CN105934659A - 使用两个温度传感装置调整cvd反应器过程室内温度的设备和方法 - Google Patents
使用两个温度传感装置调整cvd反应器过程室内温度的设备和方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105934659A CN105934659A CN201480074076.7A CN201480074076A CN105934659A CN 105934659 A CN105934659 A CN 105934659A CN 201480074076 A CN201480074076 A CN 201480074076A CN 105934659 A CN105934659 A CN 105934659A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- temperature
- sensing device
- substrate
- sensitive body
- temperature sensing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 title abstract 3
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 84
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 27
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 claims description 3
- 201000007094 prostatitis Diseases 0.000 claims 6
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 39
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 230000036760 body temperature Effects 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004441 surface measurement Methods 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 210000005239 tubule Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/0003—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter
- G01J5/0007—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter of wafers or semiconductor substrates, e.g. using Rapid Thermal Processing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/60—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using determination of colour temperature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/80—Calibration
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
本发明涉及一种用于热处理，尤其用于涂敷底物(9)的设备和方法，包括由与第一温度传感装置(7、12)配合工作的调整器(13)调整的加热装置(11)。为防止温度偏移，建议第二温度传感装置(8)用于识别第一温度传感装置(7、12)的温度偏移和再校准第一温度传感装置(7、12)。第一温度传感装置(7、12)确定在敏感体(10)第一位置(M1、M2、M3、M4、M5、M6)的温度。第二温度传感装置(8)确定在敏感体(10)第二位置的温度。在测量间隔，用第二温度传感装置(8)测量尤其底物(9)的表面温度。将这一测量值与额定值比较，此时，若额定值偏离测得的实际值则形成修正系数，将修正系数加入第一温度传感装置(7、12)的用于调整加热装置(11)的测量值，目的是使由第二温度传感装置(8)测得的温度实际值能接近相关的温度额定值。
Description
本发明涉及一种用于热处理，尤其涂敷至少一个底物的设备，包括由与第一温度传感装置配合工作的调整器调整的加热装置，其中，第一温度传感装置测量在敏感体(Suszeptor)上侧的第一个温度，所述至少一个底物在处理时安放在此敏感体上，以及包括第二温度传感装置，它测量在敏感体上侧的第二个温度，用于干预并校正调整器，目的是能将底物的表面温度保持为额定温度。
此外，本发明还涉及一种用于热处理至少一个底物，尤其用于涂敷至少一个底物的方法，其中，所述至少一个底物安放在敏感体上，敏感体从下方借助加热装置加热到处理温度，其中，加热装置由与第一温度传感装置配合工作的调整器调整，其中，借助第一温度传感装置测量在敏感体上侧的第一个温度，借助第二温度传感装置测量在敏感体上侧的第二个温度，以及干预并校正调整器，目的是能将底物的表面温度保持为额定温度。
在US7691204B2中介绍了按此类型的设备或按此类型的方法。它使用两个不同的温度传感装置，它们在两个互不相同的位置测量安放在敏感体上底物的表面温度。在这里使用多个高温计和发射计。用彼此不同的温度传感装置测量加热到处理温度的底物不同的特性，目的是能将底物的表面温度保持为恒定值。
由DE102012101717A1还已知一种用于在底物上沉积一些层的方法和设备。
按本发明的设备有反应器外壳和设置在其中的过程室。过程室有敏感体，它可以从下方用加热装置加热，例如红外加热器、电阻加热器或RF加热器。在敏感体的面朝过程室那一侧上安放至少一个，但优选多个底物。所述底物涉及半导体芯片，例如用蓝宝石、硅或一种Ⅲ-Ⅴ材料制成。借助进气机构将过程气体输入过程室内，它们在那里高温分解，此时在底物表面沉积半导体层，尤其Ⅲ-Ⅴ半导体层，例如InGaN或GaN层。优选地，在这种设备中沉积由InGaN/GaN组成的Quantum-Well结构(QW)，尤其Multi-Quantum-Well结构(NQW)。为了调整底物表面的温度，尤其在沉积三元层时此温度必须保持一个非常准确的值，设置与温度传感装置配合工作的调整器。所述温度传感装置涉及二极管测量仪，用它可以穿过进气机构的气体出口测量可围绕旋转轴线旋转的敏感体在不同径向位置的温度。
在现有技术中，作为温度传感装置使用双色高温计。它在两种不同波长的情况下根据色觉亮度测量获得温度测量值。在这里计算发射率和经发射率修正的温度。高温计在红外区内工作。它的优点是对粗糙的表面敏感度低。
此外已知使用例如以频率950nm工作的红外高温计。当然用红外线工作的高温计的缺点是，红外线能透射蓝宝石底物。因此这种高温计只能使用于测量由石墨组成的敏感体表面的温度。
虽然以波长405nm工作的紫外高温计可以测量蓝宝石底物的射线放射量或在底物上沉积层，例如氮化镓层的射线放射量。但从层厚为1至2μm起，405nm不能透射GaN层。在使用处理温度的情况下，射线放射量的绝对值与在红外区内的射线放射量相比小得多，所以用紫外高温计获得的值不适用于调整加热装置。
若在按此类型的CVD反应器中只使用红外双色高温计，则借助它只能测量敏感体的表面温度，因为由于在过程室内部在加热的敏感体与进气机构冷却的气体排出面之间垂直的温度梯度，使底物表面温度略低于敏感体表面温度。
在现有技术中，敏感体表面温度的测量穿过进气机构具有直径从大约1至2毫米的气体出口进行。在处理的工艺过程中不可避免地占用气体出口的内侧，导致改变有效的光学横截面或光学透射率。通过越来越多地占用进气机构的气体排出面以及在敏感体与气体排出面之间多次反射，漫射光的量随时间改变测量结果。因为为了调整加热装置使用了一个温度，而这一温度并非目标温度，也就是说它是在敏感体表面测得的温度，亦即评估由敏感体本身发射的光线后得出的温度，所以用在现有技术中所使用的方法不可避免地改变目标温度，亦即安放在敏感体上底物的表面温度。
本发明要解决的技术问题是提供一些措施，采取这些措施至少能使底物表面的实际温度离期望的处理温度的温度间隔距离极小化。
上述技术问题通过在权利要求中说明的本发明得以解决。
从属权利要求不仅说明从属权利要求有利的进一步发展，而且还说明达到所述目的独立的解决方案。
首先并重要的建议是，将第一温度传感装置设计为，使它基本上只测量敏感体的表面温度。第二温度传感装置以比第一温度传感装置短的波长工作，以及测量底物表面或在底物表面上沉积层的温度。敏感体表面借助调整器加热到预定的额定温度。处理温度，亦即底物的表面温度，与额定温度偏离一个温度差，该温度差在处理的工艺过程中由于上述原因改变。第二温度传感装置确定这种改变。若所述改变达到规定的阈值，按本发明干预并校正调整。这可例如通过修改调整器将敏感体表面温度所要保持的额定温度实现，或通过修正系数实现。
第一温度传感装置可以有许多单个传感器，借助它们能确定敏感体或安放在此敏感体上底物的表面温度。第二温度传感装置同样能够确定敏感体的表面温度或安放在此敏感体上底物的表面温度。用第二温度传感装置确定温度在第二个位置进行。借助第一温度传感装置确定温度在第一个位置进行。这两个位置可以在不同的地点。但也有可能两个位置的地点重合。这两个温度传感装置可以是高温计。它们可以设计为红外高温计和/或紫外高温计。用这些温度传感装置可以通过光源，例如激光器或LED，光的反射来测量表面的反射性，其中，光源的光与高温计的探测器有相同的波长(950nm或405nm)。它可以涉及双色高温计，其中亮度测量在两种不同的波长下进行，以及发射率和经发射率修正的温度的计算，根据两种波长色觉亮度的信号比进行。可以涉及紫外高温计，它用405nm的波长探测，亦即是一种对于从厚度约为1至2μm起的GaN层不能透射的波长。按本发明一种特别优选的设计规定，这两个温度传感装置设计为两种互不相同类型的温度传感装置。例如一个温度传感装置，如第一温度传感装置，可以是红外高温计或双色高温计。第二温度传感装置可以是紫外高温计。按本发明的设备优选地具有主动冷却式淋浴头形式的进气机构。这种进气机构具有气体分配腔，它从外部输入过程气体。进气机构优选的设计有多个彼此隔离的气体分配腔，它们分别从外部输入过程气体。进气机构有气体排出面，气体排出面有多个气体出口。气体出口可以由一些小管构成，它们分别与气体分配腔连通。第一和/或第二温度传感装置可以处于气体分配腔后侧。第一温度传感装置优选地涉及如其在DE102012101717A1中说明的那种光学测量设备。这种传感装置有多个传感二极管，它们分别位于光学测量路径的末端，在这里光学测量路径穿过气体出口行进。优选地第二温度传感装置同样位于进气机构后侧，以及具有座落在光学测量路径末端的传感元件。在这里光学路径也穿过进气机构的口行进。所述的口可以涉及一个气体出口。但也可以涉及一个增大的口，例如一个贯通整个进气机构的通道的口。这个口可以用惰性气体冲洗，为的是避免占用口的内壁沉积。本发明优选的设计有敏感体，它被驱动绕敏感体旋转轴线旋转。第二温度传感装置离旋转中心有径向距离，该距离与第一温度传感装置至少一个传感元件的径向距离相同，所以用第一温度传感装置和第二温度传感装置可以测量在围绕敏感体中心的同一个圆周上一个位置的温度。按本发明的一种特别优选的设计，第一温度传感装置由二极管阵列构成，它在多个位置分别测量底物或敏感体表面的温度测量值。在这里涉及一种红外双色高温计。按本发明的一种特别优选的设计，第二温度传感装置由紫外高温计构成，它在405nm的情况下工作。采用按本发明的方法可以沉积InGaN-Multi-Quantum-Well。在这里，在薄的GaN层上先后沉积多个薄的InGaN层。优选地仅使用由第一温度传感装置提供的测量值来调整底物表面温度或敏感体表面温度。基于前言描述的疑难问题，尤其是占用气体排出面或传感元件光学测量路径通过其延伸的进气机构的气体出口，随着时间的推移，尤其在多个敷层步骤后，形成测量结果的谬误。其结果是使敏感体表面或底物表面调整到的温度不再相当于额定温度。第二温度传感装置基于其布局和/或其可以与第一温度传感装置不同的作用方式，所以不遭受温度偏移。第二温度传感装置探测不同的表面温度。第二温度传感装置例如涉及紫外高温计，借助它测量底物的表面温度，从而最晚在底物，例如蓝宝石底物上沉积足够厚的GaN层时，便能识别归因于温度偏移的不正确的温度。第一温度传感装置测量敏感体的表面温度，亦即石墨表面的温度，而第二温度传感装置测量底物表面的温度，尤其敷层的温度。基于在过程室内垂直的温度梯度，底物表面的温度略低于敏感体表面的温度。这种系统性的温度差在理想的过程条件下预试时确定，并在以后的再校准/修正时考虑。在测量的一个时间间隔内，借助第二温度传感装置确定敏感体或底物的表面温度。从而确定其与由在先前规定的，例如在一个敷层步骤中在理想条件下获得的额定温度的差异。根据与额定温度差异的大小，将修正值施加给调整器或第一温度传感装置。通过这种再校准，调整器此时有能力将底物温度或敏感体温度调整到正确的温度值。此外还规定，在一个由多个先后顺序的单个过程分步骤组成的沉积过程中，多次分别在一个测量间隔内确定实际温度与额定温度的偏差。这总是借助第二温度传感装置进行。修正性干预调整以补偿温度偏移，可以限于在一个时间间隔中，亦即限于一个修正的时间间隔。例如修正性干预可以只针对这种单个过程步骤进行，在此过程步骤中底物的表面温度非常关健，例如在过程步骤中沉积一种三元化合物，例如InGaN。在沉积Quantum-Well-Sequenz时，例如GaN层可以在无校正性干预的情况下沉积。
下面借助附图说明本发明的实施例。其中：
图1表示通过CVD反应器剖切示出的横截面；
图2表示从敏感体上侧看按线Ⅱ-Ⅱ剖切示出的剖面图；
图3表示用于说明方法的第一个时间温度曲线图；以及
图4表示用于说明方法的第二个时间温度曲线图。
按本发明的设备可以有在图1和2中表示的结构。它由气密外壳形式的CVD反应器1组成。进气机构3处于CVD反应器1内部。进气机构3涉及一个扁平的圆盘状空心体，气体分配腔处于空心体内，气体分配腔从外部输入过程气体。过程气体可以从气体出口4、5、6从气体分配腔流入过程室2。可以冷却进气机构的具有气体出口4、5、6的气体排出面。
过程室2的与气体排出面相对置的底部具有多个要敷层的底物9。构成底部的敏感体可以围绕旋转轴线15旋转。加热装置11位于敏感体下方，以便加热敏感体。
敏感体上侧的温度或位于敏感体上侧的底物9的温度，可以借助第一温度传感装置7确定。为此第一温度传感装置7有多个传感二极管12，它们布置为离旋转轴线15有不同的径向距离。在敏感体10面朝过程室2的上侧或处于敏感体10上底物9上的测量点M1、M2、M3、M4、M5和M6，处于气体出口5垂直的下方，以及气体出口5上面处于座落在进气机构3后壁上的传感二极管12正下方。由此构成平行于旋转轴线延伸的光学路径，借助它通过第一温度传感装置7，可以在互不相同的测量位置，测量测量点M1至M6的表面温度。在这里，所述的测量分别穿过气体出口5进行。
由第一温度传感装置7提供的测量值供给调整器13，它将加热装置11调整为，使敏感体10或安放在它上面的底物9的表面温度保持为一个实际值(范围：400℃至1200℃)。
第二温度传感装置8处在相对于旋转轴线15与第一温度传感装置7的对置侧。第一温度传感装置7是一种红外高温计，尤其是双色红外高温计，第二温度传感装置8则涉及另一种类型的温度传感器。在这里它涉及一种紫外高温计。所述的测量在这里也通过进气机构3的口6光学式进行。在图1中，口6涉及直径较大的气体出口。但按一种未表示的实施例，传感器口6不与气体分配腔连接，所以没有过程气体通过传感器口6流入过程室内。借助第二温度传感装置8在测量位置M0测量底物9的表面温度。在本实施例中，测量位置M0与测量位置M5离旋转轴线15有相同的径向距离。因此测量位置M5和测量位置M0处于同一条圆周线上。
第二温度传感装置8提供在测量位置M0的温度值，借助比较器14将它与第一温度传感装置7为了调整加热装置11而提供的那个温度值比较。借助在这两个温度之间的差值确定校准值，在底物敷层过程中和/或在两个底物敷层步骤之间，用它进行校准调整器13或第一温度传感装置7。
下面参照图3详细说明这种校准。在一个在理想条件下实施的敷层步骤(Golden Run)中确定温度值，它们可以在测量点M1、M2、M3、M4、M5和M6借助第一温度传感装置7在理想条件下测量。与此同时在测量位置M0确定与此相关的温度，它可以借助第二温度传感装置8在理想条件下测量。通常在测量位置M0测得的温度略低于在其余测量点M1至M6测得的温度。
在随后的敷层步骤中条件始终与理想条件不同，所以由第二温度传感装置8在位置M0测得的温度不再与相应于理想条件例如在位置M5由第一温度传感装置7测得的值相关。
图3用上方虚线表示额定温度T4变化过程，这是在理想条件下在敏感体上的测量位置M4测量的温度。下方曲线表示在理想条件下在底物表面上的测量位置M0测量的温度T0。但在多个敷层步骤后，在测量点M4测得的实际温度T4低于额定温度。其原因在于前面已提及的温度偏移。
在时间t1，在一个测量间隔内确定在位置M0实际温度的温度偏差(下方实线)并与额定温度(下方虚线)比较。根据此温度差距确定校准系数。在时间t2将此校准系数加入调整器。其结果是，敏感体的实际温度(上方实线)上升到额定值(上方虚线)。用K表示在此时实施修正以及从时间t2直至t4的时间间隔。在时间t3，敏感体温度已达到额定温度。在测量点M0测量相关的额定温度。
在实施一个敷层步骤后，在时间t4结束修正的时间间隔。其结果是，敏感体温度(上方实线)在时间至t5重新下降。
图4与图3所示类似，但表示一个由两个单个步骤A、B组成的敷层步骤，在本实施例中它们连续重复三次。总是在时间t1，在一个测量间隔内进行检验，在位置M0测得的温度究竟偏离额定值T 0多少。借助此偏离量确定修正系数，在修正的时间间隔K期间将其加入调整器。在各自的阶段A，例如在低的温度下沉积InGaN层。在继此之后的步骤中，在阶段B中在高的温度下沉积GaN层。但在这里底物或敏感体表面温度的再校准，仅在阶段A内在温度关键性的增长步骤中进行。
以上这些实施形式用于说明本申请包括的全部发明，它至少通过下述特征组合分别独立地进一步发展现有技术，亦即：
一种设备，其特征在于第二温度传感装置8，用于识别第一温度传感装置7、12的温度偏移并再校准第一温度传感装置7、12。
一种方法，其特征为，借助第二温度传感装置8识别第一温度传感装置7、12的温度偏移，以及再校准第一温度传感装置7、12。
一种设备或一种方法，它们的特征为，第一温度传感装置7、12确定在敏感体10或安放在敏感体10上底物9的第一个位置M1、M2、M3、M4、M5、M6的温度；和/或，第二温度传感装置确定在敏感体10或安放在敏感体10上底物9的第二个位置的温度。
一种设备或一种方法，它们的特征为，第一和/或第二温度传感装置7、8是一种红外高温计或一种紫外高温计。
一种设备或一种方法，它们的特征为，这两个温度传感装置7、8在互不相同的位置M1、M2、M3、M4、M5、M6、M0确定敏感体10或安放在敏感体10上底物9的温度值。
一种设备或一种方法，它们的特征为，敏感体9可围绕旋转轴线旋转或转动，以及这两个温度传感装置7、8在互不相同的圆周位置，但在离旋转轴线同样的径向距离处，确定敏感体10或在其上安放的底物9的表面温度。
一种设备或一种方法，它们的特征在于一种进气机构3，它与敏感体10相对置以及具有面朝敏感体10的气体出口5、6，第一温度传感装置7、12和/或第二温度传感装置8的光学传感器测量路径延伸通过气体出口。
一种设备或一种方法，它们的特征为，第一温度传感装置7、12有多个光学传感元件12，它们在离敏感体旋转轴线15互不相同的径向距离处，在红外区内高温确定敏感体表面的温度测量值；以及，第二温度传感装置8在不同的圆周位置，在紫外区内高温确定安放在敏感体10上底物9的表面温度。
一种设备或一种方法，它们的特征为，在测量间隔t1，借助第二温度传感装置8测量尤其底物9的表面温度，并将此测量值与预试时确定的额定温度比较，此时若额定温度偏离测得的表面温度实际值则形成修正系数，.将此修正系数施加给第一温度传感装置7、12使用于调整加热装置11的测量值，目的是使由第二温度传感装置8测得的温度实际值接近相关的温度额定值。
一种方法，其特征为，在理想条件下预试时，确定由第一温度传感装置7、12测得的敏感体10表面额定温度应有的温度，在额定温度时由第二温度传感装置8测得的底物9或在底物9表面上沉积层表面温度相应于期望的处理温度，其中，将如此确定的底物表面温度额定值使用于调整所述加热装置11；在处理期间或在先后顺序的过程步骤之间的测量间隔中，借助第二温度传感装置8测量底物9表面的实际温度，以及当偏离期望的处理温度时干预并校正调整。
一种方法，其特征为，当由第二温度传感装置8测得的实际值与期望的处理温度的偏差超过阈值时，第一温度传感装置7、12的用于调整加热装置11的测量值施加一个修正系数，使由第二温度传感装置8测得的温度实际值的偏离接近相关的温度额定值。
所有公开的特征均为本发明(本身，但也可以互相组合)的重要内容。在本申请所公开的内容中也全面吸收了相关的/附上的优先权文件(先申请副本)所公开的内容，也为此目的，这些文件的特征也吸纳在本申请的权利要求中。从属权利要求的特征在于，通过它们的特征，进行对现有技术独立的富于独创性的进一步发展，尤其以这些权利要求为基础进行分案申请。
附图标记清单
1 CVD反应器
2 过程室
3 进气机构
4 气体出口
5 传感器口
6 传感器口
7 第一温度传感装置
8 第二温度传感装置
9 底物
10 敏感体
11 加热装置
12 传感二极管
13 调整器
14 比较器
15 旋转轴线
A 单个步骤
B 单个步骤
K 间隔
M0 测量位置
M1 测量位置
M2 测量位置
M3 测量位置
M4 测量位置
M5 测量位置
M6 测量位置
Tn 温度
tn 时间
Claims (15)
1.一种用于热处理，尤其用于涂敷至少一个底物(9)的设备，包括由与第一温度传感装置(7、12)配合工作的调整器(13)调整的加热装置(11)，其中，第一温度传感装置(7、12)测量在敏感体(10)上侧的第一个温度，所述至少一个底物在处理时安放在此敏感体(10)上，以及包括第二温度传感装置(8)，它测量敏感体(10)上侧的第二个温度，用于干预并校正调整器(13)，目的是将底物(9)的表面温度调整到处理温度，其特征为：第一温度传感装置(7、12)设计和配置为使它测量敏感体(9)上侧的表面温度，而与第一温度传感装置(7、12)相比对较短的波长更敏感的第二温度传感装置(8)设计和配置为，使它测量底物(9)表面或在底物(9)表面上沉积层的表面温度。
2.按照权利要求1所述用于热处理至少一个底物(9)，尤其用于涂敷至少一个底物(9)的设备，其中所述至少一个底物(9)借助加热装置(11)加热到一个处理温度，此处理温度借助与第一温度传感装置(7、12)配合工作的调整器(13)调整，其特征为，第一温度传感装置(7)是红外高温计以及第二温度传感装置(8)是紫外高温计。
3.按照前列诸权利要求之一所述的设备，其特征为，这两个温度传感装置(7、8)在互不相同的位置(M1、M2、M3、M4、M5、M6、M0)确定敏感体(10)上或安放在此敏感体(10)上的底物(9)上的温度测量值。
4.按照前列诸权利要求之一所述的设备，其特征为，敏感体(10)可围绕旋转轴线旋转或转动，以及这两个温度传感装置(7、8)在互不相同的圆周位置，但在离旋转轴线同样的径向距离处，确定敏感体(10)或安放在此敏感体(10)上底物(9)的表面温度。
5.按照前列诸权利要求之一所述的设备，其特征在于一种主动冷却式进气机构(3)，该进气机构与敏感体(10)相对置以及具有面朝敏感体(10)的气体出口(5、6)，第一温度传感装置(7、12)和/或第二温度传感装置(8)的光学传感器测量路径延伸通过所述气体出口。
6.按照前列诸权利要求之一所述的设备，其特征为，第一温度传感装置(7、12)有多个光学传感元件(12)，它们在离敏感体旋转轴线(15)互不相同的径向距离处，在红外区内高温确定敏感体表面的温度测量值；以及，第二温度传感装置(8)在不同的圆周位置，在紫外区内高温确定安放在敏感体(10)上的底物(9)的表面温度。
7.一种用于热处理至少一个底物(9)，尤其用于涂敷至少一个底物(9)的方法，其中，所述至少一个底物(9)安放在敏感体(10)上并借助加热装置(11)加热到处理温度，其中，加热装置(11)由与第一温度传感装置(7、12)配合工作的调整器(13)调整，其中，借助第一温度传感装置(7、12)测量在敏感体(10)上侧的第一个温度，以及借助第二温度传感装置(8)测量在敏感体(9)上侧的第二个温度以及干预并校正调整器(13)，目的是将底物的表面温度调整到处理温度，其中，用第一温度传感装置(7、12)测量敏感体(9)上侧的表面温度，而借助第二温度传感装置(8)用较短的波长测量底物(9)或在底物(9)表面上沉积层的表面温度。
8.按照权利要求7所述的方法，其特征为，使用一种底物(9)，它对于第一温度传感装置(7、12)敏感的波长是透射的，以及它对于第二温度传感装置(8)敏感的波长有反射的特性。
9.按照权利要求7或8所述的方法，其特征为，第一温度传感装置(7、12)在红外区内敏感，而第二温度传感装置(8)在紫外区内敏感。
10.按照前列诸权利要求7至9之一所述的方法，其特征为，这两个温度传感装置(7、8)在互不相同的位置(M1、M2、M3、M4、M5、M6、M0)确定敏感体(10)或安放在此敏感体(10)上的底物(9)的温度测量值。
11.按照权利要求7至10之一所述的方法，其特征为，敏感体(9)围绕旋转轴线旋转，以及这两个温度传感装置(7、8)在互不相同的圆周位置，但在离旋转轴线同样的径向距离处，确定敏感体(10)或安放在此敏感体(10)上底物(9)的表面温度。
12.按照权利要求7至11之一所述的方法，其特征为，第一温度传感装置(7、12)有多个光学传感元件(12)，这些光学传感元件在离敏感体旋转轴线(15)互不相同的径向距离处，在红外区内高温确定敏感体表面的温度测量值；以及，第二温度传感装置(8)在不同的圆周位置，在紫外区内高温确定安放在敏感体(10)上底物(9)的表面温度。
13.按照权利要求7至12之一所述的方法，其特征为，在理想条件下预试时，确定由第一温度传感装置(7、12)测得的敏感体(10)表面额定温度应有的温度，在额定温度时由第二温度传感装置(8)测得的底物(9)或在底物(9)表面上沉积层的表面温度相应于期望的处理温度，其中，将如此确定的底物表面温度额定值用于调整所述加热装置(11)；在处理期间或在先后顺序的过程步骤之间的测量间隔中，借助第二温度传感装置(8)测量底物(9)表面的实际温度，以及当偏离期望的处理温度时干预并校正调整。
14.按照权利要求7至13之一所述的方法，其特征为，当由第二温度传感装置(8)测得的实际值与期望的处理温度的偏差超过阈值时，将第一温度传感装置(7、12)的用于调整加热装置(11)的测量值施加修正系数或改变调整所述加热装置(11)的额定值，使由第二温度传感装置(8)测得的温度实际值的偏离接近期望的处理温度。
15.一种设备或方法，其特征在于一个或多个前列诸权利要求之一所述的特征。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102013114412.8 | 2013-12-18 | ||
| DE102013114412.8A DE102013114412A1 (de) | 2013-12-18 | 2013-12-18 | Vorrichtung und Verfahren zur Regelung der Temperatur in einer Prozesskammer eines CVD-Reaktors unter Verwendung zweier Temperatursensoreinrichtungen |
| PCT/EP2014/077788 WO2015091371A1 (de) | 2013-12-18 | 2014-12-15 | Vorrichtung und verfahren zur regelung der temperatur in einer prozesskammer eines cvd-reaktors unter verwendung zweier temperatursensoreinrichtungen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105934659A true CN105934659A (zh) | 2016-09-07 |
| CN105934659B CN105934659B (zh) | 2019-03-08 |
Family
ID=52232163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201480074076.7A Active CN105934659B (zh) | 2013-12-18 | 2014-12-15 | 使用两个温度传感装置调整cvd反应器过程室内温度的设备和方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20160333479A1 (zh) |
| KR (1) | KR102357276B1 (zh) |
| CN (1) | CN105934659B (zh) |
| DE (1) | DE102013114412A1 (zh) |
| TW (1) | TWI661085B (zh) |
| WO (1) | WO2015091371A1 (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112119395A (zh) * | 2018-03-26 | 2020-12-22 | 艾克斯特朗欧洲公司 | Cvd设备的设有特征标识的构件和用于传输信息的方法 |
| CN113853448A (zh) * | 2019-03-21 | 2021-12-28 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 用于在生产条件下采集cvd反应器的状态的方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102015118215A1 (de) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | Aixtron Se | Substrathaltevorrichtung mit vereinzelten Tragvorsprüngen zur Auflage des Substrates |
| DE102015100640A1 (de) | 2015-01-19 | 2016-07-21 | Aixtron Se | Vorrichtung und Verfahren zum thermischen Behandeln von Substraten |
| DE102016115614A1 (de) | 2016-08-23 | 2018-03-01 | Aixtron Se | Suszeptor für einen CVD-Reaktor |
| DE202017104061U1 (de) * | 2017-07-07 | 2018-10-09 | Aixtron Se | Beschichtungseinrichtung mit beschichteter Sendespule |
| DE102019114249A1 (de) * | 2018-06-19 | 2019-12-19 | Aixtron Se | Anordnung zum Messen der Oberflächentemperatur eines Suszeptors in einem CVD-Reaktor |
| DE102018121854A1 (de) * | 2018-09-07 | 2020-03-12 | Aixtron Se | Verfahren zum Einrichten oder zum Betrieb eines CVD-Reaktors |
| DE102018125531A1 (de) * | 2018-10-15 | 2020-04-16 | Aixtron Se | Vorrichtung und Verfahren zur Regelung der Temperatur in einem CVD-Reaktor |
| DE102020100481A1 (de) * | 2020-01-10 | 2021-07-15 | Aixtron Se | CVD-Reaktor und Verfahren zur Regelung der Oberflächentemperatur der Substrate |
| DE102020119873A1 (de) | 2020-07-28 | 2022-02-03 | Aixtron Se | Verfahren zum Erkennen fehlerhafter oder fehlerhaft in einem CVD-Reaktor eingesetzte Substrate |
| KR102584350B1 (ko) * | 2021-04-26 | 2023-10-05 | 엔사이드 주식회사 | 비접촉식 방수형 측정 장치 |
| TWI767733B (zh) * | 2021-06-02 | 2022-06-11 | 中國鋼鐵股份有限公司 | 加熱的控制方法以及使用該控制方法的加熱系統 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004007984A1 (de) * | 2004-02-18 | 2005-09-01 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit Fotodioden-Array |
| CN101040235A (zh) * | 2004-12-27 | 2007-09-19 | 株式会社日立国际电气 | 温度调整方法、热处理设备以及半导体器件的制造方法 |
| EP2251658A1 (en) * | 2009-05-12 | 2010-11-17 | LayTec GmbH | Method for calibrating a pyrometer, method for determining the temperature of a semiconducting wafer and system for determining the temperature of a semiconducting wafer |
| US20120170609A1 (en) * | 2010-12-30 | 2012-07-05 | Veeco Instruments Inc. | Methods and systems for in-situ pyrometer calibration |
| DE102012101717A1 (de) * | 2012-03-01 | 2013-09-05 | Aixtron Se | Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der Oberflächentemperatur eines Suszeptors einer Substratbeschichtungseinrichtung |
| EP2660574A1 (en) * | 2012-05-04 | 2013-11-06 | LayTec AG | Flat light emitting plate for simulating thermal radiation, method for calibrating a pyrometer and method for determining the temperature of a semiconducting wafer |
| CN104395998A (zh) * | 2012-06-26 | 2015-03-04 | 威科仪器有限公司 | GaN基材料的温度控制 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5098198A (en) * | 1990-04-19 | 1992-03-24 | Applied Materials, Inc. | Wafer heating and monitor module and method of operation |
| JP3380668B2 (ja) * | 1996-01-23 | 2003-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度調整方法、温度調整装置及び熱処理装置 |
| JP3563224B2 (ja) * | 1996-03-25 | 2004-09-08 | 住友電気工業株式会社 | 半導体ウエハの評価方法、熱処理方法、および熱処理装置 |
| US6164816A (en) * | 1998-08-14 | 2000-12-26 | Applied Materials, Inc. | Tuning a substrate temperature measurement system |
| US6328802B1 (en) * | 1999-09-14 | 2001-12-11 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for determining temperature of a semiconductor wafer during fabrication thereof |
| US6479801B1 (en) * | 1999-10-22 | 2002-11-12 | Tokyo Electron Limited | Temperature measuring method, temperature control method and processing apparatus |
| US7691204B2 (en) * | 2005-09-30 | 2010-04-06 | Applied Materials, Inc. | Film formation apparatus and methods including temperature and emissivity/pattern compensation |
| US8104951B2 (en) * | 2006-07-31 | 2012-01-31 | Applied Materials, Inc. | Temperature uniformity measurements during rapid thermal processing |
| JP4262763B2 (ja) * | 2006-08-02 | 2009-05-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
| JP4436893B2 (ja) * | 2007-05-16 | 2010-03-24 | キヤノンアネルバ株式会社 | 加熱処理装置 |
| US8434937B2 (en) * | 2008-05-30 | 2013-05-07 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for detecting the substrate temperature in a laser anneal system |
| EP2498277A4 (en) * | 2009-11-02 | 2013-03-20 | Lig Adp Co Ltd | CVD DEVICE AND TEMPERATURE CONTROL PROCEDURE FOR A CVD DEVICE |
| KR101062460B1 (ko) * | 2009-12-16 | 2011-09-05 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 화학기상증착장치의 온도제어방법 |
| JP5640894B2 (ja) * | 2011-05-26 | 2014-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度測定装置、温度測定方法、記憶媒体及び熱処理装置 |
| JP5964626B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2016-08-03 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置 |
-
2013
- 2013-12-18 DE DE102013114412.8A patent/DE102013114412A1/de active Pending
-
2014
- 2014-12-15 US US15/105,515 patent/US20160333479A1/en not_active Abandoned
- 2014-12-15 WO PCT/EP2014/077788 patent/WO2015091371A1/de active Application Filing
- 2014-12-15 KR KR1020167017544A patent/KR102357276B1/ko active IP Right Grant
- 2014-12-15 CN CN201480074076.7A patent/CN105934659B/zh active Active
- 2014-12-17 TW TW103144030A patent/TWI661085B/zh active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004007984A1 (de) * | 2004-02-18 | 2005-09-01 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit Fotodioden-Array |
| CN101040235A (zh) * | 2004-12-27 | 2007-09-19 | 株式会社日立国际电气 | 温度调整方法、热处理设备以及半导体器件的制造方法 |
| CN100576127C (zh) * | 2004-12-27 | 2009-12-30 | 株式会社日立国际电气 | 温度调整方法、热处理设备以及半导体器件的制造方法 |
| EP2251658A1 (en) * | 2009-05-12 | 2010-11-17 | LayTec GmbH | Method for calibrating a pyrometer, method for determining the temperature of a semiconducting wafer and system for determining the temperature of a semiconducting wafer |
| US20120170609A1 (en) * | 2010-12-30 | 2012-07-05 | Veeco Instruments Inc. | Methods and systems for in-situ pyrometer calibration |
| DE102012101717A1 (de) * | 2012-03-01 | 2013-09-05 | Aixtron Se | Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der Oberflächentemperatur eines Suszeptors einer Substratbeschichtungseinrichtung |
| EP2660574A1 (en) * | 2012-05-04 | 2013-11-06 | LayTec AG | Flat light emitting plate for simulating thermal radiation, method for calibrating a pyrometer and method for determining the temperature of a semiconducting wafer |
| CN104395998A (zh) * | 2012-06-26 | 2015-03-04 | 威科仪器有限公司 | GaN基材料的温度控制 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112119395A (zh) * | 2018-03-26 | 2020-12-22 | 艾克斯特朗欧洲公司 | Cvd设备的设有特征标识的构件和用于传输信息的方法 |
| CN113853448A (zh) * | 2019-03-21 | 2021-12-28 | 艾克斯特朗欧洲公司 | 用于在生产条件下采集cvd反应器的状态的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160100314A (ko) | 2016-08-23 |
| KR102357276B1 (ko) | 2022-01-27 |
| TWI661085B (zh) | 2019-06-01 |
| US20160333479A1 (en) | 2016-11-17 |
| CN105934659B (zh) | 2019-03-08 |
| WO2015091371A1 (de) | 2015-06-25 |
| DE102013114412A1 (de) | 2015-06-18 |
| TW201529884A (zh) | 2015-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105934659A (zh) | 使用两个温度传感装置调整cvd反应器过程室内温度的设备和方法 | |
| KR102627235B1 (ko) | 반응 챔버들을 열적 교정하는 방법들 | |
| US8047706B2 (en) | Calibration of temperature control system for semiconductor processing chamber | |
| KR101019932B1 (ko) | 기판의 급속열처리를 위한 적응성 제어 방법 | |
| JP5686952B2 (ja) | 温度および放射率／パターン補償を含む膜形成装置および方法 | |
| US9617636B2 (en) | System and method for controlling wafer and thin film surface temperature | |
| JP5205268B2 (ja) | 温度コントロールおよびパターン補償装置 | |
| JP5004401B2 (ja) | 基板の温度均一性を制御するための方法及び装置 | |
| US9297705B2 (en) | Smart temperature measuring device | |
| JP5047622B2 (ja) | 合わせられた温度の均一性 | |
| US20120201267A1 (en) | Low temperature measurement and control using low temperature pyrometry | |
| JP2002522912A (ja) | 基板温度測定システムのチューニング | |
| KR101410097B1 (ko) | 공정 챔버에서의 기상 증착에 의해 반도체 웨이퍼 상에 층을 증착하는 방법 및 장치 | |
| US20130130184A1 (en) | Apparatus and Method for Controlling Wafer Temperature | |
| CN107110709B (zh) | 校准cvd或pvd反应器的高温计装置的方法 | |
| TW201843344A (zh) | 用於熱處理基板之方法及裝置 | |
| JP2023546348A (ja) | 放射率補正されたパイロメトリのための方法 | |
| EP1476903B1 (en) | A method of calibrating and using a semiconductor processing system | |
| US20230017768A1 (en) | Apparatus and method for use with a substrate chamber | |
| TW202346816A (zh) | 發射率校正高溫測量法 | |
| KR20220130609A (ko) | 막 증착 동안 기판 온도를 제어하기 위한 이중 고온계 시스템 | |
| JP2019106462A (ja) | 気相成長装置及び温度測定方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |