JP5003106B2 - 記憶回路の検査方法 - Google Patents
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Description
各メモリセルが、データを表すためのn個(nは2以上の整数)のビットのうちの一のビットを記憶するn個のメモリセルを有する記憶部と、
各フリップフロップが、前記n個のメモリセルのうちの一のメモリセルに対応する、直列接続されたn個のフリップフロップを有するシフトレジスタであって、初期時に、各フリップフロップが当該フリップフロップに対応する一のメモリセルから一のビットをロードすることにより前記n個のメモリセルの初期時のデータをロードし、当該ロードされた初期時のデータを1ビット毎にシフトしかつ出力する前記シフトレジスタと、
前記記憶部、前記シフトレジスタ、前記記憶部及び前記シフトレジスタに関連する配線、並びに、当該配線と外部との接続のための端子が設けられた基板と、
を含む記憶回路における、前記シフトレジスタから出力されるn個のビットにより規定されるデータが、前記n個のメモリセルの前記初期時のデータと同一であるとき、前記配線及び前記端子に不具合が無いと判断する判断工程を含む。
前記n個のメモリセルの前記初期データは、全てのビットが1及び0の一方の値からなり、
前記シフトレジスタは、さらに、前記n個のフリップフロップのうちの先頭のフリップフロップの前に位置する第1のフリップフロップと、最後尾のフリップフロップの後に位置する第2のフリップフロップと、を有し、
前記記憶回路は、さらに、前記第1、第2のフリップフロップに1及び0の他方の値を設定する設定部を含み、
前記判断工程は、前記シフトレジスタから出力される(n+2)個のビットにより規定されるデータが、前記n個のメモリセルの前記初期時のデータ、前記第1のフリップフロップに設定された値、及び、前記第2のフリップフロップに設定された値の組み合わせと同一であるとき、前記配線及び前記端子に不具合が無いと判断する判断工程を含む。
図1は、発振装置の実施例の構成を示す。発振装置OSDは、図1に示されるように、記憶回路MEと、データセレクタ回路DSと、D/Aコンバータ回路COと、温度補償信号発生回路GEと、発振回路OSとを含む。
図5は、記憶回路の検査方法のタイミングチャートを示したものである。以下、記憶回路の検査方法について図5を参照して説明する。
上述したように、本発明に係る記憶回路MEの検査方法では、シフトレジスタSRからのデータ信号DToutにより規定されるビットのパターン、即ち、データが、記憶部RMのメモリセルMC1〜MCnの初期時の、予め想定されているn個のビットの値「0」、及び、電源電位VDD及び第1、第2のセレクタSLh、SLfにより規定される2つのビットの値「1」により規定されるパターン、即ち、データである「1」、「0」、「0」、...、「0」、「0」、「1」と一致するか否かに基づき、前記端子T1、T2、T3及び前記配線W1、W2、W3の良否を判断することから、従来不揮発性メモリにデータを書き込んでから読み出すといった煩雑な検査が不要となり、従来に比して、当該検査に掛かる所要時間を短縮することが可能となる。また、本発明は不揮発性メモリへの書き込みを模擬(エミュレーション)することができるので、1回しか書き込みができないタイプの不揮発性メモリの場合にも適用することが可能である。
上記したような、メモリセルMC1〜MCnの初期時のビットの値が全て「0」であるときに、第1、第2のフリップフロップFFh、FFfに初期時のビットの値として、前記メモリセルMC1〜MCnの初期時のビットの値「0」と反対の値「1」を設定することに代えて、メモリセルMC1〜MCnの初期時のビットの値が全て「1」であるとき、第1、第2のフリップフロップFFh、FFfの初期時のビットの値として、当該メモリセルMC1〜MCnの初期時のビットの値「1」と反対の値「0」を設定することによっても、上記したと同様な効果を得ることができる。
上記した実施例及び変形例1とは異なり、メモリセルMC1〜MCnの初期時のビットが、全て「0」又は全て「1」ではなく、例えば、「0」、「1」、「1」、...、「1」、「0」、「1」のようにランダムであるとき、第1、第2のフリップフロップFFh、FFfを用いることなく、データ信号DTの端子T1に現れるデータ信号DToutにより規定されるビットのパターンと、予め想定した、上記したメモリセルMC1〜MCnの初期時のビットのパターンとを比較することによっても、上記したと同様な効果を得ることができる。
Claims (1)
- 初期値データとして1または0の一方の値のみを記憶しているn個(nは2以上の整数)のメモリセルを備えている記憶部と、
一の前記メモリセルと一対一に対応しているフリップフロップをn個直列接続した回路、前記初期値データとして一の前記メモリセルに記憶されている値とは異なる値が設定されている第1のフリップフロップ及び前記n個のフリップフロップを介して前記第1のフリップフロップと直列接続されており、かつ前記第1のフリップフロップと同じ値が設定されている第2のフリップフロップを含むフリップフロップ回路を備えたシフトレジスタと、
前記記憶部、前記シフトレジスタ、前記記憶部及び前記シフトレジスタに関連する配線、並びに、前記配線と外部との接続のための端子が設けられた基板と、を用い、
前記n個のメモリセルが記憶している前記初期値データを前記n個のフリップフロップに設定する工程と、
前記フリップフロップ回路に設定されている値を1ビット毎にシフトさせて前記シフトレジスタからデータを出力する工程と、
前記シフトレジスタから出力される前記データが、前記初期値データの値と前記第1のフリップフロップに設定されている値と前記第2のフリップフロップに設定されている値との組み合わせと同一であるとき、前記配線及び前記端子に不具合が無いと判断する工程と、を含むことを特徴とする記憶回路の検査方法。
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