JP4993175B2 - メモリ検査装置 - Google Patents

メモリ検査装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4993175B2
JP4993175B2 JP2006237092A JP2006237092A JP4993175B2 JP 4993175 B2 JP4993175 B2 JP 4993175B2 JP 2006237092 A JP2006237092 A JP 2006237092A JP 2006237092 A JP2006237092 A JP 2006237092A JP 4993175 B2 JP4993175 B2 JP 4993175B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
address
fail
memory
data
inspection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2006237092A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007184069A (ja
Inventor
隆尋 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yokogawa Electric Corp filed Critical Yokogawa Electric Corp
Priority to JP2006237092A priority Critical patent/JP4993175B2/ja
Priority to TW095141887A priority patent/TWI308339B/zh
Priority to KR1020060112174A priority patent/KR100794947B1/ko
Publication of JP2007184069A publication Critical patent/JP2007184069A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4993175B2 publication Critical patent/JP4993175B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/319Tester hardware, i.e. output processing circuits
    • G01R31/3193Tester hardware, i.e. output processing circuits with comparison between actual response and known fault free response
    • G01R31/31935Storing data, e.g. failure memory
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Description

本発明は、メモリ検査装置に関し、詳しくは、フェイルメモリへのフェイルデータの格納制御に関するものである。
近年の半導体メモリには、高集積化に伴い製造工程におけるある程度の不良メモリセルの発生はやむを得ないという前提に基づき、複数の予備メモリセル(以下スペアセルという)が設けられている。そして、メモリ検査装置による試験で不良セル(以下フェイルセルという)が検出された場合には、レーザーで被試験半導体メモリ(以下DUTという)内の所定のパターンを切断し、フェイルセルをスペアセルに置き換える。これによりフェイルセルを救済でき、フェイルセルに起因するDUTの不良を救済できる。このような不良救済に必要なデータは、リダンダンシ演算装置で作成される。
リダンダンシ演算装置では、DUTから得られるフェイル情報に基づき、フェイルセル救済のためのリダンダンシ演算処理が行われる。ここで、リダンダンシ演算に基づくDUTの測定をリダンダンシ測定という。
リダンダンシ演算は、通常、メモリ検査装置内に設けられたリダンダンシ演算専用CPUにより、所定の規則的な処理に基づいたアルゴリズムに従って行われる。
DUTからフェイルセルが検出されると、検出されたフェイルセルのそれぞれに列スペアセルと行スペアセルを組み合わせて割当てて全てのフェイルを救済できるか否かを判断し、救済可能と判断した場合には、割当てた置換アドレス情報をメモリ検査装置の制御部に対して出力する。
特開2002−367396
図8は、特許文献1に記載されているリダンダンシ測定機能を有する従来のメモリ検査装置の一例を示すブロック図である。メモリ検査装置1は、フェイル検出装置2、リダンダンシ演算装置3および制御部4とで構成されている。
フェイル検出装置2は、DUT5が有するメモリセルのフェイルセルを検出し、検出したフェイルデータを図9に示すようにフェイルメモリ6に書き込んだ後、バッファメモリ7を介してリダンダンシ演算装置3に送る。
リダンダンシ演算装置3は、フェイル検出装置2から送られたフェイルデータに基づいて、DUT5の不良救済に必要となるデータを作成し、制御部4に送る。なお、DUT5は、不良を救済するためのスペアセルを内蔵している。
リダンダンシ演算装置3は、例えばコンピュータによって構成され、このコンピュータが、ロードされるリダンダンシ演算プログラムを実行することにより、その機能が実現される。
制御部4は、リダンダンシ演算装置3から送られたデータを用いてリダンダンシ測定を行う。
ところで、DUT5の検査にあたっては、データ幅を例えば2ビット・4ビット・8ビット・16ビットなどの複数を適宜組み合わせることが行われる。そして、これら各ビット幅における検査結果は、DUTのビットパターンに対応する共通のフェイルメモリ6の各ビット位置に重ね合わせるようにして書き込まれる。
図10は、16ビットのデータ幅による検査の概念図である。図10において、0から15までの16ビットのデータ幅でアドレス方向に沿った検査が行われ、これらの検査結果はDUTと同様のビットパターンを有するフェイルメモリに書き込まれる。
図11は、8ビットのデータ幅による検査の概念図である。図11において、0から7までの8ビットのデータ幅でアドレス方向に沿った検査が行われ、これらの検査結果も、DUTと同様のビットパターンを有するフェイルメモリに書き込まれる。データ幅が8ビットの場合、アドレスの深さはデータ幅が16ビットの場合の2倍になるが、フェイルメモリへの書き込みにあたっては、同一のDUTであることから、16ビットのデータ幅の検査結果と同じビット位置になるように重ね合わせなければならない。
そこで、従来のメモリ検査装置では、これら16ビットのデータ幅と8ビットのデータ幅のように異なる検査モードにおける検査結果のアドレスの重ね合わせ処理を、ソフトウェアで行っていた。
しかし、これら異なる検査モードにおける検査結果のアドレスを重ね合わせるためのソフトウェア処理の実行時間は、検査時間の増加要因になるという問題があった。
本発明は、このような従来の問題点に着目したものであり、その目的は、ソフトウェア処理を用いることなくデータ幅の異なる検査モードにおける検査結果のアドレスの重ね合わせ処理が行えるメモリ検査装置を提供することにある。
このような課題を達成するために、請求項1の発明は、
データ幅の異なる検査モードに応じてアドレスとデータの読み出し構造が異なる同一のDUTを検査するメモリ検査装置において、
前記フェイルメモリのアドレス端子に入力されるアドレスのビット幅をフェイルメモリのアドレス幅に適合するように変換するアドレス変換部と、
このアドレス変換部に入力されるアドレスから前記検査モードに基づいて選択された所定のアドレスをフェイルデータの割付決定アドレスとして出力する割付決定アドレス選択ブロックと、
この割付決定アドレス選択ブロックから出力される割付決定アドレスを参照して入力されるDUTのフェイルデータの格納割付を決定し、前記フェイルメモリに格納するフェイルデータとしてフェイルメモリに出力するフェイルデータ割付部を設け、
各検査モードによって異なるアドレスビット位置に読み出される前記DUT上のある特定ビットが前記フェイルメモリの同一ビット位置に重ね書きされることを特徴とする。
請求項2の発明は、請求項1記載のメモリ検査装置において、
前記アドレス変換部の前段に、アドレスの並べ替えを行うアドレス並べ替えブロックを設けたことを特徴とする。
請求項3の発明は、請求項2に記載のメモリ検査装置において、
前記アドレス並べ替えブロックは、前記DUTの検査モードに応じてアドレスを並べ替えることを特徴とする。
これらにより、ソフトウェア処理を用いることなく、データ幅の異なる検査モードにおける検査結果のフェイルメモリ上でのアドレスの重ね合わせ処理が行える。
以下、本発明について、図1を用いて説明する。図1は本発明の一実施例の主要部を示すブロック図である。
アドレス変換部8は、図示しないフェイル検出装置から出力されるアドレスADRSのビット幅をフェイルメモリ6のアドレス幅に適合するように変換する。
アドレスビット選択部9は、図示しないフェイル検出装置から出力されるアドレスADRSから、検査モード選択部11を介して検査モード指定部10により指定される検査モードに応じて、フェイルメモリ6に取り込むべきデータを選択的に有効にするためのデータ有効化ビットが格納されているデータ有効化ビット格納メモリ12のアドレスを選択する。例えばフェイルメモリ6に32組のデータ有効化ビットを格納するような場合では、は5ビットを選択する。
アドレスビット選択部9で選択されたビットは、検査モード指定部10により指定される検査モードに応じて、検査モード毎に設けられたデータ有効化ビット格納メモリ12のアドレスとなる。
データ有効化ビット格納メモリ12に格納されたデータ有効化ビットは、データ有効化ビット選択部13において検査モード指定部10により指定される検査モードおよびアドレスビット選択部9で選択されたアドレスに応じて所定のメモリに格納されているビットが選択され、データゲート14の一方の入力端子に入力される。
データ選択部15は、図示しないフェイル検出装置から出力されるフェイルデータDATAを、検査モード選択部16を介して検査モード指定部10により指定される検査モードに応じて、フェイルメモリ6に取り込むべきデータを選択する。図1では、48ビットのデータから32ビットのデータを選択し、データゲート14の他方の入力端子に入力する例を示している。
検査モード設定部17は、検査モード選択部11および16に、各検査モードに対応したモード設定信号を出力する。
このように構成することにより、フェイルメモリ6のアドレス端子には、アドレス変換部8を介して、フェイルメモリ6のアドレス幅に適合したアドレスが入力される。一方、フェイルメモリ6のデータ端子には、データゲート13を介して、各検査モードに対応したデータが選択的に入力される。
これにより、検査モードに応じてアドレスとデータの読み出し構造が異なるDUTを検査する場合には、DUT上のある特定ビットは各検査モードによって異なるアドレスビット位置に読み出されることになるが、フェイルメモリ6への書き込みにあたっては同一ビット位置に重ね書きされることになる。
従って、従来のようなソフトウェアによる重ね合わせ処理は不要になり、検査時間の大幅短縮が実現できる。
なお、上記実施例では、DUTの検査データ幅を8ビットと16ビットとする例について説明したが、これらに限るものではなく、1ビットを含む複数ビットを適宜組み合わせてもよい。
図2は図1の具体的な回路例図であり、図1と共通する部分には同一の符号を付けている。図2において、セレクタ18は、入力されるDUTのX/Yアドレスについて、メイン領域とXスペア領域とYスペア領域とXYスペア領域との区切りビットが規則的に並ぶように並べ替え処理を行う。
セレクタ19は、セレクタ18で並べ替え処理されたアドレス出力からメイン領域とXスペア領域とYスペア領域とXYスペア領域のそれぞれの区切りに対応したアドレスビットを選択し、選択したアドレスビットをフェイルメモリ6とセレクタ24に出力する。
セレクタ20は、セレクタ18で並べ替え処理されたアドレス出力からメイン領域に有効なアドレスを選択し、選択したアドレスをセレクタ24に出力する。
セレクタ21は、セレクタ18で並べ替え処理されたアドレス出力からXスペア領域に有効なアドレスを選択し、選択したアドレスをセレクタ24に出力する。
セレクタ22は、セレクタ18で並べ替え処理されたアドレス出力からYスペア領域に有効なアドレスを選択し、選択したアドレスをセレクタ24に出力する。
セレクタ23は、セレクタ18で並べ替え処理されたアドレス出力からXYスペア領域に有効なアドレスを選択し、選択したアドレスをセレクタ24に出力する。
セレクタ24は、セレクタ19で選択されたそれぞれの領域区切りに対応したアドレスビットに基づいてセレクタ20〜23で選択された各領域の有効アドレスを選択し、フェイルメモリ6にアドレスとして入力する。これらセレクタ19〜24は、図1におけるアドレス変換部8を構成している。
セレクタ25は、セレクタ18で並べ替え処理されたアドレス出力から一方のモードにおけるフェイルビット番号の割付を決定するアドレスを選択し、選択したアドレスをセレクタ27に出力する。
セレクタ26は、セレクタ18で並べ替え処理されたアドレス出力から他方のモードにおけるフェイルビット番号の割付を決定するアドレスを選択し、選択したアドレスをセレクタ27に出力する。
セレクタ27は、モード指定信号に基づいてセレクタ25,26で選択されたいずれかのアドレスを選択し、フェイルデータ割付部28に割付決定アドレスとして入力する。
フェイルデータ割付部28にはDUTのフェイルデータも入力されている。フェイルデータ割付部28は、このセレクタ27から入力されるアドレスを参照して入力されるDUTのフェイルデータの格納割付を決定し、フェイルメモリ6に格納するフェイルデータとしてフェイルメモリ6に出力する。このフェイルデータ割付部28は、図1のデータ有効化ビット格納メモリ12、データ有効化ビット選択部13、データゲート14およびデータ選択部15を含むものである。
ところで、図3に示すように2つ以上の検査モードを持つDUTにおいて、各領域の区切りを示すアドレスが各検査モードで異なる場合、図2の回路構成では、以下2点の要因により検査が行えない。なお図3の例では、(a)は検査モード1として領域切替アドレスが(X3,Y2)に設定され、(b)は検査モード2として領域切替アドレスが(X4,Y4)に設定されている。
1)セレクタ20〜23の出力を切り替えるためにセレクタ24から出力されるアドレスを各検査モードで共通とする必要がある。これはフェイルメモリ6の構造上メイン/スペア領域をそれぞれ物理的に異なるメモリに格納するためである。
2)セレクタ25,26が各領域で個別に用意されていない。
図4は図1の他の具体的な回路例図であり、図3に示すような2つ以上の検査モードを持つDUTの検査が行えるものであって、図2と共通する部分には同一の符号を付けている。
図4において、セレクタ29と30は、入力されるDUTのX/Yアドレスについて、メイン領域とXスペア領域とYスペア領域とXYスペア領域の区切りを示すアドレスビットの配置が同一に並ぶようにそれぞれに割り当てられているデバイス検査モードにおける並べ替え処理を行い、並べ替え処理されたアドレスをセレクタ31に出力する。
セレクタ31は、モード指定信号に基づいてセレクタ29および30で並べ替えられたいずれかのアドレスを選択し、後段に接続されるセレクタ19〜24に入力される。
セレクタ19は図2と同様な領域切り替えアドレスビット選択を行い、セレクタ20〜24は図2と同様なアドレス変換処理を行って、フェイルメモリ6にアドレスとして入力する。
セレクタ32〜35とセレクタ37〜40は、各検査モード別に、入力されるDUTのX/Yアドレスから入力されるDUTの格納割付を決定するアドレスをメイン領域とXスペア領域とYスペア領域とXYスペア領域毎に個別に選択する。
セレクタ36とセレクタ41は、セレクタ19で選択された領域切り替えアドレスビットに基づき、セレクタ32〜35とセレクタ37〜40で選択されたDUTのメイン領域とXスペア領域とYスペア領域とXYスペア領域におけるフェイルデータのフェイルメモリ6への格納割付を決定するアドレスを決定する。
セレクタ42は、モード指定信号に基づいて、セレクタ36とセレクタ41の出力を切り替える。
フェイルデータ割付部28は、図2と同様に、セレクタ42から入力されるアドレスを参照して入力されるDUTのフェイルデータの格納割付を決定し、フェイルメモリ7に格納するフェイルデータとしてフェイルメモリ7に出力する。
図2の構成では、各々のデバイス検査モードにて各領域の区切りを示すアドレスビットが異なる場合、検査が行えなかった。これはフェイルメモリ6の構造上、メイン領域とXスペア領域とYスペア領域とXYスペア領域をそれぞれ物理的に異なるメモリに格納するため、セレクタ19に入力されるアドレスは検査モードにかかわらず常に同一である必要があることに基づく。すなわち、セレクタ19を検査モード別に切り替えることによりセレクタ19に入力されるアドレスが検査モード毎に変わり、セレクタ19で選択される領域切り替えアドレスビットの各領域への割り振りが変わってしまうためである。
これに対し、図4ではアドレス並べ替え部をセレクタ29〜31で構成し、ここで各検査モード別にセレクタ19で選択される領域の区切りを示すアドレスビットが同一となるようにアドレスの並べ替えを行うことにより、セレクタ19を検査モード別に切り替えることなく、領域の区切りを示すアドレスビットが異なる図3のように複数の検査モードを有するDUTの検査にも対応できることになる。
図3に示す検査モード1における図4の設定例について説明する。
1)セレクタ29により、入力アドレスビットを以下のように並べ替える。
(MSB){X3,Y2,Y1,Y0,X2,X1,X0}(LSB)
以降、上記アドレスビットの並びを{A7,A6,A5,A4,A3,A2,A1,A0}と表記する。
セレクタ29:{A7,A6,A5,A4,A3,A2,A1,A0}={ X3,Y2,Y1,Y0,X2,X1,X0}
2)検査モード1選択時、モード指定信号によりセレクタ31でセレクタ29が選択されるものとする。
3)セレクタ20〜23により、セレクタ29と各領域におけるフェイルメモリの物理アドレスの割付を決定する。
メイン領域 :(A5,A4, A3,A2,A1,A0)
Xスペア領域 :(A7,A6, A4,A3,A1,A0)
Yスペア領域 :(A7,A6, A3,A2,A1,A0)
XYスペア領域:(A7,A6, LOW,A3,A1,A0)
4)セレクタ29により、各領域の区切りのアドレスビットを選択する。
Xアドレス:A7
Yアドレス:A6
5)セレクタ32〜35により、DUTの検査モード1における各領域のフェイルデータの格納割付を決定するアドレスを各々選択する。
メイン領域 :(X0)
Xスペア領域 :(X0)
Yスペア領域 :(X0)
XYスペア領域:(X0)
6)フェイルデータ割付部28で検査モード1におけるフェイルメモリ6に対するフェイルデータの格納割付を決定する。例えばフェイルメモリ6のビット幅が16と仮定した場合、図5のように割付を行う。
次に、図3に示す検査モード2における図4の設定例について説明する。
7)セレクタ29により、入力アドレスビットを以下のように並べ替える。
(MSB){X4,Y4,Y3,Y2,Y1,Y0,X3,X2,X1,X0}(LSB)
以降、上記アドレスビットの並びを{A7,A6,A5,A4,A3,A2,A1,A0}と表記する。
セレクタ29:{A9,A8,A7,A6,A5,A4,A3,A2,A1,A0}={X4,Y4,Y3,Y2,Y1,Y0,X3,X2,X1,X0}
8)検査モード2選択時、モード指定信号によりセレクタ31でセレクタ29が選択されるものとする。
9)セレクタ20〜23により、セレクタ29と各領域におけるフェイルメモリの物理アドレスの割付を決定する。
メイン領域 :(A5,A4, A3,A2,A1,A0)
Xスペア領域 :(A7,A6, A4,A3,A1,A0)
Yスペア領域 :(A7,A6, A3,A2,A1,A0)
XYスペア領域:(A7,A6, LOW,A3,A1,A0)
10)セレクタ29により、各領域の区切りのアドレスビットを選択する。
Xアドレス:A7
Yアドレス:A6
11)セレクタ32〜35により、DUTの検査モード2における各領域のフェイルデータの格納割付を決定するアドレスを各々選択する。
メイン領域 :(Y3,Y2,X3,X0)
Xスペア領域 :(Y3,Y2,X2,X0)
Yスペア領域 :(Y2,Y1,X3,X0)
XYスペア領域:(Y2,Y1,X2,X0)
12)フェイルデータ割付部28で検査モード2におけるフェイルメモリ6に対するフェイルデータの格納割付を決定する。例えばフェイルメモリ6のビット幅が16と仮定した場合、図6のように割付を行う。
なお、DUTの検査モードの切り替えをフェイルデータの取り込み中は行わないでフェイルデータ取り込み開始時に決定することにより、図4におけるセレクタ30およびセレクタ37〜41を省くことができる。
また、DUTの検査モードの切り替えをフェイルデータの取り込み中に任意に行えるようにする場合は、切り替える検査モードの数に応じて、アドレス並べ替え部を構成するセレクタ系統およびフェイルデータ割付部28に入力されるアドレスを決定するセレクタ系統を増設すればよい。例えばDUTの検査モードが3種類の場合には、図4のアドレス並べ替え部を構成するセレクタ31に入力されるセレクタを3つとし、フェイルデータ割付部28に入力されるアドレスを決定するためのセレクタ42に入力される4つのセレクタと1つのセレクタとの組み合わせ(32〜36と37〜41)も3つにすればよい。
さらに、フェイルメモリ6の1アドレスあたりの格納ビット幅が固定で、DUTの検査モードにおけるIO数の範囲を限定(例えば2ビット/4ビット/8ビット)とし、かつ各領域のDUTのフェイルデータの格納割付を決定するアドレスは同一とすれば、図4の回路を図7のように構成にすることもできる。
図7において、アドレス並べ替え部43には、DUTの検査モードにおけるIO数とフェイルメモリ6のビット幅に応じた所定のアドレスがセレクタ24およびセレクタ27から入力される。アドレス並べ替え部43は、これらアドレスを選択して並べ替えてフェイルデータ割付部28に出力する。フェイルデータ割付部28は、フェイルメモリ6に対するフェイルデータの格納割付を決定する。
例えばフェイルメモリ6のビット幅が1、検査モード1におけるIO数が8、検査モード2におけるIO数が16の場合の並べ替えは、以下のようになる。ここで、ビット幅が16なので、フェイルデータの格納割付を決定するアドレスは最大4ビットとなる。
検査モード1においてフェイルデータの格納割付を決定するアドレス並べ替え部43から出力されるアドレスは、フェイルメモリのビット幅が16、検査モード1におけるIO数が8であることから1ビットでよく、セレクタ24から出力されるアドレスのLSB1ビットを選択して残りの3ビットは“0”とする。
検査モード2においてフェイルデータの格納割付を決定するアドレス並べ替え部43から出力されるアドレスは、フェイルメモリのビット幅が16、検査モード2におけるIO数が1であることから4ビットになる。そこで、セレクタ24から出力されるアドレスのLSB1ビットを選択してアドレス並べ替え部43から出力されるアドレスのLSBとし、残りの3ビットはセレクタ27から出力されるアドレスを割り当てる。
以上説明したように、本発明によれば、ソフトウェア処理を用いることなくデータ幅の異なる検査モードにおける検査結果のフェイルメモリ上でのアドレスの重ね合わせ処理が行えるメモリ検査装置を提供することができる。
発明の一実施例を示すブロック図である。 図1の具体的な回路例図である。 異なる検査モード例図である。 図1の他の具体的な回路例図である。 検査モード1におけるフェイルデータの格納割付例図である。 検査モード2におけるフェイルデータの格納割付例図である。 図1の他の具体的な回路例図である。 従来のメモリ検査装置の一例を示すブロック図である。 フェイル検出装置の一例を示すブロック図である。 16ビットのデータ幅による検査の概念図である。 8ビットのデータ幅による検査の概念図である。
符号の説明
6 フェイルメモリ
8 アドレス変換部
9 アドレスビット選択部
10 検査モード指定部
11 検査モード選択部
12 データ有効化ビット格納メモリ
13 データ有効化ビット選択部
14 データゲート
15 データ選択部
16 検査モード選択部
17 検査モード設定部
18〜27、29〜42 セレクタ
28 フェイルデータ割付部
43 アドレス並べ替え部

Claims (3)

  1. データ幅の異なる検査モードに応じてアドレスとデータの読み出し構造が異なる同一のDUTを検査するメモリ検査装置において、
    前記フェイルメモリのアドレス端子に入力されるアドレスのビット幅をフェイルメモリのアドレス幅に適合するように変換するアドレス変換部と、
    このアドレス変換部に入力されるアドレスから前記検査モードに基づいて選択された所定のアドレスをフェイルデータの割付決定アドレスとして出力する割付決定アドレス選択ブロックと、
    この割付決定アドレス選択ブロックから出力される割付決定アドレスを参照して入力されるDUTのフェイルデータの格納割付を決定し、前記フェイルメモリに格納するフェイルデータとしてフェイルメモリに出力するフェイルデータ割付部を設け、
    各検査モードによって異なるアドレスビット位置に読み出される前記DUT上のある特定ビットが前記フェイルメモリの同一ビット位置に重ね書きされることを特徴とするメモリ検査装置。
  2. 前記アドレス変換部の前段に、アドレスの並べ替えを行うアドレス並べ替えブロックを設けたことを特徴とする請求項1に記載のメモリ検査装置。
  3. 前記アドレス並べ替えブロックは、前記DUTの検査モードに応じてアドレスを並べ替えることを特徴とする請求項2に記載のメモリ検査装置。
JP2006237092A 2005-12-06 2006-09-01 メモリ検査装置 Active JP4993175B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006237092A JP4993175B2 (ja) 2005-12-06 2006-09-01 メモリ検査装置
TW095141887A TWI308339B (en) 2005-12-06 2006-11-13 Memory testing equipment
KR1020060112174A KR100794947B1 (ko) 2005-12-06 2006-11-14 메모리 검사 장치

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005352552 2005-12-06
JP2005352552 2005-12-06
JP2006237092A JP4993175B2 (ja) 2005-12-06 2006-09-01 メモリ検査装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007184069A JP2007184069A (ja) 2007-07-19
JP4993175B2 true JP4993175B2 (ja) 2012-08-08

Family

ID=38340005

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006237092A Active JP4993175B2 (ja) 2005-12-06 2006-09-01 メモリ検査装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP4993175B2 (ja)
KR (1) KR100794947B1 (ja)
TW (1) TWI308339B (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5405007B2 (ja) * 2007-07-20 2014-02-05 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 半導体装置
JP4947395B2 (ja) * 2010-01-07 2012-06-06 横河電機株式会社 半導体試験装置
KR102668885B1 (ko) * 2022-07-28 2024-05-24 주식회사 와이씨 반도체 테스트 방법 및 장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3549174B2 (ja) 1996-09-30 2004-08-04 株式会社アドバンテスト メモリ試験装置
JP3558252B2 (ja) * 1997-11-10 2004-08-25 株式会社アドバンテスト 半導体メモリ試験装置
JP3409056B2 (ja) 1999-01-26 2003-05-19 Necエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置およびそれを用いたシステム
JP2001357696A (ja) * 2000-06-16 2001-12-26 Nec Corp 半導体メモリ検査装置と検査方法及び検査プログラムを記録した記録媒体
KR100713064B1 (ko) * 2000-10-26 2007-05-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리의 데이터폭 제어장치
JP2002237198A (ja) 2001-02-09 2002-08-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶回路装置並びにその検査方法及びセル不良救済方法
JP2003132681A (ja) * 2001-10-29 2003-05-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JP2003346500A (ja) 2002-05-29 2003-12-05 Hitachi Ltd 半導体集積回路及びそのテスト方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI308339B (en) 2009-04-01
KR20070059953A (ko) 2007-06-12
JP2007184069A (ja) 2007-07-19
KR100794947B1 (ko) 2008-01-15
TW200735116A (en) 2007-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010123159A (ja) 半導体集積回路
JP2007095192A (ja) 半導体集積回路、設計支援ソフトウェアシステム、および、テストパターン自動生成システム
KR20120114156A (ko) 메모리 리페어 해석 장치, 메모리 리페어 해석 방법 및 시험 장치
JP2010244596A (ja) 集積回路
JP5611916B2 (ja) 半導体集積回路
JP4993175B2 (ja) メモリ検査装置
US20040246791A1 (en) Semiconductor memory apparatus and self-repair method
JP2008269692A (ja) 半導体装置およびその検査方法
JP2013131273A (ja) 半導体集積回路及び半導体集積回路の試験方法
US7484147B2 (en) Semiconductor integrated circuit
JP4893746B2 (ja) アドレス線故障処理装置、アドレス線故障処理方法、アドレス線故障処理プログラム、情報処理装置およびメモリコントローラ
JP5210262B2 (ja) メモリテスト回路
JPH11102598A (ja) メモリ不良救済解析装置
JPWO2002037504A1 (ja) メモリの不良救済解析処理方法及びメモリ試験装置
JP4962277B2 (ja) 半導体メモリ試験装置
JP5038788B2 (ja) 半導体装置
JPH07307100A (ja) メモリ集積回路
JP2011113622A (ja) 不良解析方法および不良解析装置
JP2009223986A (ja) 集積回路及びメモリテスト方法
JPH11250698A (ja) 半導体記憶装置の並列テスト回路装置およびテスト回路 装置
JPH11176194A (ja) 半導体試験装置
JP2004220722A (ja) 半導体記憶装置
JP2006079678A (ja) メモリテスト回路およびメモリテスト方法
JPH1186595A (ja) 半導体メモリ試験装置
JP2006268886A (ja) 半導体記憶装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090311

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111220

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120305

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120327

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120329

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120412

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120425

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150518

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4993175

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20170518

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20170518

Year of fee payment: 5

S201 Request for registration of exclusive licence

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R314201

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20170518

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250