JP4981116B2 - 高感度イメージセンサアレイ - Google Patents
高感度イメージセンサアレイ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4981116B2 JP4981116B2 JP2009261357A JP2009261357A JP4981116B2 JP 4981116 B2 JP4981116 B2 JP 4981116B2 JP 2009261357 A JP2009261357 A JP 2009261357A JP 2009261357 A JP2009261357 A JP 2009261357A JP 4981116 B2 JP4981116 B2 JP 4981116B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- contact
- pixel
- transistor
- amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 title description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 29
- 238000013461 design Methods 0.000 description 18
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 16
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000003491 array Methods 0.000 description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N3/00—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
- H04N3/15—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
- H04N3/155—Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/766—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors comprising control or output lines used for a plurality of functions, e.g. for pixel output, driving, reset or power
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/51—Control of the gain
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
S/N=Gpixel ×信号pixel /〔(Gpixel ×雑音pixel )2+(雑音readout )2 〕1/2=信号pixel /〔(雑音pixel )2+(雑音readout /Gpixel )2 〕1/2上式は、利得が信号対雑音比における読出し雑音の寄与を抑制することを示している。しかし、(雑音readout /Gpixel )が(雑音pixel )よりはるかに小さくなるほど、Gpixel が大きくなると、ピクセルの雑音が優勢になり、信号対雑音比のそれ以上の向上はごく小さい。
IF =CG μ(Qs −Qsat )2 /Cs 2 W/(2L)
ここで、CG は増幅器(A)108のチャンネルキャパシタンス、μはキャリヤ移動度、Wは幅、Lは長さ、Qs はセンサに格納された電荷の量、Qsat は飽和電荷である。
102 センサ
103 S/D金属層
104 リセットトランジスタ
105 上部金属層
106 パストランジスタ
107 ITO層
108 増幅器トランジスタ
110 バイアスライン
112 ゲートライン
114 データライン
116 ゲートライン
200,210,220 ゲートライン
202,212,222 センサ
206,216,226 増幅器トランジスタ
208,218,228 パストランジスタ
230 データライン
231 フィードバックスイッチ
232 外部積分器
600,602,604,606 導体
700,710,712,714 導体
Claims (6)
- 複数のゲートライン;
複数のデータライン;
複数のバイアスライン;
共通の基板上の複数のピクセル増幅器回路であって、個別のピクセル増幅器回路は、
第1接点及び第2接点を有するフォトセンサと、
前記フォトセンサの前記第1接点に接続されたソース接点、前記フォトセンサの前記第2接点に接続されたゲート接点及びドレイン接点を有する増幅器トランジスタと、
前記増幅器トランジスタの前記ドレイン接点に接続されたソース接点、前記複数のゲートラインの1つに接続されたゲート接点、前記複数のデータラインの1つに接続されたドレイン接点を有する薄膜のパストランジスタと、
前記複数のデータラインの1つに接続されたソース接点と、前記第2ゲートラインに接続されたゲート接点と、前記フォトセンサの前記第2接点に接続されたドレイン接点とを有する薄膜のリセットトランジスタと、
を有する、複数のピクセル増幅器回路;並びに
前記データラインを流れる電流を積分するように、前記データラインに接続されている積分器;
を有するイメージセンサアレイであって:
前記複数のゲートラインは、前記複数のゲートラインの前記1つが前記個別のピクセル増幅器回路の読出し及び先行して読み出された個別のピクセル増幅器回路のリセットの両方をトリガするように設定されており;且つ
ピクセル内の前記増幅器トランジスタ、前記薄膜のパストランジスタ、及び前記薄膜のリセットトランジスタの前記ゲート接点は、同一のゲート層によって形成されている;
ことを特徴とするイメージセンサアレイ。 - 請求項1に記載のイメージセンサアレイにおいて、前記フォトセンサの前記第1接点と前記増幅器トランジスタの前記ソース接点とが前記バイアスラインに接続されている、ことを特徴とするイメージセンサアレイ。
- 請求項1に記載のイメージセンサアレイにおいて、第2のピクセル増幅器回路が隣接して配置されており、該第2のピクセル増幅器回路は、そのパストランジスタのゲート接点が前記第2のゲートラインに接続されている、ことを特徴とするイメージセンサアレイ。
- 複数のゲートライン;
複数のデータライン;
複数のバイアスライン;並びに
共通の基板上の複数のピクセル増幅器回路であって、個別のピクセル増幅器回路は、
第1接点及び第2接点を有するフォトセンサと、
前記フォトセンサの前記第1接点に接続されたソース接点、前記フォトセンサの前記第2接点に接続されたゲート接点及びドレイン接点を有する増幅器トランジスタと、
前記増幅器トランジスタの前記ドレイン接点に接続されたソース接点、前記複数のゲートラインの1つに接続されたゲート接点、前記複数のデータラインの1つに接続されたドレイン接点を有する薄膜のパストランジスタと、
前記複数のデータラインの1つに接続されたソース接点と、前記第2ゲートラインに接続されたゲート接点と、前記フォトセンサの前記第2接点に接続されたドレイン接点とを有する薄膜のリセットトランジスタと、
を有する、複数のピクセル増幅器回路;
を有するイメージセンサアレイであって、
前記複数のゲートラインは、前記複数のゲートラインの前記1つが前記個別のピクセル増幅器回路の読出し及び先行して読み出された個別のピクセル増幅器回路のリセットの両方をトリガするように設定されており;且つ
ピクセル内の前記増幅器トランジスタ、前記薄膜のパストランジスタ、及び前記薄膜のリセットトランジスタの前記ゲート接点は、同一のゲート層によって形成されており、ピクセル内の前記バイアスラインが前記ゲート接点を照明から遮蔽する;
ことを特徴とするイメージセンサアレイ。 - 請求項4に記載のイメージセンサアレイにおいて、前記フォトセンサの前記第1接点と前記増幅器トランジスタの前記ソース接点とが前記バイアスラインに接続されている、ことを特徴とするイメージセンサアレイ。
- 請求項4に記載のイメージセンサアレイにおいて、第2のピクセル増幅器回路が隣接して配置されており、該第2のピクセル増幅器回路は、そのパストランジスタのゲート接点が前記第2のゲートラインに接続されている、ことを特徴とするイメージセンサアレイ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/699875 | 1996-08-20 | ||
US08/699,875 US5831258A (en) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | Pixel circuit with integrated amplifer |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21751197A Division JP4476370B2 (ja) | 1996-08-20 | 1997-08-12 | ピクセル増幅器回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010045843A JP2010045843A (ja) | 2010-02-25 |
JP4981116B2 true JP4981116B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
ID=24811283
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21751197A Expired - Fee Related JP4476370B2 (ja) | 1996-08-20 | 1997-08-12 | ピクセル増幅器回路 |
JP2009261357A Expired - Fee Related JP4981116B2 (ja) | 1996-08-20 | 2009-11-16 | 高感度イメージセンサアレイ |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21751197A Expired - Fee Related JP4476370B2 (ja) | 1996-08-20 | 1997-08-12 | ピクセル増幅器回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5831258A (ja) |
EP (1) | EP0825763A3 (ja) |
JP (2) | JP4476370B2 (ja) |
CA (1) | CA2204553C (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11374052B2 (en) | 2019-04-02 | 2022-06-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Image sensor and display device having the same |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5990469A (en) | 1997-04-02 | 1999-11-23 | Gentex Corporation | Control circuit for image array sensors |
USRE38499E1 (en) * | 1997-07-21 | 2004-04-20 | Foveon, Inc. | Two-stage amplifier for active pixel sensor cell array for reducing fixed pattern noise in the array output |
JP4271268B2 (ja) | 1997-09-20 | 2009-06-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | イメージセンサおよびイメージセンサ一体型アクティブマトリクス型表示装置 |
JP3918248B2 (ja) * | 1997-09-26 | 2007-05-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびその駆動方法 |
US6233012B1 (en) * | 1997-11-05 | 2001-05-15 | Stmicroelectronics, Inc. | Parasitic capacitance reduction for passive charge read-out |
AU2771599A (en) * | 1998-02-20 | 1999-09-06 | Photobit Corporation | A single control line for providing select and reset signals to two rows of an image sensor |
SE511745C2 (sv) * | 1998-02-23 | 1999-11-15 | Rune Franzen | Bildöverföringsanordning |
US6252215B1 (en) * | 1998-04-28 | 2001-06-26 | Xerox Corporation | Hybrid sensor pixel architecture with gate line and drive line synchronization |
US6051827A (en) * | 1998-04-28 | 2000-04-18 | Xerox Corporation | Hybrid sensor pixel architecture with threshold response |
JPH11326954A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US6242728B1 (en) * | 1998-08-20 | 2001-06-05 | Foveon, Inc. | CMOS active pixel sensor using native transistors |
US6587142B1 (en) * | 1998-09-09 | 2003-07-01 | Pictos Technologies, Inc. | Low-noise active-pixel sensor for imaging arrays with high speed row reset |
KR100284306B1 (ko) * | 1998-10-14 | 2001-03-02 | 김영환 | 이미지 센서의 화질 개선을 위한 단위 화소 구동 방법 |
US6757018B1 (en) | 1998-12-18 | 2004-06-29 | Agilent Technologies, Inc. | CMOS image sensor with pixel level gain control |
DE60030959T2 (de) * | 1999-01-29 | 2007-06-14 | Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu | Photodetektorvorrichtung |
US6603513B1 (en) | 1999-02-16 | 2003-08-05 | Micron Technology, Inc. | Using a single control line to provide select and reset signals to image sensors in two rows of a digital imaging device |
FR2795587B1 (fr) * | 1999-06-23 | 2001-09-07 | Agence Spatiale Europeenne | Detecteur du type a pixels actifs |
AU6320300A (en) * | 1999-08-05 | 2001-03-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid-state imaging device and range finding device |
US6856351B1 (en) * | 1999-09-16 | 2005-02-15 | Xerox Corporation | Device and method for reducing lag and blooming in amorphous silicon sensor arrays |
US7081607B1 (en) * | 1999-10-05 | 2006-07-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup device and image pickup system |
US6593557B1 (en) * | 1999-10-28 | 2003-07-15 | Xerox Corporation | Reduction of line noise appearance in large area image sensors |
GB9929501D0 (en) * | 1999-12-14 | 2000-02-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Image sensor |
JP2001337166A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Minolta Co Ltd | 3次元入力方法および3次元入力装置 |
US7034309B2 (en) * | 2001-11-13 | 2006-04-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus and method of driving the same |
US7557355B2 (en) * | 2004-09-30 | 2009-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus and radiation image pickup apparatus |
JP4247995B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2009-04-02 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像素子のデータ読出回路、撮像装置および固体撮像素子のデータ読出方法 |
US7728896B2 (en) | 2005-07-12 | 2010-06-01 | Micron Technology, Inc. | Dual conversion gain gate and capacitor and HDR combination |
US7615731B2 (en) * | 2006-09-14 | 2009-11-10 | Carestream Health, Inc. | High fill-factor sensor with reduced coupling |
JP4793281B2 (ja) * | 2007-02-21 | 2011-10-12 | ソニー株式会社 | 撮像装置および表示装置 |
JP5004892B2 (ja) * | 2008-07-29 | 2012-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5290923B2 (ja) * | 2009-10-06 | 2013-09-18 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置 |
KR101804316B1 (ko) | 2011-04-13 | 2017-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
JP6555609B2 (ja) | 2015-04-24 | 2019-08-07 | Tianma Japan株式会社 | イメージセンサ |
KR102144042B1 (ko) * | 2018-10-25 | 2020-08-12 | 실리콘 디스플레이 (주) | 센서 화소 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5738073A (en) * | 1980-08-20 | 1982-03-02 | Hitachi Ltd | Solid-state image sensor |
FR2536176A1 (fr) * | 1982-11-15 | 1984-05-18 | Inst Nat Rech Inf Automat | Procede et appareil pour la mesure de charges impulsionnelles |
JP2594992B2 (ja) * | 1987-12-04 | 1997-03-26 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像装置 |
JPH01184954A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-24 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置 |
JPH0289368A (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-29 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
JPH02181470A (ja) * | 1989-01-06 | 1990-07-16 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
JPH033487A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-09 | Canon Inc | 光電変換装置 |
US5262649A (en) * | 1989-09-06 | 1993-11-16 | The Regents Of The University Of Michigan | Thin-film, flat panel, pixelated detector array for real-time digital imaging and dosimetry of ionizing radiation |
US5017989A (en) * | 1989-12-06 | 1991-05-21 | Xerox Corporation | Solid state radiation sensor array panel |
US5153420A (en) * | 1990-11-28 | 1992-10-06 | Xerox Corporation | Timing independent pixel-scale light sensing apparatus |
US5299013A (en) * | 1991-07-25 | 1994-03-29 | Dyna Image Corp. | Silicon butting contact image sensor with two-phase shift register |
JP2998410B2 (ja) * | 1991-10-18 | 2000-01-11 | 富士ゼロックス株式会社 | 2次元密着型イメージセンサ及びその駆動方法 |
JPH0698082A (ja) * | 1992-09-14 | 1994-04-08 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
JPH06334920A (ja) * | 1993-03-23 | 1994-12-02 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 固体撮像素子とその駆動方法 |
JPH07284024A (ja) * | 1994-04-07 | 1995-10-27 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 固体撮像素子 |
WO1995032580A1 (en) * | 1994-05-19 | 1995-11-30 | Polaroid Corporation | Cmos imaging array with active pixels |
JP3408045B2 (ja) * | 1996-01-19 | 2003-05-19 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
-
1996
- 1996-08-20 US US08/699,875 patent/US5831258A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-05-06 CA CA002204553A patent/CA2204553C/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-08-12 JP JP21751197A patent/JP4476370B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-08-13 EP EP97306165A patent/EP0825763A3/en not_active Withdrawn
-
2009
- 2009-11-16 JP JP2009261357A patent/JP4981116B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11374052B2 (en) | 2019-04-02 | 2022-06-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Image sensor and display device having the same |
US11967604B2 (en) | 2019-04-02 | 2024-04-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Image sensor and display device having the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2204553C (en) | 2001-10-02 |
EP0825763A3 (en) | 2001-05-02 |
JP2010045843A (ja) | 2010-02-25 |
JPH10108074A (ja) | 1998-04-24 |
EP0825763A2 (en) | 1998-02-25 |
US5831258A (en) | 1998-11-03 |
JP4476370B2 (ja) | 2010-06-09 |
CA2204553A1 (en) | 1998-02-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4981116B2 (ja) | 高感度イメージセンサアレイ | |
KR100660193B1 (ko) | 자기-보상 상관 이중 샘플링 회로 | |
CN105282462B (zh) | 图像传感器及其驱动方法 | |
JP3466886B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
EP1300885B1 (en) | X-ray flat panel detector | |
US20030164887A1 (en) | Signal processing device and image pickup apparatus using the same | |
US20040251421A1 (en) | Photoelectric converter and radiation reader | |
US5610404A (en) | Flat panel imaging device with ground plane electrode | |
CA2639498C (en) | Device and pixel architecture for high resolution digital imaging | |
JP4022276B2 (ja) | パターン形成した共通電極を有するフラット・パネル放射線撮像装置 | |
US6476867B1 (en) | Photoelectric conversion apparatus, driving method and x-ray image pickup apparatus using the same | |
US11558567B2 (en) | Optical active pixel sensor using TFT pixel circuit | |
JPH02165674A (ja) | 光受感ドット信号増幅を伴う光受感装置 | |
KR101478248B1 (ko) | 두 개의 게이트로 이루어진 센싱 트랜지스터를 구비한 이미지 센서의 구동방법 | |
US6049357A (en) | Image pickup apparatus including signal accumulating cells | |
US7652240B2 (en) | Image sensor with a plurality of pixels, pixel circuit and method | |
JPH0412675B2 (ja) | ||
EP0842539B1 (en) | Method and apparatus of operating a dual gate tft electromagnetic radiation imaging device | |
JP4376350B2 (ja) | ピクセル増幅器回路 | |
JP5661399B2 (ja) | 光センサ、および光センサアレイ | |
US7755364B2 (en) | Image sensor | |
TWI774392B (zh) | 薄膜電晶體感光電路、顯示面板以及使用其之行動裝置 | |
JP7464447B2 (ja) | イメージセンサ | |
US20230369356A1 (en) | Light sensing panel, light sensing display panel, and method for operating light sensing panel | |
JP2830519B2 (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100413 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100713 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100716 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101207 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110304 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110309 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110705 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111101 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20111110 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20120106 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120419 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150427 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |