JP4965464B2 - Cmosデバイスの過度の漏れ電流の検出 - Google Patents
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Description
CMOS環境内にMOSトランジスタを設ける段階と、
前記MOSトランジスタに電気的に接続された漏れ電流検出器で、前記MOSトランジスタのドレイン及びソース間の電流を検出する段階と、
前記MOSトランジスタのドレイン及びソース間で検出され、所定値を超過した電流の検出に応答して、前記漏れ電流検出器に電気的に接続された制御器から、フィードバック信号を生成する段階と、
前記CMOS環境へのダメージを防止するために前記CMOS環境への周波数又は電圧供給を調整する段階とを具備する。
12 漏れ電流検出器
14 制御器
16 周波数
18 電圧供給
20 CMOS環境
22 トランジスタ
Claims (30)
- CMOS環境内部のMOSトランジスタからの漏れ電流を検出するための装置であって、
前記MOSトランジスタからのドレイン及びソース間の漏れ電流を検出するための漏れ電流検出器と、
前記漏れ電流を制限するために、前記漏れ電流検出器に電気的に接続されて、前記MOSトランジスタの前記ドレイン及びソース間で検出される、所定値を超過する漏れ電流を前記漏れ電流検出器が検出することに応答して、前記CMOS環境のクロック周波数又は供給電圧を調整するための制御器とを具備し、
前記漏れ電流検出器は、前記MOSトランジスタに電気的に接続されていることを特徴とする装置。 - 前記漏れ電流検出器は、
前記MOSトランジスタのドレイン及びソース間の電流を検出するために前記MOSトランジスタに電気的に接続される負荷制御素子と、
前記MOSトランジスタ及び前記負荷制御素子に電気的に接続される比較器とを具備し、前記比較器は、前記MOSトランジスタのドレイン及びソース間で検出された、所定値を超過する電流に応答して、出力信号を生成することを特徴とする請求項1に記載の装置。 - 前記負荷制御素子は、可変抵抗であることを特徴とする請求項2に記載の装置。
- 前記負荷制御素子は、前記MOSトランジスタと補完的な方法で配置されるとともに、前記MOSトランジスタより漏れ電流に対してより鈍感なゲートを具備する検出用トランジスタであることを特徴とする請求項2に記載の装置。
- 前記負荷制御素子は、キャパシタ及びカウンタをさらに具備し、
前記キャパシタは、並列接続される前記MOSトランジスタ及び前記比較器の間に接続され、
前記カウンタは、前記比較器の出力信号を受信し、
前記キャパシタが放電するとともに、
前記比較器が前記信号を出力するのに必要な時間のカウント値を決定するために、前記検出用トランジスタがリセットされると同時に前記カウンタは動作可能となることを特徴とする請求項4に記載の装置。 - 前記検出用トランジスタはPFETであることを特徴とする請求項4に記載の装置。
- 前記検出用トランジスタはPFETであることを特徴とする請求項5に記載の装置。
- 前記MOSトランジスタはNFETであることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記MOSトランジスタはNFETであることを特徴とする請求項3に記載の装置。
- 前記MOSトランジスタはNFETであることを特徴とする請求項4に記載の装置。
- 前記MOSトランジスタはNFETであることを特徴とする請求項5に記載の装置。
- 前記検出用トランジスタはNFETであることを特徴とする請求項4に記載の装置。
- 前記検出用トランジスタはNFETであることを特徴とする請求項5に記載の装置。
- 前記MOSトランジスタはPFETであることを特徴とする請求項5に記載の装置。
- 前記MOSトランジスタはPFETであることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記比較器は、シュミットトリガーであることを特徴とする請求項2に記載の装置。
- 前記制御器は、前記比較器の出力信号を受信するとともに、前記MOSトランジスタへの電圧/周波数供給を調整することを特徴とする請求項2に記載の装置。
- 前記制御器は、デジタル制御回路によって供給電圧/周波数を制御することを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記制御器は、電源からの供給電圧を制御することを特徴とする請求項18に記載の装置。
- 前記電源は電圧調整器であることを特徴とする請求項19に記載の装置。
- 前記制御器は、クロック源からの周波数を制御することを特徴とする請求項18に記載の装置。
- 前記クロック源は位相ロックループであることを特徴とする請求項21に記載の装置。
- CMOSアレー内にNMOS及びPMOSトランジスタのアレーと、しきい値を超過する電流の検出に応答するとともに調整可能な電圧供給及び周波数制御とを具備するシステムであって、前記MOSトランジスタは前記アレーの内部にあることを特徴とする請求項1に記載の装置を具備するシステム。
- CMOS環境内のMOSトランジスタからの漏れ電流を検出するための方法であって、
CMOS環境内にMOSトランジスタを形成する段階と、
前記MOSトランジスタに電気的に接続された漏れ電流検出器によって、前記MOSトランジスタのドレイン及びソース間の電流を検出する段階と、
前記MOSトランジスタの前記ドレイン及び前記ソース間で検出される、所定値を超過する漏れ電流を前記漏れ電流検出器が検出することに応答して、前記漏れ電流検出器に電気的に接続された制御器(14)から、フィードバック信号を生成する段階と、
前記漏れ電流を制限するために、前記CMOS環境のクロック周波数又は電圧供給を前記フィードバック信号により調整する段階とを具備することを特徴とする方法。 - 前記漏れ電流検出器は、前記MOSトランジスタに電気的に接続された負荷制御素子と、前記MOSトランジスタ及び前記負荷制御素子に電気的に接続された比較器とを具備することを特徴とする請求項24に記載の方法。
- 前記負荷制御素子は可変抵抗であることを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 前記負荷制御素子は、前記MOSトランジスタと補完的な方法で配置されるとともに、前記MOSトランジスタより漏れ電流に対してより鈍感であるゲートを具備する検出用トランジスタであることを特徴とする請求項25に記載の方法。
- 前記負荷制御素子は、キャパシタ及びカウンタをさらに具備し、
前記キャパシタは、並列接続される前記MOSトランジスタ及び前記比較器の間に接続され、前記カウンタは、前記比較器の出力信号を受信し、
前記キャパシタが放電するとともに、前記比較器が信号を出力するのに必要な時間のカウント値を決定するために、前記検出用トランジスタがリセットされると同時に前記カウンタは動作可能となることを特徴とする請求項25に記載の方法。 - 前記負荷制御は、キャパシタ及びカウンタをさらに具備し、
前記キャパシタは、並列接続される前記MOSトランジスタ及び前記比較器の間に接続され、
前記カウンタは、前記比較器の出力信号を受信し、
前記キャパシタが放電するとともに、
前記比較器が信号を出力するのに必要な時間のカウント値を決定するために前記検出用トランジスタがリセットされると同時に前記カウンタは動作可能となることを特徴とする請求項27に記載の方法。 - 前記比較器の前記出力信号を前記制御器で受信する段階と、前記制御器を介して前記MOSトランジスタへの電圧/周波数供給を調整する段階とをさらに具備することを特徴とする請求項25に記載の方法。
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CN111199966A (zh) | 集成电路及其电子熔丝元件的主动式静电放电保护电路 |
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