JP4997786B2

JP4997786B2 - 半導体集積回路装置

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Publication number: JP4997786B2
Application number: JP2006040340A
Authority: JP
Inventors: 一史小村; 孝好中村; 恵一藤村; 聖人廣瀬; 圭吾中島; 雅樹永戸
Original assignee: Fujitsu Semiconductor Ltd
Current assignee: Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority date: 2006-02-17
Filing date: 2006-02-17
Publication date: 2012-08-08
Anticipated expiration: 2026-02-17
Also published as: JP2007220929A; US20070195946A1; US7663175B2

Description

この発明は、電源ノイズを低減させるためのデカップリング容量を備えた半導体集積回路装置に関するものである。
半導体集積回路装置では、電源ノイズを低減するための一手法として、電源配線間にデカップリング容量を形成する手法が採用されている。デカップリング容量は、ゲート酸化膜を使用して形成されてきたが、ゲートリーク電流によるスタンバイ電流の増大が無視できなくなっている。そこで、電源配線間の容量を利用したデカップリング容量が形成されるようになっている。そして、このようなデカップリング容量の容量値を十分にかつ効率的に確保することが必要となっている。

電源配線間でデカップリング容量を形成する手法は、従来より種々提案されている。特許文献１には、高電位側電源配線間を接続するコンタクト配線と、低電位側電源配線間を接続するコンタクト配線との間、あるいは一方の電源配線に接続されたコンタクト配線と対向する他方の電源配線との間で層間絶縁膜を介して容量を形成する構成が開示されている。

特許文献２には、電源配線を多層で構成し、高電位側電源配線と低電位側電源配線とに、基板の平面方向及び厚さ方向に並走する容量用電源配線を形成した構成が開示されている。

特許文献３には、電源配線を多層で構成し、各層において高電位側電源配線と低電位側電源配線とが隣り合うように平行に配設し、上下に位置する各層の配線を互いに交差するように配設し、上下に位置する同電位の電源配線をコンタクト配線で接続した構成が開示されている。

特許文献４には、電源配線を多層で構成し、各層において高電位側電源配線と低電位側電源配線とが隣り合うように平行に配設し、上下に位置する各層の配線を平行に配設した構成が開示されている。
特開２００２−３２４８４１号公報特開２００１−１７７０５６号公報特開２００３−２４９５５９号公報特開２００４−２４１７６２号公報

特許文献１に記載された構成では、容量を形成するために形成されるコンタクト配線は、各電源配線の端部にのみ形成されるので、その数に限りがあり、十分なデカップリング容量を確保することができない。

特許文献２に記載された構成では、層間に形成される容量値は層間距離に依存するため、層間距離が大きくなると十分な容量値を得ることができない。また、各電源配線から延びる容量用配線と、上下層の同電位電源配線を接続するコンタクトホールとの距離が長くなるため、電源電圧の変動に対する容量の応答性が悪く、電源電圧変動を確実に抑制することができない。

特許文献３に記載された構成では、上下層の電源配線間に形成される容量は、上下層の電源配線が交差する位置においてのみ形成されるので、十分なデカップリング容量を確保することができない。

特許文献４に記載された構成では、同一層で平行に延びる電源配線間でのみ容量が形成されるため、十分なデカップリング容量を確保することができない。
この発明の目的は、電源配線間に十分なデカップリング容量を確保し得る半導体集積回路装置を提供することにある。

上記目的は、異なる配線層に形成される高電位側電源配線と低電位側電源配線間において、前記高電位側電源配線と低電位側電源配線の一方から他方に向かって形成される容量用コンタクト配線と、該容量用コンタクト配線の周囲に配設される配線との間で容量を形成し、前記配線層には中間部に蛇行部分を備えた高電位側電源配線及び低電位側電源配線を交互に配設して、各高電位側電源配線に低電位側電源配線が並行するように配設し、隣り合う配線層の同電位の電源配線は、前記蛇行部分を中心として線対称状に配設して、隣り合う配線層間では異電位の電源配線を対向させるとともに前記蛇行部分に接続したコンタクト配線で、隣り合う配線層の同電位の電源配線を接続し、前記各電源配線から隣り合う配線層の異電位の電源配線に向かって容量用コンタクト配線を延設し、各電源配線において前記蛇行部分から電源配線の一端までの長さと前記蛇行部分から電源配線の他端までの長さとが等しい半導体集積回路装置により達成される。

また、上記目的は、異なる配線層に形成される高電位側電源配線と低電位側電源配線間において、前記高電位側電源配線と低電位側電源配線の一方から他方に向かって形成される容量用コンタクト配線と、該容量用コンタクト配線の周囲に配設される配線との間で容量を形成し、前記各配線層には高電位側電源配線と低電位側電源配線を並行して配設し、各電源配線には枝配線を所定間隔毎に形成し、各枝配線は異電位の枝配線に対し互い違いに入り組むように形成するとともに、隣り合う配線層において異電位の枝配線が対向するように形成し、前記対向する枝配線のうち一方の枝配線の中央部に挿通孔部を形成するとともに、該枝配線の周囲には他方の枝配線から遠ざかる方向に延びる容量用コンタクト配線を形成し、他方の枝配線には前記挿通孔部を貫通して延びる容量用コンタクト配線を形成した半導体集積回路装置により達成される。

本発明によれば、電源配線間に十分なデカップリング容量を確保し得る半導体集積回路装置を提供することができる。

（第一の実施の形態）
以下、この発明を具体化した第一の実施の形態を図面に従って説明する。図１は、多層の電源配線間にデカップリング容量を形成するための電源配線層を模式的に示すものである。

第一層の配線層１には、所定の長さの多数の高電位側のＶDD配線２ａ及び低電位側のＶss配線３ａがそれぞれ形成される。同様に、第二層の配線層４には、同一長さの多数の高電位側のＶDD配線２ｂ及び低電位側のＶss配線３ｂがそれぞれ形成される。

前記ＶDD配線２ａ，２ｂ及びＶss配線３ａ，３ｂは、例えば図示しないコンタクト配線を介して同一基板上の主電源配線等に接続される。
図２及び図３は、各ＶDD配線２ａ，２ｂ及び各Ｖss配線３ａ，３ｂの形状をより具体化して示すものであり、各ＶDD配線２ａ，２ｂ及び各Ｖss配線３ａ，３ｂはその中間部で蛇行するように屈曲されている。なお、図２は電源配線を３層構造とした場合を示す。

そして、第一層の配線層１では各ＶDD配線２ａと各Ｖss配線３ａの直線部分が並行するようにレイアウトされ、同様に第二層の配線層４では各ＶDD配線２ｂと各Ｖss配線３ｂの直線部分が並行するようにレイアウトされる。

また、上下に位置する第一層のＶDD配線２ａと第二層のＶDD配線２ｂとは、互い違いとなるように蛇行している。言い換えれば、蛇行部分を中心として線対称状となるようにレイアウトされている。従って、第一層のＶDD配線２ａと第二層のＶDD配線２ｂとは、上下方向から見てその蛇行部分が交差するようにレイアウトされる。

上下に位置する第一層のＶss配線３ａと第二層のＶss配線３ｂも同様に互い違いとなるように蛇行している。
そして、上下に位置する第一層のＶDD配線２ａと第二層のＶDD配線２ｂの蛇行部分の中央部がそれぞれコンタクト配線５ａで接続され、同様に上下に位置する第一層のＶss配線３ａと第二層のＶss配線３ｂの蛇行部分の中心がそれぞれコンタクト配線５ｂで接続されている。従って、ＶDD配線２ａ，２ｂを接続するコンタクト配線５ａと、Ｖss配線３ａ，３ｂを接続するコンタクト配線５ｂが並行してレイアウトされる。

上記のように、上下に位置する第一層のＶDD配線２ａと第二層のＶDD配線２ｂとは、互い違いとなるように蛇行し、上下に位置する第一層のＶss配線３ａと第二層のＶss配線３ｂも同様に互い違いとなるように蛇行しているため、第一層のＶDD配線２ａの直線部の下方には第二層のＶss配線３ｂが位置している。また、第一層のＶss配線３ａの直線部の下方には第二層のＶDD配線２ｂが位置している。

上下方向に対向するＶDD配線２ａとＶss配線３ｂとの間及びＶss配線３ａとＶDD配線２ｂとの間には、両配線を接続しない多数の容量用コンタクト配線が形成される。
すなわち、図１に示すように、第一層のＶDD配線２ａの端部から下方に向かって容量用コンタクト配線６ａが延設され、第一層のＶss配線３ａの端部から下方に向かって容量用コンタクト配線６ｂが延設される。

また、第一層のＶDD配線２ａの直線部分の中間部から下方に向かって容量用コンタクト配線６ｃが延設され、第一層のＶss配線３ａの直線部分の中間部から下方に向かって容量用コンタクト配線６ｄが延設される。

また、前記容量用コンタクト配線６ａ，６ｃの間において、第二層のＶss配線３ｂの直線部分の中間部から容量用コンタクト配線６ｅが延設され、前記容量用コンタクト配線６ｂ，６ｄの間において、第二層のＶDD配線２ｂの直線部分の中間部から容量用コンタクト配線６ｆが延設される。

このような構成により、第二層のＶDD配線２ｂから延設される容量用コンタクト配線６ｆの周囲には、第一層のＶss配線３ａから延設される容量用コンタクト配線６ｂ，６ｄと、第二層のＶss配線３ｂから延設される容量用コンタクト配線６ｅが位置する状態となる。

また、第二層のＶss配線３ｂから延設される容量用コンタクト配線６ｅの周囲には、第一層のＶDD配線２ａから延設される容量用コンタクト配線６ａ，６ｃと、第二層のＶDD配線２ｂから延設される容量用コンタクト配線６ｆが位置する状態となる。

図４は、上記のような容量用コンタクト配線の原理を示すものである。同図に示すように、ＶDD配線２とＶss配線３から互い違いとなるように容量用コンタクト配線６ｆ，６ｇを延設することにより、隣接する容量用コンタクト配線６ｆ，６ｇ間及び容量用コンタクト配線６ｆ，６ｇの先端と、対向するＶDD配線２及びＶss配線３との間で容量が形成される。

上記のような電源配線層を備えた半導体集積回路装置では、次に示す作用効果を得ることができる。
（１）電源配線層の各層において、高電位側のＶDD配線２ａ，２ｂと、低電位側のＶss配線３ａ，３ｂとが並行してレイアウトされる部分でデカップリング容量を形成することができる。
（２）第一層のＶDD配線２ａ及びＶss配線３ａと、第二層のＶDD配線２ｂ及びＶss配線３ｂに形成した多数の容量用コンタクト配線６ａ〜６ｅとの間でデカップリング容量を形成することができる。
（３）各容量用コンタクト配線６ａ〜６ｅ間でデカップリング容量を形成することができる。
（４）各容量用コンタクト配線６ａ〜６ｅは、それぞれその周囲に異電源電圧の容量用コンタクト配線が形成されるので、十分な容量値を確保することが容易である。
（５）第一層のＶDD配線２ａと第二層のＶDD配線２ｂ及び第一層のＶss配線３ａと第二層のＶss配線３ｂとは、その中間部に蛇行部分が形成され、上下方向から見てその蛇行部分が交差するようにレイアウトされる。従って、第一層のＶDD配線２ａと第二層のＶDD配線２ｂの蛇行部分をコンタクト配線５ａで接続することができる。また、第一層のＶss配線３ａと第二層のＶss配線３ｂの蛇行部分をコンタクト配線５ｂで接続することができる。
（６）第一層のＶDD配線２ａと第二層のＶDD配線２ｂ及び第一層のＶss配線３ａと第二層のＶss配線３ｂとは、その中間の蛇行部分をコンタクト配線５ａ，５ｂで接続することができる。従って、コンタクト配線５ａ，５ｂとデカップリング容量が作用する部分との距離を短縮することができるので、デカップリング容量の応答性を向上させて、電源ノイズを効率的に吸収することができる。
（７）上記構成により、十分な容量値を備えたデカップリング容量を形成することができる。
（第二の実施の形態）
図５及び図６は、第二の実施の形態を示す。この実施の形態の第一層のＶDD配線７ａ及びＶss配線８ａは直線状にレイアウトされ、第二層のＶDD配線７ｂ及びＶss配線８ｂも直線状にレイアウトされる。

そして、ＶDD配線７ａの下方にＶDD配線７ｂが位置し、Ｖss配線８ａの下方にＶss配線８ｂが位置し、ＶDD配線７ａ，７ｂが所定間隔毎にコンタクト配線９ａで接続され、Ｖss配線８ａ，８ｂが所定間隔毎にコンタクト配線９ｂで接続されている。

前記ＶDD配線７ａには、Ｖss配線８ａに向かって延びる枝配線１０ａが設けられ、前記Ｖss配線８ａにはＶDD配線７ａに向かって延びる枝配線１１ａが設けられる。そして、枝配線１０ａ，１１ａは互い違いに入り組むように形成されて、両枝配線１０ａ，１１ａ間に容量が形成される。

前記ＶDD配線７ｂには、Ｖss配線８ｂに向かって延びる枝配線１０ｂが設けられ、前記Ｖss配線８ｂにはＶDD配線７ｂに向かって延びる枝配線１１ｂが設けられる。そして、枝配線１０ｂ，１１ｂは互い違いに入り組むように形成されて、両枝配線１０ｂ，１１ｂ間に容量が形成される。

また、前記第一層の枝配線１０ａの下方には、Ｖss配線８ｂから延びる枝配線１１ｂが位置し、前記第一層の枝配線１１ａの下方には、ＶDD配線７ｂから延びる枝配線１０ｂが位置している。

前記枝配線１０ａの先端部には、下方に向かって延びる容量用コンタクト配線１２ａがそれぞれ形成され、前記枝配線１１ａの先端部には、下方に向かって延びる容量用コンタクト配線１２ｂが形成されている。そして、容量用コンタクト配線１２ａ，１２ｂが並行に形成されて、各容量用コンタクト配線１２ａ，１２ｂと隣り合う容量用コンタクト配線との間で容量が形成される。

前記容量用コンタクト配線１２ａの先端とその下方に位置する枝配線１１ｂとの間には、所定の間隙が確保される。また、前記容量用コンタクト配線１２ｂの先端とその下方に位置する枝配線１０ｂとの間には、所定の間隙が確保される。そして、各容量用コンタクト配線１２ａ，１２ｂの先端と、その下方に位置する枝配線１１ｂ，１０ｂとの間で容量が形成される。

上記のような電源配線層を備えた半導体集積回路装置では、次に示す作用効果を得ることができる。
（１）第一層の枝配線１０ａ，１１ａ間及び第二層の枝配線１０ｂ，１１ｂ間で容量を形成することができる。
（２）各容量用コンタクト配線１２ａ，１２ｂと隣り合う容量用コンタクト配線との間で容量を形成することができる。
（３）各容量用コンタクト配線１２ａ，１２ｂの先端と、対向する枝配線１１ｂ，１０ｂとの間で容量を形成することができる。
（４）ＶDD配線７ａ，７ｂを接続するコンタクト配線９ａ及びＶss配線８ａ，８ｂを接続するコンタクト配線９ｂと、上記のような容量形成部分との距離を短縮して、デカップリング容量の応答性を向上させ、電源ノイズを効率的に吸収することができる。
（５）上記構成により、十分な容量値を備えたデカップリング容量を形成することができる。
（第三の実施の形態）
図７及び図８は、第三の実施の形態を示す。この実施の形態は、前記第二の実施の形態の枝配線をさらに延長し、その枝配線に形成する容量用コンタクト配線の数を増加させたものである。第二の実施の形態と同一構成部分は同一符号を付して説明する。

すなわち、枝配線１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂは、第二の実施の形態の枝配線１０ａ，１０ｂ，１１ａ，１１ｂより長く形成され、各枝配線１３ａ，１４ａには、それぞれ３つずつの容量用コンタクト配線１５ａ，１５ｂが形成されている。

このように容量用コンタクト配線１５ａ，１５ｂを増加させたことにより、前記第二の実施の形態に比して、デカップリング容量をさらに増大させることができる。
（第四の実施の形態）
図９〜図１１は、第四の実施の形態を示す。前記第三の実施の形態では、各枝配線１３ａ，１４ａにそれぞれ３つずつの容量用コンタクト配線１５ａ，１５ｂを形成したが、この実施の形態では第一層及び第二層の枝配線１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂから容量用コンタクト配線をそれぞれ延設したものである。第三の実施の形態と同一構成部分は同一符号を付して説明する。

すなわち、第一層の枝配線１３ａ，１４ａから２つずつの容量用コンタクト配線１５ｃ，１５ｄが下方へ延設され、第二層の枝配線１３ｂ，１４ｂから１つずつの容量用コンタクト配線１５ｅ，１５ｆが前記各容量用コンタクト配線１５ｃ，１５ｄ間に延びるように上方へ延設される。

このような構成により、容量用コンタクト配線１５ｃ，１５ｆ，１５ｄ，１５ｅ間で容量が形成されるので、前記第三の実施の形態に比してデカップリング容量をさらに増大させることができる。
（第五の実施の形態）
図１２及び図１３は、第五の実施の形態を示す。この実施の形態は、前記第四の実施の形態に比して、枝配線に形成される容量用コンタクト配線をさらに増大させたものである。前記第四の実施の形態と同一構成部分は同一符号を付して説明する。

図１２に示すように、第一層のＶDD配線７ａとＶss配線８ａには、それぞれ枝配線１６ａ，１７ａが形成され、図１３に示すように、第二層のＶDD配線７ｂとＶss配線８ｂには、それぞれ枝配線１６ｂ，１７ｂが形成されている。各枝配線１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂは、前記第四の実施の形態の枝配線１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂより広い面積が確保されている。

第一層の枝配線１６ａ，１７ａから下方に向かって、例えば６つずつの容量用コンタクト配線１８ａ，１８ｂが下方へ延設され、枝配線１６ａ，１７ａに対向する第二層の各枝配線１７ｂ，１６ｂから上方に向かって６つずつの容量用コンタクト配線１８ｃ，１８ｄが延設されている。

前記容量用コンタクト配線１８ａ，１８ｂと同１８ｃ，１８ｄとは、図４に示すように、互い違いに入り組むように配設される。
このような構成により、前記第四の実施の形態よりさらに多数の容量用コンタクト配線１８ａ〜１８ｄ間で容量が形成されるので、前記第四の実施の形態に比してデカップリング容量をさらに増大させることができる。
（第六の実施の形態）
図１４〜図１６は、第六の実施の形態を示す。前記第二〜第六の実施の形態では、第一層のＶDD配線及びＶss配線と、第二層のＶDD配線及びＶss配線との間隔が狭くなると、容量用コンタクト配線を形成することが困難となるが、この実施の形態は第一層と第二層の間隔が狭い場合にも、容量用コンタクト配線を形成してデカップリング容量を確保しようとするものである。前記第五の実施の形態と同一構成部分は同一符号を付して説明する。

図１４に示すように、第一層のＶDD配線７ａには枝配線１９ａが形成され、第一層のＶss配線８ａには枝配線２０ａが形成される。図１５に示すように、第二層のＶDD配線７ｂには枝配線１９ｂが形成され、第二層のＶss配線８ｂには枝配線２０ｂが形成される。

図１６は、枝配線１９ａとその下方に位置する枝配線２０ｂの構成を示す。枝配線１９ａの周囲には例えば８つの容量用コンタクト配線２１ａが上方へ延設され、中央部には挿通孔部２２が形成されている。

枝配線２０ｂには、その中央部に前記挿通孔部２２を貫通する容量用コンタクト配線２１ｂが上方へ延設されている。第一層の枝配線２０ａと第二層の枝配線１９ｂの構成も同様である。

このような構成により、容量用コンタクト配線２１ｂとその周囲に位置する容量用コンタクト配線２１ａとの間で容量が形成される。従って、第一層と第二層の間隔が狭い場合にも、枝配線に容量用コンタクト配線を形成することができる。
（第七の実施の形態）
図１７は、第七の実施の形態を示す。この実施の形態は、ＶDD配線とＶss配線を狭い間隔で三層構造とした場合の枝配線の構成を示す。

例えばＶss配線の枝配線２３ａの上層及び下層にＶDD配線の枝配線２３ｂ，２３ｃが形成される場合、枝配線２３ｂの周囲に上方に延びる容量用コンタクト配線２４ａが形成され、枝配線２３ｃの周囲に下方に延びる容量用コンタクト配線２４ｂが形成される。

前記枝配線２３ｂ，２３ｃの中央部には挿通孔部２５がそれぞれ形成され、前記枝配線２３ａの中央部には前記挿通孔部２５を貫通して上方及び下方へ延びる容量用コンタクト配線２４ｃ，２４ｄがそれぞれ形成されている。

このような構成により、容量用コンタクト配線２４ｃとその周囲に位置する容量用コンタクト配線２４ａとの間で容量が形成され、容量用コンタクト配線２４ｄとその周囲に位置する容量用コンタクト配線２４ｂとの間で容量が形成される。従って、ＶDD配線とＶss配線を狭い間隔で三層構造とした場合にも、枝配線に容量用コンタクト配線を形成することができる。
（第八の実施の形態）
図１８及び図１９は、第八の実施の形態を示す。この実施の形態は、第一層のＶDD配線及びＶss配線と第二層のＶDD配線及びＶss配線とが直交する方向に配設された場合を示す。

すなわち、図１８に示すように、第一層のＶDD配線２６ａ及びＶss配線２７ａと、第二層のＶDD配線２６ｂ及びＶss配線２７ｂとは直交する方向に配設され、ＶDD配線２６ａ，２６ｂが平面座標上で直交する位置には、両ＶDD配線２６ａ，２６ｂを接続するコンタクト配線２８が形成されている。

また、Ｖss配線２７ａ，２７ｂが平面座標上で直交する位置には、両Ｖss配線２７ａ，２７ｂを接続するコンタクト配線２９が形成されている。
ＶDD配線２６ａとＶss配線２７ｂとが平面座標上で直行する位置には、ＶDD配線２６ａからＶss配線２７ｂに向かって容量用コンタクト配線３０ａが延設され、ＶDD配線２６ｂとＶss配線２７ａとが平面座標上で直行する位置には、ＶDD配線２６ｂからＶss配線２７ａに向かって容量用コンタクト配線３０ｂが延設されている。

このような構成により、容量用コンタクト配線３０ａとその容量用コンタクト配線３０ａに隣接するコンタクト配線２９及びＶss配線２７ｂとの間で容量が形成され、容量用コンタクト配線３０ｂとその容量用コンタクト配線３０ｂに隣接するコンタクト配線２９及びＶss配線２７ａとの間で容量が形成される。

従って、第一層のＶDD配線２６ａ及びＶss配線２７ａと、第二層のＶDD配線２６ｂ及びＶss配線２７ｂとが直交する方向に配設されていても、容量用コンタクト配線３０ａ，３０ｂを多数形成して、デカップリング容量を増大させることができる。

上記実施の形態は、以下の態様で実施してもよい。
・各実施の形態の電源配線層をさらに多層としてもよい。

第一の実施の形態の電源配線層を示す斜視図である。第一の実施の形態の電源配線層を示す分解斜視図である。第一の実施の形態の電源配線層を示す平面図である。容量用コンタクト配線の原理を示す斜視図である。第二の実施の形態の電源配線層を示す斜視図である。第二の実施の形態の電源配線層を示す平面図である。第三の実施の形態の電源配線層を示す斜視図である。第三の実施の形態の電源配線層を示す平面図である。第四の実施の形態の電源配線層を示す斜視図である。第四の実施の形態の電源配線層を示す平面図である。第四の実施の形態の電源配線層を示す平面図である。第五の実施の形態の電源配線層を示す平面図である。第五の実施の形態の電源配線層を示す平面図である。第六の実施の形態の電源配線層を示す平面図である。第六の実施の形態の電源配線層を示す平面図である。第六の実施の形態の電源配線層を示す斜視図である。第七の実施の形態の電源配線層を示す斜視図である。第八の実施の形態の電源配線層を示す斜視図である。第八の実施の形態の電源配線層を示す平面図である。

符号の説明

１，４配線層
２ａ，２ｂ，７ａ，７ｂ，２６ａ，２６ｂＶDD配線
３ａ，３ｂ，８ａ，８ｂ，２６ａ，２６ｂＶss配線
５ａ，５ｂ，９ａ，９ｂ，２９，３０コンタクト配線
６ａ〜６ｅ，１２ａ，１２ｂ，１５ａ〜１５ｆ，１９ａ〜１９ｄ，２１ａ，２１ｂ，２５ａ〜２５ｄ，３０ａ，３０ｂ容量用コンタクト配線

Claims

多層の電源配線層間に容量を備えた半導体集積回路装置であって、
異なる配線層に形成される高電位側電源配線と低電位側電源配線間において、前記高電位側電源配線と低電位側電源配線の一方から他方に向かって形成される容量用コンタクト配線と、該容量用コンタクト配線の周囲に配設される配線との間で容量を形成し、
前記配線層には蛇行部分を備えた高電位側電源配線及び低電位側電源配線を交互に配設して、各高電位側電源配線に低電位側電源配線が並行するように配設し、隣り合う配線層の同電位の電源配線は、前記蛇行部分を中心として線対称状に配設して、隣り合う配線層間では異電位の電源配線を対向させるとともに前記蛇行部分に接続したコンタクト配線で、隣り合う配線層の同電位の電源配線を接続し、前記各電源配線から隣り合う配線層の異電位の電源配線に向かって容量用コンタクト配線を延設し、
各電源配線において前記蛇行部分から電源配線の一端までの長さと前記蛇行部分から電源配線の他端までの長さとが等しいことを特徴とする半導体集積回路装置。
前記容量用コンタクト配線は、隣り合う配線層の各電源配線から互い違いに入り組むように延設したことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
多層の電源配線層間に容量を備えた半導体集積回路装置であって、
異なる配線層に形成される高電位側電源配線と低電位側電源配線間において、前記高電位側電源配線と低電位側電源配線の一方から他方に向かって形成される容量用コンタクト配線と、該容量用コンタクト配線の周囲に配設される配線との間で容量を形成し、
前記各配線層には高電位側電源配線と低電位側電源配線を並行して配設し、各電源配線には枝配線を所定間隔毎に形成し、各枝配線は異電位の枝配線に対し互い違いに入り組むように形成するとともに、隣り合う配線層において異電位の枝配線が対向するように形成し、前記対向する枝配線のうち一方の枝配線の中央部に挿通孔部を形成するとともに、該枝配線の周囲には他方の枝配線から遠ざかる方向に延びる容量用コンタクト配線を形成し、他方の枝配線には前記挿通孔部を貫通して延びる容量用コンタクト配線を形成したことを特徴とする半導体集積回路装置。