JP4976372B2 - 半導体材料から選択された材料で作られた2つのウェハを貼り合わせる方法 - Google Patents
半導体材料から選択された材料で作られた2つのウェハを貼り合わせる方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4976372B2 JP4976372B2 JP2008503535A JP2008503535A JP4976372B2 JP 4976372 B2 JP4976372 B2 JP 4976372B2 JP 2008503535 A JP2008503535 A JP 2008503535A JP 2008503535 A JP2008503535 A JP 2008503535A JP 4976372 B2 JP4976372 B2 JP 4976372B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- activated
- activation
- wafer
- species
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title claims abstract description 101
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000001994 activation Methods 0.000 claims abstract description 74
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims abstract description 74
- 238000000678 plasma activation Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 claims description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 7
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000013518 transcription Methods 0.000 description 1
- 230000035897 transcription Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
・出力密度:1平方センチメートル当たりのワット数(W/cm2)で単位面積当たりの出力密度を表すプラズマを与える出力の密度であり、本明細書において、簡潔に示すために、「出力」という用語を用いて呼ぶ場合もある。
・圧力(プラズマを収容するエンクロージャの圧力)
・上記エンクロージャ内に供給されるガスの性質および流量
・活性化パラメータの上記制御ステップが、表面が活性化されている上記ウェハにある上記乱れ領域の最大深さを制御するようにも働く。
・活性化パラメータの上記制御ステップが、上記パラメータの制御された変動を備える。
・上記乱れ領域が、10オングストローム(Å)の深さと250Åの深さとの間で表面が活性化されている上記ウェハの厚さに延在する。
・上記種が、プラズマイオンである。
・上記制御ステップが、10電子ボルト(eV)〜2キロ電子ボルト(keV)の範囲のレベルでプラズマに含まれた上記種の運動エネルギーを得ようとする。
・活性化パラメータの上記制御ステップが、表面が活性化されるウェハに接続された電極に与えられる出力密度を制御することによって、運動エネルギーを制御することを備える。
・上記出力密度が、上記プラズマを発生する出力の密度の制御された変動を達成するような方法で制御される。
・上記出力密度が、「高」出力を最初に適用し、引き続き、高出力より低い「低」出力を適用することによって変動するようにさせる。
・高出力に相当する1つの出力ステップと、低出力に相当する別の出力ステップである出力ステップにおいて、高出力と低出力との間の変動が実行される。
・高出力に相当するステップと、低出力に相当するステップの各々が、5秒(s)〜60sの範囲にある持続時間、実行される。
・高出力に相当する上記ステップと、低出力に相当する上記ステップの各々が、10s〜30sの範囲にある持続時間、実行される。
・高出力と低出力との間の変動が、高出力から低出力へ連続して出力を低減させることによって実行される。
・高出力が、活性化されるエリアの1.5W/cm2〜15W/cm2の範囲にある値を有し、低出力が、活性化されるエリアの0.15W/cm2〜1.5W/cm2の範囲にある値を有する。
・高出力が、活性化されるエリアの3W/cm2の値を有し、低出力が、活性化されるエリアの0.8W/cm2の値を有する。
・活性化されるウェハの表面が、直径200ミリメートル(mm)のディスクであり、高出力が、1000ワット(W)の値を有し、低出力が、250Wの値を有する。
・活性化される上記ウェハの表面が、直径300mmのディスクであり、高出力が、2000Wの値を有し、低出力が、500Wの値を有する。
・容量結合を介して活性化される上記ウェハを支持する電極を与える単一の高周波(RF)発生器を有する反応性イオンエッチング(RIE)タイプの機器によって、プラズマが発生する。
・上記変動が、10s〜2分(分)の範囲にある時間間隔にわたって実行される。
・表面が活性化されるウェハに接続された上記電極が、プラズマ種の運動エネルギーを制御するためだけに使用される。
・表面が活性化されるウェハに接続された上記電極が、プラズマ種の運動エネルギーを制御するためと、プラズマを励起するための両方の目的で使用される。
・活性化パラメータの上記制御ステップが、プラズマを生じさせるガスの組成を制御することによって、運動エネルギーを制御する工程を備える。
・ガス組成の上記制御が、プラズマを発生するために使用されるガスの性質の制御された変動を得るように実行される。
・上記変動が、第1のガスから得られたプラズマと、引き続き、第2のガスから得られたプラズマで活性化される表面を処理することで得られる。
・上記第1のガスが、上記第2のガスより軽量である1つ以上の種で構成される。
・上記第1のガスがヘリウムであり、上記第2のガスが酸素またはアルゴンであり、または上記第1のガスが酸素であり、上記第2のガスがアルゴンである。
・第1および/または第2のガスが、ガス混合物、例えば、イオン化される種(例えば、ArまたはO2)と、中性(非イオン化)のままであるが、上記イオン化種の量を希釈し決定するように働く種(上記非イオン化種が、例えば、ヘリウムによって構成されてもよい)との混合物である。
・活性化パラメータの上記制御ステップが、プラズマの圧力を制御することによって、運動エネルギーを制御する工程を備える。
・上記圧力の制御が、圧力の制御された変動を得るように実行される。
・上記圧力の制御された変動が、活性化中、最初は「低レベル」を占め、引き続き、上記低レベルより高い「高」レベルを占めるように圧力を制御することで得られる。
・活性化パラメータの上記制御ステップが、表面が活性化されている上記ウェハの上記表面領域の厚さに単一の乱れ領域を生じさせるために実行される。
・活性化パラメータの上記制御ステップが、表面が活性化されているウェハの上記表面領域の厚さに複数の乱れ領域を生じさせるために実行され、上記乱れ領域の各々が、上記ウェハの厚さの深さのそれぞれにわたって延在する。
・上記貼り合わせを実行するために、貼り合わせる2つのウェハの1つのみの表面に、プラズマ活性化を施す。
・上記転写方法が、ドナー基板の厚さに弱化ゾーンを生じさせるために貼り合わせ前に弱化注入を実行した後、貼り合わせ後に上記弱化ゾーンで剥離を実行するSmart Cut(商標)方法を用いて実行される。
・注入後および貼り合わせ前、上記ドナー基板の酸化された表面に、プラズマ活性化を施す。
本発明は、半導体材料の2つのウェハの貼り合わせに関する。材料の各々は、Siまたは何らかの他の半導体材料であってもよい。
本発明は、活性化パラメータが不変であり変動しない単一ステップにおいて活性化が実行される既知の方法とは異なる。
・第1の活性化期間中、活性化の最大運動エネルギーレベル
・引き続き、第2の活性化期間中、より低い運動エネルギーレベル
これにより、活性化を受けるウェハの厚さ内において、以下のものを発生することが可能になる。
・第1の活性化期間中、ウェハの深さP1の周りに埋め込まれる大きな乱れ/無秩序(Dと表記)
・第2の活性化期間中、深さP1より浅い深さP2で埋め込まれた、より小さい乱れ/無秩序(dと表記)
・非処理酸化シリコン層(すなわち、SiO2の表面層を有する基板):6Å
・注入された酸化シリコン層(Smart Cut(商標)タイプの方法による層転写用の水素を使用):20Å
・プラズマ照射を使用することによって、本明細書の意味において「乱された」酸化シリコン層:37Å。この37Åという値は、層が注入されていたか否かにかかわらず同じであることが明示される。
本発明は、大気の圧力および組成が制御されたプラズマエンクロージャを備える設備において実施される。
上述したように、表面が活性化されるウェハに接続された電極に供給される出力の密度を制御することによって、活性化パラメータを制御することが可能である。
また、プラズマが生じるガスの組成を制御することによって、活性化パラメータを制御することも可能である。
・活性化の開始時、活性化されるウェハ内に第1のガス種をより深く浸透させることができ、
・活性化の終了時に向けて、より重く、したがって、活性化されるウェハに浸透する深度がより浅い第2の種を活性化されるウェハ内に浸透させることによって、乱れ領域を作ることを終了することができる。
プラズマの圧力を制御することによって、活性化パラメータを制御することも可能である。
すべての状況下において、活性化パラメータは、表面が活性化されたウェハの上記表面領域の厚さにおいて乱れ領域を生じさせるために制御される。
・一定の出力値(30s間、250W)
・一定の出力値(30s間、1000W)
・15s間、250Wの後、15s間、1000Wが続く変動出力
・15s間、1000Wの後、15s間、250Wが続く変動出力
・このような汚染の全レベルを低減し、
・活性化および単一の表面との貼り合わせとの間に必要なこともある洗浄動作を制限することも可能である。
非制限的な例として、上記に設定した値に加えて、活性化を実施し、以下のシーケンスを実行することによって表面酸化された別のSiウェハとSiウェハを貼り合わせることが可能である。
・2つの貼り合わせ表面を準備する(RCA(Radio Corporation of America)タイプなどのウェット洗浄、研磨など)。
・「二重出力」処理によって貼り合わせる表面の一方または両方をプラズマ活性化する。例えば、「Tokyo Electron Limited」(登録商標)プラズママシンは、200mmの直径を有するウェハに対して、O2の大気下で50ミリトールの圧力を用いて、75標準立方センチメートル毎分(sccm)のO2、15s間で1000Wの出力、次の15s間で250Wで使用される。
・貼り合わせのすぐ前に表面を光学洗浄する(脱イオン水でリンス、RCAタイプまたはNH4OHタイプの洗浄、水でスクラブなど)。
・貼り合わせる表面を接触状態にし、貼り合わせを開始する。
・熱処理によって貼り合わせを強化する(低温、例えば、200℃で)。
Claims (29)
- 半導体材料から選択された材料で作られた2つのウェハを貼り合わせる方法で、貼り合わせる前記2つのウェハの少なくとも1つの表面のプラズマ活性化を実行するものであって、プラズマ活性化中に、表面が活性化されている前記ウェハの表面領域の厚さに延在する制御された厚さの乱れ領域を生じさせるために、プラズマに含まれた種の運動エネルギーを変更するように活性化パラメータの制御された変動を備え、
前記活性化パラメータの制御された変動は、10Åの深さと250Åの深さとの間で表面が活性化されている前記ウェハの厚さに延在する前記乱れ領域を生じさせるように、プラズマに含まれた種が、活性化の開始時で高いレベルの運動エネルギーを有し、活性化の終了時に向けてより低い運動エネルギーを有するほどである、方法。 - 前記種が、プラズマイオンである、請求項1に記載の方法。
- 前記制御された変動が、10eV〜2keVの範囲のレベルでプラズマに含まれた前記種の運動エネルギーを得ようとする、請求項1に記載の方法。
- 前記活性化パラメータの前記制御された変動が、前記プラズマを発生するための出力密度の制御された変動によって、運動エネルギーを制御する工程を備え、前記出力密度は、表面が活性化される前記ウェハに接続された電極に与えられる、請求項1に記載の方法。
- 前記出力密度が、「高」出力を最初に適用し、引き続き、高出力より低い「低」出力を適用することによって変動するようにさせる、請求項4に記載の方法。
- 高出力に相当する1つの出力ステップと、低出力に相当する別の出力ステップである出力ステップにおいて、高出力と低出力との間の変動が実行される、請求項5に記載の方法。
- 高出力に相当する前記ステップと、低出力に相当する前記ステップの各々が、5s〜60sの範囲にある持続時間、実行される、請求項6に記載の方法。
- 高出力に相当する前記ステップと、低出力に相当する前記ステップの各々が、10s〜30sの範囲にある持続時間、実行される、請求項7に記載の方法。
- 高出力と低出力との間の変動が、高出力から低出力へ連続して出力を低減させることによって実行される、請求項5に記載の方法。
- 前記高出力が、活性化されるエリアの1.5W/cm2〜15W/cm2の範囲にある値を有し、前記低出力が、活性化されるエリアの0.15W/cm2〜1.5W/cm2の範囲にある値を有する、請求項5に記載の方法。
- 前記高出力が、活性化されるエリアの3W/cm2の値を有し、前記低出力が、活性化されるエリアの0.8W/cm2の値を有する、請求項10に記載の方法。
- 活性化される前記ウェハの表面が、直径200mmのディスクであり、前記高出力が、1000Wの値を有し、前記低出力が、250Wの値を有する、請求項10に記載の方法。
- 活性化される前記ウェハの表面が、直径300mmのディスクであり、前記高出力が、2000Wの値を有し、前記低出力が、500Wの値を有する、請求項10に記載の方法。
- 容量結合を介して活性化される前記ウェハを支持する電極を与える単一のRF発生器を有するRIEタイプの機器によって、前記プラズマが発生する、請求項10に記載の方法。
- 前記変動が、10s〜2分の範囲にある時間間隔にわたって実行される、請求項13に記載の方法。
- 表面が活性化される前記ウェハに接続された前記電極が、前記プラズマ種の運動エネルギーを制御するためだけに使用される、請求項4に記載の方法。
- 表面が活性化される前記ウェハに接続された前記電極が、前記プラズマ種の運動エネルギーを制御するためと、前記プラズマを励起するための両方の目的で使用される、請求項4に記載の方法。
- 前記変動が、第1のガスから得られたプラズマと、引き続き、第2のガスから得られたプラズマで活性化される表面を処理することで得られる、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のガスが、前記第2のガスより軽量である1つ以上の種で構成される、請求項18に記載の方法。
- 前記第1のガスがヘリウムであり、前記第2のガスが酸素またはアルゴンであり、または前記第1のガスが酸素であり、前記第2のガスがアルゴンである、請求項19に記載の方法。
- 前記第1および/または第2のガスが、イオン化される種と、非イオン化のままであるが、前記イオン化種の量を希釈し決定するように働く種との混合物である、請求項18に記載の方法。
- 前記イオン化される種がArであり、前記非イオン化のままである種がヘリウムによって構成される、請求項21に記載の方法。
- 前記イオン化される種がO 2 であり、前記非イオン化のままである種がヘリウムによって構成される、請求項21に記載の方法。
- 前記活性化パラメータの前記制御が、前記プラズマの圧力の制御された変動によって、運動エネルギーを制御する工程を備える、請求項1に記載の方法。
- 前記圧力の制御された変動が、活性化中、最初は「低レベル」を占め、引き続き、前記低レベルより高い「高」レベルを占めるように圧力を制御することで得られる、請求項24に記載の方法。
- 前記貼り合わせを実行するために、貼り合わせる前記2つのウェハの1つのみの表面に、プラズマ活性化を施す、請求項1に記載の方法。
- ドナー基板を形成するトップウェハから、レシーバ基板を形成するベースウェハへ半導体材料の薄層を転写する方法であって、前記ドナー基板の表面を前記レシーバ基板の表面に貼り合わせるために、請求項1に記載の貼り合わせを実行する方法。
- 前記転写方法が、前記ドナー基板の厚さに弱化ゾーンを生じさせるために貼り合わせ前に弱化注入を実行した後、貼り合わせ後に前記弱化ゾーンで剥離を実行するSmart Cut(商標)方法を用いて実行される、請求項27に記載の方法。
- 注入後および貼り合わせ前、前記ドナー基板の酸化された表面に、プラズマ活性化を施す、請求項28に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0504093A FR2884966B1 (fr) | 2005-04-22 | 2005-04-22 | Procede de collage de deux tranches realisees dans des materiaux choisis parmi les materiaux semiconducteurs |
FR0504093 | 2005-04-22 | ||
PCT/EP2006/061647 WO2006111533A1 (en) | 2005-04-22 | 2006-04-18 | A method of bonding two wafers made out of materials selected from semiconductor materials |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008535230A JP2008535230A (ja) | 2008-08-28 |
JP4976372B2 true JP4976372B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
ID=35708624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008503535A Active JP4976372B2 (ja) | 2005-04-22 | 2006-04-18 | 半導体材料から選択された材料で作られた2つのウェハを貼り合わせる方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7419884B2 (ja) |
EP (1) | EP1872388B1 (ja) |
JP (1) | JP4976372B2 (ja) |
KR (1) | KR100904873B1 (ja) |
CN (1) | CN101138071B (ja) |
AT (1) | ATE545151T1 (ja) |
FR (1) | FR2884966B1 (ja) |
TW (1) | TWI305010B (ja) |
WO (1) | WO2006111533A1 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6902987B1 (en) | 2000-02-16 | 2005-06-07 | Ziptronix, Inc. | Method for low temperature bonding and bonded structure |
US7601271B2 (en) * | 2005-11-28 | 2009-10-13 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Process and equipment for bonding by molecular adhesion |
FR2912839B1 (fr) | 2007-02-16 | 2009-05-15 | Soitec Silicon On Insulator | Amelioration de la qualite de l'interface de collage par nettoyage froid et collage a chaud |
EP1986230A2 (en) * | 2007-04-25 | 2008-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing SOI substrate and method of manufacturing semiconductor device |
US9059247B2 (en) * | 2007-05-18 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate and method for manufacturing semiconductor device |
US8119490B2 (en) * | 2008-02-04 | 2012-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
US7858495B2 (en) * | 2008-02-04 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate |
KR100958279B1 (ko) * | 2008-02-25 | 2010-05-19 | 참앤씨(주) | 웨이퍼 본딩방법 및 웨이퍼 본딩장치 |
FR2938702B1 (fr) * | 2008-11-19 | 2011-03-04 | Soitec Silicon On Insulator | Preparation de surface d'un substrat saphir pour la realisation d'heterostructures |
FR2965974B1 (fr) * | 2010-10-12 | 2013-11-29 | Soitec Silicon On Insulator | Procédé de collage moléculaire de substrats en silicium et en verre |
EP3442006A3 (de) * | 2011-01-25 | 2019-02-20 | EV Group E. Thallner GmbH | Verfahren zum permanenten bonden von wafern |
CN105374667B (zh) * | 2011-01-25 | 2019-01-11 | Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 | 用于永久接合晶片的方法 |
CN108470679B (zh) * | 2011-01-25 | 2022-03-29 | Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 | 用于永久接合晶片的方法 |
EP2695181B1 (de) * | 2011-04-08 | 2015-06-24 | Ev Group E. Thallner GmbH | Verfahren zum permanenten bonden von wafern |
CN103460342B (zh) * | 2011-04-08 | 2016-12-07 | Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 | 晶片的永久粘合方法 |
JP2014516470A (ja) * | 2011-04-08 | 2014-07-10 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | ウェハを恒久的にボンディングするための方法 |
US9329336B2 (en) | 2012-07-06 | 2016-05-03 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a hermetically sealed fiber to chip connection |
SG2014009930A (en) * | 2012-07-24 | 2014-05-29 | Ev Group E Thallner Gmbh | Method and device for permanent bonding of wafers |
SG2014013585A (en) * | 2012-07-26 | 2014-06-27 | Ev Group E Thallner Gmbh | Method for bonding of substrates |
EP2894671B1 (en) | 2012-09-07 | 2022-06-08 | Kyocera Corporation | Composite substrate and method for producing same |
JP6106239B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-03-29 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | ウェハを恒久的にボンディングするための方法 |
JP2016178340A (ja) * | 2016-06-15 | 2016-10-06 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | ウエハの永久接合方法 |
JP6679666B2 (ja) * | 2018-07-05 | 2020-04-15 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | ウエハの永久接合方法 |
KR20200015264A (ko) * | 2018-08-03 | 2020-02-12 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 접합 방법 및 웨이퍼 접합 시스템 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3294934B2 (ja) * | 1994-03-11 | 2002-06-24 | キヤノン株式会社 | 半導体基板の作製方法及び半導体基板 |
US6180496B1 (en) * | 1997-08-29 | 2001-01-30 | Silicon Genesis Corporation | In situ plasma wafer bonding method |
JP3582566B2 (ja) * | 1997-12-22 | 2004-10-27 | 三菱住友シリコン株式会社 | Soi基板の製造方法 |
US6563133B1 (en) * | 2000-08-09 | 2003-05-13 | Ziptronix, Inc. | Method of epitaxial-like wafer bonding at low temperature and bonded structure |
US7183177B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Silicon-on-insulator wafer transfer method using surface activation plasma immersion ion implantation for wafer-to-wafer adhesion enhancement |
US6780759B2 (en) * | 2001-05-09 | 2004-08-24 | Silicon Genesis Corporation | Method for multi-frequency bonding |
US7078317B2 (en) * | 2004-08-06 | 2006-07-18 | Silicon Genesis Corporation | Method and system for source switching and in-situ plasma bonding |
US7261793B2 (en) | 2004-08-13 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | System and method for low temperature plasma-enhanced bonding |
-
2005
- 2005-04-22 FR FR0504093A patent/FR2884966B1/fr active Active
- 2005-11-23 US US11/285,009 patent/US7419884B2/en active Active
-
2006
- 2006-04-18 JP JP2008503535A patent/JP4976372B2/ja active Active
- 2006-04-18 KR KR1020077021882A patent/KR100904873B1/ko active IP Right Grant
- 2006-04-18 AT AT06743328T patent/ATE545151T1/de active
- 2006-04-18 CN CN200680007529XA patent/CN101138071B/zh active Active
- 2006-04-18 WO PCT/EP2006/061647 patent/WO2006111533A1/en not_active Application Discontinuation
- 2006-04-18 EP EP06743328A patent/EP1872388B1/en active Active
- 2006-04-21 TW TW095114205A patent/TWI305010B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI305010B (en) | 2009-01-01 |
FR2884966B1 (fr) | 2007-08-17 |
WO2006111533A1 (en) | 2006-10-26 |
KR100904873B1 (ko) | 2009-06-26 |
EP1872388A1 (en) | 2008-01-02 |
US20060240642A1 (en) | 2006-10-26 |
TW200710971A (en) | 2007-03-16 |
KR20070114769A (ko) | 2007-12-04 |
JP2008535230A (ja) | 2008-08-28 |
CN101138071A (zh) | 2008-03-05 |
ATE545151T1 (de) | 2012-02-15 |
FR2884966A1 (fr) | 2006-10-27 |
US7419884B2 (en) | 2008-09-02 |
EP1872388B1 (en) | 2012-02-08 |
CN101138071B (zh) | 2012-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4976372B2 (ja) | 半導体材料から選択された材料で作られた2つのウェハを貼り合わせる方法 | |
JP4718425B2 (ja) | 複合基板の作製方法 | |
JP4927080B2 (ja) | 厚い絶縁層の粗さを減少させるための方法 | |
KR100562437B1 (ko) | Soi웨이퍼제조방법및그방법에의해제조된soi웨이퍼 | |
JP4379943B2 (ja) | 半導体基板の製造方法および半導体基板製造装置 | |
US7323398B2 (en) | Method of layer transfer comprising sequential implantations of atomic species | |
US7081399B2 (en) | Method for producing a high quality useful layer on a substrate utilizing helium and hydrogen implantations | |
US7776719B2 (en) | Method for manufacturing bonded wafer | |
US20060223283A1 (en) | Method for producing a high quality useful layer on a substrate | |
JP5415129B2 (ja) | 貼り合わせ基板の製造方法 | |
JP2009111381A (ja) | 微細な埋め込み絶縁層を有するsoi基板 | |
US20100112780A1 (en) | Microwave-Induced Ion Cleaving and Patternless Transfer of Semiconductor Films | |
JP2001274368A (ja) | 貼り合わせウエーハの製造方法およびこの方法で製造された貼り合わせウエーハ | |
JP5336101B2 (ja) | Soi基板の製造方法 | |
KR20080068115A (ko) | 마무리 시퀀스의 단순화 방법 및 이를 이용하여 얻은 구조 | |
JP2008021992A (ja) | 接合界面安定化のための熱処理 | |
US7485545B2 (en) | Method of configuring a process to obtain a thin layer with a low density of holes | |
US8367519B2 (en) | Method for the preparation of a multi-layered crystalline structure | |
US20080145650A1 (en) | Double plasma utbox | |
JP6866150B2 (ja) | 2つの構造体間の直接接合を実行する方法 | |
JP2009253184A (ja) | 貼り合わせ基板の製造方法 | |
CN110739214A (zh) | 一种减少注入损伤制备soi的方法 | |
JP2024521573A (ja) | 改善された電気特性を有する、炭化ケイ素から作製された動作層を備える半導体構造体を製造するための方法 | |
JP2024031692A (ja) | Soiウェーハ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110711 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110921 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120327 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120412 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4976372 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150420 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |