CN113853448A - 用于在生产条件下采集cvd反应器的状态的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于运行具有处理室(3)的CVD反应器(1)的方法，其中，在处理阶段(PR)的一个或多个处理步骤(R1，R2，R3)中的处理期间，在该处理阶段中基底(2)位于处理室(3)中，借助由控制装置(10)根据存储在控制装置(10)中的配方所提供的控制数据分别设置处理温度(T)、压力(P)以及将处理气体流(Q)馈入到处理室(3)中，其中，在处理期间借助传感器确定测量数据，从该测量数据中计算当前的“指纹”，该“指纹”与以相同方式在一个或多个较旧的处理中所确定的历史“指纹”进行比较。根据本发明提出，“指纹”仅包括从测量值获得的那些值或值组，该测量值在调节阶段(PC、PC')的一个或多个调节步骤(C1.1，C1.2，C1.3)期间被采集，其中根据由配方提供的控制数据分别设置处理温度(T)、处理压力(P)以及将处理气体流(Q)馈入到处理室(3)中。

Description

用于在生产条件下采集CVD反应器的状态的方法
技术领域
本发明涉及一种用于运行具有处理室的CVD反应器的方法，其中，在处理阶段的一个或多个处理步骤中的处理期间，在该处理阶段中基底位于处理室中，借助由控制装置根据存储在控制装置中的配方(Rezept)所提供的控制数据，分别设置处理室中的处理温度、压力并且将处理气体流馈入到处理室中，其中，在处理期间借助传感器确定测量数据，从该测量数据中计算当前的“指纹(Fingerabdruck)”，该“指纹”与以相同方式在一个或多个较旧的处理中所确定的历史“指纹”进行比较。
背景技术
CVD反应器是涂覆设备的一部分，该涂覆设备在所涂覆的半导体基底的生产过程中，按照设备操作者所预先给定的配方对基底分别执行加工阶段，在该加工阶段中基底被自动、半自动或手动施加到布置在CVD反应器内部的基座上。基座所位于的处理室被泵汲、冲洗并达到处理温度，在该处理温度下处理气体被馈入到处理室中，使得在基底表面上沉积出涂层。处理的加工阶段可以包括大量的处理步骤，这些处理步骤以不同的处理参数来执行，即在不同的温度、总压力或处理气体成分下进行。
CVD反应器在相应的加工阶段之前或之后进行调节。还规定在加工阶段之前校准CVD反应器。因此，该方法可以具有设置在处理阶段之前的校准或调节阶段。在校准阶段，处理参数、特别是热量流入参数和热量流出参数是变化的。在此，这些参数是影响到基底的热量流入或基底的热量排出的参数。在这些参数变化的情况下，基底温度发生变化。在校准步骤中，因此可以确定针对不同参数的值，利用这些值可以实现预先给定的基底温度。
在调节阶段中，处理室应当进入所定义的目标状态。调节阶段通常也由大量的步骤、即大量的调节步骤组成。在调节步骤期间，使处理室达到调节温度。调节气体被引入处理室。调节气体可以是蚀刻气体、例如氯气，或含有卤素的化合物。然而，调节气体也可以是另外的气体。利用调节气体，可以进行对处理室的清洁。然而，利用调节气体还可能伴随着对处理室的表面的预涂覆或表面调节。至少一个调节步骤按照固定地预先给定的处理参数来进行。
US 6,455,437 B1和US 2004/0254762 A1描述了一种用于运行CVD反应器的方法，其中由在处理期间所确定的测量值形成指纹。每个处理步骤与单独的指纹相关联。以该方式形成的历史指纹可以与当前的指纹进行比较，以便提早获得关于CVD反应器的运行状态的知识。
US 7,212,950 B2描述了一种用于运行CVD反应器的方法，其中在工厂中使用多个相同的CVD反应器。为了识别各个反应器中的处理数据是否存在偏差，根据测量数据形成特征性的“指纹”，该“指纹”可以彼此进行比较。
JP 2016213400 A描述了一种用于运行CVD反应器的方法，其中在处理步骤期间获得处理数据，这些处理数据被存储在数据集合中。
US 7,583,833 B2描述了一种用于CVD沉积处理的质量保证的系统和方法，其中在运行期间确定测量值，该测量值与历史测量值进行比较。从US2007/0195853A1中已知一种用于确定参数的方法，其中在时间上布置在加工方法之前的校准方法中确定大量的值。从该大量的值中确定参数，该参数提供了最接近预先给定的温度的实际温度。在那里，在使用“设置配方(Setup-Recipe)”的情况下逐步地升高温度。在每个步骤中，在多个传感器上测量温度值。在此所获得的值形成矩阵，利用该矩阵根据标准模型计算校准后的热学模型，该标准模型考虑了热学特性，该校准后的热学模型再现了实际达到的温度。
以上所描述的现有技术使得可以在处理的稳定性方面将具有一系列相同处理步骤的处理彼此间进行比较。如果由用户改变了控制数据，则必须获得更新的指纹，以便分析随后利用相同控制数据执行的处理的稳定性。
发明内容
本发明要解决的技术问题是，即使用户在处理阶段改变控制数据，也能够获得关于CVD反应器的设备状态的热学特性的可靠知识。
该技术问题通过权利要求中所说明的本发明来解决，其中，从属权利要求不仅表示并列权利要求的有利扩展，而且还表示对该技术问题的独立的解决方案。
根据本发明的第一方面，提出了一些措施，利用这些措施可以对设备状态进行有说服力的统计分析，尤其是在处理阶段期间执行彼此不同的处理步骤时也是如此。
首先，基本上提出，利用固定预先给定的、不可改变的处理参数执行至少一个调节步骤。在所涂覆的半导体基底的生产中执行的大量处理中的每一个都具有该至少一个第一调节步骤，该第一调节步骤必要时可以与具有单独处理参数的第二调节步骤组合。根据本发明，至少在该第一调节步骤期间确定处理数据并且这些处理数据与相同类型的处理数据一起进行统计分析。因此，只有在相同的第一调节步骤中、即以相同预先给定的处理参数执行的调节步骤中已经确定的处理数据在统计上被彼此关联。处理数据尤其是所测量的数据，例如处理室内的总压力、处理室内的温度或所测量的处理气体的分压。处理参数是处理气体的目标温度、目标压力和目标流量。然而，调温池温度、湿度值等的额定值或实际值也可用作处理参数或处理数据。CVD反应器具有控制装置。该控制装置具有存储器。在该存储器中可以存储有配方，根据该配方执行处理。该处理可以分为两个阶段：调节阶段，在该阶段中在不存在基底或存在伪基底的情况下调节处理室；以及处理阶段，在该阶段中处理位于处理室中的基底，例如在该阶段中以一个或多个涂层对基底进行涂覆。处理阶段和调节阶段可以分别具有多个步骤。控制装置为每个处理步骤以及为每个调节步骤提供控制数据，按照这些控制数据设置调节温度或处理温度、调节压力或处理压力以及定位气体流或处理气体流。调节气体流和处理气体流在此可以具有多个单独气体流，例如一个载气体流和多个反应气体流。在各个步骤期间，借助合适的传感器在处理室内以及处理室外的不同的位置处记录测量值。测量值可以是处理室内部或外部的气相中的分压。然而，测量数据也可以是处理室内部或外部的不同位置处的温度。测量数据则可以是废气温度、处理室内壁的温度。也可以考虑来自排风传感器的测量值，这些传感器测量其他机组(例如泵)，还有冷却回路的温度。测量值可以在开关柜、用于装载CVD反应器的装卸柜、气体混合系统处于其中的机柜或泵壳中被记录。根据本发明的优选的设计方案，调节阶段具有多个第一调节步骤，即总是以相同的处理参数执行的调节步骤，其中这些多个第一调节步骤优选地直接地彼此相继跟随。在调节步骤期间测量到的测量值被存储。为了计算历史“指纹”，对历史测量值进行统计加工。为此，优选地仅使用大量历史处理的那些测量值，这些测量值是在所有处理中相同的调节步骤期间获得的。因此，历史“指纹”可以是计算的结果，其中以彼此相同的处理参数执行的调节步骤的测量值是相联系的。待与该历史“指纹”进行比较的当前指纹已经利用测量值获得，该测量值是在一个或多个调节步骤中已经确定的，该调节步骤具有与用于确定历史“指纹”的处理参数相同的处理参数。可以形成最小值、最大值、平均值和标准偏差。将当前的处理数据与如此获得的历史统计数据联系起来，以便确定CVD反应器或CVD设备与目标状态的偏差。在处理中，具有CVD反应器的制造设备例如执行以下生产周期，其中以预先给定的算法(即计算规则)根据历史测量值和当前测量值计算值或值组，该值或值组在此被称为“指纹”。可以从统计计算中计算出一维或多维的窗口，当前的“指纹”必须位于其中，才能将CVD反应器的实际状态指定为正常。处理是生产周期，其包括多个几乎完全自动化的阶段，其中主要阶段是处理阶段和调节阶段。处理通常以反应器准备好装载待涂覆的基底作为开始。为此，未涂覆的基底从外部被带入到处理室中。处理室准备沉积处理。然后进行沉积处理，其代表处理阶段，并且在该处理阶段中可以在不同的处理参数下执行多个涂覆处理。涂覆处理可以具有多个处理步骤。在沉积处理结束后，CVD反应器准备将基底从处理室转移出。在将涂覆的基底传送出处理室之后，处理室准备调节步骤。然后在调节阶段中执行多个第一和第二调节步骤，其中，第二调节步骤与第一调节步骤的不同之处在于，第二调节步骤利用改变或可由设备操作者改变的控制参数来执行，而第一调节步骤仅具有特别是不能够由设备操作者更改而是仅能够由设备的制造商更改的、固定地预先给定的控制参数。在第一变形中，第一调节步骤优选地是每个处理的组成部分，其中，具有相同第一调节步骤的多个处理中的各个处理能够具有彼此不同的处理步骤或第二调节步骤。虽然在该第一变形中，调节步骤可以包含清洁步骤(其中，例如将氯或氨馈入到处理室中，使得在温度升高时去除处理室壁上的寄生沉积物)，但第二变形的第一调节步骤可以是调温步骤。该变形基本上仅在维护处理室之后执行，在此期间打开了处理室使得空气进入处理室的内部。通过在高温下加热处理室，例如在700℃与1200℃之间的温度下，去除吸附在处理室壁的表面上的可能的水。特别地，将氢气馈入到处理室中。通过这种类型的调节，可以规定所调节的处理室温度在多个步骤中从大约700℃增加到大约1200℃。在此可以规定，在这些步骤中的每一个期间，从用于加热基座的加热装置到布置在处理室顶部上方的冷却装置的热量流是变化的。为此，例如可以通过将具有改变的热导率的调温气体(Temperiergas)馈入到间隙中，来改变处理室顶部的热阻。该间隙例如位于处理室顶部的下顶部板与处理室顶部的上顶部板之间，该处理室顶部优选地与调温主体(
Figure BDA0003351542500000051
)毗连。在这种类型的调节中，大量的测量值、特别是处理室顶部温度和基底温度被采集，这些测量值在布置在基底保持器上的伪晶片上测量。可以使用高温计来执行测量。可以从各个同时执行的测量中获得可以与历史值进行比较的值。该值可以是单个测量值。但是，也可以是从大量测量值中统计地确定的一个或多个值。以上所描述的处理在很大程度上是完全自动化地进行。设备操作者的手动干预主要在于，提供带有未涂覆基底的盒(Kassete)或移除带有涂覆基底的盒。设备操作者还确定加工配方，该加工配方与控制程序的设备密切相关，该控制程序根据处理参数为执行器(例如质量流量控制器、加热器等)提供额定值。例如，调节阶段具有以下调节步骤：
a)在氢气气氛下加热处理室，
b)转换为惰性气体气氛(氮气)，
c)馈入蚀刻气体(CI2)，以清洁处理室和与处理室相邻的腔室，例如进气机构和出气机构，
d)利用惰性气体吹扫处理室和相邻的腔室，
e)提高处理室温度并引入调节气体、例如NH3，以加热处理室和与其相邻的腔室，
f)利用惰性气体和可能的NH3吹扫处理室，
g)引入蚀刻气体、例如氯气，以清洁处理室和与其相邻的腔室(必要时，该步骤可以多次重复)，
h)利用惰性气体吹扫处理室和相邻的腔室，
i)提高处理室温度，引入另外的调节气体或重新引入NH3并转换为氢气气氛以加热CVD反应器的与处理气体或调节气体接触的所有组成部分，
j)在氢气/氨气氛下冷却反应器，
k)利用惰性气体吹扫反应器内部。
关于清洁步骤g)、j)、k)，设备操作者基本上可以获得自由参数。
在整个调节阶段期间，采集在各个调节步骤期间不允许更改的数据，例如冷却浴温度(Kühlbadtemperatur)或开关柜排风特性。利用这些值，可以评估所测量的值、特别是另外的值的稳定性和合理性。此外，利用温度传感器采集热量流。为此，使用来自温度传感器、特别是高温计的数据。利用温度传感器，可以进行对加热器或其他可调温的反应器组件的状态的评估。特别地，来自真空系统的区域的数据也被采集，该真空系统特别是包含节流阀和泵。
本发明的第二方面涉及一种用于确定参数的方法，该参数用于将由CVD反应器的基座承载的基底的表面调温至预先给定的基底温度，以便在处理阶段的至少一个处理步骤中在该温度下对基底进行热加工，其中，第一参数是影响由热源供应到基座的第一热量流的热量流入参数，并且第二参数是影响从基座表面输出到散热器的第二热量流的热量流出参数。
在通用的CVD反应器中，基底位于热源与散热器之间的传热路径中，热源通常是用于加热基座的加热装置，散热器通常是处理室顶部或与处理室顶部相邻的冷却装置。由基座承载的基底的表面的温度取决于热量流入参数。在DE 10 2017 105 333A1中特别描述了热力学关系，其中热源与基底或基底与散热器之间的传热路径被视为热流阻。这些热流阻可以由于在处理室的寿命期间处理室内的特性、特别是表面特性的改变而改变。热流阻尤其取决于先前在处理室中执行的处理步骤的类型。其尤其受基座表面和处理室顶部的寄生沉积物的影响。热量流入参数例如可以是特别是在底侧、即基座的面向加热装置的一侧上测量的基座温度，基座的底侧被调节到该基座温度上。然而，热量流入参数也可以是馈入到加热装置的功率。热量流出参数可以是处理室顶部的温度，该处理室顶部的温度同样可以被调节到目标温度。这可以通过修改冷却装置的冷却功率来实现。然而，也可以通过改变馈入到处理室顶部与冷却装置之间的间隙中的调温气体的混合比来影响处理室顶部温度。调温气体由两种具有不同热导率的气体组成。
本发明要解决的技术问题在于，提供一种部件，利用该部件可靠地确定针对热量流入参数和热量流出参数的值，在该值下，在面向处理室的基底表面上设置预先给定的基底温度。
该技术问题通过在一个或多个校准步骤中确定大量的值元组来解决。这些值元组中的每一个具有第一参数的值和第二参数的值，其中这些参数可以是所调节的基座温度和/或所调节的处理室顶部温度。然而，参数也可以是加热功率和/或调温气体的混合比或冷却装置的热量排出功率。从多个值元组中，通过至少一维插值来形成显示了基底表面的实际温度关于参数中的至少一个的函数。该函数可以是函数族中的单个函数。根据该函数(其也可以是二维函数)，获得与最接近由配方预先给定的基底温度的基底表面的实际温度相关的至少一个参数。为此，在一定程度上根据特别是一维的函数形成反函数。先前所描述的方法可以用于确定值元组。在该方法中，第一参数、例如基座温度被逐步地改变、特别是增加。在每个步骤期间，第二参数、例如处理室顶部温度也发生变化、逐步地升高。这可以以先前所描述的方式通过将具有不同成分的调温气体馈入到处理室顶部与冷却装置之间的间隙中来实现。在此获得的大量测量值可以是可表示为平面的二维数学函数的插值点。该函数可以在三维坐标系中以如下方式表示，即例如X轴表示基座温度，Y轴表示处理室顶部温度，并且Z轴表示所测量的基底处的表面温度。基座温度和处理室顶部温度可以是所调节的温度。所测量的基底表面的实际温度可以利用高温计来测量。所构建的以格网的方式表示的函数可以插值为平面山(
Figure BDA0003351542500000071
)。根据在此创建的平面，可以确定X-Y平面中的点，该点提供最接近预先给定的基底温度的函数值。然而，在对获得的测量值的替换的分析中，也可以使用多个一维函数，其中在相同的基座温度下执行的每个校准步骤提供插值后的测量曲线，其表示所测量的基底表面温度或处理室顶部温度。根据该测量曲线，在一定程度上在形成反函数的条件下，可以确定参数、即处理室顶部温度，其在相应的基座温度下与最接近预先给定的基底温度的基底表面温度相关。在跟随校准阶段的处理阶段中，使用校准阶段中获得的校准曲线代替标准校准曲线，以修改由配方预先给定的参数，例如基座温度和处理室顶部温度。在预先给定的配方中，可以预先给定诸如基座温度或处理室顶部温度的参数，按照这些参数，根据标准特性曲线得到所期望的基底温度。在校准阶段，获得修改后的特性曲线，根据该修改后的特性曲线得到修改后的设置值。
根据本发明的设备具有可编程的控制装置。通过编程可以预先给定调节阶段和处理阶段的处理参数。根据本发明的有利的设计方案，利用该设备执行的处理以及特别是每个处理，包含一个或多个校准或调节步骤，这些校准或调节步骤以固定地预先给定的处理参数来执行。这些校准或调节步骤不能够被用户跳过。这些校准或调节步骤的处理参数也不能够被更改。根据本发明的有利的设计方案，只有在这些具有不能更改的处理参数的不能更改的步骤中获得的测量值才被用于形成“指纹”。因此，指纹在具有固定地预先给定的处理参数的处理的不能更改的预先给定的步骤中被确定，这些固定地预先给定的处理参数例如特别是处理室中的总压力、通过处理室的气体流和处理室中的至少一个或多个固定的温度。这带来以下优点：可以客观地确定设备的运行状态，即使使用该设备执行不同的制造处理。
附图说明
下面参考实施例更详细地阐述本发明。附图中：
图1示意性地示出了CVD反应器，
图2示出了配方的第一实施例，
图3示出了配方的第二实施例，
图4示出了与根据图2的第一实施例相关的“指纹”的图形图示，
图5示出了与根据图3的第二实施例相关的根据图4的图示，
图6示出了穿过处理室的横截面的示意图，以说明从加热装置6到冷却装置22的热量流H1、H2、H3、H4以及在处理室内部所测量的温度T、TS和TW，
图7示出了在四个相继跟随的调节步骤C1.1、C1.2、C1.3和C1.4中随时间t的温度走向的图示，在此期间基座温度TS逐步地从大约700℃增加至1200℃，并且在此测量基底温度TW和顶部温度TC，
图8示出了根据第一示例，如何从根据图7的调节中所获得的测量值M1至M16中和N1至N16中计算出指纹的值K1至K16，
图9示意性地示出了如何将指纹的值K1至K4与历史指纹的值K'1至K'4进行比较的图示，
图10示出了从多个值元组通过插值而计算出的随基座温度Ts和处理室顶部温度TC的二维函数的图示，其中，函数F表示基底的表面温度TW，以及
图11在坐标系中示出了标准校准曲线25和在校准阶段中确定的校准曲线25'的图示，该坐标系在X轴上指示处理室顶部温度TC，并且在Y轴上指示基底的表面温度TW。
具体实施方式
图1示意性地示出了CVD反应器，如其是根据本发明的设备的组成部分，或者在其上可以进行根据本发明的方法。
处理室3位于CVD反应器1的外部气密的壳体中，该壳体特别是由不锈钢制成。处理室位于由石墨或所涂覆的石墨制成的基座4之上，该基座可以借助红外线加热装置6从下方加热。由加热装置6产生的电磁交变场在基座4中产生涡流，该涡流导致基座4被加热。在基座4的上侧放置一个或多个基底2，这些基底应当在处理室3内所执行的处理期间被涂覆。通过气体入口5可以将载气体或处理气体馈入到处理室3中。设置有真空泵12，在其前面布置有节流阀11。可以利用控制装置10来设置标识为7、8和9的气体源的气体流，这些气体流借助气体入口5馈入到处理室3中。利用控制装置10还可以控制加热装置6、节流阀11和泵12。
例如包含有机金属化合物的液体源13位于调温池14中，其温度可以被监测。处理室顶部18具有未示出的冷却装置和用于影响其导热特性的部件。整个设备位于舱房15中，舱房15可以相对于环境基本气密地密封。舱房15具有送风16和排风17。可以测量排风17中的气体成分和排风温度。
其温度由传感器监测的冷却流可以流过螺旋形加热装置6的腔室。
在控制装置10中，可以存储互不相同的配方，不同的涂层可以利用这些配方沉积在基底2上。
每个处理包括大量的步骤，其中这些步骤可以分为彼此不同的阶段。在例如可以在实际涂覆阶段之前执行的调节阶段PC中，处理室3或反应器系统被调节到目标状态。调节步骤C1.1、C1.2和C1.3在彼此不同的调节参数下执行。在不同的调节步骤C1.1、C1.2、C1.3期间，例如处理室3内部的温度T或处理室3内部的总压力P或调节气体的气体流Q(数量和/或质量)可以不同。在利用CVD反应器1执行的每个处理中，为了控制温度、总压力或气体流而预先给定的控制参数SP然而是固定的，并且不能由用户改变。
在图2中所示的实施例中，调节阶段具有三个调节步骤，这些调节步骤必须分别以不可改变的控制参数来执行。
在图3中所示的实施例中，调节阶段PC除了必须以固定地预先给定的控制参数来执行的第一调节步骤C1.1、C1.2和C1.3之外，还具有第二调节步骤C2.1、C2.2，这些第二调节步骤C2.1、C2.2可以以可变的控制参数来执行。在调节步骤C2.1、C2.2中，用户可以更改控制参数。
处理阶段PR跟随调节阶段PC，该处理阶段PR具有不同的相继跟随的处理步骤R1、R2和R3，这些处理步骤R1、R2和R3用于加工布置在处理室3中的基底，例如以便用一个或多个涂层涂覆基底2。处理步骤R1、R2和R3的控制参数可以由用户更改。
根据本发明，在调节阶段PC和处理阶段PR的所有步骤期间，收集利用测量传感器而确定的测量值。测量数据存储在控制装置10的存储器中或存储系统中。
根据本发明，“指纹”仅由在不可更改的第一调节步骤C1.1、C1.2、C1.3期间获得的测量值来形成。为此，测量值以合适的方式彼此关联，从而生成至少一个形成“指纹”的值或一组形成“指纹”的值。这些值可以被统计地加工。例如，可以形成最小值、最大值和标准偏差。这尤其通过使用大量过去所执行的处理的测量值来实现，这些过去所执行的处理被认为是有序的。
通常，指纹可以是单个值。然而，“指纹”优选地由大量的值组成，这些值从大量的测量值中获得。测量值例如可以是冷却液温度、排风温度、调温池14的温度、泵温度、气体流量值或压力。根据这些测量值，可以在调节步骤期间形成测量序列。可以从这些测量序列中生成统计值，例如最小值、最大值、平均值和标准偏差。统计值可以是指纹的组成部分。
按照相同规则确定的、当前处理的“指纹”可以与历史“指纹”进行比较，该历史“指纹”通过分析大量的历史处理来形成。在此，例如可以检查当前的“指纹”或体现“指纹”的值是否位于允许的值窗口中。
用于形成当前或历史“指纹”的测量值可以是在处理室3内部确定的测量值，即例如在处理室3的壁、顶部或其他区域处确定的温度。然而，其也可以是在处理室3外部、例如在废气流中确定的测量值。在此可以测量废气温度或废气中的气体浓度。还可以规定，将泵温度、阀门位置或实际气体流用作用于形成“指纹”的测量值。例如，流过加热线圈6的冷却液流的温度也可以用作测量值。
气体源7、8、9中的一些可以布置在调温池中。这些调温池的温度可以用作用于形成“指纹”的测量值。
该装置可以具有开关柜，例如其中布置有电气组件或其中布置有用于CVD反应器的气体混合系统或装载或卸载装置的机柜。可以设置传感器以测量其中的特征性的开关柜温度。该温度还可以用于确定“指纹”。
系统可以具有冷却水回路，利用该冷却水回路例如冷却处理室顶部或反应器壳体1。冷却水温度同样可以用来形成“指纹”。
重要的是，用于使用历史“指纹”的调节步骤的参数与从其测量值中确定当前“指纹”的调节步骤的参数相同。
利用以上所描述的方法，可以按照预先给定的统计规则来如下地分析当前的“指纹”。特别地可以检查，是否必须向用户提供信息，从而该用户可以计划维护和维修措施。当前“指纹”与历史“指纹”的比较因此根据基于规则的决策系统来进行。在分析中，根据规则，要么仅考虑最后采集的数据，要么还考虑很久以前的调节阶段的数据。
在形成“指纹”以及比较当前“指纹”与历史“指纹”中所使用的规则可以是：
-单变量和多变量值范围检查和边界值检查：
例如，区间[y,z]外的平均值x，
标准偏差a>b，
区间[b,c]内的平均值a和区间[y,z]外的平均值x，
-检查先前的调节处理的变化：
例如平均值[n]<平均值[n-1]*0.9
-通过先前的调节处理，基于滑动窗口(具有可变窗口宽度)进行值范围检查：
例如区间外的标准偏差[n](标准偏差[n-1..n-10]-0.5；标准偏差[n-1..n-10]+0.5)
-基于历史数据对外推值进行值范围检查和边界值检查。
在维护或维修措施之前和之后记录了的历史统计数据可能存在如下差异：该差异可以导致违反规则以及潜在的错误警告。
为了防止这一点，可以如下地定义规则，即在查看历史数据(例如滑动平均值)时，只考虑最后的维护时间点之后执行的那些数据。
实施规则的系统从更高级别的生产控制系统接收何时执行了维护的信息。
如上所述，典型的生产周期具有交替的处理阶段和调节阶段。在本发明的第一变体中，在该调节阶段的调节步骤中获得大量的值，这些值例如通过调节步骤期间的持续测量来采集。例如，可以在至少一个第一调节步骤期间在更长的时间上测量温度、流量或压力。为了根据这些测量值形成特征性的“指纹”，根据这些测量计算出温度平均值、温度标准偏差、最小值和最大值。这些统计数据于是形成指纹，使得指纹可以有具有大量的彼此不同的测量值的统计数据。通过将这些指纹与历史指纹进行比较，可以表征涂覆设备的当前状态。在此可以规定，历史数据仅具有例如从过去的最后十个调节阶段获得的那些数据。
可以规定，在任何情况下出于维护目的，为了更换替换部分或出于其他原因，必须打开处理室。在这样的打开处理室时，环境空气可以进入处理室，使得空气中所包含的湿气可以吸附在处理室的壁上。为了在维护之后调节处理室，在几乎真空的条件下或在将氢气馈入到处理室中期间将处理室加热到高的温度，该氢气借助泵装置再次泵出，其中，这些温度位于700℃和800℃的范围中。加热可以以多个步骤来进行。加热按照在控制装置10中固定地预先给定的处理参数来进行，并且特别地不能由设备操作者更改。
除了调节阶段，校准阶段也可以在处理阶段之前执行。然而，还特别地规定，在处理阶段之前执行校准阶段和调节阶段。在校准阶段，在一个或多个校准步骤中通过改变基座温度TS和处理室顶部温度TC确定大量的值元组，其中，每个值元组具有基座温度TS的值、处理室顶部温度TC的值和所测量的基底2的表面温度TW的值。
图6示意性地示出了穿过CVD反应器的横截面，其中加热装置6产生进入基座4的热量流H1。由气垫承载的基底保持器19位于基座的凹处中，该气垫由吹扫气体流QS产生。由此，在基座4的凹处的底部与基底保持器19的下侧之间形成间隙21，第二热量流H2流过该间隙21。热量流过基底保持器19并流过放置在基底保持器19上的基底2。利用H3标识从基底2的表面流向处理室顶部18的热量流。通过间隙20，处理室顶部18与冷却装置22间隔开。调温气体位于该间隙20中。调温气体由馈入间隙20中的吹扫气体QC形成，其中吹扫气体QC是具有彼此不同的热导率的气体、例如H2和N2的混合物。通过间隙20的热量流H4可以通过改变吹扫气体QC的成分来影响。
借助冷却液冷却到目标温度的冷却装置22位于处理室顶部18之上。冷却液温度可以被测量，并且同样可以用来形成指纹。
基底2的表面的温度，即基底温度TW和处理室顶部的温度、即处理室顶部温度TC，可以受到热量流H1、H2、H3、H4中所有组成部分的热传导特性的平衡影响。
利用附图标记23标识第一温度调节器，第一温度调节器朝额定值Ts0调节在基座4的下侧处测量的基座温度TS。这通过影响馈入加热装置6的加热功率LS来实现。基座温度TS或加热功率LS形成热量流入参数，利用该热量流入参数影响从加热装置6到基底2的热量流H1、H2。
附图标记24标识第二调节电路，利用该第二调节电路朝额定值Tc0调节处理室顶部温度TC。这可以通过影响冷却装置22的冷却剂温度来实现。然而，这也可以通过改变馈入到间隙20中的调温气体QC的混合比来实现。调温气体由具有高热导率的气体(例如H2)和具有低热导率的气体(例如N2)的混合物组成。处理室顶部温度TC或调温气体QC的混合比或冷却装置22的冷却功率形成热量流出参数。
图7是温度/时间图。图7示出了依次执行的四个第一校准或调节步骤C1.1、C1.2、C1.3和C1.4。在这些校准或调节步骤C1.1、C1.2、C1.3和C1.4期间，在基座4的下侧测量的基座温度TS逐步地从大约750℃增加到大约1200℃。与此相伴地，测量基底温度TW和处理室顶部温度TC。
可以看出，基底温度TW的测量值N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7、N8、N9、N10、N11、N12、N13、N14、N15、N16均低于基座温度TS，该基座温度TS用于调节处理温度。
图7中下方的曲线示出了处理室顶部温度TC的走向，其中在四个校准或调节步骤中的每一个中，在时间上依次地改变馈入到间隙20中的吹扫气体QC的混合比。测量M1是处理室顶部温度的温度测量，其中吹扫气体QC的H2/N2混合物中的H2比例为95％。测量M2是在H2的混合比为35％的情况下获得的，测量M3是在H2的混合比为65％的情况下获得的，并且测量M4是在H2的混合比为5％的情况下获得的。在四个校准或调节步骤期间，总共获得了16个温度值TC和16个温度值TW。在校准或调节步骤中的每一个中，四个先前所描述的吹扫气体成分被依次地馈入到处理室顶部18的间隙20中。测量M1至M16和N1至N16中的每一个都在数秒内进行，例如20秒。在测量期间获取了平均值和另外的统计数据。测量值N1至N16、M1至M16以及可能的附加地计算的统计数据代表CVD反应器的“热指纹(thermischerFingerabdruck)”。
对此补充地，根据在相应测量期间获得的以上述方式统计分析的单独测量，也可以计算时间上的斜率，即关于时间的一阶导数。统计数据也可以根据这些导出的值来计算，这些统计数据被计入到热指纹中。如此获得的热指纹可以与一个历史指纹或多个历史指纹或平均历史指纹进行比较。图8以K1、K2、K3、K4到K16示出了测量值对，其代表测量N1/M1、N2/M2...N16/M16。在此，X轴上示出了相应测量M1、M2...的处理室顶部温度TC。Y轴上绘制了所测量的基底温度TW。因此是测量值N1、N2...，其在此确定了点K1、K2...的位置。实线是回归曲线，并且可以与代表历史指纹的点划线进行比较。
图9示出了类似于图8的图示，其中在此通过点K1、K2、K3和K4而不是线性回归曲线绘制了二次回归曲线。曲线上的点K1、K2、K3、K4可以与历史测量点K'1、K'2、K'3、K'4进行比较，其中，在基座温度TW中确定距离d1，并且在处理室顶部温度TC中确定距离d2。这些距离d1、d2可以与最大值进行比较。如果距离d1、d2超过预先给定的最大值，则这是CVD反应器的状态发生变化的迹象。然而，如果距离d1、d2位于预先给定的值窗口内，则这被解释为CVD反应器处于目标状态。
图7中所示的方法还用于确定CVD反应器1的热学特性，尤其是用于校准特性曲线。在处理阶段之前执行的校准阶段中确定参数，利用这些参数可以设置预先给定的基底温度TW，在该处理阶段中在一个或多个处理步骤中对基底2进行热加工、特别是涂覆。图7中以C1.1、C1.2、C1.3和C1.4示出的步骤形成校准步骤，在校准步骤中，调温气体QC的混合比分别在基座温度TS的值保持固定的情况下被改变。混合比和冷却装置22的冷却功率形成另外的参数。对于大量不同的基座温度TS重复这一点。以这种方式确定的测量值分别形成包含以下元素的元组：所设置和特别是所调节的基座温度TS、调温气体的混合比或所调节的处理室顶部的温度TC以及必要时附加地包含冷却装置22的冷却功率以及必要时还包含影响到基底2的热量流入以及从基底的热量流出的另外的热量流入参数或热量流出参数。
为了简单起见，图10仅示出了两个参数、即基座温度TS和处理室顶部温度TC对基底温度TW的影响。基底温度TW在此显示为关于两个自变量TC和TS的二维函数F。函数F通过对由所测量的值元组形成的插值点进行平面(二维)插值来计算。根据由此获得的“平面山”，可以确定与值TW1对应的点，该值TW1最接近预先给定的基底温度或与预先给定的基底温度对应。该值TW1对应于处理室顶部温度TC的值TC1和基座温度TS的值TS1。
在校准阶段之后执行的处理阶段(其中基底温度TW应当达到该值TW1)的处理步骤中，然后将基座4调节到基座温度TS1并且将处理室顶部18调节到该温度TC1。
图11示出了标准特性曲线25，如其通过配方预先给定的那样。点26是在标准条件下，处理室顶部温度TC1在预先给定的基座温度TS下导致基底温度TW1的点。标准特性曲线25是曲线族的曲线，其中曲线族中的每个曲线对应于不同的基座温度TS。
附图标记25'表示校正后的特性曲线。该校正后的特性曲线25'已经通过先前所描述的校准方法确定了。校正后的特性曲线25'同样是曲线族的曲线。曲线族具有分别在不同的基座温度TS之一下记录了、即分别在校准步骤C1.1、C1.2、C1.3或C1.4中记录了的大量曲线。根据在各个校准步骤C1.1、C1.2、C1.3和C1.4中记录的测量值，通过插值确定了函数F的曲线，该函数F示出了校正后的特性曲线25'。可以从该函数F形成反函数，从而可以针对预先给定的基底温度TW1直接确定当前的处理室顶部温度TC2。
除了别的之外，被认为是有利的是，在校准阶段期间通过有针对性地改变对到基底的热量流入和热量流出产生影响的参数来确定值元组。参数例如是基座温度TS和/或处理室顶部温度TC。值元组包含相应测量的基底温度作为另外的元素。通过插值从这些值元组确定多维函数或一维函数的族。通过区间嵌套、泰勒展开或其他合适的数学方法、特别是数值方法，根据这些函数或函数族确定参数组，该参数组对应于基底温度TW，该基底温度TW最接近或者对应于在处理步骤中所期望的基底温度。
被视为特别有利的是，为确定校准函数F而执行的校准步骤是调节阶段的一部分。
以上的实施用于阐述由本申请整体上所涵盖的发明，其也至少通过以下特征组合分别独立地扩展现有技术，其中，也可以组合两个、更多个或所有这些特征组合，即：
一种方法，其特征在于，“指纹”还或仅包括从测量值获得的那些值或值组，这些测量值在校准或调节阶段PC、PC'的一个或多个校准或调节步骤C1.1、C1.2、C1.3期间被采集，在所述校准或调节阶段中，分别根据由配方提供的控制数据设置至少一个校准或调节温度T和校准或调节压力P，以及将校准或调节气体流Q馈入到处理室3中。
一种设备，其特征在于，“指纹”还或仅包括从测量值获得的那些值或值组，这些测量值在校准或调节阶段PC、PC'的一个或多个校准或调节步骤C1.1、C1.2、C1.3期间被采集，在所述校准或调节阶段中，分别根据由配方提供的控制数据设置至少一个校准或调节温度T和校准或调节压力P，以及将校准或调节气体流Q馈入到处理室3中。
一种方法或设备，其特征在于，校准或调节步骤具有第一校准或调节步骤C1.1、C1.2、C1.3和第二校准或调节步骤C2.1、C2.2，其中，“指纹”仅包括从测量值获得的那些值或值组，这些测量值在第一校准或调节步骤C1.1、C1.2、C1.3期间被采集，其中，第一校准或调节步骤C1.1、C1.2、C1.3的控制数据不可更改地存储在控制装置10中。
一种方法或设备，其特征在于，测量值是在处理室3内部或处理室3外部所测量的物理参量的值，并且尤其是冷却水温度、调温池14的调温池温度、流量速率、泵、气体管线或液体管线的温度、在废气流或开关柜排风17中测得的温度或气体浓度值等。
一种方法或设备，其特征在于，一个或多个第一校准或调节步骤C1、C2、C3、C4中的至少一个是清洁步骤，在该清洁步骤中将清洁气体馈入到处理室3中，该清洁气体特别包含卤素、例如氯，或氢化物、例如氨。
一种方法或设备，其特征在于，“指纹”、特别是历史“指纹”通过对特别是较旧的处理的测量数据的统计分析来获得，其中，统计平均值、最小值、最大值和/或标准偏差被确定。
一种方法或设备，其特征在于，一个或多个第一调节步骤C1.1、C1.2、C1.3中的至少一个是调温步骤，在该调温步骤中，在温度升高的情况下，特别是在700℃与1200℃之间的范围内，调温气体、例如氢气被馈入到处理室中。
一种方法或设备，其特征在于，在每个处理阶段PR之前或之后执行调节阶段PC，在该调节阶段PC期间获得“指纹”。
一种方法或设备，其特征在于，在先前的维护W之后执行具有一个或多个第一调节步骤C1.1、C1.2、C1.3的调节步骤PC，和/或在先前的维护W之后执行具有一个或多个第一校准或调节步骤C1.1、C1.2、C1.3的校准或调节步骤PC，在该维护期间环境空气进入处理室3，其中，根据一个或多个测量值获得的“指纹”是“热指纹”。
一种方法或设备，其特征在于，根据基于规则的决策系统来进行当前“指纹”与历史“指纹”的比较。
一种方法或设备，其特征在于，“指纹”的至少一个值根据时间上依次获得的测量值的测量序列来计算，其中，特别地规定，由测量值形成关于时间的导数。
一种方法，其特征在于，在时间上布置在处理阶段之前的校准阶段中，在多个校准步骤C1.1、C1.2、C1.3中确定多个值元组，多个值元组分别具有第一参数TS、LS的值、第二参数(TS，QC)的值和在这些值下设置的基底表面的实际温度TW，其中，根据多个值元组通过插值形成表示实际温度TW关于参数中的至少一个的函数F，根据该函数获得至少一个参数TC、QC；TS、LS的值TW1，至少一个参数与最接近预先给定的基底温度的基底表面的实际温度TW相关联。
一种方法，其特征在于，热量流入参数是基座目标温度Ts0，第一调节电路23通过改变馈入加热装置6的加热功率LS朝该基座目标温度Ts0调节基座实际温度Ts，或者热量流入参数是加热功率LS；和/或热量排出参数是冷却装置22的目标温度，是由两种具有不同导热特性的气体组成的调温气体的混合比，该调温气体馈入到冷却装置22与处理室顶部18之间的间隙20中，或者是处理室顶部目标温度Tc0，第二调节电路24朝该处理室顶部目标温度Tc0调节处理室顶部实际温度Tc。
一种方法，其特征在于，形成一维或多维函数来执行插值，其插值点形成值元组。
一种方法，其特征在于，多个第一校准或调节步骤直接相继跟随，其中特别规定，在逐步地升高或降低温度的情况下和/或以变化的冷却参数，来执行多个校准或调节步骤。
一种方法，其特征在于，测量值包括基底温度TW和处理室顶部温度TC，其中，在校准或调节阶段PC中，温度TS和从加热装置6至冷却装置22的热量流H1、H2、H3、H4中的热导率依次地被改变。
所有公开的特征对于本发明都是必不可少的(单独地，但也可以相互组合)。在此，本申请的公开内容还包括相关/所附优先权文件(在先申请的副本)的公开内容的全部内容，也为此目的将这些文件的特征包含在本申请的权利要求中。即使没有被引用的权利要求的特征，从属权利要求也以其特征表征了现有技术的固有的创造性的进一步发展，特别是为了在这些权利要求的基础上进行分案申请。在每个权利要求中说明的本发明可以附加地具有在以上描述中提供的、特别是提供有附图标记和/或在附图标记列表中说明的一个或多个特征。本发明还涉及没有实现上述描述中提到的各个特征的设计形式，特别是当这些特征明显对于相应的使用目的来说是可有可无的，或者可以被具有相同技术效果的其他手段所取代。
附图标记列表
1 CVD反应器
2 基底
3 处理室
4 基座
5 气体入口
6 加热装置
7 气体源
8 气体源
9 气体源
10 控制装置
11 节流阀
12 真空泵
13 液体源
14 调温池
15 舱房
16 送风
17 排风
18 处理室顶部
19 基底保持器
20 间隙
21 间隙
22 冷却装置
23 第一调节电路
24 第二调节电路
25 标准特性曲线
25' 校正后的特性曲线
26 点
26' 点
d1 距离
d2 距离
t 时间
C1.1 第一校准/调节步骤
C1.2 第一校准/调节步骤
C1.3 第一校准/调节步骤
C2.1 第二校准/调节步骤
C2.2 第二校准/调节步骤
F 函数
H1 热量流
H2 热量流
H3 热量流
H4 热量流
K1 K16 测量值
K1'K16' 历史测量值
LS 加热功率
M1 M16 测量值
N1 N16 测量值
P 压力
P1 第一参数
P2 第二参数
PC 调节阶段
PC' 调节阶段
PR 处理阶段
Q 处理气体流
QC 吹扫气体
QS 吹扫气体
R1 处理步骤
R2 处理步骤
R3 处理步骤
TS 基座温度
TC 顶部温度
TW 基底温度

Claims (17)

1.一种用于运行具有处理室(3)的CVD反应器(1)的方法，其中，在处理阶段(PR)的一个或多个处理步骤(R1，R2，R3)中的处理期间，在所述处理阶段中基底(2)位于处理室(3)中，根据能够被用户改变的第一控制数据分别设置至少一个处理温度(T)和处理压力(P)以及将处理气体流(Q)馈入到所述处理室(3)中，其中，在所述处理期间借助传感器确定测量数据，从所述测量数据中计算当前的“指纹”，所述“指纹”与以相同方式在一个或多个较旧的处理中所确定的历史“指纹”进行比较，其特征在于，在所述处理阶段(PR)的之前或之后，所述处理具有校准或调节阶段(PC，PC')，在所述校准或调节阶段(PC，PC')中，在一个或多个校准或调节步骤(C1.1，C1.2，C1.3)中，根据不能够被用户改变的第二控制数据设置至少一个校准或调节温度(T)和校准或调节压力(P)，以及将校准或调节气体流(Q)馈入到所述处理室(3)中；并且所述“指纹”还或仅包括从测量值获得的那些值或值组，所述测量值在调节阶段(PC、PC')期间被采集。
2.一种具有CVD反应器(1)和用于控制所述CVD反应器的控制装置(10)的设备，其中，在所述控制装置(10)中存储有配方，在处理阶段(PR)的一个或多个处理步骤(R1，R2，R3)中的处理期间，在所述处理阶段中基底(2)位于处理室(3)中，借助由配方提供的、能够被用户改变的第一控制数据分别设置至少一个处理温度(T)和处理压力(P)以及将处理气体流(Q)馈入到所述处理室(3)中，其中，在处理期间借助传感器确定测量数据，从所述测量数据中计算当前的“指纹”，所述“指纹”与以相同方式在一个或多个较旧的处理中所确定的历史“指纹”进行比较，其特征在于，在所述处理阶段(PR)的之前或之后，所述处理具有校准或调节阶段(PC，PC')，在所述校准或调节阶段(PC，PC')中，在一个或多个校准或调节步骤(C1.1，C1.2，C1.3)中，根据不能够被用户改变的第二控制数据设置至少一个校准或调节温度(T)和校准或调节压力(P)，以及将校准或调节气体流(Q)馈入到所述处理室(3)中；并且所述“指纹”还或仅包括从测量值获得的那些值或值组，所述测量值在调节阶段(PC、PC')期间被采集。
3.根据权利要求1所述的方法或者根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述校准或调节步骤具有第一校准或调节步骤(C1.1，C1.2，C1.3)和第二校准或调节步骤(C2.1，C2.2)，其中，所述“指纹”仅包括从测量值获得的那些值或值组，所述测量值在第一校准或调节步骤(C1.1，C1.2，C1.3)期间被采集，其中，第一校准或调节步骤(C1.1，C1.2，C1.3)的控制数据不可更改地存储在所述控制装置(10)中。
4.根据上述权利要求中任一项所述的方法或设备，其特征在于，所述测量值是在所述处理室(3)内部或所述处理室(3)外部所测量的物理参量的值，和/或尤其是冷却水温度、调温池(14)的调温池温度、流量速率、泵、气体管线或液体管线的温度、在废气流或开关柜排风(17)中测得的温度或气体浓度值等。
5.根据上述权利要求中任一项所述的方法或设备，其特征在于，一个或多个第一校准或调节步骤(C1，C2，C3，C4)中的至少一个是清洁步骤，在所述清洁步骤中将清洁气体馈入到所述处理室(3)中；和/或所述清洁气体包含卤素、或氯、或氢化物、或氨。
6.根据上述权利要求中任一项所述的方法或设备，其特征在于，所述“指纹”和/或所述历史“指纹”通过对特别是较旧的处理的测量数据的统计分析来获得，其中，统计平均值、最小值、最大值和/或标准偏差被确定。
7.根据上述权利要求中任一项所述的方法或设备，其特征在于，一个或多个第一调节步骤(C1.1，C1.2，C1.3)中的至少一个是调温步骤，在所述调温步骤中，在温度升高的情况下和/或在温度在700℃与1200℃之间的范围内的情况下，调温气体或氢气被馈入到处理室中。
8.根据上述权利要求中任一项所述的方法或设备，其特征在于，在每个处理阶段(PR)之前或之后执行校准或调节阶段(PC)，在所述校准或调节阶段(PC)期间获得“指纹”；和/或在先前的维护(W)之后执行具有一个或多个第一校准或调节步骤(C1.1，C1.2，C1.3)的校准或调节步骤(PC)，在所述维护(W)期间环境空气进入所述处理室(3)，其中，根据一个或多个测量值获得的“指纹”是“热指纹”。
9.根据上述权利要求中任一项所述的方法或设备，其特征在于，根据基于规则的决策系统来进行当前“指纹”与历史“指纹”的比较。
10.根据上述权利要求中任一项所述的方法或设备，其特征在于，“指纹”的至少一个值根据时间上依次获得的测量值的测量序列来计算；和/或由测量值形成关于时间的导数。
11.一种用于确定参数的方法，所述参数用于将由CVD反应器(1)的基座(4)承载的基底(2)的表面调温至预先给定的基底温度(TW)，以便在处理阶段(PR)的至少一个处理步骤(R1)中在这个温度(TS)下对所述基底(2)进行热加工，其中，第一参数(TS，LS)是热量流入参数，所述热量流入参数影响从热源(6)供应到所述基座(4)的第一热量流(H1，H2)，并且第二参数(TS，QC)是热量流出参数，所述热量流出参数影响从基底(2)的表面输出到散热器(22)的第二热量流(H3，H4)，其特征在于，在时间上布置在处理阶段之前的校准阶段中，在多个校准步骤(C1.1、C1.2、C1.3)中确定多个值元组，多个值元组分别具有第一参数(TS，LS)的值、第二参数(TS，QC)的值和在这些值下设置的基底表面的实际温度(TW)，其中，根据多个值元组通过插值形成表示实际温度(TW)关于参数中的至少一个的函数(F)，根据所述函数获得至少一个参数(TC，QC；TS，LS)的值(TW1)，至少一个参数与最接近预先给定的基底温度的基底表面的实际温度(TW)相关联。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，热量流入参数是基座目标温度(Ts0)，第一调节电路(23)通过改变馈入加热装置(6)的加热功率(LS)朝所述基座目标温度(Ts0)调节基座实际温度(Ts)，或者热量流入参数是加热功率(LS)；和/或热量排出参数是冷却装置(22)的目标温度，是由两种具有不同导热特性的气体组成的调温气体的混合比，所述调温气体馈入到冷却装置(22)与处理室顶部(18)之间的间隙(20)中，或者是处理室顶部目标温度(Tc0)，第二调节电路(24)朝所述处理室顶部目标温度(Tc0)调节处理室顶部实际温度(Tc)。
13.根据权利要求11或12所述的方法，其特征在于，形成一维或多维函数来执行插值，其插值点形成值元组。
14.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，多个第一校准或调节步骤直接相继跟随；和/或在逐步骤升高或降低温度的情况下和/或以变化的冷却参数来执行多个校准或调节步骤。
15.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述测量值包括基底温度(TW)和处理室顶部温度(TC)，其中，在校准或调节阶段(PC)中，温度(TS)和从加热装置(6)至冷却装置(22)的热量流(H1，H2，H3，H4)中的热导率依次地被改变。
16.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在多个依次执行的处理中，在所述处理中在处理阶段中对基底进行涂覆的，在各个调节阶段期间以相同的处理参数执行校准或调节步骤，并且仅在所述校准或调节步骤中确定用于形成指纹的测量值。
17.一种方法，其特征在于上述权利要求之一的一个或多个特征性特征。
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