CN112119395A - Cvd设备的设有特征标识的构件和用于传输信息的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于向处理控制器(15)传输信息的方法，所述具有下列方法步骤，提供构件(10，11，12，13)，所述构件借助构造的体积区域设有可机器读取的特征标识(16)。在加热构件(10，11，12，13)时结构(7，8，9)在红外线范围内发光，使得所述结构能够被红外线传感器(14)区分。由隆起(7)或凹陷(8)构成的结构形成可机器读取的标识(16)，所述标识能用作真实性标记。当所述标识(16)在原位通过加热可被测得时，处理控制器(15)能够识别是否使用修正值来实施对基板(6)的热处理。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于热处理至少一个基板的设备的构件，其中，所述构件在热处理时通过加热装置被加热到一个温度，在该温度下通过温度传感器、例如红外线传感器能够根据传感器信号的强度相互区分所述构件的彼此不同地构造的体积区域的表面区域。
本发明还涉及一种用于热处理至少一个基板的设备，所述设备具有至少一个控制装置和构件，所述构件在热处理时通过加热装置被加热到一个温度，在该温度下通过传感器能够根据传感器信号的强度相互区分所述构件的彼此不同地构造的区域内的表面区域。
本发明还涉及一种用于向处理控制器传输信息的方法和一种用于修正处理参数的方法。
背景技术
作为CVD(化学气相沉积)反应器的组成部分的构件还在专利文献EP 2 160 759Bl、DE 10 2013 012 082 Al、DE 10 2012 108 986 Al或DE 10 2008 055 582 Al中记载。
从专利文献US 9,568,421 B2或US 2017/0323186 Al中已知一种方法和设备，以便给对象设置特征标识。真实性标记和可机器读取的字符布置也在专利文献WO 2015/170306 A2和US 3,636,317中记载。
按照本发明的CVD反应器具有处理室，该处理室被壁包围。处理室的壁由耐热材料例如陶瓷、石英、石墨或钼制成的构件构成。该构件在基板的热处理时，例如当在基板上沉积出层时被加热。为了沉积出层，将多个处理气体输入处理室中，这些处理气体在处理室中热分解。分解产物、尤其第III主族元素的有机金属化合物和第V主族元素的氢化物通过形成层而沉积在基板表面上。沉积层的质量在很大程度上取决于处理室中实现期望的温度曲线。因此，例如有必要使承载基板的基座上的侧向温度梯度尽可能消失。在多个按照本发明的处理室中，从下方加热基座并且冷却与基座相对置的处理室顶盖。然而还提供其他的装置，其中，同样加热处理室顶盖。构件、尤其基座的确定的物理变量、尤其是几何变量例如对处理室中的过程变量、如温度或温度曲线具有很大的影响。为了能够以可重复的结果实施热处理过程、尤其是层的沉积，需要将所期望的过程变量可靠地保持在窄的公差范围内。为了实现期望的过程变量，借助方案的处理参数调整执行器、例如加热装置或用于调节冲洗流的质量流控制器。方案的处理参数可以设计为，在构件的物理变量的标准值的情况下在处理室中实现期望的过程变量。若物理变量例如由于一个构件已替换成另一个构件而发生变化，则即使处理参数未更改，过程变量也会发生变化。因此，构件的更换会影响处理室内的温度分布，从而影响沉积在基板上的层的质量。作为物理变量在此可以考虑尤其带公差的变量、例如构件的表面的涂层的平均层厚度、表面粗糙度、表面的光发射率或构件的确定的长度值、宽度值或厚度值。
因此，在更换构件后，通常需要修改方案的处理参数，以在处理室内实现期望的过程变量。
发明内容
首先本发明所要解决的技术问题是，提供一种手段，通过该手段改善用于热处理基板的设备的操作。
该技术问题通过权利要求中所限定的技术方案来解决，其中，从属权利要求不仅是独立权利要求有利的扩展方案，也是该技术问题的独立解决方案。
首先主要建议用于构造彼此不同的区域、尤其体积区域的结构。这涉及影响构件的表面温度的并且整体上产生可机器读取的标识的结构。特征标识可以通过传感器、尤其温度传感器，也就是说例如红外线传感器来确定。尤其使用高温计，通过该高温计可以局部地确定在构件的表面上的局部温度，它是指CVD反应器的基座、侧面件、顶盖或盖板。或者通过旋转构件或者通过移动传感器在构件表面上的测量点可以检测特征标识。尤其规定，传感器是光学的温度传感器，借此设备的控制装置获得有关构件的实际温度、尤其是基座的实际温度的信息，并且其中，该温度优选被控制装置用于调节构件的温度。优选通过该光学的温度传感器来读取标识，该光学的温度传感器自身存在于玻璃纤维线的一个端部，该玻璃纤维线的另一个端部指向该构件。为此，仅需要将构件加热到例如超过500℃的温度，以便构件的表面在可由传感器检测的红外线频率范围内发光。尤其相邻的不同的结构可以根据其辐射强度或其辐射光谱相互区分。该温度传感器优选是具有红外线光学器件的红外线传感器，通过该红外线光学器件可以确定较小的表面区域内的温度。在此尤其涉及局部高分辨率地测量的传感器。这种根据其辐射强度或其辐射光谱可区分的结构优选布置在构件的背面，该构件的正面指向处理室。按照本发明的一个方面，借助温度传感器确定构件的指向加热装置的外表面的表面温度。这可以通过上述的布置在玻璃纤维线的端部上的温度传感器实现。玻璃纤维线的另一个端部以一个很小的间距在其温度待测量的构件的外表面的前方终止。按一种变型方案规定，确定构件的背离背面的正面的温度。其温度被温度传感器测量的正面可以设计成光滑壁或设有另外的结构，例如设有用于固定基板位置的凹陷或肋条。设有一些结构的体积区域可以在体积区域的表面上具有隆起或凹陷。但体积区域也可以具有空腔，体积区域如此构造有空腔，使得配属于体积区域的、朝向红外线传感器的表面区域可以根据温度测量信号的强度区分。该结构区域也可以是表面区域。因此尤其规定，表面的相邻的结构区域通过表面特性区分。表面特性可以通过粗糙化、抛光或通过涂彩色颜料来构造，并且尤其可以不同地设计。这些结构可以沿着围绕圆弧线的中心可旋转驱动的构件的圆弧线布置。这种构件尤其指基座。凭借这些结构的这种布置方式，红外线传感器的测量点不需要移动。测量位置可以相对于处理室保持位置固定，因为构件在测量部位下方运动。在一种备选方案中规定，构件相对于处理室静止。在此，这些结构可以在一条直线上依次布置。但也可以规定，这些结构布置在一个面上。随后通过测量位置的移动实现对这些结构形成的特征标识的读取。该线或面一定程度上由红外线传感器扫描，与由条形码读取器一样。产生特征标识的结构优选具有彼此等距离间隔的结构元件。这些结构的结构元件可以以条形码或二维码的形式布置。这些结构或结构元件作为结构单元布置在所述构件上并且尤其由在正面和背面之间具有不同材料厚度的区域形成。
本发明还涉及一种使构件特征化的方法。多个其余相同设计的构件中的每一个都设有特征标识。为此如前所述地，配属于彼此相邻的表面区域的构件的体积区域设有空间结构。该空间结构优选是在构件加热时在红外线范围内彼此可区别地发光的结构。这些结构整体上获得构件的可机器读取的特征标识。该标识可以是多位数字的字符串，在最简单的情况下，是指二进制数位序列，该二进制数位序列的特征在于，0值表示无凹陷或无隆起并且1值表示有凹陷或隆起。然而，标识也可以由具有不同高度或深度的隆起或凹陷形成。除了数字字符串外还可以考虑字母字符串。通过空间结构产生的热图像由尤其局部高分辨率的温度传感器检测。传感器信号被评估并且转换成字符串。这通过计算器实现。此外还可以规定，字符串包含编码的或加密的值，例如以便达到一定程度的防伪性。编码的值可以是校验值和或哈希值。也可行的是，通过由公共密匙和私有密匙组成的密匙对标识加密。
在本发明的扩展设计中，特征标识可以包含构件的尤其带公差的物理变量的数据。带公差的物理变量可以是例如涂层的厚度、表面的特性，例如反射率或发射率，构件的长度、宽度、厚度或表面凹陷或表面突起的尺寸。这些尤其带公差的物理变量首先在尚未标记的构件上确定。然后通过使用加密功能形成特征标识，在该特征标识中包含构件上测得的物理变量。然后，例如通过材料剥除以前述方式通过形成例如凹陷将标识设置在构件上。
本发明还涉及一种用于向处理控制器传输信息的方法，其根据存储在方案中的处理参数控制基板的热处理过程，方式是，设置在方案中预设的气体质量流或加热调节值，例如方式是预设调节温度，该调节温度必须在处理室中预设的测量点上达到。在按照本发明的方法中首先提供例如制造承载特征标识的构件，该特征标识光学地、例如通过图像识别方法、例如通过摄像机，但也通过扫描激光束机器可识别。这样也可以在室温下进行。但标识优选如此设计，使得它首先在构件加热时通过红外线传感器可机器读取。由该构件确定尤其带公差的物理变量的值。在此，这可以在设置特征标识之后进行。该构件在这些尤其影响过程的物理变量方面被测量。这测量值可以与标识一起传输到用于热处理基板的设备的控制装置上。可以规定，控制装置具有计算程序，该计算程序可以确定物理变量对处理参数的影响。尤其规定，确定物理变量对过程变量的值的影响。这可以手动地通过应用经验实现。但为此也可以进行模型计算。也规定进行实验，其中，在处理条件下加热构件并且在处理室内部记录温度曲线。然后同样地根据模型计算或者也通过实验确定修正值，通过该修正值修正处理参数，也即用于控制加热效率或气体质量流的值，从而可以达到期望的过程变量，也即尤其是处理室内的温度。当设备使用具有承载特征标识的构件的设备时可以使用这些修正值。但也规定，这些修正值逻辑上配属于构件的相应特征标识。优选的时，模型计算不由处理控制器本身执行，而是通过另外的计算器执行。为此，可以例如生成一个文件，该文件除了修正值外还包含特征标识或者其文件名是特征标识。但也可以规定，修正值和特征标识在中央数据库或分散式数据库中彼此在逻辑上相互关联。修正值与标识一起传输到处理控制器。这可以通过将一个链接传输到一个文件、通过允许访问本地数据库或中央数据库或通过传统的通信通道，如信件或电话实现。在按照本发明的用于修正方案的处理参数的方法中，使用这种传输到处理控制器上的修正值，以便修改存储在方案中的处理参数。该方法尤其在从CVD反应器中取出一个构件并且将该构件用另一个构件更换时使用。处理室和尤其构件被加热到一个温度，在这个温度中借助本来存在于处理室中的红外线传感器确定标识。在目标温度下在红外线范围内发光的标识借助红外线传感器检测。然后，根据修正值与特征标识的逻辑关系可以修改方案，方式是根据修正值修改所选的处理参数。
此外可以规定，借助红外线传感器或借助另外的布置在设备中的传感器或测量元件检测至少一个布置在处理室中的构件的物理变量。然后解密由该构件测得的特征标识。从解密的值中可以读取物理变量。读取到的这些物理变量可以与在原位测得的物理变量相比较。如果它们一致，则构件可以看作原始零件。如果物理变量的在原位测得的值处于从特征标识中获得的值的附近范围以外，则构件可以看作非原始零件。
本发明的另一个方面涉及控制装置的功能的激活。因此，例如可以规定，仅当优选在设备关闭时在设备内检测的构件的特征标识属于一组允许的特征标识时，才可以使用控制装置的确定的功能。这尤其规定是，用于在设备上实施方法的程序获得更新。
附图说明
下面参照附图阐述本发明的实施例。在附图中：
图1示意性地示出通过CVD反应器1和布置在其中的处理室2的横截面以及处理控制器15，
图2示意性地示出根据图1中的线II-II剖切所得的剖视图，其相当于基座10的俯视图，
图3示出沿图1中的线III-III剖切所得的剖视图，其相当于基座10的仰视图，
图4示出沿图3中的剖面线IV-IV剖切所得的剖视图，在此为清晰起见放大地示出基座10上的结构7、8，
图5示出构件10，11，12，13之一的俯视图，其具有沿直线布置的由凹陷8和隆起7形成的特征标识16，
图6示出布置在表面上的凹陷8形式的特征标识16，
图7示出在构件10，11，12，13的体积内的空腔9，9'形式的特征标识16，
图8示意性地示出在使用处理控制器15的、红外线传感器14的和加热装置5的计算器的情况下确定特征标识，
图9示出根据图1的另外的实施例的视图，其中，在基座的底侧借助玻璃纤维线21测量基座10的温度。
具体实施方式
图1示意性示出的CVD反应器1具有气密的壳体，在该壳体中具有处理室2。处理室2具有基座10，该基座可以由石墨部分、钼部分、石英部分或陶瓷部分构成。在基座10下方存在用于将基座10加热到500℃以上或700℃以上温度的加热装置5。
在基座10的朝向处理室顶盖12的上侧具有盖板13，该盖板也可以由多个部分组成。盖板13具有圆形开口，在该圆形开口中布置有基板6，该基板在处理室2中被涂覆涂层。
处理室顶盖12和围绕处理室2的侧面件11同样由石墨、钼、石英或陶瓷制成。
为了在基板6上沉积出层，由多种气体组成的处理气体借助进气口3可以输入到处理室2中。气体的成分在处理室2中被分解，从而在基板6上沉积出层。同样通过进气口3输入的反应产物或运载气体可以通过出气口4又离开CVD反应器1。真空泵可以与出气口4连接。作为处理气体尤其可以使用第III主族的有机金属化合物和第V主族的氢化物，处理气体与运载气体、例如氢气一同借助附图未示出的、但在其他现有技术中已知的进气机构被输入到处理室2中。
通过加热装置5从下方加热基座10，该加热装置5是红外线加热装置或射频加热装置。由此也将侧面件11和处理室顶盖12加热到更高的温度。
通过红外线传感器14、例如高温计能够以已知的方式测量盖板13的或位于盖板13下方的基座10的表面温度。设有在图1中未示出的另外的红外线传感器14，通过另外的红外线传感器14确定侧面件11、顶盖12、盖板13或基座10的表面温度。基座10、侧面件11、顶盖12和盖板13一起形成构件，加热时这些构件的表面在红外线范围内发光。在背面和正面的温度可以彼此不同，因此热量流过构件。
按照本发明规定，构件10，11，12，13中的至少一个、优选基座10设有特征标识16，其中，特征标识优选配属于由于温度梯度被热量流过的体积区域。由于构件10，11，12，13的有效材料厚度不同，因此背离热源的表面上产生局部不同的表面温度。
可围绕旋转轴线转动的基座10具有在圆弧线上围绕基座10的旋转中心延伸的标识16。标识16可以由布置在圆弧线上的彼此间隔的隆起7和/或彼此间隔的凹陷8形成。这些隆起7或凹陷8可以沿圆弧线的弧线方向具有不同的距离。这些凹陷8或隆起7影响构件的有效材料厚度。
如图4所示，由隆起和凹陷8形成的结构布置在朝向加热装置5的背面上。隆起7和凹陷8通过基座10影响热传递，使得在与隆起7对置的表面区域17和在与凹陷8对置的表面区域18中测量出彼此不同的温度。如果热量基本上通过热辐射从加热装置传递到基座10的底侧，则在凹陷8到相对置的表面区域18的范围内的热传递行程小于在隆起7到相对置的表面区域17的范围内的热传递行程。这导致在表面区域18中的表面温度略高于表面区域17中的表面温度。
通过尤其具有光学器件的红外线传感器14可以在空间狭窄的测量点处测量温度。如果现在围绕旋转轴线旋转驱动基座10，则红外线传感器14的测量点沿着基座10的上侧之上的圆弧线移动，在基座10的底侧上的刚才的那条圆弧线上具有结构7，8。这产生随时间变化的温度传感器信号，根据该信号可以形成矩形信号。这个矩形信号表示脉冲序列。根据脉冲序列的脉冲长度可以得到二进制数位信号。该二进制数位信号代表构件10的特征标识16。
在图5所示的实施例中，大量的凹陷8在一条直线上依次地布置。但是依次布置的结构也可以由布置在一条线上的隆起7构成。为了确定由隆起7或凹陷8形成的特征标识16，红外线传感器14的测量部位，例如通过使用适合的镜子在构件10，11，12，13的表面上移动。
在图6所示的实施例中，结构、尤其凹陷8布置在表面上。此处，测量点可以扫描地在这个表面之上移动，以便读取特征标识。这些结构在此以二维码的形式布置并且也可以以相同的方式编码，从而可以使用二维码扫描方法读取这些结构。
在图3所示的实施例和其他的未示出的实施例中，这些结构以条形码的形式布置并且可以通过条形码读取方法来识别。
在图7所示的实施例中，标识16通过在构件10，11，12，13内部的空腔9，9'实现。空腔9，9'可以是孔，这些孔从窄侧围绕构件10，11，12，13被设置。空腔9，9'可以是直径彼此不同的孔。这些孔也可以以彼此不同的距离布置。尤其规定，相同大小的彼此邻接的表面区域如此构造，使得这些表面区域具有具备大直径的孔或者具备小直径的孔或者根本没有孔。如同隆起7和凹陷8一样，孔9，9'影响从构件的宽侧到构件的相对置的宽侧的热传递，因此在彼此邻接的表面区域17，18，19中的表面温度通过红外线传感器、尤其高温计可测量地被区分。
标识16可以是在构件10，11，12，13的成型时通过切削加工产生的一系列结构。构件10至13可以在设置结构7至9之后被涂层。但也规定，在构件10至13完全制造之后才设置结构7，8，9。在该变型方案中，在施加标识16之前确定构件10至13的物理变量、例如长度尺寸、宽度尺寸、厚度尺寸或表面结构的尺寸。也规定，将对构件10至13所涂覆的涂层的材料厚度用作物理变量。
在本发明的变型方案中，至少根据这种物理变量的值确定标识16。然后将标识以加密的形式作为以隆起7或凹陷8或空腔9形式的二进制数位序列设置在构件10至13上。如果随后读取标识16，则完全可以通过解密重建物理变量的值。它可以与随后重新测量的实际物理变量相比较。以这种方式可以识别原始零件。
图8示意性地示出，如何借助红外线传感器14可以光学读取布置在基座10的背面上的标识。
基座10从下方被加热装置5加热。在底侧上具有毗邻的隆起7和凹陷8。与隆起7相对置的表面区段17比与凹陷8相对置的上侧的表面区段18具有更小的表面温度。通过红外线传感器14可以在一定程度上对背离加热装置5的、基座10的上侧进行温度扫描。然后同样获得图8中示意性示出的温度曲线20，其代表传感器信号。然后通过处理控制器15或另外的计算器可以从中确定标识16，其中，将二进制值中的零分配个给每个隆起并且将二进制值中的一分配给每个凹陷8。凹陷8或隆起7在此也为了清楚起见以夸张的方式示出。
按照本发明的一种变型方案规定，在制造构件10，11，12，13之后可以确定其相关的物理变量。这些构件光学地或以其他方式被测量。确定构件的其他结构的长度、宽度和厚度或尺寸。此外，确定涂层的厚度以及光学特性。这可以在设置形成标识16的结构7，8，9之前或者之后进行。所确定的物理变量电子地存储在数据载体或测量表上的文件中。该文件记录有特征标识。测量表也可以记录有特征标识。
随后可以在处理室2中在原处识别在制造中例如通过备用零件更换的构件，因为在构件10至13被加热时或者在构件10至13的两个宽侧之间形成温度梯度时，借助红外线传感器14检测标识16。因此，在运行期间可以确定涉及哪个构件10至13，以便随后根据之前确定的物理变量的数据必要时通过修改处理参数修正地干预处理过程。
在本发明的一种变型方案中规定，在构件10至13的制造之后根据模型计算或通过实验确定，尤其受公差影响的物理变量会对过程变量有哪些影响。作为过程变量在此可以考虑处理室2中的尤其一个或多个温度、尤其温度曲线或者基座10或另外构件的上侧上的侧向温度梯度。然后可以确定必须将处理参数、也即例如加热控制、尤其是加热的额定温度或目标温度进行何种程度的修改，以使处理参数达到额定值。在此生成修正值。这些修正值可以传输到制造设备的处理控制器15。制造设备能够独立地确定安置在处理室2中的构件10至13的标识，然后通过应用修正值修改方案的处理参数，从而也可以通过更换不同于之前安装的零件的备用零件而实现相同的处理效果。
图9示出按图1的图示。在图1所示的实施例中基座10的温度在其上侧、也即在基座的背离加热装置5的一侧被测量，而图9中所示的实施例具有光导体21，该光导体通过一个端部与光学传感器14连接，其中，该光学传感器14是红外线传感器。光导体21的另一个端部以一个较小的间距在基座10的朝向加热装置5的侧面的前方终止。该侧面具有凹陷8，这些凹陷整体上获得机器可读的标识。基座10在远离加热装置5的侧面上具有具备开口的盖板13，基板6位于该开口中。
上述实施方式用于阐述在申请中整体包含的发明，该发明至少通过以下特征组合分别独立地扩展了现有技术，其中，两个、多个或所有特征组合也可以相互组合，即：
一种构件，其特征在于，所述区域构造有可机器读取的、生成特征标识16的结构7，8，9。
一种设备，其特征在于，所述区域构造有可机器读取的、生成特征标识(16)的结构(7，8，9)。
一种方法，其特征在于，所述构件10，11，12，13的体积区域设有空间结构7，8，9，所述体积区域配属于所述构件10，11，12，13的彼此相邻的区域17，18，19，所述空间结构在光学上能够相互区分并且整体上作为统一的、连贯的结构装置形成通过传感器14可机器读取的特征标识16。
一种构件或一种设备或一种方法，其特征在于，所述设备1的构件10，11，12，13是CVD处理室2的基座10、侧面件11、顶盖12、盖板13或另外的构件。
一种构件或一种设备或一种方法，其特征在于，所述结构由布置在构件10，11，12，13的外表面中的隆起7或凹陷8、由外表面的表面特性和/或由布置在体积中的空腔9构成。
一种构件或一种设备或一种方法，其特征在于，所述结构7，8，9沿着围绕圆弧线的中心可旋转驱动的构件10的圆弧线布置，和/或所述结构7，8，9沿直线布置。
一种设备或一种方法，其特征在于，所述传感器14是用于调节构件的温度的温度传感器，并且所述控制装置15设置为，根据传感器信号的随时间的波动可测得或测得标识。
一种构件或一种设备或一种方法，其特征在于，所述标识16通过评估红外线传感器14的传感器信号可转换或转换为多位数字的或字母数字的字符串。
一种构件或一种设备或一种方法，其特征在于，所述字符串包含编码值，和/或所述字符串被加密，和/或所述特征标识16包含尤其带公差的物理变量的值，所述物理变量在所述构件10，11，12，13)上能够测量，和/或通过对所述特征标识16的测取而触发解锁功能。
一种构件或一种设备或一种方法，其特征在于，所述区域是通过粗糙化、抛光或涂颜料实现构造的表面区域。
一种用于向处理控制器15传输信息的方法，所述方法具有如下方法步骤：
-提供构件，其中，所述构件10，11，12，13的体积区域设有空间结构7，8，9，所述体积区域配属于彼此相邻的表面区域，所述空间结构在光学上能够相互区分并且整体上形成可机器读取的特征标识16；
-确定所述构件10，11，12，13的尤其带公差的物理变量，和/或确定该物理变量对在热处理基板时的过程变量的值的影响，并且确定用于修正处理参数的修正值；
-修正值和/或物理变量配有特征标识16；
-将所述特征标识16和物理变量和/或修正值传输至所述处理控制器15。
一种用于修正处理控制器15的处理参数的方法，所述方法具有如下方法步骤：
-按照权利要求11将特征标识16和配属的物理变量和/或修正值传输至处理控制器15，将承载有特征标识16的构件10，11，12，13装入设备中；
-关闭所述设备1；
-检测装入设备中的构件10，11，12，13的特征标识16；
-利用所传输的物理变量和/或修正值修正处理参数。
一种构件或一种设备或一种方法，其特征在于，当所述构件10，11，12，13被加热时、尤其当热量流过所述构件10，11，12，13时，所述区域在红外线范围内发光并且所述传感器14是红外线敏感的传感器。
一种构件，其特征在于，所述构件10，11，12，13的材料厚度和导热性如此选择，使得布置在所述构件10，11，12，13的第一外表面上的结构通过红外线敏感的传感器14在背离第一外表面指向的第二外表面上可被识别或被识别。
所有公开的特征(本身及其相互组合)都有发明意义或发明价值。在本申请的公开文件中，所属/附属的优先权文本(在先申请文件)的公开内容也被完全包括在内，为此也将该优先权文本中的特征纳入本申请的权利要求书中。从属权利要求的特征即使没有相应权利要求的技术特征也都是对于现有技术有独立发明意义或价值的改进设计，尤其可以这些从属权利要求为基础提出分案申请。在每个权利要求中提供的发明可以附加地具有一个或多个在前述说明中、尤其设有附图标记和/或在附图标记列表中提供的技术特征。本发明也涉及一些设计形式，其中，在前述说明书中提到的个别技术特征不能实现，尤其就此可被识别出对于各个应用目的是不必要的或者通过其它技术上可同样实现的器件可被替代。
附图标记清单
1 CVD反应器
2 处理室
3 进气口
4 出气口
5 加热装置
6 基板
7 隆起结构
8 凹陷结构
9 空腔结构
9' 空腔结构
10 基座
11 侧面件，构件
12 顶盖件，构件
13 盖板，构件
14 红外线传感器
15 计算器，处理控制器
16 标识
17 表面区域
18 表面区域
19 表面区域
20 传感器信号
Claims (15)
1.一种用于热处理至少一个基板(6)的设备(1)的构件(10，11，12，13)，其中，所述构件(10，11，12，13)在热处理时通过加热装置(5)被加热到一个温度，在该温度下通过传感器(14)能够根据传感器信号(20)的强度相互区分所述构件(10，11，12，13)的彼此不同地构造的区域内的表面区域(17，18，19)，其特征在于，所述区域构造有可机器读取的、生成特征标识(16)的结构(7，8，9)。
2.一种用于热处理至少一个基板(6)的设备(1)，所述设备具有至少一个控制装置(15)和构件(10，11，12，13)，所述构件在热处理时通过加热装置(5)被加热到一个温度，在该温度下通过传感器(14)能够根据传感器信号(20)的强度相互区分所述构件(10，11，12，13)的彼此不同地构造的区域内的表面区域(17，18，19)，其特征在于，所述区域构造有可机器读取的、生成特征标识(16)的结构(7，8，9)。
3.一种使构件(10，11，12，13)特征化的方法，其特征在于，所述构件(10，11，12，13)的体积区域设有空间结构(7，8，9)，所述体积区域配属于所述构件(10，11，12，13)的彼此相邻的区域(17，18，19)，所述空间结构在光学上能够相互区分并且整体上作为统一的、连贯的结构装置形成通过传感器(14)可机器读取的特征标识(16)。
4.按照权利要求1所述的构件、按照权利要求2所述的设备或按照权利要求3所述的方法，其特征在于，所述设备(1)的构件(10，11，12，13)是CVD处理室(2)的基座(10)、侧面件(11)、顶盖(12)、盖板(13)或另外的构件。
5.按照权利要求1或4所述的构件、按照权利要求2或4所述的设备或按照权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述结构由布置在构件(10，11，12，13)的外表面中的隆起(7)或凹陷(8)、由外表面的表面特性和/或由布置在体积中的空腔(9)构成。
6.按照权利要求1、4或5之一所述的构件，按照权利要求2、4或5之一所述的设备或按照权利要求3至5之一所述的方法，其特征在于，所述结构(7，8，9)沿着围绕圆弧线的中心可旋转驱动的构件(10)的圆弧线布置，和/或所述结构(7，8，9)沿直线布置。
7.按照权利要求2或4至6之一所述的设备或按照权利要求3至6之一所述的方法，其特征在于，所述传感器(14)是用于调节构件的温度的温度传感器，并且所述控制装置(15)设置为，根据传感器信号的随时间的波动可测得或测得标识。
8.按照权利要求1或4至6之一所述的构件、按照权利要求2或4至7之一所述的设备或按照权利要求3至6之一所述的方法，其特征在于，所述标识(16)通过评估红外线传感器(14)的传感器信号可转换或转换为多位数字的或字母数字的字符串。
9.按照权利要求1、4至6或8之一所述的构件、按照权利要求2或4至8之一所述的设备或按照权利要求3至6或8之一所述的方法，其特征在于，所述字符串包含编码值，和/或所述字符串被加密，和/或所述特征标识(16)包含尤其带公差的物理变量的值，所述物理变量在所述构件(10，11，12，13)上能够测量，和/或通过对所述特征标识(16)的测取而触发解锁功能。
10.按照权利要求1、4至6或8至9之一所述的构件、按照权利要求2或4至9之一所述的设备或按照权利要求3至6或8至9之一所述的方法，其特征在于，所述区域是通过粗糙化、抛光或涂颜料实现构造的表面区域。
11.一种用于向处理控制器(15)传输信息的方法，所述方法具有如下方法步骤：
-提供构件，其中，所述构件(10，11，12，13)的体积区域设有空间结构(7，8，9)，所述体积区域配属于彼此相邻的表面区域，所述空间结构在光学上能够相互区分并且整体上形成可机器读取的特征标识(16)；
-确定所述构件(10，11，12，13)的尤其带公差的物理变量，和/或确定该物理变量对在热处理基板时的过程变量的值的影响，并且确定用于修正处理参数的修正值；
-修正值和/或物理变量配有特征标识(16)；
-将所述特征标识(16)和物理变量和/或修正值传输至所述处理控制器(15)。
12.一种用于修正处理控制器(15)的处理参数的方法，所述方法具有如下方法步骤：
-按照权利要求11将特征标识(16)和配属的物理变量和/或修正值传输至处理控制器(15)，将承载有特征标识(16)的构件(10，11，12，13)装入设备中；
-关闭所述设备(1)；
-检测装入设备中的构件(10，11，12，13)的特征标识(16)；
-利用所传输的物理变量和/或修正值修正处理参数。
13.按照权利要求1、4至6或8至10之一所述的构件、按照权利要求2或4至10之一所述的设备或按照权利要求3至6或8至12之一所述的方法，其特征在于，当所述构件(10，11，12，13)被加热时、尤其当热量流过所述构件(10，11，12，13)时，所述区域在红外线范围内发光并且所述传感器(14)是红外线敏感的传感器。
14.按照权利要求13所述的构件，其特征在于，所述构件(10，11，12，13)的材料厚度和导热性如此选择，使得布置在所述构件(10，11，12，13)的第一外表面上的结构通过红外线敏感的传感器(14)在背离第一外表面指向的第二外表面上可被识别或被识别。
15.一种构件或设备或方法，其特征在于前述权利要求之一所述的特征中的一个或多个。
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