KR20070089988A - 사파이어 기판 상에 질화 갈륨층을 증착하기 위한 장치 및방법과 관련 기판 홀더 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반응 하우징(15)의 프로세스 챔버(3) 내의 적어도 하나의 기판(2)을 홀딩하기 위한 장치에 관한 것이며, 이는 핸들링 장치의 어택을 위한 어택 영역(4)과 기판(2)을 적어도 이의 에지(2")를 이용하여 받치는 베어링 영역(5)을 포함한다. 기판에 대해 증착된 질화 갈륨층을 식각하기 위해서, 아래에서 위로 분사되는 레이저와 충돌된다. 베어링 영역(5)은 광학적 기판 처리 프로세스 파장(1)에 투과된다.

Description

사파이어 기판 상에 질화 갈륨층을 증착하기 위한 장치 및 방법과 관련 기판 홀더{METHOD AND DEVICE FOR THE DEPOSITION OF GALLIUM NITRITE LAYERS ON A SAPPHIRE SUBSTRATE AND ASSOCIATED SUBSTRATE HOLDER}
본 발명은 반응 하우징의 프로세스(process) 챔버 내에서 적어도 하나의 기판을 홀딩하기 위한 장치에 관한 것으로, 이 홀딩 장치는 핸들링 장치와 맞물리기 위한 맞물림 영역, 및 기판을 적어도 이의 외주를 이용해 받치는 지지 영역을 포함한다.
추가적으로, 본 발명은 특히 MOCVD 반응기의 형태인, 코팅 장치, 바람직하게는 HVPE 반응기에 관한 것으로, 이는 기판 홀더에 의해 홀딩되는 적어도 하나의 기판 위에 층들을 증착하기 위한 프로세스 챔버를 포함하며, 이 프로세스 챔버는 히터에 의해 프로세스 온도로 맞춰진다.
게다가, 본 발명은 적어도 하나의 기판 상에 적어도 하나의 층을 증착하기 위한 방법에 관한 것으로, 기판은 반응 하우징의 프로세스 챔버 안에서 기판 홀더 상의 프로세스 온도에서 코팅되고, 그 후, 기판으로부터 적어도 일부분의 층을 분리시키기 위해, 현저한 냉각 또는 가열 없이 아래 방향으로부터의 광과 충돌된다.
US 6,750,121 B1은 사파이어 기판 상에 질화 갈륨층을 증착하기 위한 방법을 개시하는데, 여기서 기판과 층의 열 특성이 매우 상이해서, 즉, 상이한 열팽창계수의 결과로, 상대적으로 높은 프로세스 온도에서 증착된 층 물질이 냉각될 때, 파손이 발생할 수 있다.
이러한 파손을 피하기 위해서, 기판을 실질적으로 프로세스 온도에서 아래로부터의 레이저 광으로 처리한다는 것이 US 6,750,121 B1에 의해 제안되며, 여기서 레이저 광은 사파이어층을 관통하고, 기판 표면으로부터 적어도 일부분의 질화 갈륨층을 분리하여, 그렇지 않았을 경우 냉각 시 발생하게 되는 파손을 피한다. 이 방법으로 생성된 질화 갈륨층은 다른 코팅 방법을 위한 기판과 같이 나중에 사용될 수 있다. 그리고 다음 단계의 프로세스에서 사파이어 기판으로부터 완전히 분리된다.
DE 12 32 731은 코팅 장치의 프로세스 챔버의 로딩 및 언로딩 메커니즘을 개시하는데, 여기서 그리퍼(gripper)에 의해서 기판 홀더 캐리어로부터 기판 홀더를 올리며, 기판 홀더는 환상 형태를 가지고, 기판의 아래에서 외주를 고정한다.
상기 언급한 종래 기술을 기초로, 본 발명의 목적은 향상된 방법으로 기판 상에 층들이 증착될 수 있도록 하는 수단을 제공하는 것인데, 여기서 기판과 층의 열팽창 성질은 상이하며, 특히 질화 갈륨 기판을 생성하는 것이 가능하다. 특히 사파이어 기판 상에, 나중에 기판으로부터 분리될 수 있는 하나 이상의 두꺼운 질화 갈륨층을 증착하는 방법을 향상시키고자하는 것이다.
기판 홀더는 광학적 기판 처리 프로세스의 파장에 투과되는 지지 영역에 의해 본 발명에 따라 발전된다. 이러한 구성의 결과로써, 코팅 후의 광학적 처리는 동일한 기판 홀더 위에서 수행된다. 후자는 DE 10 232 731에 개시된 것과 같은 핸들링 장치에 의해 프로세스 챔버에서 처리 챔버 안으로 전달될 수 있으며, 처리 챔버는 프로세스 챔버의 바로 옆에 위치되고, 프로세스 챔버와 실질적으로 동일한 온도를 유지하는 것이 바람직하다. 또한, 프로세스 챔버와 처리 챔버가 단지 분리 벽(dividing wall)에 의해 서로 분리되는 것도 가능하다. 또한, 두 챔버는 동일 공간의 일부분들일 수도 있다. 바람직한 구성에서, 기판 홀더는 환형 형태를 갖는다. 이를 위해, 기판 홀더는 원형 링 또는 환형 형태의 기저체를 가질 수 있다. 이 기저체의 가운데 빈 공간은 기판의 표면적보다 다소 큰 윤곽(outline)을 갖는다. 이러한 구성의 결과로, 전체 기판 표면은 기저체의 가운데 빈 공간을 통과해 기판의 아랫면에 충돌하는 아래로부터의 레이저 빔으로 처리될 수 있다. 지지 영역은 기저체 위에 안착되는 지지 엘리먼트(supporting element)에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 그러나 지지 엘리먼트도 또한 일부 다른 방법으로 기저체와 연결될 수도 있다. 지지 엘리먼트가 광학적 기판 처리 프로세스의 파장에 투과된다는 것은 중요하다. 이 경우, 지지 엘리먼트는 한-부분 또는 여러-부분의 형태로 구성될 수 있다. 그러나, 이 방법에서 기판을 지탱하기 위한 가운데 빈 공간으로 돌출된 부분을 가져야만 한다. 지지 엘리먼트는 기판과 동일한 물질, 즉, 다시 말하면 가급적 사파이어(Al2O3)로 구성되는 것이 바람직하다. 또한, 다수의 기판이 하나의 기판 홀더 위에 안착되는 것도 가능하다. 이를 위해, 기판 홀더는 그리드(grid)와 같은 방식으로 다수의 개구를 가질 수 있으며, 기판 홀더의 외주 위에 기판의 바깥 둘레가 안착된다. 지지 엘리먼트는 처리에 필요한 파장에 투과되는 것이 바람직하기 때문에, 기판이 상기 지지 엘리먼트 위에 이의 전체 표면 영역으로 안착되는 것도 가능하다. 그러나 지지 엘리먼트는 원형 디스크 형태를 가지고, 기저체의 디딤대(step) 위에 안착되는 것이 바람직하다. 프로세스 챔버를 형성하는 CVD 반응기는, 적절한 가스 흡입 장치와 함께, 적어도 하나의 가스 배출 장치 및 기판 또는 기판 홀더 또는 기판 홀더를 운반하는 기판 홀더 캐리어를 가열하기 위한 히터를 또한 포함한다. 이 히터는 저항성 히터일 수 있다. 이는 적외선 히터 또는 RF 히터일 수도 있다. 이 프로세스 챔버 내에, 기판 홀더가 핸들링 장치에 의해서 위치될 수 있는 기판 홀더 캐리어가 존재하는 것이 바람직하다. 기판 홀더 캐리어는 받침대를 갖는 것이 바람직하며, 지지 엘리먼트가 받침대 위에 안착되는 것과 같은 방식으로, 환형 기판 홀더는 받침대 위에 미끄러져 들어갈 수 있다. 기판 홀더 캐리어는 프로세스 챔버의 바닥 안의 개구에 배치되어 있을 수 있다. 이 개구의 바닥은 가스 쿠션을 형성하는 가스를 위한 배출 노즐을 가지며, 이 위에서 기판 홀더 캐리어는 부유(floating) 방식으로 회전하여 구동된다. 또한, 기판 홀더 캐리어는 개구의 바닥으로부터 분출하는 가스에 의해 회전하여 구동된다. 처리 챔버는 프로세스 챔버에 붙여진다. 처리 챔버에서, 광학적 후-처리는 실질적으로 동일한 프로세스 온도에서 수행된다. 이 때문에, 기판 홀더 위에 안착된 기판을 포함한 기판 홀더는 핸들링 장치에 의해서 상기 챔버로 전달된다. 여기서도 역시, 상술된 방식으로 가열은 아래로부터 이뤄질 수 있다. 기판 상에서 광과의 충돌은 예를 들어 355㎚의 파장을 갖는 아래로부터의 레이저 빔에 의해서 발생한다. 그러므로 이는 처리 챔버의 바닥에 함몰되어 배치된 레이저 어레이를 포함할 수 있다. 그러나 이의 방향으로 움직여 질 수 있는 개별 레이저를 사용하여, 한 줄씩 또는 나선형으로 기판 전체 표면 영역을 주사하는 것도 또한 가능하다. 프로세스는 통상적인 프로세스 압력, 즉 다시 말하면 10h㎩ 내지 1000h㎩ 사이의 범위에서 이뤄진다. 또한, 광학적 처리도 이러한 총 압력에서 이뤄진다. 프로세스 챔버와 처리 챔버는 비활성기체 또는 질소 또는 수소와 같은 화학 작용을 일으키지 않는 기체에 의해 적절한 방법으로 세정된다. 추가로, 암모니아와 같은 표면-안정화 가스가 사용될 수도 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들은 첨부한 도면을 기초로 아래에서 설명된다.
도 1은 기판 홀더 위에 배치된 기판을 포함하는 제 1 예시적인 실시예의 기판 홀더를 원근법으로 나타내는 반-단면을 도시한다.
도 2는 기판 홀더 위에 배치된 기판이 없는 제 1 예시적인 실시예(도 1)의 기판 홀더를 원근법으로 도시한다.
도 3은 프로세스 챔버와 이에 부착된 처리 챔버를 포함하는 반응 하우징의 단면을 개념적으로 도시한다.
도 4는 도 1에 따른 표현으로 기판 홀더의 제 2 예시적인 실시예를 도시한다.
도 5는 다른 예시적인 실시예에 대한 평면도이며, 여기서 3개의 상이하게 구 성된 기판 홀더는 기판 홀더 캐리어 위에 안착된다.
도 6은 도 3에 따른 표현으로 본 발명의 다른 예시적인 실시예를 도시한다.
도 7은 도 3에 따른 표현으로 처리 챔버 안의 다른 예시적인 실시예를 도시한다.
도 8a는 제어 가능 레이저의 제 1 가능 주사 곡선을 도시한다.
도 8b는 제어 가능 레이저의 제 2 가능 주사 곡선을 도시한다.
도 9는 기저체의 단면에 대한 다른 예시적인 실시예를 도시한다.
도 10은 도 1에 따른 표현으로 기저체의 다른 예시적인 실시예를 평면도로 도시한다.
도 1에서 도시된 예시적인 실시예는 Sic, Tac 또는 열분해 BN 코팅된 그래파이트(pyrolytic BN coated graphite)로 구성되거나, 또는 석영 유리로 구성된 환형 기저체(6)를 포함하는 기판 홀더(1)이다. 이 기저체는 외벽에 외주 홈(circumferential groove)을 포함하여, 예를 들어 DE 10 232 731에서 개시된 것과 같이, 포크-형태의 핸들링 장치를 위한 맞물림 영역을 형성한다. 회전 대칭인 환형 기저체(6)의 내부 공간(7)은 기판(2)의 지름보다 큰 지름을 갖는다.
외주 리브(peripheral rib: 9)를 형성하여, 기저체(6)의 윗면은 디딤대(step)를 형성한다. 환형 디스크 형태이고 지지 엘리먼트를 형성하는 사파이어 본체(8)는 이 디딤대 위에 배치된다. 지지 엘리먼트(8)는 이의 외부 외주(8")를 사용하여 이 디딤대 위에 안착된다. 지지 엘리먼트(8)의 내부 외주(8')는 기저 체(6)의 가운데 빈 공간(7)으로 돌출된다.
빈 공간(7)으로 돌출된 이 외주(8')는 기판(2)의 외주(2')를 위한 지지 영역(5)을 형성한다. 외주 리브(9)는 지지 엘리먼트(8)를 센터링하는 기능을 한다. 외주 리브(9)는 사파이어로 구성된 지지 엘리먼트(8)의 물질 두께보다 다소 높아서, 지지 엘리먼트(8)의 외주(8") 위에 배치되고 보정판(compensation plate)을 형성하는 환형 디스크-형태의 그래파이트 또는 석영 본체(10)는 센터링 될 수 있다. 이 보정판(10)의 두께는 기판(2)의 두께와 실질적으로 일치한다. 보정판(10)은 기판의 센터링을 위해 기능한다. 환형 보정판(10)의 내부 에지는 기저체(6)의 내벽과 대략 일치한다.
도 3은 프로세스 챔버(3)와 이에 부착된 처리 챔버(12)를 포함하는 반응 하우징(15)을 매우 개략적으로 도시한다. 프로세스 챔버(3)는 처리 챔버(12)와 분리 벽(14)에 의해 분리된다.
예를 들어, 막 증착을 위해 기능하는 반응 가스를 프로세스 챔버(3) 안으로 주입하기 위해, 가스 흡입구(도시되지 않음)는 프로세스 챔버 안으로 개방된다. 이러한 가스들은 수소화물 및 염화물, 바람직하게는 염화 갈륨 및 암모니아이다. 플라즈마의 도움을 받을 수도 있는, 가스 상태에서의 반응은 질화 갈륨층이 기판의 표면에 증착되도록 반응 가스들이 서로 공동으로 화학반응을 일으키거나 또는 적어도 열적으로 여기 되도록 한다. 기판(2)은 사파이어로 구성된다. 추가로, 프로세스 챔버(3)는 프로세스 챔버로부터 프로세스 가스 또는 반응 생성물을 배출하기 위한 수단(도시되지 않음)을 갖는다. 이 수단은 진공 펌프를 포함할 수 있다.
프로세스 챔버(3)의 바닥은 함몰부(19)를 형성한다. 가스 공급 라인과 연결된 노즐(17)은 함몰부(19)의 바닥에 배치된다. 함몰부(19) 안에 배치된 기판 홀더 캐리어(18)를 들어올리고, 이를 회전하게 하는 가스 스트림은 노즐(17)로부터 방출된다. 기판 홀더 캐리어(18)는 코팅된 그래파이트로부터 생성되어, 기판 홀더(1)가 핸들링 장치(도시되지 않음)에 의해 배치될 수 있는 받침대(pedestal)를 형성하는 것이 바람직하다. 동시에, 기판 홀더 캐리어(18)의 받침대는 기저체(6)의 가운데 빈 공간으로 돌출된다. 프로세스 챔버(3)의 기판 홀더(1) 및 기판 홀더 캐리어(18)뿐만 아니라 모든 다른 엘리먼트들은 고온을 견딜 수 있는 임의의 적절한 물질로부터 생성될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 안쪽으로 돌출된 지지 엘리먼트(8)의 외주(8')는 받침대의 윗면 위에서 지지된다. 기저체(6)는 환형 리세스 안에 배치되며, 이는 한편으로는 함몰부(19)의 벽을 형성하고, 다른 한편으로는 받침대의 외벽을 형성한다.
상기 언급된 가스 및 추가적인 캐리어 가스, 즉 수소 또는 질소를 주입하고 프로세스 챔버(3)를 가열함으로써, 화학 반응이 시작된다.
프로세스 챔버(3)의 가열은 모든 면에서 일어날 수 있다. 도 3에서는 가열은 단지 화살표로 지시된 방향으로만 일어난다.
프로세스 챔버(12)는 바로 근처에, 특히, 동일한 반응 하우징(15) 안으로 제공된다. 프로세스 챔버(3)에서 사용되었던 것과 실질적으로 동일한 온도가 이 처리 챔버에서도 사용된다. 그러나 처리 챔버 안의 온도는 프로세스 챔버(3) 안의 온도보다 낮을 수도 있다. 온도차는 상기 언급한 손상을 피할 수 있을 정도로 작 다. 그러나 반응 가스들은 그 안으로 들어가지 않는다. 분리 벽(14)은 이들을 분리되도록 한다. 그러나 분리 벽을 생략하는 것도 또한 가능하다.
예시적인 실시예에서, 처리 챔버(12)의 바닥은 함몰부를 형성한다. 355㎚인 파장으로 광을 방출하는 레이저 장치(21)가 함몰부의 바닥에 배치된다. 그러나 다른 프로세스에 대해서는 다른 파장으로도 방출될 수 있다.
레이저 장치(21)에 의해 방출된 광은, 사파이어로 구성된 환형 디스크(8)의 원주(8'), 및 전체 기판(2), 즉 다시 말하면, 환형 디스크 위에 배치된 기판의 원주 부분(2')도 포함한 기판을 관통한다. 광 에너지 주입의 결과로, 이에 노출된 기판과 질화 갈륨층의 계면은 부드럽게 변한다. 이는 질화 갈륨층이 적어도 부분적으로 기판 표면으로부터 분리되도록 한다. 상기 층과 기판 간의 가능한 결정질 부착은 파괴된다. 비결정질 물질이 계면 영역에서 생성될 수 있다.
광학적 처리 동안, 처리 챔버(12) 안의 프로세스 온도는 프로세스 온도 이하인 온도보다 더 낮아지도록 제공될 수도 있다.
이 방법을 수행하기 위해서, 우선 기판 홀더 위에 배치된 기판을 포함한 기판 홀더는 프로세스 챔버 안으로 도입된다. 그 점에서, 수 마이크로미터의 두께를 가진 질화 갈륨층이 사파이어로 구성된 기판(2)에 원래 알려진 방법으로 적용된다. 그 다음, 핸들링 장치는 기판 홀더 위에 배치된 기판을 포함한 기판 홀더를 처리 챔버(12) 안으로 가져가는데 사용되며, 질화 갈륨층을 사파이어 기판에서 분리하기 위해 이 챔버에서 기판(2)은 아래로부터의 레이저 광과 충돌된다. 양 프로세스는 약 1000℃ 내지 1100℃의 실질적으로 동일한 프로세스 온도에서 수행될 수 있다.
다음으로, 기판 홀더 위에 배치된 기판을 포함하는 기판 홀더(1)는 핸들링 장치에 의해 처리 챔버(12)로부터 제거되고, 냉각된다. 냉각 시, 층은 기판에 대해 측면 방향으로 이동될 수 있으며, 따라서 파손을 발생하지 않는다.
도 4에서 도시된 다른 예시적인 실시예의 경우에는, 환형 디스크 형태이며 기저체에 의해 형성된 디딤대 위에 배치된 밑받침 판(underlay plate: 11)도 환형 디스크(8)의 아래에 배치된다.
도 5에 도시된 예시적인 실시예의 경우에, 기판 홀더 캐리어(18)는 총 3개의 기판 홀더(1, 1')를 운반한다. 기판 홀더(1)는 상술된 형태를 가진다. 기판 홀더(1')는 상이한 형태이다. 이는 다수의 기판(2)을 운반할 수 있다.
포크 형태의 핸들링 장치는 DE 10 232 731에 개시된 것과 같이 채널(22)을 통해서 접근할 수 있다.
도 6에 도시된 예시적인 실시예의 경우에, 처리 챔버(2)는 깔때기(funnel) 형태의 개구를 갖는 바닥을 포함한다. 깔때기 형태의 개구의 삽입 영역에 위치조정가능 레이저(21)가 있다. 이의 레이저 빔(23)으로 기판의 아랫면을 주사하기 위해서, 다양한 피벗 축을 중심으로 하여 피벗 될 수 있다.
도 7에 도시된 예시적인 실시예의 경우에, 기판 홀더(1)의 아래에 배치된 반응 벽(25)은, 윈도우(26)에 의해 차단된 개구를 포함하며, 윈도우(26)는 프레임(28) 위에 지지 되고, 실(seal: 27)이 중간에 삽입된다. 진공일 수도 있는, 윈도우(26) 아래에, 즉 다시 말하면, 실제 프로세스 챔버 또는 반응 챔버 바깥에 레이저 장치(21)가 있다. 역시 이것도 피벗 가능 레이저일 수 있으며, 두꺼운 질화 갈륨층을 투면 기판으로부터 분리하기 위해서 이의 레이저 빔(23)은 기판의 아랫면을 주사할 수 있다.
이 경우 레이저는 도 8a에 도시된 것과 같이 한 줄씩 기판의 아랫면을 주사한다. 그러나 도 8b에 도시된 것과 같이 기판의 아랫면을 나선형으로 주사하는 것 또한 가능하다. 이는 밖에서 안쪽으로 주사할 수도 있고, 또는 안에서 바깥쪽으로 주사할 수도 있다. 바깥쪽에서 안쪽으로 주사하는 것이 바람직하다. 그리고 한편 온도는 더 낮아질 수도 있다.
도 9에 도시된 예시적인 실시예의 경우에, 지지 엘리먼트(8)는 환형 디스크 형태를 갖는다. 이는 예를 들어 355㎚인 파장을 갖는 사용된 레이저 빔에 투과된다. 이는 환형 디스크 형태를 갖기 때문에 기판(2) 전체를 지지한다.
도 10에 도시된 예시적인 실시예는 디딤대(6')를 갖는 정사각형 개구를 도시하는데, 이 위에 대응하는 형태의 지지 엘리먼트(8)가 배치될 수도 있으며, 따라서, 둥근 그리고 각진 기판 모두 이 장치를 이용해 처리될 수 있다. 또한, 여기서, 도 9에서 도시된 예시적인 실시예의 경우에, 보정판(10)이 기판이 지지 엘리먼트(8) 위의 제자리로 센터링하는데 제공될 수 있다.
프로세스 챔버는 히터(3)에 의해서 프로세스 온도로 맞춰질 수 있다. 설치물(fixture)은 핸들링 장치의 맞물림을 위한 맞물림 영역(4)을 포함한다.
개시된 모든 특징들은 (그 자체로) 본 발명과 관련된다. 또한, 관련/첨부한 우선권 서류(이전 특허 명세서의 복사본)의 개시 내용은, 명세서의 개시된 전체 범위에서 본원에 통합되며, 이 서류들의 통합된 특징들의 목적을 위해 본 명세서의 청구항에 포함한다.

Claims (23)

  1. 반응 하우징(15)의 프로세스(process) 챔버(3) 안에 적어도 하나의 기판(2)을 홀딩하기 위한 장치로서, 핸들링 장치와의 맞물림을 위한 맞물림 영역(4), 및 상기 기판(2)의 적어도 외주(2')가 안착되는 지지 영역(5)을 포함하는 기판 홀딩 장치에 있어서,
    광학적 기판 처리 프로세스의 파장에 투과되는 상기 지지 영역(5)을 특징으로 하는 기판 홀딩 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 홀더(1)의 환형 형태를 특징으로 하는 기판 홀딩 장치.
  3. 제 1 항 내지 제 2 항 중 어느 한 항에 있어서,
    환형 기저체(6)의 가운데 빈 공간(7)이 윤곽(outline)에 있어서 기판(2)에 의해 둘러싸이는 환형 기저체를 특징으로 하는 기판 홀딩 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기저체 위에 안착되고, 상기 지지 영역(5)을 형성하고, 광학적 기판 처리 프로세스의 상기 파장에 투과되는 물질로 제조된, 적어도 하나의 지지 엘리먼트(8)를 특징으로 하는 기판 홀딩 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 엘리먼트(8)의 하나 이상의 부분들(8')이 상기 가운데 빈 공간 안으로 또는 위로 연장하는 것을 특징으로 하는 기판 홀딩 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 엘리먼트(8)는 상기 기판(2)과 동일한 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 기판 홀딩 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    다수의 기판(2)이 기판 홀더(1') 위에 안착된 것을 특징으로 하는 기판 홀딩 장치
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 엘리먼트(8)는 환형 디스크 형태를 가지고, 상기 기저체(6)의 디딤대 위에 안착된 것을 특징으로 하는 기판 홀딩 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 엘리먼트(8)는 사파이어(Al2O3)로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 홀딩 장치.
  10. 기판을 코팅하기 위한 장치, 특히, 상기 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 기판 홀더(1)에 의해 홀딩된 적어도 하나의 기판(2) 위에 층을 증착하기 위한프로세스 챔버(3) - 상기 프로세스 챔버(3)는 히터(13)에 의해 프로세스 온도가 맞춰짐 - 를 포함하는 CVD 반응기에 있어서,
    상기 프로세스 챔버(3)에 부착되고, 그곳으로 가져온 상기 기판 홀더(1) 위의 상기 적어도 하나의 기판(2)의 프로세스 온도와 실질적으로 동일하거나 다소 낮은 프로세스 온도에서 광학적 후처리를 행하기 위한 처리 챔버(12)를 특징으로 하는 기판 코팅 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    프로세스 챔버(3)에서 상기 기판 홀더(1)는 아래로부터 가열될 수 있는 기판 홀더 캐리어(18) 위에 안착된 것을 특징으로 하는 기판 코팅 장치.
  12. 제 10 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 기판 홀더 캐리어(18)는 회전하여 구동되는 방식으로, 특히 가스 쿠션 위에, 장착되는 것을 특징으로 하는 기판 코팅 장치.
  13. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지 엘리먼트(8)는 상기 기판 홀더 캐리어(18) 위에 안착된 것을 특징으로 하는 기판 코팅 장치.
  14. 제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리 챔버(12)는 광 소스로서 레이저 장치(21)를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 코팅 장치.
  15. 제 10 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 장치(21)는 355㎚의 파장으로 광을 방출하는 것을 특징으로 하는 기판 코팅 장치.
  16. 적어도 하나의 기판(2) 위에 적어도 하나의 층을 증착하기 위한 방법으로서,
    상기 기판(2)은 기판 홀더, 특히 상기 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 기판 홀더(1) 위에 안착된 상태로 반응 하우징(15)의 프로세스 챔버(3) 안에서 프로세스 온도로 코팅되고, 상기 층과 상기 기판(2) 사이의 계면에 영향을 미치고 상기 층을 부분적으로 분리시키는 것이 가능하도록, 상기 동일한 기판 홀더(1) 위에 안착된 상태로 처리 챔버(12) 안에서 현저한 냉각이 없거나 또는 약간의 냉각으로 아래로부터의 광과 충돌되는 것을 특징으로 하는, 증착 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 프로세스 온도는 900℃ 초과, 1000℃ 초과, 또는 1100℃ 초과인 것을 특징으로 하는 증착 방법.
  18. 제 16 또는 제 17 항에 있어서,
    특히 의사 기판(pseudo-substrate)으로 기능하는 수 마이크로미터 두께의 질화 갈륨층은 사파이어 기판 위에 증착되는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
  19. 제 16 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 증착은 상기 프로세스 챔버(3) 안으로 주입된 반응 가스들에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
  20. 제 16 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버 안으로 주입된 상기 가스들은 제 3 및 제 5 메인 그룹들 또는 제 2 및 제 6 메인 그룹들의 엘리먼트들을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
  21. 제 16 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버(3)에 주입된 상기 반응 가스는 염화물들 및 수소화물들인 것을 특징으로 하는 증착 방법.
  22. 제 16 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
    염화 갈륨 및 NH3는 질화 갈륨의 성장을 위해 상기 프로세스 챔버 안으로 주입되는 것을 특징으로 하는 증착 방법.
  23. 제 16 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
    원형 디스크의 형태인 투과 지지 엘리먼트(8)를 특징으로 하는 증착 방법.
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