の支持領域5を形成する。周囲リブ9は、支持要素8を中心の置く役割を果たす。周囲のリブ9はサファイアから成る支持要素8の厚さよりも、いくぶん厚い。そのため、支持要素8の外周8’’に載っており、補償プレート10を形成する環状のディスク形状のグラファイト又は石英体もまた中心に置かれることが可能である。この補償プレート10の厚さは、実質的に基板2の厚さに相当する。補償プレート10は、基板2を中心に置く役割を果たす。環状の補償プレート10の内側の端は、基体6の内壁とほぼ一致している。
【0016】
図3は、図式的に反応装置のハウジング15を表し、プロセスチャンバー3とプロセスチャンバー3に併設された処理チャンバー12を表す。プロセスチャンバー3は、壁14によって処理チャンバー12と分離されている。
【0017】
ガス注入口(図には表示されていない)は、プロセスチャンバー3中へと開放され、例えば層を堆積させる反応性ガスをプロセスチャンバー3中に導入する。これらのガスは、水素化物及び塩化物であり、好ましくは、塩化ガリウム及びアンモニアである。ガス相における反応は、プラズマ支援であってもよく、反応性ガスを互いに破壊させあい、又は少なくとも熱的に励起されて、窒化ガリウム層が、基板の表面に堆積する。基板2は、サファイアからなる。それに加えて、プロセスチャンバー3は、プロセスガス又は反応生成物をプロセスチャンバー3から排出する手段を備える(図示されていない)。この手段は、真空ポンプを含んでいてもよい。
【0018】
プロセスチャンバー3の底部は凹部を形成する。凹部19の底にガス供給ライン16に接続しているノズル17が配置されている。ノズル17からガス流が出され、そのガス流は、凹部19中に載せられている基板ホルダーキャリア18を持ち上げ、回転させる。基板ホルダーキャリア18は好ましくは被膜グラファイトにより製造され、基板ホルダー1が操作装置(図示されていない)によって置かれる台を形成する。同時に、基板ホルダーキャリア18の台は、基体6の中心の空間7に突き出している。基板ホルダー1及び基板ホルダーキャリア18は、プロセスチャンバー3のその他の要素と同様に、耐高温の適切な材料により製造されていてもよい。例示の態様において、支持要素8の内側に突き出す内周8’は、前記台の上面によって支持されている。基体6は、一端が、凹部19の壁から形成され、もう一方の端が、前記台の外壁から形成されている環状の窪み中にある。
【0019】
上述のガスとさらなるキャリアガス、例えば水素又は窒素を導入し、プロセスチャンバー3を加熱することにより、化学反応が始まる。
【0020】
プロセスチャンバー3の加熱は、全面から行なわれる。図3においては、加熱はただ矢印で示されている。
【0021】
処理チャンバー12はプロセスチャンバー3に近接して設けられ、特に同じハウジング15の中に設けられる。実質的にプロセスチャンバー3と処理チャンバー12には、同じ温度が拡がる。しかしながら、処理チャンバー12内の温度は、プロセスチャンバー3内の温度よりも低くてもよい。重要なことは、両者の温度差が少なく、上述の損傷を生じないことである。しかしながら、反応性ガスは処理チャンバー12中には入らない。壁が両者を隔てる。しかしながら、壁を設けないことも可能である。
【0022】
例示の態様においては、処理チャンバー12の底は凹部を形成する。凹部の底には
レーザー装置21が配置され、波長355nmのレーザー光を放出する。他の工程においては、他の波長のレーザー光が放出されていてもよい。
【0023】
レーザー装置21により放出されるレーザー光は、サファイアからなる環状ディスクの形状をしている支持要素の内周8’及び基板2の全体、すなわち環状ディスクの上に載っている基板2の周囲2’を突き抜ける。光のエネルギーが導入された結果、基板と窒化ガリウム層の境界面が、柔らかくなるよう変化する。このことは、窒化ガリウム層を部分的に基板の表面から引き離す。窒化ガリウム層と基板間の結晶結合が破壊される。境界面の領域ではアモルファス材料が生成する。
【0024】
光学的処理の間、処理チャンバー12内の処理温度は、処理温度以下の温度よりさらに低くなる。
【0025】
前記方法を実行するためには、まず第一に基板が上に載せられている基板ホルダーがプロセスチャンバー3に入れられる。そこで、窒化ガリウム層は数マイクロメーターの厚さで、公知の方法によりサファイアからなる基板2に堆積される。それから、操作装置が基板2を上に載せた基板ホルダー1を持ち上げ、処理チャンバー12に運び、そこで基板2は下方からのレーザー光の作用を受け、窒化ガリウム層がサファイア基板から引き離される。どちらの過程も約1000℃又は1100℃の実質的に同じ温度で行なわれることが出来る。
【0026】
その後、基板2を上に載せた基板ホルダー1は、操作装置によって処理チャンバー12から取り去られ、冷却される。冷却の間、前記層は基板に関して側面の方向に移るため、亀裂が生じない。
【0027】
図4に示す更なる実施の態様において、環状ディスクの形状をしている支持要素8の下に下敷プレート11を有する。下敷プレート11は、環状ディスクの形状をしており、基体により形成されるステップの上にある。
【0028】
図5に示す実施の態様において、基板ホルダーキャリア18は、全部で3つの基板ホルダー1、1’を載せる。基板ホルダー1は上述の形状を有する。基板ホルダー1’は異なった形状を有する。基板ホルダー1’は、多数の基板2を載せることが可能である。
【0029】
フォーク形状の操作装置は、チャネル22によって、基板ホルダーに近づく。このことは、DE10232731に記載されている。
【0030】
図6に示す実施の態様において、 処理チャンバー12は、じょうご形状の開口を備えた底を有する。じょうご形状の入口域に、位置合わせ可能なレーザー装置21がある。このレーザー装置21は、様々な回転軸の回りを回転することができ、基板の下面をレーザービーム23でスキャンする。
【0031】
図7に示す実施の態様において、基板ホルダー1の下に配置された反応装置の壁25は、開口を有し、その開口は、シール27が介在してフレーム28に支持された窓26により閉じられている。窓26の下、すなわち実際上は処理チャンバー又は反応器チャンバーの外側に、レーザー装置21がある。そこには、真空装置を有することもある。レーザー装置21は、回転可能なレーザーであってもよく、レーザー装置21のレーザービーム23は、基板の下面をスキャンすることができ、こうして厚い窒化ガリウム層を透過性の基板から引き離す。
【0032】
図8aに示すように、この場合レーザーは、基板の下面を一線一線スキャンしてもよい。しかしながら、図8bに示すように、基板の下面をらせん状にスキャンすることもまた可能である。らせん状のスキャンは内から外に向けて行なってもよく、外から内に向けて行なってもよい。らせん状のスキャンは、好ましくは外から内に向けて行なう。そして、温度を同時に下げることもできる。
【0033】
図9に示す実施の態様において、支持要素8は環状ディスクを形成する、支持要素8は、例えば波長355nmのレーザービームを透過する。支持要素8は基板2を完全に支持する、なぜなら基板2は円形ディスクの形状をしているからである。
【0034】
図10に示す基体6の実施の態様において、ステップ6’を備えた四角形の開口が示されており、その上には対応する形状をした支持要素8がおかれ、円形および多角形の基板のいずれもが本装置で処理することが可能となる。図9に示す実施の態様においても、補償プレート10を備えることができ、支持要素8の適切な中心に基板を置くことができる。
【0035】
プロセスチャンバーは、ヒーターによって処理温度に上げられる。基板ホルダー1の基体6は、操作装置がかみ合うためのかみ合い領域4を有する。
【0036】
開示した特徴の全ては、本発明と関連する。優先権証明書(先の出願の写し)に記載された事項もまた、出願の請求の範囲に特徴を盛り込む目的で、完全に本出願の開示に盛り込まれている。
【図面の簡単な説明】
【0036】
【図1】本発明の第一の態様における、基板を上に載せた基板ホルダーの半分の遠近法の図である。
【図2】本発明の第一の態様(図1)における、基板を上に載せていない基板ホルダーの遠近法の図である。
【図3】プロセスチャンバーとプロセスチャンバーに併設された処理チャンバーを備えた反応装置ハウジングの断面の模式図である。
【図4】本発明の基板ホルダーの第二の態様を図1と同様の表し方で表した図である。
【図5】本発明の更なる態様の平面図である、基板ホルダーキャリア上に3つの異なって構成された基板ホルダーが載せられている。
【図6】本発明の更なる態様を、図3と同様の表現方法で表したものである。
【図7】処理チャンバー中の本発明の更なる態様を、図3と同様の表現方法で表したものである。
【図8a】制御可能なレーザーの1つのスキャン曲線を表したものである。
【図8b】制御可能なレーザーの異なるスキャン曲線を表したものである。
【図9】基体の更なる態様を断面図で示したものである。
【図10】基体の更なる態様を平面図で示したものを、図1と同様に表したものである。
Claims (19)
- 少なくとも1つの基板(2)を反応装置のハウジング(15)のプロセスチャンバー(3)又は処理チャンバー(12)中に保持するための基板ホルダー(1)であって、
操作装置とかみ合うためのかみ合い領域(4)を外壁に有し、前記基板(2)の直径よりも大きい直径を持つ内部の空間(7)を有する環状の基体(6)を備え、
前記基体(6)の上に載る外周(8’’)と、前記内部の空間(7)に突き出しており、少なくとも前記基板(2)の周囲(2’)を載せる支持領域(5)を形成する内周(8’)とを有する支持要素(8)を備え、前記内周(8’)は前記処理チャンバー(12)において光学的基板処理過程を行なうための波長のレーザー光を透過させ、
前記支持要素(8)の外周(8’’)に載っており、前記基板(2)を中心に置く役割を果たす補償プレート(10)を備える、
ことを特徴とする基板ホルダー。 - 環状であることを特徴とする請求項1に記載の基板ホルダー。
- 前記基板(2)は、前記基体(6)の内部の空間(7)の上に配置されることを特徴とする請求項1又は2に記載の基板ホルダー。
- 前記支持要素(8)が前記基板(2)と同一の材料からなることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の基板ホルダー。
- 多数の前記基板(2)が載っていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の基板ホルダー。
- 前記支持要素(8)が、環状ディスクの形状であり、前記基体(6)のステップ上に載っていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の基板ホルダー。
- 前記支持要素(8)がサファイア(Al2O3)からなることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の基板ホルダー。
- 透明な前記支持要素(8)が円形のディスクの形状をしていることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載の基板ホルダー。
- 基板に被膜するための基板被膜装置であって、
台を形成する基板ホルダーキャリア(18)の上に置かれた基板ホルダー(1)によって保持される少なくとも1つの基板(2)上に層を堆積するためのプロセスチャンバー(3)と、当該プロセスチャンバー(3)に併設されており、凹部の底に配置されたレーザー装置(21)から当該凹部の上に置かれた前記基板ホルダー(1)によって保持される少なくとも1つの前記基板(2)に前記基板(2)を透過する波長のレーザー光を照射して光学的基板処理過程を行う処理チャンバー(12)とを有するハウジング(15)を備え、
前記基板ホルダー(1)は、前記基板(2)の直径よりも大きい直径を持つ内部の空間(7)を有する環状の基体(6)と、当該基体(6)の上に載る外周(8’’)および前記内部の空間(7)に突き出しており、少なくとも前記基板(2)の周囲(2’)を載せる支持領域(5)を形成する内周(8’)を有する支持要素(8)とを備え、前記内周(8’)は前記処理チャンバー(12)において前記光学的基板処理過程を行うために下方より照射されるレーザー光を透過させ、
前記プロセスチャンバー(3)の中に前記基板ホルダー(1)が置かれるとき、前記基板ホルダーキャリア(18)の台が前記基板ホルダー(1)の内部の空間(7)に突き出し、前記基板ホルダー(1)の支持要素(8)の内周(8’)が前記台の上面で支持され、一方の側が前記プロセスチャンバー(3)の凹部(19)の壁から形成され、他方の側が前記基板ホルダーキャリア(18)の台の外壁から形成される環状の窪みの中に前記基体(6)が配置され、
前記プロセスチャンバー(3)は、ヒータ(13)により処理温度まで熱せられ、
前記処理チャンバー(12)では、前記基板ホルダー(1)上に載せられて前記プロセスチャンバー(3)から運ばれてきた少なくとも1つの前記基板(2)に対して、前記処理温度と等しい温度又は前記処理温度よりわずかに低い温度において、前記光学的基板処理過程が行なわれる、
ことを特徴とする基板被膜装置。 - 前記基板ホルダーキャリア(18)を下方から加熱することが可能であることを特徴とする請求項9に記載の基板被膜装置。
- 前記基板ホルダーキャリア(18)が、ガスクッション上に載せられ、回転制御されていることを特徴とする請求項9又は10に記載の基板被膜装置。
- 前記レーザー装置(21)が、355nmの波長のレーザー光を放出することを特徴とする請求項9ないし11のいずれか1項に記載の基板被膜装置。
- 1又は複数の基板(2)に、少なくとも1つの層を被膜するための基板被膜方法であって、
前記基板(2)は、請求項1ないし8のいずれか1項に記載の基板ホルダー(1)に載せられて、反応装置のハウジング(15)のプロセスチャンバー(3)の中で処理温度で被膜され、
その後、同一の前記基板ホルダー(1)に載せられ、処理チャンバー(12)の中で、冷却されることなく、又はわずかに冷却され、下方からレーザー光の照射を受けることにより、前記被膜の層と前記基板(2)の境界面が作用を受け、前記基板(2)を部分的に前記層から引き離す、
ことを特徴とする基板被膜方法。 - 前記処理温度が、900℃より大きい、又は1000℃より大きい、又は1100℃より大きいことを特徴とする請求項13に記載の基板被膜方法。
- 擬似基板としての役割を果たす数μmの厚さの窒化ガリウム層が、サファイアからなる前記基板(2)に堆積することを特徴とする請求項13又は14に記載の基板被膜方法。
- 前記プロセスチャンバー(3)に導入された反応性ガスによって、前記被膜が行なわれることを特徴とする請求項13又は14に記載の基板被膜方法。
- 前記プロセスチャンバー(3)に導入される前記反応性ガスが、第III族及び第V族又は第II族及び第VI族の元素を含むことを特徴とする請求項16に記載の基板被膜方法。
- 前記プロセスチャンバー(3)に導入される前記反応性ガスが、塩化物及び水素化物であることを特徴とする請求項16に記載の基板被膜方法。
- 塩化ガリウム及びアンモニアを前記プロセスチャンバー(3)に導入し、窒化ガリウム層を成長させることを特徴とする請求項18に記載の基板被膜方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004058521A DE102004058521A1 (de) | 2004-12-04 | 2004-12-04 | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von dicken Gallium-Nitrit-Schichten auf einem Saphirsubstrat und zugehörigen Substrathalter |
DE102004058521.0 | 2004-12-04 | ||
PCT/EP2005/056049 WO2006058847A1 (de) | 2004-12-04 | 2005-11-18 | Verfahren und vorrichtung zum abscheiden von dicken gallium-nitrit-schichten auf einem saphirsubstrat und zugehörigem substrathalter |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008522035A JP2008522035A (ja) | 2008-06-26 |
JP5055130B2 true JP5055130B2 (ja) | 2012-10-24 |
Family
ID=35645602
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007543829A Expired - Fee Related JP5055130B2 (ja) | 2004-12-04 | 2005-11-18 | 基板ホルダー、基板被膜装置および基板被膜方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080206464A1 (ja) |
EP (1) | EP1817440B1 (ja) |
JP (1) | JP5055130B2 (ja) |
KR (1) | KR20070089988A (ja) |
DE (1) | DE102004058521A1 (ja) |
TW (1) | TW200626742A (ja) |
WO (1) | WO2006058847A1 (ja) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI334628B (en) * | 2006-02-23 | 2010-12-11 | Hitachi Int Electric Inc | Substrate processing device and manufacturing method of semiconductor device |
JP5071703B2 (ja) * | 2006-08-08 | 2012-11-14 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 半導体製造装置 |
DE102007023970A1 (de) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Aixtron Ag | Vorrichtung zum Beschichten einer Vielzahl in dichtester Packung auf einem Suszeptor angeordneter Substrate |
DE102007024798A1 (de) * | 2007-05-25 | 2008-11-27 | Aixtron Ag | Vorrichtung zum Abscheiden von GaN mittels GaCI mit einem molybdänmaskierten Quarzteil, insbesondere Gaseinlassorgan |
US20080314319A1 (en) * | 2007-06-19 | 2008-12-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Susceptor for improving throughput and reducing wafer damage |
US20080314311A1 (en) * | 2007-06-24 | 2008-12-25 | Burrows Brian H | Hvpe showerhead design |
US20090149008A1 (en) * | 2007-10-05 | 2009-06-11 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing group iii/v compounds |
JP2011500961A (ja) | 2007-10-11 | 2011-01-06 | バレンス プロセス イクウィップメント,インコーポレイテッド | 化学気相成長反応器 |
US8404049B2 (en) * | 2007-12-27 | 2013-03-26 | Memc Electronic Materials, Inc. | Epitaxial barrel susceptor having improved thickness uniformity |
US8183132B2 (en) * | 2009-04-10 | 2012-05-22 | Applied Materials, Inc. | Methods for fabricating group III nitride structures with a cluster tool |
US8568529B2 (en) * | 2009-04-10 | 2013-10-29 | Applied Materials, Inc. | HVPE chamber hardware |
US8138069B2 (en) * | 2009-04-24 | 2012-03-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate pretreatment for subsequent high temperature group III depositions |
US20100273291A1 (en) * | 2009-04-28 | 2010-10-28 | Applied Materials, Inc. | Decontamination of mocvd chamber using nh3 purge after in-situ cleaning |
WO2010127156A2 (en) * | 2009-04-29 | 2010-11-04 | Applied Materials, Inc. | Method of forming in-situ pre-gan deposition layer in hvpe |
US20110256692A1 (en) | 2010-04-14 | 2011-10-20 | Applied Materials, Inc. | Multiple precursor concentric delivery showerhead |
TWI534291B (zh) | 2011-03-18 | 2016-05-21 | 應用材料股份有限公司 | 噴淋頭組件 |
DE102012101923B4 (de) | 2012-03-07 | 2019-11-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Substratträgeranordnung, Beschichtungsanlage mit Substratträgeranordnung und Verfahren zur Durchführung eines Beschichtungsverfahrens |
DE102012111167A1 (de) * | 2012-11-20 | 2014-05-22 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Ausrichten eines Wafers auf einem Waferträger |
WO2014132948A1 (ja) * | 2013-02-27 | 2014-09-04 | 東洋炭素株式会社 | サセプタ |
DE102013012082A1 (de) * | 2013-07-22 | 2015-01-22 | Aixtron Se | Vorrichtung zum thermischen Behandeln eines Halbleitersubstrates, insbesondere zum Aufbringen einer Beschichtung |
DE102014106728A1 (de) * | 2014-05-13 | 2015-11-19 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Ausrichten eines Wafers auf einem Waferträger |
KR102606823B1 (ko) * | 2016-04-20 | 2023-11-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 식각 장치 및 이를 이용한 레이저 식각 방법 |
DE102016214445A1 (de) * | 2016-08-04 | 2018-02-08 | Meyer Burger (Germany) Ag | Anpassungsvorrichtung für Substratträger |
DE102017101648A1 (de) | 2017-01-27 | 2018-08-02 | Aixtron Se | Transportring |
US20190390336A1 (en) | 2017-01-27 | 2019-12-26 | Aixtron Se | Transport ring |
DE102017129699A1 (de) | 2017-12-13 | 2019-06-13 | Aixtron Se | Vorrichtung zur Halterung und zum Transport eines Substrates |
DE102019114249A1 (de) * | 2018-06-19 | 2019-12-19 | Aixtron Se | Anordnung zum Messen der Oberflächentemperatur eines Suszeptors in einem CVD-Reaktor |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5169A (en) | 1847-06-19 | Straw-cutter | ||
DE1232731B (de) | 1960-05-27 | 1967-01-19 | Goodyear Aerospace Corp | Spruehduese fuer das Verspruehen eines Gemisches aus Luft, Harz und Fasern |
US5169684A (en) * | 1989-03-20 | 1992-12-08 | Toyoko Kagaku Co., Ltd. | Wafer supporting jig and a decompressed gas phase growth method using such a jig |
JPH03271193A (ja) * | 1990-03-19 | 1991-12-03 | Fujitsu Ltd | 基板保持具 |
US5338362A (en) * | 1992-08-29 | 1994-08-16 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for processing semiconductor wafer comprising continuously rotating wafer table and plural chamber compartments |
CN100367461C (zh) * | 1993-11-05 | 2008-02-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 一种制造薄膜晶体管和电子器件的方法 |
JP3824675B2 (ja) * | 1995-03-03 | 2006-09-20 | 有限会社デジタル・ウェーブ | 結晶製造装置 |
US6217663B1 (en) * | 1996-06-21 | 2001-04-17 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP3296300B2 (ja) * | 1998-08-07 | 2002-06-24 | ウシオ電機株式会社 | 光照射式加熱装置 |
KR20010029199A (ko) | 1999-09-30 | 2001-04-06 | 홍세경 | 질화물 단결정 기판 제조 장치 및 방법 |
US6652648B2 (en) * | 2000-04-27 | 2003-11-25 | Samsung Corning Co., Ltd. | Method for fabricating GaN single crystal substrate |
DE10043600B4 (de) * | 2000-09-01 | 2013-12-05 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf einem oder mehreren, insbesondere ebenfalls kristallinen Substraten |
DE50212020D1 (de) * | 2001-05-29 | 2008-05-15 | Aixtron Ag | Aus einem tragkörper und darauf gasgelagerten und drehangetriebenen substrathalter bestehende anordnung |
JP4576755B2 (ja) * | 2001-06-18 | 2010-11-10 | パナソニック株式会社 | 半導体基板の製造方法及び装置 |
KR20030052061A (ko) * | 2001-12-20 | 2003-06-26 | 엘지전자 주식회사 | 질화갈륨 기판 제조 장치 및 방법 |
DE10232731A1 (de) | 2002-07-19 | 2004-02-05 | Aixtron Ag | Be- und Entladevorrichtung für eine Beschichtungseinrichtung |
JP4417669B2 (ja) * | 2003-07-28 | 2010-02-17 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 半導体処理装置および半導体ウエハーの導入方法 |
-
2004
- 2004-12-04 DE DE102004058521A patent/DE102004058521A1/de not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-11-18 WO PCT/EP2005/056049 patent/WO2006058847A1/de active Application Filing
- 2005-11-18 EP EP05815637A patent/EP1817440B1/de not_active Not-in-force
- 2005-11-18 US US11/720,604 patent/US20080206464A1/en not_active Abandoned
- 2005-11-18 KR KR1020077015256A patent/KR20070089988A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-11-18 JP JP2007543829A patent/JP5055130B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-30 TW TW094142032A patent/TW200626742A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006058847A1 (de) | 2006-06-08 |
EP1817440B1 (de) | 2013-01-30 |
KR20070089988A (ko) | 2007-09-04 |
US20080206464A1 (en) | 2008-08-28 |
TW200626742A (en) | 2006-08-01 |
DE102004058521A1 (de) | 2006-06-14 |
JP2008522035A (ja) | 2008-06-26 |
EP1817440A1 (de) | 2007-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5055130B2 (ja) | 基板ホルダー、基板被膜装置および基板被膜方法 | |
KR100881786B1 (ko) | 처리 장치 | |
JP4191137B2 (ja) | 基板処理装置のクリーニング方法 | |
US7718930B2 (en) | Loading table and heat treating apparatus having the loading table | |
KR101084830B1 (ko) | 탑재대 구조체 | |
JP2004179426A (ja) | 基板処理装置のクリーニング方法 | |
WO2011106235A2 (en) | Methods and apparatus for deposition processes | |
WO2006022328A1 (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
KR101447663B1 (ko) | 성막 방법 및 성막 장치 | |
JP2004307939A (ja) | 熱処理装置 | |
TW200406827A (en) | Manufacturing method of silicon epi-wafer | |
JP2004052098A (ja) | 基板処理装置およびそれに用いるサセプタ | |
KR101799968B1 (ko) | 서셉터 처리 방법 및 서셉터 처리용 플레이트 | |
JP3796030B2 (ja) | 薄膜作成装置 | |
JP2011258895A (ja) | エピタキシャル成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
CN113396469B (zh) | 气相成长装置 | |
JP2002155366A (ja) | 枚葉式熱処理方法および枚葉式熱処理装置 | |
JP2009299173A (ja) | 真空装置 | |
US20030205192A1 (en) | Film forming method | |
JP2006274316A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4804636B2 (ja) | 成膜方法 | |
TWI782318B (zh) | 半導體裝置之製造方法及製造裝置 | |
JPH08148480A (ja) | 半導体製造装置およびこれによる半導体製造方法 | |
JP4877687B2 (ja) | 成膜方法 | |
JP2003100650A (ja) | 均熱化部材とその製造方法並びに基板熱処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111011 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111130 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120710 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120730 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150803 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |