KR20160024378A - 반도체 처리 챔버를 위한 흡수성 반사기 - Google Patents
반도체 처리 챔버를 위한 흡수성 반사기 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20160024378A KR20160024378A KR1020167001523A KR20167001523A KR20160024378A KR 20160024378 A KR20160024378 A KR 20160024378A KR 1020167001523 A KR1020167001523 A KR 1020167001523A KR 20167001523 A KR20167001523 A KR 20167001523A KR 20160024378 A KR20160024378 A KR 20160024378A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- reflector
- dome
- coating layer
- substrate support
- heat absorbing
- Prior art date
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 93
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 79
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 26
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 17
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 5
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 5
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 5
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 4
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 63
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004616 Pyrometry Methods 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/0033—Heating devices using lamps
- H05B3/0038—Heating devices using lamps for industrial applications
- H05B3/0047—Heating devices using lamps for industrial applications for semiconductor manufacture
-
- C01B31/04—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 개시물의 실시예들은 일반적으로 열 처리 챔버에서 사용하기 위한 반사기에 관한 것이다. 일 실시예에서, 열 처리 챔버는 상부 돔; 상부 돔에 대향하는 하부 돔 - 상부 돔과 하부 돔은 처리 챔버의 내부 용적을 정의함 -; 내부 용적 내에 배치된 기판 지지체; 및 상부 돔 위에서 상부 돔 부근에 위치된 반사기 - 반사기는 기판 지지체를 향하는 반사기의 면 상에 퇴적된 열 흡수성 코팅 층을 가짐 - 를 일반적으로 포함한다.
Description
본 개시물의 실시예들은 일반적으로 열 처리 챔버들에서 사용하기 위한 반사기에 관한 것이다.
반도체 칩 제조 시에 반도체 기판들 상에서 표면 구조물들을 생성하거나, 화학적으로 변경하거나 또는 에칭하기 위해 급속 열 처리(RTP: rapid thermal processing) 및 에피택셜 퇴적(에피(epi)) 시스템들이 사용된다. 통상적으로, RTP 및 에피 시스템들은, 램프헤드에 피팅되고 기판에 지향되는 고강도 백열 램프들의 어레이에 의존한다. 램프들은 전기적으로 전력 공급되고, 매우 신속하게 턴 온 및 오프될 수 있으며, 램프들의 복사의 상당 부분이 기판에 지향될 수 있다. 결과적으로, 실질적으로 챔버를 가열하지 않으면서 기판이 매우 신속하게 가열될 수 있고, 램프들로부터 전력이 제거되고나면, 거의 마찬가지로 신속하게 냉각될 수 있다.
열 처리 챔버는, 다른 컴포넌트들 중에서도, 상부 구조물, 하부 구조물, 상부 구조물을 하부 구조물에 접속하는 베이스 링, 상부 구조물과 하부 구조물 사이에 배치된 회전 기판 지지체, 하부 구조물 부근에 위치된 램프헤드, 및 상부 구조물 부근에 위치된 반사기를 포함할 수 있다. 다수의 적외선 램프가 램프헤드에 위치된다. 램프들은 다수의 구역으로 분할된다. 각각의 구역은 램프 구동기에 의해 별개로 전력 공급되고, 차례로 이 램프 구동기는 다중 입력 다중 출력 제어기에 의해 제어된다. 처리 동안, 램프들로부터의 복사는, 하부 구조물을 통해, 기판 지지체 상에 배치된 기판 상에 방사된다. 이러한 방식으로, 기판은 요구된 처리 온도로 가열된다.
그러나, 램프들로부터의 복사는 기판 및 기판 지지체를 우회하고, 반사기 및 이 반사기와 연관된 광학적 고온계들 상에 방사될 수 있다고 관찰되었다. 따라서, 램프들로부터의 복사는 기판에 대한 고온측정 판독치(pyrometry reading)에서 에러(노이즈라고도 알려져 있음)를 생성하고, 이는 부정확한 온도 측정을 초래한다. 추가로, 램프들로 전달되는 전기 에너지의 전부가 결국 웨이퍼를 실제로 가열하지는 않는다. 복사 에너지의 일부는 챔버 컴포넌트들에 의해 흡수되고, 이는 챔버가 바람직하지 않게 느리게 냉각되게 하고, 따라서 더 긴 스텝 변화 시간들 및 더 느린 프로세스 스루풋을 야기시킨다.
따라서, 관련 기술분야에서는 더 정확한 온도 측정 및 더 빠른 챔버 냉각을 가능하게 하는 장치가 필요하다.
본 개시물의 실시예들은 일반적으로 열 처리 챔버에서 사용하기 위한 반사기에 관한 것이다. 일 실시예에서, 열 처리 챔버에서 사용하기 위한 반사기가 제공된다. 반사기는, 최상부 표면 및 최상부 표면에 대향하는 저부 표면을 갖는 바디; 저부 표면의 적어도 일부 위에 퇴적된 열 흡수성 코팅 층(heat absorptive coating layer); 및 바디에 형성된 냉각 채널을 포함하고, 냉각 채널은 미리 결정된 패턴을 가지며, 바디를 통해 냉각 유체를 순환시키도록 구성된다.
다른 실시예에서, 열 처리 챔버가 제공된다. 열 처리 챔버는 상부 돔; 상부 돔에 대향하는 하부 돔 - 상부 돔과 하부 돔은 처리 챔버의 내부 용적을 정의함 -; 내부 용적 내에 배치된 기판 지지체; 및 상부 돔 위에서 상부 돔 부근에 위치된 반사기 - 반사기는 기판 지지체를 향하는 반사기의 면 상에 퇴적된 열 흡수성 코팅 층을 가짐 - 를 일반적으로 포함한다.
또 다른 실시예에서, 열 처리 챔버에서 사용하기 위한 반사기가 제공된다. 반사기는, 최상부 표면 및 최상부 표면에 대향하는 저부 표면을 갖는 바디; 바디에 형성된 하나 이상의 냉각 채널; 및 저부 표면의 적어도 일부 위에 퇴적된 열 흡수성 코팅 층을 포함하고, 열 흡수성 코팅 층은 폴리우레탄 재료를 포함하는 코팅 층; 및 코팅 층과 저부 표면 사이에 배치된 프라이머 층을 포함하고, 프라이머 층은 에폭시 재료를 포함한다.
위에서 언급된 본 개시물의 특징들이 상세하게 이해될 수 있도록, 위에 간략하게 요약된 본 개시물의 더 구체적인 설명은 실시예들을 참조할 수 있으며, 그들 중 일부는 첨부 도면들에 도시되어 있다. 그러나, 본 개시물은 동등한 효과의 다른 실시예들을 허용할 수 있으므로, 첨부 도면들은 본 개시물의 전형적인 실시예들만을 도시하며, 따라서 그것의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 된다는 점에 유의해야 한다.
도 1은 본 개시물의 실시예들에 따른 열 프로세스 챔버(100)의 개략적인 단면도이다.
도 2a는 본 개시물의 실시예들에 따른 도 1의 반사기의 개략적인 단면도이다.
도 2b는 본 개시물의 실시예들에 따른 도 2a의 열 흡수성 코팅 층의 확대 단면도이다.
도 3a는 광학적 고온계들의 가능한 배열을 도시하는 반사기의 저부 플레이트의 저부 사시도이다.
도 3b는 반사기의 저부 플레이트 상에 배치된 최상부 플레이트를 도시하는 반사기의 상부 사시도이다.
이해를 용이하게 하기 위해서, 가능한 경우에, 도면들에 공통인 동일한 요소들을 지시하는 데에 동일한 참조 번호들이 이용되었다. 일 실시예에 개시된 요소들은 구체적인 언급 없이도 다른 실시예들에서 유익하게 이용될 수 있다고 고려된다.
도 1은 본 개시물의 실시예들에 따른 열 프로세스 챔버(100)의 개략적인 단면도이다.
도 2a는 본 개시물의 실시예들에 따른 도 1의 반사기의 개략적인 단면도이다.
도 2b는 본 개시물의 실시예들에 따른 도 2a의 열 흡수성 코팅 층의 확대 단면도이다.
도 3a는 광학적 고온계들의 가능한 배열을 도시하는 반사기의 저부 플레이트의 저부 사시도이다.
도 3b는 반사기의 저부 플레이트 상에 배치된 최상부 플레이트를 도시하는 반사기의 상부 사시도이다.
이해를 용이하게 하기 위해서, 가능한 경우에, 도면들에 공통인 동일한 요소들을 지시하는 데에 동일한 참조 번호들이 이용되었다. 일 실시예에 개시된 요소들은 구체적인 언급 없이도 다른 실시예들에서 유익하게 이용될 수 있다고 고려된다.
본 개시물의 실시예들은 일반적으로 열 처리 챔버에서 사용하기 위한 반사기에 관한 것이다. 열 처리 챔버는, 다른 컴포넌트들 중에서도, 상부 돔 구조물, 하부 돔 구조물, 상부 돔 구조물을 하부 돔 구조물에 접속하는 베이스 링, 상부 돔 구조물과 하부 돔 구조물 사이에 배치된 회전 기판 지지체, 및 상부 돔 구조물 위에서 상부 돔 구조물 부근에 위치된 반사기를 포함할 수 있다. 반사기는, 저부 표면 및 저부 표면에 대향하는 최상부 표면을 갖는 대체로 평탄한 바디를 가질 수 있다. 기판 지지체를 향하는 저부 표면은 그 위에 배치된 흡수성 코팅을 갖는다. 흡수성 코팅은 기판 또는 챔버 컴포넌트들로부터의 열 복사를 흡수하도록 구성된다.
본 명세서에 개시된 실시예들은, 캘리포니아주 산타 클라라에 있는 Applied Materials, Inc.로부터 입수가능한 Applied CENTURA® RP EPI 챔버에서 실시될 수 있다. 다른 열 처리 챔버, 예컨대 RTP 챔버, 또는 다른 제조자들로부터 입수가능한 임의의 처리 챔버들도 또한 본 명세서에 개시된 실시예들의 혜택을 받을 수 있다고 고려된다.
예시적인
챔버
하드웨어
도 1은 본 개시물의 일 실시예에 따른 열 프로세스 챔버(100)의 개략적인 단면도이다. 프로세스 챔버(100)는, 기판(108)의 상부 표면 상의 재료의 퇴적을 포함하여, 하나 이상의 기판을 처리하는데 사용될 수 있다. 프로세스 챔버(100)는, 다른 컴포넌트들 중에서도, 프로세스 챔버(100) 내에 배치된 기판 지지체(106)의 후면(back side)(104)을 가열하기 위한 복사 가열 램프들(102)의 어레이를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 대안적으로 또는 추가적으로, 복사 가열 램프들의 어레이는 상부 돔(128) 위에 배치될 수 있다. 기판 지지체(106)는 도시된 바와 같이 디스크형 기판 지지체(106)일 수 있거나, 또는 램프들(102)의 열 복사에 대한 기판의 노출을 용이하게 하기 위해 기판을 기판의 에지로부터 지지하는 링형 기판 지지체일 수 있다.
기판 지지체(106)는 프로세스 챔버(100) 내에서 상부 돔(128)과 하부 돔(114) 사이에 위치된다. 일반적으로, 상부 돔(128), 하부 돔(114), 및 상부 돔(128)과 하부 돔(114) 사이에 배치된 베이스 링(136)은 프로세스 챔버(100)의 내부 영역을 정의한다. 기판(108)(실제 비율로 도시되지 않음)은 로딩 포트를 통해 프로세스 챔버(100) 내로 이동되어 기판 지지체(106) 상에 위치될 수 있다. 로딩 포트는 프로세스 가스 공급 소스(172)에 대해 약 90°로 각도 오프셋되며, 도 1에서는 기판 지지체(106)에 의해 가려져 있다.
기판 지지체(106)는 상승된 처리 위치에 있는 것으로 도시되어 있지만, 리프트 핀들(105)이 중앙 샤프트(132) 및 기판 지지체(106) 내의 홀들을 통과하여 하부 돔(114)에 접촉하고, 기판(108)을 기판 지지체(106)로부터 상승시키는 것을 허용하기 위해서 액추에이터(도시되지 않음)에 의해 처리 위치 아래에 있는 로딩 위치까지 수직으로 이동할 수 있다. 다음에, 로봇(도시되지 않음)이 프로세스 챔버(100)에 들어가서, 기판(108)에 맞물리고, 로딩 포트(103)를 통하여 프로세스 챔버로부터 기판을 제거할 수 있다. 다음에, 기판 지지체(106)는, 기판(108)의 디바이스 측(116)을 위로 향하게 한 채로 기판을 기판 지지체(106)의 정면(front side)(110) 상에 배치하기 위해서 처리 위치까지 상향으로 작동될 수 있다.
기판 지지체(106)는, 처리 위치에 위치되어 있는 동안, 프로세스 챔버(100)의 내부 용적을, 기판 위에 있는 프로세스 가스 영역(156) 및 기판 지지체(106) 아래에 있는 퍼지 가스 영역(158)으로 분할한다. 기판 지지체(106)는, 프로세스 챔버(100) 내에서의 열 및 프로세스 가스 유동의 공간적 비정상(thermal and process gas flow spatial anomalies)의 영향을 최소화하고, 그에 의해 기판(108)의 균일한 처리를 용이하게 하기 위해서, 처리 동안 중앙 샤프트(132)에 의해 회전된다. 기판 지지체(106)는 중앙 샤프트(132)에 의해 지지되고, 중앙 샤프트는 기판(108)의 로딩 및 언로딩 동안에 그리고 일부 경우들에서는 기판(108)의 처리 동안에 기판(108)을 상하 방향(134)으로 이동시킨다. 기판 지지체(106)는, 램프들(102)로부터의 복사 에너지를 흡수하고 이 복사 에너지를 기판(108)에 전도하기 위해서, 실리콘 탄화물 또는 실리콘 탄화물로 코팅된 흑연으로 형성될 수 있다.
일반적으로, 상부 돔(128)의 중앙 윈도우 부분 및 하부 돔(114)의 저부는, 램프들로부터의 복사들을 상당한 흡수 없이 지향시키기 위해서 석영과 같이 광학적으로 투명한 재료로 형성될 수 있다. 일부 경우들에서, 중앙 윈도우 부분의 둘레 주위에서 중앙 윈도우 부분에 맞물리는 상부 돔(128)의 주변 플랜지(119), 및 저부 부분의 둘레 주위에서 저부 부분에 맞물리는 하부 돔(114)의 주변 플랜지(121)는, 주변 플랜지들 부근의 O-링들(182, 184)을 열 복사에 대한 직접 노출로부터 보호하기 위해서 불투명한 석영으로 모두 형성될 수 있다.
프로세스 가스가 기판(108) 위로 지나갈 때 기판의 다양한 영역들에서의 온도를 독립적으로 제어함으로써 기판(108)의 상부 표면 상으로의 재료의 퇴적을 용이하게 하기 위해서, 램프들(102)의 어레이와 같은 하나 이상의 램프는 중앙 샤프트(132) 주위에서, 특정된 최적의 요구되는 방식으로 하부 돔(114)에 인접하여 하부 돔 아래에 배치될 수 있다. 여기에서 상세하게 논의되지는 않지만, 퇴적된 재료는 갈륨 비화물, 갈륨 질화물 또는 알루미늄 갈륨 질화물을 포함할 수 있다.
램프들(102)은 전구들(141)을 포함하도록 구성되고, 약 섭씨 200도 내지 약 섭씨 1600도의 범위 내의 온도로 기판(108)을 가열하도록 구성될 수 있다. 각각의 램프(102)는 전력 분배 보드(도시되지 않음)에 연결되고, 전력 분배 보드를 통하여 각각의 램프(102)에 전력이 공급된다. 램프들(102)은 램프헤드(145) 내에 위치되며, 램프헤드(145)는, 예를 들어 램프들(102) 사이에 위치된 채널들(149)에 도입되는 냉각 유체에 의해 처리 동안에 또는 처리 이후에 냉각될 수 있다. 부분적으로는 램프헤드(145)가 하부 돔(114)에 매우 근접해 있는 것으로 인해, 램프헤드(145)는 하부 돔(114)을 전도 및 복사 냉각한다(conductively and radiatively cool). 램프헤드(145)는 램프들 주위의 반사기들(도시되지 않음)의 벽들 및 램프 벽들을 또한 냉각할 수 있다. 대안적으로, 하부 돔(114)은 대류식 접근법에 의해 냉각될 수 있다. 램프헤드들(145)은 하부 돔(114)과 접촉할 수도 있고 접촉하지 않을 수도 있다.
선택적으로, 원형 쉴드(167)가 기판 지지체(106) 주위에 배치되고, 라이너 어셈블리(163)에 의해 둘러싸일 수 있다. 쉴드(167)는, 프로세스 가스들을 위한 예비 가열 구역을 제공하면서, 램프들(102)로부터의 열/광 잡음이 기판(108)의 디바이스 측(116)에 누설되는 것을 방지하거나 최소화한다. 쉴드(167)는 CVD SiC, SiC로 코팅된 소결 흑연(sintered graphite coated with SiC), 성장된 SiC, 불투명한 석영, 코팅된 석영, 또는 프로세스 및 퍼지 가스들에 의한 화학적 파손(chemical breakdown)에 저항성이 있는 임의의 유사한 적합한 재료로 이루어질 수 있다.
라이너 어셈블리(163)는 베이스 링(136)의 내측 둘레 내에 놓이거나(nested) 이러한 내측 둘레에 의해 둘러싸이도록 크기가 정해진다. 라이너 어셈블리(163)는 프로세스 챔버(100)의 금속 벽들로부터 처리 용적(즉, 프로세스 가스 영역(156) 및 퍼지 가스 영역(158))을 차폐한다. 금속 벽들은 프리커서들과 반응하여, 처리 용적에서 오염을 야기할 수 있다. 라이너 어셈블리(163)는 단일 바디로서 도시되어 있지만, 라이너 어셈블리(163)는 하나 이상의 라이너를 포함할 수 있다. 라이너 어셈블리(163) 및/또는 쉴드(167)는 프로세스 챔버(100)로부터 생략될 수 있다.
프로세스 가스 공급 소스(172)로부터 공급된 프로세스 가스는 베이스 링(136)의 측벽에 형성된 프로세스 가스 유입구(174)를 통하여 프로세스 가스 영역(156)에 도입된다. 프로세스 가스 유입구(174)는 기판 지지체의 기판 지지 표면에 평행하게 대체로 방사상 내측 방향으로 프로세스 가스를 지향시키도록 구성된다. 막 형성 프로세스 동안, 기판 지지체(106)는, 프로세스 가스 유입구(174)에 인접하며 프로세스 가스 유입구와 대략 동일한 높이에 있는 처리 위치에 위치되어, 프로세스 가스가 층류 방식으로 기판(108)의 상부 표면을 가로질러 유동 경로(173)를 따라 상방으로 그리고 주변으로(up and round) 유동하는 것을 허용할 수 있다. 프로세스 가스는 프로세스 챔버(100)에 있어서 프로세스 가스 유입구(174)의 반대측에 위치된 가스 유출구(178)를 통하여 (유동 경로(175)를 따라) 프로세스 가스 영역(156)에서 빠져나간다. 프로세스 가스 공급 소스(172)는 다수의 유형의 프로세스 가스들, 예를 들어 Ⅲ족 프리커서 가스 및 Ⅴ족 프리커서 가스를 공급하도록 구성될 수 있다. 다수의 프로세스 가스는 동일한 프로세스 가스 유입구(174)를 통해 또는 별개의 가스 유입구들(도시되지 않음)을 통해 프로세스 챔버(100)에 도입될 수 있다. 가스 유출구(178)를 통한 프로세스 가스의 제거는 가스 유출구에 연결된 진공 펌프(180)에 의해 용이하게 될 수 있다. 프로세스 가스 유입구(174) 및 가스 유출구(178)가 서로에 대해 정렬되고 대략 동일한 높이에 배치되어, 기판(108)에 걸쳐 대체로 평면의 균일한 가스 유동을 가능하게 한다.
퍼지 가스는 베이스 링(136)의 측벽에 형성된 선택적인 퍼지 가스 유입구(164)를 통하여(또는 프로세스 가스 유입구(174)를 통하여) 퍼지 가스 소스(162)로부터 퍼지 가스 영역(158)으로 공급될 수 있다. 퍼지 가스 유입구(164)는 프로세스 가스 유입구(174) 아래의 높이에 배치된다. 원형 쉴드(167) 또는 예비 가열 링(도시되지 않음)이 사용되는 경우, 원형 쉴드 또는 예비 가열 링은 프로세스 가스 유입구(174)와 퍼지 가스 유입구(164) 사이에 배치될 수 있다. 어느 경우에도, 퍼지 가스 유입구(164)는 대체로 방사상 내측 방향으로 퍼지 가스를 지향시키도록 구성된다. 막 형성 프로세스 동안, 기판 지지체(106)는, 퍼지 가스가 층류 방식으로 기판 지지체(106)의 후면(104)을 가로질러 유동 경로(165)를 따라 하방으로 그리고 주변으로(down and round) 유동하도록 하는 위치에 위치될 수 있다. 어떠한 특정 이론에도 얽매이지 않고, 퍼지 가스의 유동은, 프로세스 가스의 유동이 퍼지 가스 영역(158)에 진입하는 것을 방지 또는 실질적으로 회피하거나, 퍼지 가스 영역(158)(즉, 기판 지지체(106) 아래의 영역)에 진입하는 프로세스 가스의 확산을 감소시키는 것으로 여겨진다. 퍼지 가스는 (유동 경로(166)를 따라) 퍼지 가스 영역(158)에서 빠져나가고, 프로세스 챔버(100)에 있어서 퍼지 가스 유입구(164)의 반대측에 위치된 가스 유출구(178)를 통하여 프로세스 챔버의 밖으로 배기된다.
퍼징 프로세스 동안, 기판 지지체(106)는 퍼지 가스가 기판 지지체(106)의 후면(104)을 가로질러 측방향으로 유동하는 것을 허용하도록 상승된 위치에 위치될 수 있다. 프로세스 가스 유입구, 퍼지 가스 유입구 및 가스 유출구는 예시를 목적으로 도시되어 있다. 가스 유입구들 또는 유출구 등의 위치, 크기 및 개수는 기판(108) 상의 재료의 균일한 퇴적을 용이하게 하도록 조절될 수 있다.
흡수성 코팅을 갖는 반사기
다양한 실시예들에서, 상부 돔(128) 위에서 상부 돔(128) 부근에 반사기(122)가 위치된다. 일반적으로, 반사기(122)는, 최상부 표면(117) 및 최상부 표면(117)에 대향하는 저부 표면(118)을 갖는 플레이트 바디이다. 도 2a와 관련하여 아래에 논의되는 바와 같이, 반사기(122)는 2개의 부분, 즉 최상부 플레이트(216) 및 저부 플레이트(218)로 구성될 수 있다. 대안적으로, 2개의 부분은 일체형 바디(one-piece body)로서 통합될 수 있다. 반사기(122)의 주변부는 상부 돔(128)을 베이스 링(136)에 고정하도록 구성된 클램프 링(130)에 의해 지지될 수 있다. 클램프 링(130)은 상대적으로 베이스 링(136) 위에 배치되고, 클램프 링(130) 주위에 배치된 리셉터클들(도시되지 않음)을 체결함으로써 프로세스 챔버(100)에 체결된다. 반사기(122)는 알루미늄 또는 스테인리스 스틸과 같은 금속으로 이루어질 수 있다.
램프들로부터 처리될 기판으로의 복사 에너지 전달의 효율을 개선하기 위해서, 기판(108)으로부터 방사되고 있는 열 복사의 일부가 기판(108) 상에 다시 반사될 수 있도록 반사기가 위치된다. 종래에, 이러한 반사는 반사기 영역을 금과 같은 고반사성 코팅 재료로 코팅하는 것에 의해 달성된다. 그러나, 반사성 코팅 재료는, 냉각 동안 방출되는 열 복사가 프로세스 챔버로 복귀되므로 냉각에 어려움을 초래하여, 스루풋을 악화시킬 수 있다고 관찰되었다. 챔버 냉각 효율을 개선하기 위해서, 본 발명자들은, 반사기(122)를 열 흡수성 재료로 코팅하는 것을 제안하였다. 열 흡수성 재료는, 특정 관심 파장들에서 기판 및/또는 챔버 컴포넌트들로부터의 열 복사의 대부분을 흡수하는 한편, 복사의 작은 부분 또는 무시할만한 부분을 기판(108) 상에 재지향시키도록 선택된다. 반사기(122)의 반사성 표면을 흡수성으로 하는 것에 의해, 냉각 동안 전달되는 열 복사가 반사기(122)에 의해 흡수될 수 있고, 따라서 프로세스 챔버로부터 더 효율적으로 전달될 수 있다. 본 명세서에 개시된 본 개시물의 실시예들은 도 2a를 참조하여 보다 명확하게 후술된다.
도 2a는 본 개시물의 실시예들에 따른 도 1의 반사기(122)의 개략적인 단면도이다. 반사기(122)는 대체로 원통 형상 바디를 가질 수 있고, 원통 형상 바디는 바디의 외측 둘레로부터 나팔 형상으로 벌어지는(flared out) 부분(204)을 갖는다. 반사기(122)는 반사기(122)의 전체 저부 표면(118) 상에 퇴적된 열 흡수성 코팅 층(202)을 갖는다. 요구되는 경우, 열 흡수성 코팅 층(202)은 저부 표면(118)의 일부만을 커버할 수 있다. 예를 들어, 열 흡수성 코팅 층(202)은 저부 표면(118)의 약 20% 내지 약 95% 표면적을 커버할 수 있다. 다양한 예들에서, 열 흡수성 코팅 층(202)은 반사기(122)의 저부 표면(118)의 약 25%, 약 30%, 약 40%, 약 50%, 약 60%, 약 70%, 약 80%, 약 90% 표면적을 커버할 수 있다. 열 흡수성 코팅 층(202)은, 챔버의 하나 이상의 컴포넌트 및/또는 기판으로부터의 복사를 흡수함으로써 프로세스 챔버로부터의 열 소산을 돕기 위해 임의의 원하는 패턴을 가질 수 있다. 일부 예들에서, 반사기(122)의 전체 노출 표면이 열 흡수성 코팅 층(202)으로 코팅될 수 있다.
열 흡수성 코팅 층(202)은 열 복사를 흡수할 수 있는 임의의 재료일 수 있다. 열 흡수성 코팅 층(202)은, 높은 열 흡수율 특성들을 제공하면서 낮은 가스방출(outgassing) 특성들(예를 들어, 2% 미만의 총 질량 손실)을 나타낼 수 있다. 열 흡수성 코팅 층(202)은 단일 층 또는 층 스택일 수 있다. 어느 경우에도, 열 흡수성 코팅 층의 재료는 1 마이크로미터 내지 4 마이크로미터의 파장에서 열 복사를 흡수하도록 선택된다. 도 2b는 본 개시물의 실시예들에 따른 도 2a의 열 흡수성 코팅 층(202)의 확대 단면도이다. 도 2b에 도시된 일 실시예에서, 열 흡수성 코팅 층(202)은, 저부 프라이머 층(203) 및 최상부 코팅 층(205)을 포함하는 층 스택이다. 저부 프라이머 층(203)은, 부식에 대항하여 요구되는 보호를 제공하기 위해 저부 플레이트(218)의 적절하게 준비된 알루미늄 또는 스테인리스 스틸 표면 상에서 이용되기에 적합한 2-성분 에폭시 재료일 수 있다. 본 개시물에서 저부 프라이머 층으로서 이용되는 하나의 예시적인 에폭시 재료는 노스캐롤라이나주 캐리에 위치한 Lord Corporation으로부터 상업적으로 입수가능한 Aeroglaze® 9929 에폭시 프라이머이다.
최상부 코팅 층(205)은 요구된 열 흡수율 특성들을 제공하기 위한 폴리우레탄 재료일 수 있다. 본 개시물에서 최상부 코팅 층으로서 이용되는 하나의 예시적인 폴리우레탄 재료는 노스캐롤라이나주 캐리에 위치한 Lord Corporation으로부터 상업적으로 입수가능한 Aeroglaze® Z306 코팅이다. 카본 블랙 페인트 또는 흑연 함유 조성물(composition including graphite)과 같은 다른 열 흡수성 재료도 또한 이용될 수 있다고 고려된다. 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 명세서에 개시된 본 개시물의 가능한 실시예들을 제한하는 것으로 의도되지는 않는다.
열 흡수성 코팅 층(202)의 총 두께 "D1"은 약 0.03㎜ 내지 약 0.1㎜, 예를 들어 약 0.05㎜ 내지 약 0.07㎜일 수 있다. 열 흡수성 코팅 층(202)의 표면 직경 "D2"는 약 200㎜ 내지 약 500㎜, 예를 들어 약 300㎜ 내지 약 400㎜일 수 있다. 일례에서, 열 흡수성 코팅 층(202)은 약 350㎜의 표면 직경을 갖는다. 열 흡수성 코팅 층(202)의 두께 및 표면 직경은 반사기(122)의 크기 및 응용에 따라 변할 수 있다.
반사기(122)의 저부 표면(118)(또는 열 복사에 노출되는 임의의 표면)을 열 흡수성 코팅 층(202)으로 코팅함으로써, 기판 및/또는 챔버 컴포넌트들로부터의 복사는 반사되기보다는 흡수될 수 있다. 반사기(122)에서의 복사의 흡수는 반사기(122) 내에 제공되는 광학적 고온계들(206)에 의해 수신되는 노이즈를 또한 감소시키는 것으로 여겨진다. 또한, 반사기(122) 상에 열 흡수성 코팅 층을 형성하는 것은 복사 손실을 증대시키고, 프로세스 챔버(100)의 더 빠른 냉각을 달성하는 데에 도움이 될 것이다.
반사기(122)는 복수의 광학적 고온계(206)를 포함할 수 있다. 광학적 고온계들(206)은 반사기(122)에 임베딩되고, 상부 돔(도시되지 않음, 예컨대 도 1의 상부 돔(128))을 통하여 기판 지지체 및 기판의 원하는 영역 상으로 하향 지향되는 초점 빔(207)을 방출하도록 구성될 수 있다. 광학적 고온계들(206)의 초점 빔(207)은 기판(108) 또는 기판 지지체(106)의 후면으로부터 방출된 복사를 감지함으로써 기판(108) 및/또는 기판 지지체(106)의 온도를 측정하도록 되어 있다. 다음에, 고온계 판독치는 기판 지지체 또는 기판의 표면 방사율(surface emissivity)에 기초하여 온도로 변환된다. 광학적 고온계들(206)은 어댑터 튜브(210) 내에 배치될 수 있다. 광학적 고온계들(206)의 위치는, 램프들(102)로부터의 최소 배경 복사가 광학적 고온계들(206)에 직접적으로 도달하도록 배열될 수 있다.
도 3a는 광학적 고온계들(206)의 가능한 배열을 도시하는 반사기(122)의 저부 플레이트(218)의 저부 사시도이다. 반사기(122)의 저부 표면(118)은 기판을 향하는 면이다. 저부 플레이트(218) 및 저부 플레이트(218) 상에 퇴적된 열 흡수성 코팅 층(202)의 일부를 통해 개구들이 형성된다. 개구(302)는 광학적 고온계들(206)의 예시적인 위치를 나타내고, 초점 빔이 통과하는 것을 허용하도록 크기가 정해진다. 일례에서, 개구(302)는 약 5㎜ 내지 약 20㎜의 직경, 예를 들어 약 10㎜ 내지 약 15㎜의 직경을 가질 수 있다. 도 3b는 반사기(122)의 저부 플레이트(218) 상에 배치된 최상부 플레이트(216)를 도시하는 반사기(122)의 상부 사시도이다. 저부 플레이트(218)는 최상부 플레이트(216)의 직경보다 상대적으로 더 큰 직경을 가질 수 있다. 저부 플레이트(218)는 약 350㎜ 내지 약 450㎜의 직경을 가질 수 있다. 일례에서, 저부 플레이트(218)는 약 360㎜ 내지 약 380㎜의 직경을 갖는다. 저부 플레이트(218)는, 최상부 플레이트(216)가 저부 플레이트(218) 상에서 저부 플레이트의 내측 둘레(217) 내에 배치되는 것을 허용하기 위해 대체로 컵 형상을 가질 수 있다. 최상부 플레이트(216) 및 저부 플레이트(218)는, 결합되면, 도 2a에서 더 잘 보여질 수 있는 냉각 채널들(208)과 같은 냉각 피쳐들 및 광학적 고온계들(206)의 수용을 위한 공간을 정의한다. 관련 기술분야의 통상의 기술자라면, 광학적 고온계들(206)의 위치는 예시를 위한 것일 뿐이며, 광학적 고온계들(206) 및 기판/기판 지지체의 구조적 관계에 따라 변할 수 있다는 것을 인식해야 한다. 추가로, 4개의 광학적 고온계(206)가 도시되어 있지만, 더 많거나 더 적은 광학적 고온계(206)가 고려된다.
반사기(122)는 챔버 컴포넌트들의 냉각을 위해 냉각 채널들(208)과 같은 하나 이상의 냉각 피쳐를 또한 구비할 수 있다. 냉각 채널들(208)은 반사기(122)의 내측 바디를 통하여 그리고 내측 바디 주위에서 물과 같은 냉각 유체를 순환시킨다. 냉각 유체는 유입구(210)를 통해 냉각 채널들(208)에 도입될 수 있고, 채널들(208)을 통해 순환되어 유출구(212)를 통해 배출된다. 냉각 채널들(208)은, 냉각 유체가 냉각 채널들 중 하나의 냉각 채널로부터 다른 냉각 채널로 유동되는 것을 허용하는 램프(ramp)(214)에 의해 접속될 수 있다. 냉각 채널들(208)은 반사기(122)의 일부 또는 전체 표면을 커버하는 임의의 원하는 패턴으로 반사기(122)의 면을 따라 수평으로 이어질 수 있다. 예를 들어, 냉각 채널들(208)은 사행 패턴(serpentine pattern) 등과 같은 대체로 구불구불한 기하형상(general sinuous geometry)을 가질 수 있다.
냉각 유체는 반사기(122) 또는 다른 챔버 컴포넌트(예컨대, 상부 돔(128) 또는 클램프 링(130))를 냉각시키기 위해 반사기(122)로부터 열을 흡수한다. 냉각 유체는 반사기(122)를 통해 역류 방식(countercurrent fashion)으로 유동할 수 있다. 냉각 채널들(208)은 약 10㎜ 내지 약 30㎜, 예를 들어 약 15㎜ 내지 약 20㎜의 높이 "H1"(도 2a)을 갖도록 형성될 수 있다. 냉각 채널들(208)의 패턴, 및 유입구(210) 및 유출구(212)의 배열은 예시를 위한 것이며, 열 프로세스 챔버의 구성에 따라 변할 수 있다고 고려된다.
요컨대, 본 개시물의 실시예들은 최상부 반사기를 열 흡수성 층으로 코팅함으로써 열 프로세스 챔버의 더 급속한 냉각 시간을 가능하게 한다. 그러므로, 기판 및/또는 챔버 컴포넌트들로부터의 열 복사의 대부분은 기판 또는 챔버 컴포넌트들 상에 다시 반사되기보다는 반사기에 의해 흡수될 수 있다. 최상부 반사기에서의 복사의 흡수는 반사기 내에 제공되는 광학적 고온계들에 의해 수신되는 노이즈를 또한 감소시킨다.
전술한 것은 본 개시물의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시물의 다른 실시예들 및 추가 실시예들은 그것의 기본 범위로부터 벗어나지 않고서 고안될 수 있으며, 그것의 범위는 이하의 청구항들에 의해 결정된다.
Claims (15)
- 열 처리 챔버에서 사용하기 위한 반사기로서,
바디 - 상기 바디는 최상부 표면, 상기 최상부 표면에 대향하는 저부 표면, 및 상기 바디에 형성된 냉각 채널을 가짐 -; 및
상기 저부 표면의 적어도 일부 위에 퇴적된 열 흡수성 층(heat absorptive layer) - 상기 열 흡수성 층은 폴리우레탄 재료를 포함하는 코팅 층을 포함함 -
을 포함하는 반사기. - 제1항에 있어서,
상기 열 흡수성 층은 1 마이크로미터 내지 4 마이크로미터의 파장에서 열 복사를 흡수하는, 반사기. - 제1항에 있어서,
상기 열 흡수성 층은 상기 코팅 층과 상기 저부 표면 사이에 배치된 프라이머 층을 더 포함하고, 상기 프라이머 층은 에폭시 재료를 포함하는, 반사기. - 제1항에 있어서,
상기 열 흡수성 층은 카본 또는 흑연을 포함하는, 반사기. - 제1항에 있어서,
상기 하나 이상의 냉각 채널은, 상기 바디의 적어도 일부를 커버하는 대체로 구불구불한 기하형상(general sinuous geometry)으로 배열되는, 반사기. - 제1항에 있어서,
상기 열 흡수성 층을 통과하여 초점 빔을 방출하도록 구성된 광학적 고온계를 더 포함하는 반사기. - 열 처리 챔버로서,
상부 돔;
상기 상부 돔에 대향하는 하부 돔 - 상기 상부 돔과 상기 하부 돔은 상기 처리 챔버의 내부 용적을 정의함 -;
상기 내부 용적 내에 배치된 기판 지지체; 및
상기 상부 돔 위에서 상기 상부 돔 부근에 위치된 반사기 - 상기 반사기는 상기 기판 지지체를 향하는 상기 반사기의 면 상에 퇴적된 열 흡수성 코팅 층을 가짐 -
를 포함하는 열 처리 챔버. - 제7항에 있어서,
상기 열 흡수성 코팅 층은 1 마이크로미터 내지 4 마이크로미터의 파장에서 열 복사를 흡수하는, 열 처리 챔버. - 제7항에 있어서,
상기 열 흡수성 코팅 층은,
에폭시 재료를 포함하는 프라이머 층; 및
폴리우레탄 재료를 포함하는 코팅 층
을 포함하는, 열 처리 챔버. - 제7항에 있어서,
상기 열 흡수성 코팅 층은 카본 또는 흑연을 포함하는, 열 처리 챔버. - 제7항에 있어서,
상기 열 흡수성 코팅 층은 약 0.03㎜ 내지 약 0.1㎜의 두께를 갖는, 열 처리 챔버. - 제7항에 있어서,
상기 반사기는 최상부 플레이트 및 저부 플레이트를 포함하고, 상기 저부 플레이트의 주변부는 상기 상부 돔을 고정하는 클램프 링에 의해 지지되는, 열 처리 챔버. - 제12항에 있어서,
상기 반사기는, 상기 최상부 플레이트와 상기 저부 플레이트 사이에 정의된 하나 이상의 냉각 채널을 더 갖는, 열 처리 챔버. - 제12항에 있어서,
상기 저부 플레이트는 약 350㎜ 내지 약 450㎜의 직경을 갖는, 열 처리 챔버. - 제14항에 있어서,
상기 기판 지지체의 기판 지지 표면에 평행하게 대체로 방사상 내측 방향으로 상기 기판 지지체의 상부 표면을 가로질러 프로세스 가스를 지향시키도록 구성된 프로세스 가스 유입구를 더 포함하는 열 처리 챔버.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201361838133P | 2013-06-21 | 2013-06-21 | |
| US61/838,133 | 2013-06-21 | ||
| US14/258,410 US9832816B2 (en) | 2013-06-21 | 2014-04-22 | Absorbing reflector for semiconductor processing chamber |
| US14/258,410 | 2014-04-22 | ||
| PCT/US2014/035172 WO2014204579A1 (en) | 2013-06-21 | 2014-04-23 | Absorbing reflector for semiconductor processing chamber |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160024378A true KR20160024378A (ko) | 2016-03-04 |
Family
ID=52105082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020167001523A KR20160024378A (ko) | 2013-06-21 | 2014-04-23 | 반도체 처리 챔버를 위한 흡수성 반사기 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9832816B2 (ko) |
| KR (1) | KR20160024378A (ko) |
| CN (3) | CN105679666B (ko) |
| TW (2) | TWI663285B (ko) |
| WO (1) | WO2014204579A1 (ko) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9832816B2 (en) * | 2013-06-21 | 2017-11-28 | Applied Materials, Inc. | Absorbing reflector for semiconductor processing chamber |
| WO2016133640A1 (en) * | 2015-02-17 | 2016-08-25 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for adjustable light source |
| KR102323363B1 (ko) * | 2015-06-05 | 2021-11-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판 온도 불균일성을 감소시키기 위한 개선된 장치 |
| US10727094B2 (en) * | 2016-01-29 | 2020-07-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Thermal reflector device for semiconductor fabrication tool |
| CN107641796B (zh) * | 2016-07-21 | 2020-10-02 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 制程设备及化学气相沉积制程 |
| US11201036B2 (en) * | 2017-06-09 | 2021-12-14 | Beijing E-Town Semiconductor Technology Co., Ltd | Plasma strip tool with uniformity control |
| US11032945B2 (en) | 2019-07-12 | 2021-06-08 | Applied Materials, Inc. | Heat shield assembly for an epitaxy chamber |
| US11828656B2 (en) | 2020-11-20 | 2023-11-28 | Applied Materials, Inc. | Reflector plate for substrate processing |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5861609A (en) * | 1995-10-02 | 1999-01-19 | Kaltenbrunner; Guenter | Method and apparatus for rapid thermal processing |
| US6490144B1 (en) | 1999-11-29 | 2002-12-03 | Applied Materials, Inc. | Support for supporting a substrate in a process chamber |
| US6259062B1 (en) | 1999-12-03 | 2001-07-10 | Asm America, Inc. | Process chamber cooling |
| US6802906B2 (en) | 2000-07-21 | 2004-10-12 | Applied Materials, Inc. | Emissivity-change-free pumping plate kit in a single wafer chamber |
| JP4698807B2 (ja) | 2000-09-26 | 2011-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体基板熱処理装置 |
| US6594446B2 (en) * | 2000-12-04 | 2003-07-15 | Vortek Industries Ltd. | Heat-treating methods and systems |
| JP2003323971A (ja) | 2002-05-07 | 2003-11-14 | Thermo Riko:Kk | 超高温・超高速・均一加熱装置 |
| US6939610B1 (en) * | 2002-07-31 | 2005-09-06 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Thermal insulating coating for spacecrafts |
| US6839507B2 (en) | 2002-10-07 | 2005-01-04 | Applied Materials, Inc. | Black reflector plate |
| US7115837B2 (en) * | 2003-07-28 | 2006-10-03 | Mattson Technology, Inc. | Selective reflectivity process chamber with customized wavelength response and method |
| KR20050064986A (ko) | 2003-12-24 | 2005-06-29 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마를 이용하는 반도체 제조설비 |
| US7378618B1 (en) | 2006-12-14 | 2008-05-27 | Applied Materials, Inc. | Rapid conductive cooling using a secondary process plane |
| KR20090071060A (ko) | 2007-12-27 | 2009-07-01 | 주성엔지니어링(주) | 정전척 및 그를 포함하는 기판처리장치 |
| US8314368B2 (en) | 2008-02-22 | 2012-11-20 | Applied Materials, Inc. | Silver reflectors for semiconductor processing chambers |
| US8294068B2 (en) * | 2008-09-10 | 2012-10-23 | Applied Materials, Inc. | Rapid thermal processing lamphead with improved cooling |
| US9640412B2 (en) * | 2009-11-20 | 2017-05-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for enhancing the cool down of radiatively heated substrates |
| US9449858B2 (en) | 2010-08-09 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Transparent reflector plate for rapid thermal processing chamber |
| CN102878698A (zh) * | 2011-07-12 | 2013-01-16 | 杨志勇 | 石墨太阳能吸热涂层 |
| US9832816B2 (en) * | 2013-06-21 | 2017-11-28 | Applied Materials, Inc. | Absorbing reflector for semiconductor processing chamber |
-
2014
- 2014-04-22 US US14/258,410 patent/US9832816B2/en active Active
- 2014-04-23 CN CN201610052005.8A patent/CN105679666B/zh active Active
- 2014-04-23 CN CN201480032503.5A patent/CN105393339B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-04-23 KR KR1020167001523A patent/KR20160024378A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-04-23 WO PCT/US2014/035172 patent/WO2014204579A1/en active Application Filing
- 2014-04-23 CN CN201710619907.XA patent/CN107546156A/zh active Pending
- 2014-04-28 TW TW107108754A patent/TWI663285B/zh active
- 2014-04-28 TW TW103115198A patent/TWI632249B/zh not_active IP Right Cessation
-
2017
- 2017-11-28 US US15/824,489 patent/US10306708B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2014204579A1 (en) | 2014-12-24 |
| TWI663285B (zh) | 2019-06-21 |
| US20140376898A1 (en) | 2014-12-25 |
| US10306708B2 (en) | 2019-05-28 |
| CN105679666A (zh) | 2016-06-15 |
| TW201833381A (zh) | 2018-09-16 |
| CN105393339A (zh) | 2016-03-09 |
| TW201500576A (zh) | 2015-01-01 |
| US9832816B2 (en) | 2017-11-28 |
| CN107546156A (zh) | 2018-01-05 |
| TWI632249B (zh) | 2018-08-11 |
| CN105393339B (zh) | 2018-09-14 |
| US20180084610A1 (en) | 2018-03-22 |
| CN105679666B (zh) | 2019-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10306708B2 (en) | Absorbing reflector for semiconductor processing chamber | |
| US10170342B2 (en) | Flow controlled liner having spatially distributed gas passages | |
| US10119192B2 (en) | EPI base ring | |
| US9768043B2 (en) | Quartz upper and lower domes | |
| US9842753B2 (en) | Absorbing lamphead face | |
| KR20170038856A (ko) | 열 챔버 응용들 및 열 프로세스들을 위한 광 파이프 어레이들 | |
| TWI654673B (zh) | 反射性襯墊 | |
| WO2014176174A1 (en) | Absorbing lamphead face |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |