JP5051660B2 - ガスセンサ素子及びガスセンサ - Google Patents
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Description
又、上記した酸素センサとして、被測定ガス側の検知電極を覆う触媒層を設ける技術が知られている(特許文献1〜3参照)。この触媒層は、アルミナやチタニア等の多孔質層に貴金属粒子を担持させ、被測定ガス中の未燃ガス(H2、NOx、HC等)を検知電極に到達する前に燃焼させて測定への影響を防止し、検知精度を向上させ、いわゆるλ(λ:空気過剰率)ポイントのずれを低減するものである。
そこで、本発明は、触媒層内に貴金属粒子を均一に分散させて担持することなく、被測定ガス中の未燃ガスを良好に燃焼すると共に、センサの応答速度の低下を抑制することができるガスセンサ素子及びガスセンサの提供を目的とする。
このように、貴金属粒子を多孔質層内に均一に分散させるのではなく、粒子分散層の表層領域のみに貴金属粒子を配置させることで、貴金属粒子による酸素の吸着や放出の影響を殆ど受けることなく、粒子分散層の内部領域に導入することとなり、ガスセンサの応答速度の低下を抑制できる。その上、粒子分散層に貴金属粒子が配置されているので、被測定ガス中の未燃ガスを良好に燃焼させることもできる。
さらに、貴金属粒子を粒子分散層の表層領域のみに分散して配置させているので、外部から粒子分散層の表層領域に導入された被測定ガスが、表層領域においても貴金属粒子による酸素の吸着や放出の影響を受けにくく粒子分散層の内部領域に導入することとなり、ガスセンサの応答速度の低下を抑制できる。
また、「多孔質層」は、外部から前記第1電極及び前記第2電極の少なくともいずれか一方の電極へ向かって導入される被測定ガスが通過するように、外部と前記一方の電極との間に介在すればよく、被測定ガスに曝される電極を直接、または間接的に覆う構成であっても良いし、被測定ガスに曝される電極が露出するように設けられたガス導入路を閉塞するように配置される構成であっても良い。また、多孔質層は単層であっても良いし、複数層であってもよい。
また、「貴金属粒子が分散して配置されている」とは、粒子分散層のみ視認したときに、粒子分散層の形成材料が露出するように貴金属粒子が分散して配置されていれば良く、貴金属粒子は単粒子で配置されていても良いし、複数の結合粒子で配置されていても良い。
このような構成とすると、被測定ガス中の未燃ガスを効率よく燃焼させることができる。
このような構成とすると、粒子分散層の表層領域のみに貴金属粒子の各々が分散された状態を容易に形成することができる。
ガスセンサ素子には、未燃ガスを燃焼させる貴金属粒子を配置する粒子分散層として多孔質層を必要とする以外に、ガスセンサ素子が被水した場合に、ガスセンサ素子に直接水がかかるのを防止する耐被水層や、ガスセンサ素子内部に被測定ガスを導入する際に、導入される被測定ガスを制御するための拡散律速層や、電極を保護する保護層として多孔質層を必要とする場合がある。この場合においても、このように貴金属粒子を配置する粒子分散層と、その他の役割を果たす粒子非分散層とを区切って設けることで、それぞれの役割を充分に果たすことができる。
このような構成とすると、貴金属粒子を配置させる粒子分散層の表層領域を分けて配置できるので、個々の表層領域の厚みを薄くすることができ、さらに応答性が低下することを防止できる。また、貴金属粒子担持量の総量を多くすることができ、長期使用による貴金属粒子の消耗を抑制し、耐久性を向上させることができる。
図1は、本発明の第1実施形態に係るガスセンサ(酸素センサ)1の長手方向に沿う断面図を示す。なお、図1の下側を「先端」側と称し、上側を「後端」側と称する。
ガスセンサ1は、酸素濃度を検出するガスセンサ素子10を組み付けたアッセンブリである。ガスセンサ1は、軸線方向に延びる板状のガスセンサ素子10と、排気管に固定されるためのねじ部24が外表面に形成された円筒状の主体金具2と、ガスセンサ素子10の挿通孔31を有し主体金具2内側に配置される円筒状のセラミックスリーブ30と、ガスセンサ素子10の後端に設けられる電極端子120a、120b、140a、140bに接続される端子金具60の挿通孔を有する円筒状のアルミナ製セパレータ50と、セパレータ50の後端に配置され端子金具60に接続された4本(2本のみ図示)のリード線68の挿通孔を有する円筒状のフッ素ゴム製グロメット77と、セパレータ50及びグロメット77を外側から保持し主体金具2後端に接続される円筒状のステンレス製外筒80とを備えている。
主体金具2の貫通孔25の内部には、ガスセンサ素子10の径方向周囲を取り囲む環状のセラミックホルダ21、粉末充填層(滑石リング)22、23、および上述のセラミックスリーブ30がこの順に先端側から後端側にかけて積層されている。また、セラミックスリーブ30と主体金具2の後端部との間には、加締めパッキン8が配置されており、セラミックホルダ21と主体金具2の棚部9との間には、滑石リング22,23やセラミックホルダ21を保持し、気密性を維持するための金属ホルダ20が配置されている。なお、主体金具2の後端部は、加締めパッキン8を介してセラミックスリーブ30を先端側に押し付けるように加締められて、加締め部7を形成している。
加締めにより滑石リング22,23が圧縮され、ガスセンサ素子10が主体金具2内の所定位置に固定される。
又、セパレータ50と外筒80との間には略円筒状の金属製の保持金具70が介装されている。保持金具70の外周面の中段には内側に向かって張り出す突設部72が形成され、保持金具70の後端は内側に折り返されて折り返し部73が形成されている。そして、突設部72と折り返し部73がセパレータ50の外周面に弾性的に接するため、ガスセンサ1に衝撃が加わってもセパレータ50へ直接衝撃が伝わらないようになっている。
酸素濃淡電池12は、固体電解質層111と、固体電解質層111の上面左側に設けられた矩形の検知電極部(特許請求の範囲の第1電極に相当)131と、固体電解質層111を介して検知電極131に対向し対極となる基準電極(特許請求の範囲の第2電極に相当)132とを備える。さらに、検知電極131から長手方向右側へ向かって検知リード部133が延び、同様に基準電極132から長手方向右側へ向かって基準リード部134が延びている。
そして、検知電極131の表面には検知電極131を保護する多孔質保護層155が被覆され、さらに、多孔質保護層155を取り囲むと共に固体電解質層111の上に、リード部133を保護する絶縁層51が形成されている。なお、ガスセンサ素子10の先端に位置し、検知電極131や基準電極132を含む積層体を、検知部11と称する。
又、基準リード部134の端部は固体電解質層111に形成されたスルーホール115、及び絶縁層51に形成されたスルーホール117を介して絶縁層51の上面右端に配置された電極端子120bと電気的に接続されている。一方、検知リード部133の端部は、絶縁層51に形成されたスルーホール116を介して絶縁層51の上面右端に配置された電極端子120aと電気的に接続されている。
多孔質保護層155は、例えば、アルミナを主体とし、カーボン等の昇華材を混合した材料を用いることができる。なお、このカーボンは、焼成することで昇華し、多孔質保護層155が形成される。なお、第1実施形態における多孔質保護層155は特許請求の範囲の「粒子非分散層」に相当する。
なお、この実施形態では、基準電極132内に基準ガスを貯めるが、その代わりに、基準電極132と絶縁層122の間に大気導入のための空間(大気導入孔)を設けてもよい。
そして、粒子分散層160の表層領域16には、貴金属粒子が分散した状態で配置されている。この表層領域16は、粒子分散層160の表面全体に亘って形成されている。貴金属粒子は、測定ガス中の未燃ガス(H2、NOx、HC等)を検知電極に到達する前に燃焼させる触媒機能を有し、ガスセンサの検知精度を向上させ、いわゆるλポイントのずれを低減する。
さらに、貴金属粒子を粒子分散層160の表層領域16のみに分散して配置させているので、外部から粒子分散層160の表層領域16に導入された被測定ガスが、表層領域16においても貴金属粒子による酸素の吸着や放出の影響を受にくく粒子分散層160の内部領域に導入しやすくなり、ガスセンサ1の応答速度の低下を抑制できる。
多孔質層160の表層領域16のみに貴金属粒子を分散させて配置する方法としては、例えばスパッタリング、PVD、又は印刷法が挙げられる。
スパッタリングの場合、ターゲットに用いる貴金属が原子となって飛翔し、高い直進性をもって多孔質層160表面に衝突するので、多孔質層160の表層領域16にのみ付着する。
PVD(物理蒸着)の場合も、貴金属粒子が指向性を持つので、多孔質層160の表層領域16にのみ貴金属粒子が付着する。
印刷法の場合、貴金属粒子をバインダーと混合したペーストを多孔質層160表面に塗布するため、多孔質層160の表層領域16にのみ貴金属粒子が付着する。
図4は、粒子分散層160における表層領域16を示す(図4(a))。粒子分散層160の最表面は凹凸を有し、それぞれ、厚み方向に高さが異なるa〜d点で最表面を構成している。この場合、最も凸となるc点の高さh1と、最も凹部となるd点の高さh2とを結ぶ厚み方向の領域Rが表層領域16となる。
さらに、スパッタ法により粒子分散層160の表層領域16のみに貴金属粒子が分散する状態で配置される模式的に図4(b)に示す。図4(b)に示すように、スパッタリングにより粒子分散層160に垂直に飛翔した貴金属粒子は、粒子分散層160の網目構造の表面又は表面よりやや内部(但し、粒子分散層160の仮想最表面上)の網目で粒子分散層160に衝突して付着し、粒子分散層160の内部まで入り込むことがない。つまり、例えば、粒子分散層160のみを目視した際に見えている最表面(凹凸部も含む)に対して、貴金属粒子が付着している。
第2実施形態に係るガスセンサにおいて、粒子分散層160Bは、第1粒子分散層1660と第2粒子分散層1661とをこの順に積層してなる。そして、第1粒子分散層1660の表層領域16xにのみ貴金属粒子を分散させて配置すると共に、第2粒子分散層1661の表層領域16yにのみ貴金属粒子を分散させて配置する。第2実施形態における表層領域16x、16yに配置される貴金属粒子の種類は第1実施形態と同様である。
粒子分散層160Bの製造方法は、例えば以下のようにして行うことができる。まずスプレー噴射等によりガスセンサ素子10B上に第1粒子分散層1660を形成し、熱処理後に、第1粒子分散層1660の表層領域16xにスパッタリング等によって貴金属粒子を分散させて配置させる。次に、スプレー噴射等により表層領域16x上に第2粒子分散層1661を形成し、熱処理後に、その表層領域16yにスパッタリング等によって貴金属粒子を分散させて配置し、粒子分散層160Bを製造する。
第3実施形態に係るガスセンサにおいては、粒子分散層160Cの表層領域16zに貴金属粒子を分散させて配置するだけでなく、多孔質保護層155Cの表層領域15xにも貴金属粒子が分散されて配置されている。なお、粒子分散層160C、多孔質保護層155Cの構成材料は、それぞれ第1実施形態の粒子分散層160、多孔質保護層155と同一である。
第3実施形態における表層領域16z、15xに配置される貴金属粒子の種類は第1実施形態と同様である。
例えば、酸素センサとしては、センサ素子の一方に電極が露出し、センサ素子内部の大気導入室に他の電極が面した酸素センサを用いることができる。
図7において、全領域空燃比センサを構成するガスセンサ素子10Dは、排気ガスが流入するガス検出室325の上下に、それぞれ酸素ポンプセルと酸素濃淡電池セルが面して構成されている。そして、酸素ポンプセルは固体電解質層311と、固体電解質層311の表面に形成されたガス検出室側電極332と、ガス検出室側電極332の対極331とを備え、ガス検出室325に酸素を汲み出し及び汲み入れを行っている。又、酸素濃淡電池セルは固体電解質層312と、固体電解質層312の表面に形成されたガス検出室側の検知電極333と、検知電極の対極であり酸素基準となる基準電極334とを有し、λ=1近傍でこのセルの起電力が急峻に変化する通常の酸素センサの機能を有する。さらに、酸素ポンプセルと酸素濃淡電池セルとの間には、ガス検出室325に導入される被測定ガスの流入量を調節し、ガス検出室325を画成する拡散律速層324が配置されている。
また、酸素濃淡電池セルの基準電極334側の固体電解質層312の下面には、2つの絶縁層322、323が隣接して積層され、絶縁層322、323の間には長手方向に延びる発熱抵抗体321からなるヒータが介装されている。また、酸素ポンプセルの対極331側の固体電解質層311の上面には、対極331を覆う保護層355と、保護層355を囲む絶縁層351がそれぞれ積層されている。そして、この酸素ポンプセル、酸素濃淡電池セル、ヒータ等(の表面及び積層面の全面)を覆うように粒子分散層360が形成されている。この粒子分散層360は、第1実施形態と同様に、耐被水層としての役割を果たすと共に、その表面領域36には貴金属粒子が分散した状態で配置されている。
実施例1:上記第1実施形態に係るガスセンサ素子10を作製した。粒子分散層160は、MgO・Al
2 O 3 スピネルをガスセンサ素子10の先端(検知部11)にスプレー噴射して厚さ400μmとなるように形成し、熱処理を行って形成した。その後、粒子分散層160の表層領域16に、Ptをターゲットとし、窒素ガスを用いて、後述する図8に示す所定時間のスパッタリングを行い、Pt粒子を分散する状態で配置した。スパッタリング後、ガスセンサ素子10を大気雰囲気で700〜800℃、10〜60分間焼成し、その後、主体金具2等を組み立ててガスセンサ1を作成した。
図8のうち、○は、スパッタ時間と白金(Pt)付着量との関係を示す。例えば、スパッタ時間が1分間の場合、ガスセンサ素子10の1本あたりに配置されるPt付着量は約0.025mg、スパッタ時間が5分の場合、Pt付着量は約0.04mg、スパッタ時間が10分間の場合、Pt付着量は約0.17mgであった。
なお、この実施例1の粒子分散層160の断面をSEMで見たとき、Ptが表層領域16に分散された状態で配置されていた。
上記図8のうち、●は、含浸時間と白金(Pt)付着量との関係を示す。例えば、塩化白金酸水溶液の濃度が0.001g/Lの場合、素子1本あたりに配置されるPt付着量は、約0.004mg、塩化白金酸水溶液の濃度が0.01g/Lの場合、Pt付着量は約0.006mg、塩化白金酸水溶液の濃度が0.1g/Lの場合、Pt付着量は約0.011mg、塩化白金酸水溶液の濃度が1g/Lの場合、Pt付着量は約0.04mgであった。なお、この比較例1の多孔質層をSEMで見たときに、多孔質層内部領域にもPtが担持されていた(図9の模式図に相当)。
これに対し、図12は、実施例1の酸素センサを用いたときの応答速度を示す。その結果、例えば、スパッタ時間1分間(Pt付着量は、約0.025mg)でスパッタした時の応答速度は約695msec、スパッタ時間10分間(Pt付着量は、約0.17mg)でスパッタした時の応答速度は約694msecであった。そして、スパッタ時間5分(Pt担持量は、約0.04mg)でスパッタした時の応答速度を内挿法により求めたところ、695msecとなった。なお、各応答速度は、3点のデータの平均値とした。
実施例2:上記第2実施形態に係るガスセンサ素子10Bを作製した。粒子分散層160Bは以下のように形成した。まずMgO・Al2O3スピネルをガスセンサ素子10Bの先端にスプレー噴射して厚さ200μmとなる第1粒子分散層1660を形成し、熱処理を行った。その後、第1粒子分散層1660の表層領域16xに、Ptをターゲットとし、窒素ガスを用いてスパッタリングを行い、Pt粒子を分散した状態で配置した。次に、表層領域16xの上に、第1粒子分散層1660と同一厚みで同一材質の第2粒子分散層1661をスプレー噴射にて形成し、熱処理を行った。その後、第2粒子分散層1661の表層領域16Yに、スパッタリングにより、Pt粒子を分散した状態に配置した。
スパッタリング後、ガスセンサ素子10Bを大気雰囲気で700〜800℃、10〜60分間焼成し、その後、主体金具等を組み立ててガスセンサ1を作製した。
なお、実施例2においては、各表層領域16x、16yにPtをスパッタリングする際のスパッタ時間を2.5分とし、各表層領域16x、16y当りのPt付着量をそれぞれ約0.02mgとすることで、粒子分散層160BのPt付着量の総量を、実施例1の白金付着量約0.04mg(スパッタ時間が5分)の酸素センサと同一に揃えた。
測定は、λの異なるガスを導入してから2分経過後から50秒間センサ出力を測定して行った。
図13に示すように、実施例1及び2の酸素センサを用いた場合、参考例(実施例1において、多孔質層にPt粒子を配置させなかったもの)に比べ、出力の急変する位置が理論空燃比(λ=1)に近く、触媒能が高いことが判明した。これは、出力の急変位置がλ=1に近いほど、モデルガス(未燃ガス)中の還元性ガスが検知電極到達前に燃焼し、測定への影響が低減したためと考えられる。
さらに、実施例1に比べて、実施例2のガスセンサ1では、出力の急変する位置が理論空燃比(λ=1)にさらに近く、触媒能がより一層高いことが判明した。
10、10B〜10D ガスセンサ素子
111、311、312 固体電解質層
131、331、332、333 第1電極
132 第2電極
155c 多孔質保護層
160、160B、160C、360 粒子分散層
15x、16、16x、16y、16C、36 (貴金属が配置された)表層領域
Claims (8)
- 固体電解質層上に設けられる第1電極と、前記第1電極の対極となると共に前記固体電解質層上に設けられる第2電極と、外部から前記第1電極及び前記第2電極の少なくともいずれか一方の電極へ向かって導入される被測定ガスが通過するように、前記外部と前記一方の電極との間に介在する少なくとも1つ以上の多孔質層とを有し、前記被測定ガス中の特定ガスを検出するガスセンサ素子であって、
少なくとも1つの前記多孔質層は、自身の露出する最表面のうち、最も凸となる点と、最も凹部となる点との間の厚み方向の領域である表層領域のみに貴金属粒子が分散して配置されている粒子分散層であるガスセンサ素子。 - 前記貴金属粒子がPt、Pd、Rh及びRuの群から選ばれる1種以上である請求項1記載のガスセンサ素子。
- 前記貴金属粒子は、スパッタリング、PVD、又は印刷法によって前記粒子分散層の表層領域のみに分散して配置されている請求項1又は2記載のガスセンサ素子。
- 少なくとも1つの前記多孔質層は、前記貴金属粒子が配置されていない粒子非分散層であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のガスセンサ素子。
- 前記粒子非分散層は、前記粒子分散層よりも前記一方の電極側に配置される請求項4記載のガスセンサ素子。
- 前記粒子分散層が複数配置される請求項1〜5のいずれかに記載のガスセンサ素子。
- 前記外部側に設けられる前記粒子分散層の前記貴金属粒子のほうが、前記一方の電極側に設けられる前記粒子分散層の前記貴金属粒子よりも配置量が多い請求項6記載のガスセンサ素子。
- 軸線方向に延びる板状形状をなし、先端側が被測定ガスに曝されるガスセンサ素子と、
該ガスセンサ素子の先端側を突出させつつ、当該ガスセンサ素子を保持する主体金具を有するガスセンサであって、前記ガスセンサ素子が請求項1〜7のいずれかに記載のガスセンサ素子であるガスセンサ。
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