JP5047622B2 - 合わせられた温度の均一性 - Google Patents
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Description
[0001]本発明は、一般的に、半導体処理分野に関し、より具体的には、半導体デバイスの製造過程における熱アニールに関する。
[0002]急速加熱処理(RTP)は、半導体製作過程におけるウエハをアニールする処理である。この処理過程では、室温以上の900℃を超える最大温度に制御した環境でウエハを急速に加熱するために、熱放射線が使用される。この最大温度は、その処理によって、1秒未満から数分までの特定時間にわたって維持される。その後、ウエハを更に処理するために、室温に冷却する。熱放射源としては、高強度のタングステンまたはハロゲンランプが広く使用される。加熱したサセプタにウエハを導電結合することによって追加熱を提供する。
[0007]本発明の上記特徴部を詳細に理解することができるように、上記簡単に要約した発明のより具体的な説明について、その一部を添付した図面に示す実施形態を参照して説明する。しかし、添付図面は、本発明の通常的な実施形態だけを示すもので、発明の範囲を限定するものではなく、その他の同等の効果を有する実施形態を許容することができることに注意されたい。
[0026]下記実験式は、基板の中心およびエッジにおける熱質量および放射率がどのように関連付けられるかを示す。
式中、
Tmaer=エッジリングに対して、ランプと対面する面積当たり熱質量、
tmaw=基板に対して、ランプと対面する面積当たり熱質量、
εer=エッジリングの放射率、
εw=ランプに対面する側の基板の放射率、
R=最適の割合。例えば、図3A〜図3Cに示すリングなどのエッジリングについて、200mm径の基板システムに対して〜1.13、また300mm径の基板システムに対して〜1.15である。
[0030]一実施形態において、市販のBridgestoneのフレーム溶射工程によって処理するなどの、平衡に押圧焼結されたシリコンカーバイドから生産された低密度のエッジリングを使用することによって、基板の温度プロファイルは変化することもできる。改善した熱安定性のために、エッジリングを予備酸化することもできる。また、リングの半径を横切ってリング厚さを変えることは、チャンバおよび基板の変化を補償する不均一抵抗性をもたらす。例えば、低密度のエッジリングの薄い部分は、より速い熱伝逹を有する。したがって、エッジリングは、抵抗性を制御するために、コーティングする必要はないが、エッジリングを横切って抵抗性を更に制御するためには多様なコーティングを適用することができる。
[0031]上記の同じ式によって、熱容量および放射線プロファイルがエッジリングに対する構成材料およびコーティングの選択にどのように影響を与えるかについて示す。エッジリングの放射率が変化するとき、方程式の他の成分が影響を受けることもできる。
[0032]従来のエッジリングは、赤外線センサに透過するエッジリングから得られたシリコンコーティングを有するCVD成長カーバイドを使用している。リングがチャンバの熱を反射することができないときに生じ得る透過性問題を避けるために、窒素を含有する加圧焼結されたシリコンカーバイドから構成される低密度のエッジリングを使用することがより望ましい。多孔質エッジリングは、フレーム溶射工程における非金属焼結助剤およびシリコンカーバイドの粉末の混合物を焼結することによって得られる。この材料は、密度がより均一であるため、より均一な熱伝逹を提供することができ、その材料から逃げる窒素がカーバイドから逃げるガスより工程に低有害であり、光の透過がより好ましい。
[0033]更に、チャンバ内の温度勾配を合わせるために、エッジリングにコーティングを使用することもできる。窒化物またはグラファイトコーティングを追加することによって、放射率を増加させることができる。チャンバ内の冷却を向上するように反射を増加させるため、ポリシリコンなどの他のコーティングを使用することもできる。コーティングの厚さを変えることによって、エッジリングの反射率に影響を与えることもできる。コーティングは、基板が回転しない場合、チャンバの熱伝逹プロファイルに、より著しく影響を与えることもできる。
[0034]ウエハまたはエッジリングに放出したパージガス噴出口は、限られた冷却をもたらすこともできる。噴出口の数および位置、ガスの性質、およびガスの速度は、冷却の程度および量に対して調整することができる。各噴出口の速度および組成は、必要に応じて個別にプログラム化することができる。放射状のガス流および組成を変化させることによって、温度の放射状の勾配を作成することができる。
[0035]ウエハ温度プロファイルの制御は、アルミニウム、アルミニウム酸化物、またはその他の材料で反射面22を選択的にコーティングすることによって改善することができる。温度プロファイルを合わせるために、孔、または反射器で切断した他の形状を有する反射面22の表面積を変化させるか、または反射板の表面にテープまたはボルトを追加することができる。更に、ウエハ温度プロファイルをより改善するために、反射板に凹凸をつけるなどの幾何学的な近似法を単独、またはコーティングと組み合わせて使用することができる。
[0036]普通、UVランプ16および反射器22は、ウエハ上に比較的に均一な発光を生成するようにデザインされる。この発光分布は、オフセット温度を意図的に変化させることによって、放射状対称により任意に調整されることができる。ランプを中心からずらして置くことは、熱分布およびウエハ冷却に関して、良好な対流という点で望ましい。また、より高い温度が望ましいウエハに対する放射状位置は、より高電力のランプから構成される対応するランプ位置を有する一方、隣接するより冷たい位置は、より低電力のランプから構成されることができ、一部位置では、ランプを除去することができる。増加した温度勾配が求められる場合には、反射時に、より狭いビームを生成する反射器を使用して、1つの制御区域から他の区域への放射線の拡散を減少させることができる。
[0038]反射器は、回転したウエハに均一に反射するために、条件によって六角形に配列することもできる。また、ランプのバンクの中間ランプは、空間制限のため、他のランプのようにその後ろに同一の反射器パターンを持たない。
[0040]ウエハ反射板分離の限られた変化は、導電性冷却機構を調整するのに有用である。ウエハ反射板分離を変化させることによって、黒体の有効性を改善することができる。黒体の有効性を調整することによって、温度測定を改善することもできる。視野角を調整することによって、ガスが反射板を通じて入る角度が冷却を更に改善することができる。
[0041]ウエハと反射板との間の媒体の熱伝導性を変化させることによって、チャンバ内の温度プロファイルを合わせることを更に補助することができる。領域内のガス出口の位置を変化させることができる。ガス流の速度を変化させることができる。また、その伝導性および分子量に基づいてガスを選択することによって、ガスの伝導性を改善することができる。追加的に、異なるガス濃度は、冷却制御を改善するのに使用されることもできる。例えば、反射面の異なる部分において、100%Xe、50%Xeおよび50%He、および100%Heの出口が好ましい。最後に、不均一なガス分布のために、出口および入口を変形させることもできる。
[0042]乱流を強化するために、エッジリング上に突起を配置することによって、チャンバの温度プロファイルを合わせることを補助することができる。
Claims (20)
- 処理中のチャンバ内でウエハ温度分布を改善する熱伝逹プロファイルを得るための方法であって、
ウエハの熱吸収特性を評価するステップと、
前記チャンバの物理的特徴を調整することにより、前記評価されたウエハの熱吸収特性を基に、前記チャンバ内で不均一な温度勾配を取得するステップと、
前記チャンバを利用してウエハ処理を行うステップと、
を備える方法。 - 前記不均一な温度勾配がまた、ウエハを支持するエッジリングの熱質量を変化させることによって取得され、前記エッジリングの熱質量は前記エッジリングの厚さまたは密度のうち少なくとも1つを変更することにより変化させる、請求項1に記載の方法。
- 前記不均一な温度勾配がまた、窒素を含有する加圧焼結されたシリコンカーバイドから構成されるエッジリングを利用することによって取得される、請求項1に記載の方法。
- 前記不均一な温度勾配がまた、基板厚さに対するエッジリング厚さの割合が1.14〜1.30であるエッジリングを利用することによって取得される、請求項1に記載の方法。
- 前記不均一な温度勾配がまた、反射面の開口の配置を変化させることによって取得される、請求項1に記載の方法。
- 前記不均一な温度勾配がまた、チャンバ内のランプに供給される電力を変えることによって取得される、請求項1に記載の方法。
- 処理中のチャンバ内でウエハ温度分布を改善する熱伝逹プロファイルを得るための方法であって、
前記チャンバの熱伝逹特性を評価するステップと、
前記熱伝達特性を補正するためにエッジリングの物理的特徴を調整することにより、評価されたウエハの熱吸収特性を基に、前記チャンバ内で不均一な温度勾配を取得するステップと、
前記チャンバを利用してウエハ処理を行うステップと、
を備える方法。 - 前記熱伝逹特性がまた、前記エッジリングの熱質量を変えることによって補正され、前記エッジリングの熱質量は前記エッジリングの厚さまたは密度のうち少なくとも1つを変更することにより変化させる、請求項7に記載の方法。
- 前記エッジリングが、窒素を含有する加圧焼結されたシリコンカーバイドから構成される、請求項7に記載の方法。
- 前記エッジリングが、基板厚さに対するエッジリング厚さの割合が1.14〜1.30である、請求項7に記載の方法。
- 前記熱伝逹特性がまた、反射面の開口の配置を変化させることによって補正される、請求項7に記載の方法。
- 前記熱伝逹特性がまた、チャンバ内のランプに供給される電力を変えることによって補正される、請求項7に記載の方法。
- 前記エッジリングの物理的特性を調整するステップが、熱伝逹特性を変形させてウエハエッジ近傍の温度低下を1℃未満に減らす、請求項7に記載の方法。
- 処理中のチャンバ内でウエハ温度分布を改善する熱伝逹プロファイルを得るための方法であって、
前記チャンバの物理的特徴を調整するステップにより、評価されたウエハの熱吸収特性を基に、前記チャンバ内で不均一な温度勾配を取得するステップを備え、
前記チャンバの物理的特徴を調整する前記ステップが、
前記チャンバの内または外へのガス流の位置、体積、含有量、または圧力を調整するステップと、
前記チャンバ内の反射面の反射率を調整するステップと、
エッジリングの回転速度を調整するステップと、
エッジリングの熱質量を調整するステップと、
のいずれかを備え、
前記エッジリングの熱質量は前記エッジリングの厚さまたは密度のうち少なくとも1つを変更することにより変化させる、
方法。 - 望ましい温度プロファイルを得るために、前記チャンバ内のランプの構成材料または位置およびランプ電力を調整するステップを更に備える、請求項14に記載の方法。
- 前記エッジリングが、窒素を含有する加圧焼結されたシリコンカーバイドから構成される、請求項14に記載の方法。
- 前記エッジリングが、基板厚さに対するエッジリング厚さの割合が1.14〜1.30である、請求項14に記載の方法。
- 前記反射面の反射率が反射面の開口の配置を変化させることによって調整される、請求項14に記載の方法。
- 前記チャンバ内のランプに供給される電力を変えるステップを更に備える、請求項14に記載の方法。
- 前記チャンバが、ウエハエッジ近傍の温度低下を1℃未満に減らすことによって調整される、請求項14に記載の方法。
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JP2008243937A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US7921803B2 (en) * | 2007-09-21 | 2011-04-12 | Applied Materials, Inc. | Chamber components with increased pyrometry visibility |
US8107800B2 (en) * | 2008-01-08 | 2012-01-31 | International Business Machines Corporation | Method and structure to control thermal gradients in semiconductor wafers during rapid thermal processing |
JP2009213825A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Aruze Corp | スロットマシン |
WO2009135137A2 (en) | 2008-05-02 | 2009-11-05 | Applied Materials, Inc. | System for non radial temperature control for rotating substrates |
US8111978B2 (en) * | 2008-07-11 | 2012-02-07 | Applied Materials, Inc. | Rapid thermal processing chamber with shower head |
US20110065276A1 (en) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching |
US8744250B2 (en) | 2011-02-23 | 2014-06-03 | Applied Materials, Inc. | Edge ring for a thermal processing chamber |
US8979087B2 (en) | 2011-07-29 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate supporting edge ring with coating for improved soak performance |
US8865602B2 (en) | 2012-09-28 | 2014-10-21 | Applied Materials, Inc. | Edge ring lip |
CN104704626B (zh) | 2012-10-24 | 2017-12-05 | 应用材料公司 | 用于快速热处理的最小接触边缘环 |
WO2015069456A1 (en) * | 2013-11-06 | 2015-05-14 | Applied Materials, Inc. | Sol gel coated support ring |
TWM488626U (zh) * | 2014-05-07 | 2014-10-21 | Jiao Hsiung Industry Corp | 量洩兩用氣壓錶 |
JP6298403B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2018-03-20 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコンウェーハ熱処理用支持治具 |
JP6772258B2 (ja) * | 2015-12-30 | 2020-10-21 | マトソン テクノロジー インコーポレイテッドMattson Technology, Inc. | ミリ秒アニールシステムのための予熱方法 |
JP6960344B2 (ja) * | 2018-01-26 | 2021-11-05 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
DE112020001281T5 (de) | 2019-03-14 | 2022-01-13 | Beijing E-Town Semiconductor Technology, Co., Ltd. | THERMISCHES VERARBEITUNGSSYSTEM MIT TEMPERATURUNGLEICHMÄßIGKEITSKONTROLLE |
KR102406942B1 (ko) | 2019-09-16 | 2022-06-10 | 에이피시스템 주식회사 | 엣지 링 및 이를 포함하는 열처리 장치 |
Family Cites Families (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4109956A1 (de) | 1991-03-26 | 1992-10-01 | Siemens Ag | Verfahren zum kurzzeittempern einer halbleiterscheibe durch bestrahlung |
JP3173926B2 (ja) | 1993-08-12 | 2001-06-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置の作製方法及びその半導体装置 |
US5719065A (en) | 1993-10-01 | 1998-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device with removable spacers |
TW299897U (en) | 1993-11-05 | 1997-03-01 | Semiconductor Energy Lab | A semiconductor integrated circuit |
JP3312083B2 (ja) | 1994-06-13 | 2002-08-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US5508532A (en) | 1994-06-16 | 1996-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with braded silicon nitride |
US5755511A (en) | 1994-12-19 | 1998-05-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for measuring substrate temperatures |
US5660472A (en) | 1994-12-19 | 1997-08-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for measuring substrate temperatures |
KR100487262B1 (ko) | 1996-02-29 | 2005-09-02 | 가부시키가이샤 브리지스톤 | 탄화규소 소결체 및 그의 제조방법 |
US6133550A (en) * | 1996-03-22 | 2000-10-17 | Sandia Corporation | Method and apparatus for thermal processing of semiconductor substrates |
US5937142A (en) | 1996-07-11 | 1999-08-10 | Cvc Products, Inc. | Multi-zone illuminator for rapid thermal processing |
JP4086936B2 (ja) | 1996-10-03 | 2008-05-14 | 株式会社ブリヂストン | ダミーウェハ |
JP3973723B2 (ja) | 1997-02-12 | 2007-09-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US6280790B1 (en) | 1997-06-30 | 2001-08-28 | Applied Materials, Inc. | Reducing the deposition rate of volatile contaminants onto an optical component of a substrate processing system |
US5892236A (en) | 1997-07-09 | 1999-04-06 | Bridgestone Corporation | Part for ion implantation device |
JP3974229B2 (ja) | 1997-07-22 | 2007-09-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JPH1167427A (ja) | 1997-08-27 | 1999-03-09 | Bridgestone Corp | ヒーター部品 |
US6090733A (en) | 1997-08-27 | 2000-07-18 | Bridgestone Corporation | Sintered silicon carbide and method for producing the same |
JP4012287B2 (ja) | 1997-08-27 | 2007-11-21 | 株式会社ブリヂストン | スパッタリングターゲット盤 |
US6207591B1 (en) | 1997-11-14 | 2001-03-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and equipment for manufacturing semiconductor device |
FR2774510B1 (fr) | 1998-02-02 | 2001-10-26 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de traitement de substrats, notamment semi-conducteurs |
US6200388B1 (en) * | 1998-02-11 | 2001-03-13 | Applied Materials, Inc. | Substrate support for a thermal processing chamber |
US6183130B1 (en) | 1998-02-20 | 2001-02-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for substrate temperature measurement using a reflecting cavity and detector |
FR2775675B1 (fr) | 1998-03-09 | 2000-06-09 | Soitec Silicon On Insulator | Support de plaquettes pour la micro-electronique et procede d'utilisation de ce support |
US6188044B1 (en) * | 1998-04-27 | 2001-02-13 | Cvc Products, Inc. | High-performance energy transfer system and method for thermal processing applications |
FR2785217B1 (fr) | 1998-10-30 | 2001-01-19 | Soitec Silicon On Insulator | Procede et dispositif pour separer en deux tranches une plaque de materiau notamment semi-conducteur |
JP2000182980A (ja) * | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Sony Corp | 急速加熱処理装置 |
US6183127B1 (en) | 1999-03-29 | 2001-02-06 | Eaton Corporation | System and method for the real time determination of the in situ emissivity of a workpiece during processing |
US6303411B1 (en) | 1999-05-03 | 2001-10-16 | Vortek Industries Ltd. | Spatially resolved temperature measurement and irradiance control |
JP2000332096A (ja) | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Bridgestone Corp | 製品ホルダー |
JP2001009394A (ja) | 1999-06-29 | 2001-01-16 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素焼結体の湿式洗浄方法 |
US6466426B1 (en) * | 1999-08-03 | 2002-10-15 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for thermal control of a semiconductor substrate |
TW425635B (en) | 1999-08-23 | 2001-03-11 | Promos Technologies Inc | Rapid thermal processing method and its device |
US6500266B1 (en) | 2000-01-18 | 2002-12-31 | Applied Materials, Inc. | Heater temperature uniformity qualification tool |
US6471913B1 (en) | 2000-02-09 | 2002-10-29 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for processing a microelectronic workpiece including an apparatus and method for executing a processing step at an elevated temperature |
JP4592916B2 (ja) * | 2000-04-25 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の載置装置 |
JP2001313329A (ja) | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置におけるウェハ支持装置 |
US6376804B1 (en) | 2000-06-16 | 2002-04-23 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system with lamp cooling |
US6476362B1 (en) | 2000-09-12 | 2002-11-05 | Applied Materials, Inc. | Lamp array for thermal processing chamber |
JP4698807B2 (ja) * | 2000-09-26 | 2011-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体基板熱処理装置 |
US6599818B2 (en) | 2000-10-10 | 2003-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device manufacturing method, heat treatment apparatus, and heat treatment method |
TW540121B (en) * | 2000-10-10 | 2003-07-01 | Ushio Electric Inc | Heat treatment device and process with light irradiation |
JP2002118071A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Ushio Inc | 光照射式加熱処理装置及び方法 |
US6478937B2 (en) | 2001-01-19 | 2002-11-12 | Applied Material, Inc. | Substrate holder system with substrate extension apparatus and associated method |
JP2002231649A (ja) | 2001-01-30 | 2002-08-16 | Tokyo Electron Ltd | 加熱処理装置とウェーハ支持リング |
JP4969732B2 (ja) * | 2001-03-14 | 2012-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱装置、熱処理装置及びランプ冷却方法 |
JP2003007629A (ja) | 2001-04-03 | 2003-01-10 | Canon Inc | シリコン系膜の形成方法、シリコン系膜および半導体素子 |
US20030000647A1 (en) | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing chamber |
US6908540B2 (en) | 2001-07-13 | 2005-06-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for encapsulation of an edge of a substrate during an electro-chemical deposition process |
US6962732B2 (en) | 2001-08-23 | 2005-11-08 | Applied Materials, Inc. | Process for controlling thin film uniformity and products produced thereby |
KR100431658B1 (ko) | 2001-10-05 | 2004-05-17 | 삼성전자주식회사 | 기판 가열 장치 및 이를 갖는 장치 |
JP3789366B2 (ja) * | 2002-02-07 | 2006-06-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
US6570137B1 (en) | 2002-03-04 | 2003-05-27 | Applied Materials, Inc. | System and method for lamp split zone control |
US6868302B2 (en) * | 2002-03-25 | 2005-03-15 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Thermal processing apparatus |
JP2003282558A (ja) * | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
US6800833B2 (en) | 2002-03-29 | 2004-10-05 | Mariusch Gregor | Electromagnetically levitated substrate support |
US6897131B2 (en) | 2002-09-20 | 2005-05-24 | Applied Materials, Inc. | Advances in spike anneal processes for ultra shallow junctions |
FR2846786B1 (fr) * | 2002-11-05 | 2005-06-17 | Procede de recuit thermique rapide de tranches a couronne | |
US7024105B2 (en) * | 2003-10-10 | 2006-04-04 | Applied Materials Inc. | Substrate heater assembly |
-
2004
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