KR102610205B1 - Mosfet의 누설 전류 제거 회로 장치 - Google Patents

Mosfet의 누설 전류 제거 회로 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102610205B1
KR102610205B1 KR1020210153455A KR20210153455A KR102610205B1 KR 102610205 B1 KR102610205 B1 KR 102610205B1 KR 1020210153455 A KR1020210153455 A KR 1020210153455A KR 20210153455 A KR20210153455 A KR 20210153455A KR 102610205 B1 KR102610205 B1 KR 102610205B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
leakage current
mosfet
current
mos
circuit device
Prior art date
Application number
KR1020210153455A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20230067397A (ko
Inventor
사두환
경정규
조민수
Original Assignee
테크위드유 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 테크위드유 주식회사 filed Critical 테크위드유 주식회사
Priority to KR1020210153455A priority Critical patent/KR102610205B1/ko
Publication of KR20230067397A publication Critical patent/KR20230067397A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102610205B1 publication Critical patent/KR102610205B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607—Circuits therefor
    • G01R31/2621—Circuits therefor for testing field effect transistors, i.e. FET's
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/0092—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof measuring current only
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2642—Testing semiconductor operation lifetime or reliability, e.g. by accelerated life tests
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2646—Testing of individual semiconductor devices for measuring noise
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/50—Testing of electric apparatus, lines, cables or components for short-circuits, continuity, leakage current or incorrect line connections
    • G01R31/52—Testing for short-circuits, leakage current or ground faults

Abstract

본 발명은 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치로서, MOSFET의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 누설 전류(leakage current)가 발생하였을 때, 발생된 누설 전류(leakage current)를 측정하기 위한 전류 센서(current sensor); 및 상기 전류 센서로부터 측정된 누설 전류 값을 입력받고, 상기 MOSFET의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 발생되는 누설 전류(leakage current)를 제거하는 전류 감산기(current subtractor)를 포함하는 것을 그 구성상의 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 특징에 따른 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치는, MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치로서, MOSFET의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 누설 전류(leakage current)가 발생하였을 때, 발생된 누설 전류(leakage current)를 측정하기 위한 전류 센서(current sensor); 상기 전류 센서로부터 측정된 누설 전류 값을 입력받고, 상기 MOSFET의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 발생되는 누설 전류(leakage current)를 제거하는 전류 감산기(current subtractor); 및 상기 MOSFET의 바디 전압을 인가하여 바디와 소스 두 단자 사이의 전위차를 0V가 되게 하여 바디와 소스 두 단자 사이의 누선 전류가 발생되지 않도록 하는 버퍼를 포함하는 것을 그 구성상의 특징으로 한다.
본 발명에서 제안하고 있는 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치에 따르면, MOSFET의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 누설 전류(leakage current)가 발생하였을 때, 발생된 누설 전류(leakage current)를 측정하기 위한 전류 센서(current sensor)와, 전류 센서로부터 측정된 누설 전류 값을 입력받고, MOSFET의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 발생되는 누설 전류(leakage current)를 제거하는 전류 감산기(current subtractor)를 포함하여 구성함으로써, 고온 등으로 MOSFET의 정합 다이오드(junction diode)에 누설 전류(leakage current)가 발생하게 되더라도 누설 전류를 감지 및 감산하여 MOSFET의 VOUT 전압이 원하는 전압보다 높아지게 되는 것을 예방할 수 있도록 할 수 있다.
또한, 본 발명의 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치에 따르면, MOSFET의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 누설 전류(leakage current)가 발생하였을 때, 전류 센서를 통해 누설 전류를 감지하고, 전류 감산기를 통해 누설 전류만큼의 전류를 그라운드로 접지시킴으로써 MOSFET에서 발생되는 누설 전류를 효과적으로 제거할 수 있으며, MOSFET가 적용되는 회로의 안정적인 회로 동작이 가능하도록 할 수 있다.

Description

MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치{A LEAKAGE CURRENT CANCELLATION CIRCUIT DEVICE OF METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR}
본 발명은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)의 누설 전류 제거 회로 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 MOSFET의 바디와 드레인 사이에 발생되는 누설 전류를 측정하고 제거할 수 있도록 하는 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치에 관한 것이다.
일반적으로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)는 트랜지스터의 일종으로, 디지털 회로와 아날로그 회로에서 가장 일반적인 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터이다.
도 1은 기존의 MOSFET에서 누설 전류가 발생되는 회로 구성을 도시한 도면이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 기존의 MOSFET은 MOS M1의 바디(body) 전압이 드레인(drain) 전압인 VOUT보다 높은 경우 고온 등과 같은 조건으로 인하여 누설(leakage)이 발생할 수 있게 된다. 이러한 누설 전류(Leakage current)가 발생하게 되면 VOUT은 원하는 전압보다 상승하게 되며 상승한 전압을 원하는 전압으로 낮추어주어야 한다.
즉, MOSFET의 MOS M1의 바디(body)에서 드레인(drain)으로 정합 다이오드(junction diode)에 의한 누설 전류(leakage current)가 발생하게 되면 VOUT은 원하는 전압보다 상승하게 된다. 이때, VOUT에 부하 전류(load current)가 있을 경우 누설 전류(leakage current)량보다 크다면 누설 전류(leakage current)에 의한 전압 상승은 발생하지 않게 되지만, 부하 전류(load current)가 누설 전류(leakage current)량보다 작다면 전압 상승은 발생하게 된다. 이러한 전압 상승을 예방하기 위하여 VOUT에 누설 전류와 같거나 큰 전류를 그라운드(ground) 방향으로 인가하여야 한다. 그라운드(Ground) 방향으로 인가되는 전류가 누설 전류보다 크다면 효율성 측면에서 비효율적이므로 인가되는 전류는 누설 전류와 동일한 것이 가장 좋다. 또한, 누설 전류 발생 시에는 입력 전류가 부하에서 발생하는 전류와 차이가 발생하게 되는데, 이러한 문제를 해결할 경우 이 오차도 제거할 수 있다. 이와 같이, 기존의 MOSFET는 고온 등으로 정합 다이오드에 누설 전류가 발생하게 되고, 그에 따라 VOUT이 원하는 전압보다 상승하게 되는 문제가 있었다.
본 발명은 기존에 제안된 방법들의 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위해 제안된 것으로서, MOSFET의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 누설 전류(leakage current)가 발생하였을 때, 발생된 누설 전류(leakage current)를 측정하기 위한 전류 센서(current sensor)와, 전류 센서로부터 측정된 누설 전류 값을 입력받고, MOSFET의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 발생되는 누설 전류(leakage current)를 제거하는 전류 감산기(current subtractor)를 포함하여 구성함으로써, 고온 등으로 MOSFET의 정합 다이오드(junction diode)에 누설 전류(leakage current)가 발생하게 되더라도 누설 전류를 감지 및 감산하여 MOSFET의 VOUT 전압이 원하는 전압보다 높아지게 되는 것을 예방할 수 있도록 하는, MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은, MOSFET의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 누설 전류(leakage current)가 발생하였을 때, 전류 센서를 통해 누설 전류를 감지하고, 전류 감산기를 통해 누설 전류만큼의 전류를 그라운드로 접지시킴으로써 MOSFET에서 발생되는 누설 전류를 효과적으로 제거할 수 있으며, MOSFET가 적용되는 회로의 안정적인 회로 동작이 가능하도록 하는, MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따른 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치는,
MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치로서,
MOSFET의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 누설 전류(leakage current)가 발생하였을 때, 발생된 누설 전류(leakage current)를 측정하기 위한 전류 센서(current sensor); 및
상기 전류 센서로부터 측정된 누설 전류 값을 입력받고, 상기 MOSFET의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 발생되는 누설 전류(leakage current)를 제거하는 전류 감산기(current subtractor)를 포함하는 것을 그 구성상의 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 전류 센서는,
누설 전류가 발생한 MOSFET의 MOS M1과 동일 또는 상이한 크기의 MOSFET로 구성될 수 있다.
더욱 바람직하게는, 상기 전류 센서는,
누설 전류가 발생한 MOSFET의 MOS M1과 동일 또는 상이한 크기의 MOSFET로 구성하되, 드레인의 전압을 누설 전류가 발생한 MOSFET의 VOUT과 동일하게 해주는 방식으로 누설 전류와 동일 또는 1/N 한 전류를 감지할 수 있다.
바람직하게는, 상기 전류 감산기는,
상기 전류 센서로부터 측정된 누설 전류 값을 입력받고, 상기 MOSFET의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 발생되는 누설 전류(leakage current)를 제거하기 위해 누설 전류만큼의 전류를 VOUT에서 그라운드(ground)로 흐르게 할 수 있다.
더욱 바람직하게는, 상기 전류 감산기는,
상기 MOSFET의 MOS M1의 누설 전류를 감지한 전류인 I_SENSE를 입력으로 받아서 MOS M1의 드레인 노드(drain node)인 VOUT에서 누설 전류와 동일한 양의 전류를 빼주도록 할 수 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따른 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치는,
MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치로서,
MOSFET의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 누설 전류(leakage current)가 발생하였을 때, 발생된 누설 전류(leakage current)를 측정하기 위한 전류 센서(current sensor);
상기 전류 센서로부터 측정된 누설 전류 값을 입력받고, 상기 MOSFET의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 발생되는 누설 전류(leakage current)를 제거하는 전류 감산기(current subtractor); 및
상기 MOSFET의 바디 전압을 인가하여 바디와 소스 두 단자 사이의 전위차를 0V가 되게 하여 바디와 소스 두 단자 사이의 누선 전류가 발생되지 않도록 하는 버퍼를 포함하는 것을 그 구성상의 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 전류 센서는,
상기 MOSFET의 MOS M1의 바디 전압을 인가하는 버퍼의 출력 MOS와 동일 또는 상이한 크기(size)의 sense MOS를 사용하고, 버퍼의 출력 node PTR_BD와 sense MOS 출력 node V_SENSE node를 같은 전압이 되도록 하면 MOS M1의 누설 전류와 동일 또는 1/N 전류인 I_SENSE가 흐르게 되고, MOS M1의 누설 전류와 동일 또는 1/N 전류를 전류 감산기로 전송할 수 있다.
더욱 바람직하게는, 상기 전류 감산기는,
상기 MOSFET의 MOS M1의 누설 전류를 감지한 전류인 I_SENSE를 입력으로 받아서 동일 또는 N배 해주어 MOS M1의 드레인 노드(drain node)인 VOUT에서 누설 전류와 동일한 양의 전류를 빼주도록 할 수 있다.
본 발명에서 제안하고 있는 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치에 따르면, MOSFET의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 누설 전류(leakage current)가 발생하였을 때, 발생된 누설 전류(leakage current)를 측정하기 위한 전류 센서(current sensor)와, 전류 센서로부터 측정된 누설 전류 값을 입력받고, MOSFET의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 발생되는 누설 전류(leakage current)를 제거하는 전류 감산기(current subtractor)를 포함하여 구성함으로써, 고온 등으로 MOSFET의 정합 다이오드(junction diode)에 누설 전류(leakage current)가 발생하게 되더라도 누설 전류를 감지 및 감산하여 MOSFET의 VOUT 전압이 원하는 전압보다 높아지게 되는 것을 예방할 수 있도록 할 수 있다.
또한, 본 발명의 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치에 따르면, MOSFET의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 누설 전류(leakage current)가 발생하였을 때, 전류 센서를 통해 누설 전류를 감지하고, 전류 감산기를 통해 누설 전류만큼의 전류를 그라운드로 접지시킴으로써 MOSFET에서 발생되는 누설 전류를 효과적으로 제거할 수 있으며, MOSFET가 적용되는 회로의 안정적인 회로 동작이 가능하도록 할 수 있다.
도 1은 기존의 MOSFET에서 누설 전류가 발생되는 회로 구성을 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치의 구성을 기능블록으로 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치의 회로 구성을 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치의 다른 일례의 회로 구성을 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치의 다른 일례의 회로 구성에서, 전류 센서의 회로 구성을 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치의 전류 감산기의 회로 구성을 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치의 전류 감산기의 다른 일례의 회로 구성을 도시한 도면.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
덧붙여, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 ‘연결’ 되어 있다고 할 때, 이는 ‘직접적으로 연결’ 되어 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 ‘간접적으로 연결’ 되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 구성요소를 ‘포함’ 한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치의 구성을 기능블록으로 도시한 도면이고, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치의 회로 구성을 도시한 도면이다. 도 2 및 도 3에 각각 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치(100)는, MOSFET(101)의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 누설 전류(leakage current)가 발생하였을 때, 발생된 누설 전류(leakage current)를 측정하기 위한 전류 센서(current sensor)(110)와, 전류 센서(110)로부터 측정된 누설 전류 값을 입력받고, MOSFET(101)의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 발생되는 누설 전류(leakage current)를 제거하는 전류 감산기(current subtractor)(120)를 포함하여 구성될 수 있다. 이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치의 구체적인 구성에 대해 상세히 설명하기로 한다.
전류 센서(current sensor)(110)는, MOSFET(101)의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 누설 전류(leakage current)가 발생하였을 때, 발생된 누설 전류(leakage current)를 측정하기 위한 구성이다. 이러한 전류 센서(110)는 도 3에 도시된 바와 같이, 누설 전류가 발생한 MOSFET(101)의 MOS M1과 동일 또는 상이한 크기의 MOSFET로 구성될 수 있다.
또한, 전류 센서(110)는 누설 전류가 발생한 MOSFET(101)의 MOS M1과 동일 또는 상이한 크기의 MOSFET로 구성하되, 드레인의 전압을 누설 전류가 발생한 MOSFET(101)의 VOUT과 동일하게 해주는 방식으로 누설 전류와 동일 또는 1/N 한 전류를 감지할 수 있다. 이러한, 전류 센서(110)는 도 3에 도시된 바와 같이, 누설 전류가 발생한 MOS M1와 동일 또는 상이한 크기의 MOS를 추가하고 그 드레인의 전압을 VOUT과 동일하게 해주면 누설 전류와 동일 또는 1/N 한 전류를 감지(sense)할 수 있게 된다. 즉, 전류 센서(110)는 동일한 양의 전류가 감지되었다면 감지된 양을 감산하고(subtract), 1/N로 감지되었다면 N배 감산하게 된다.
전류 감산기(current subtractor)(120)는, 전류 센서(110)로부터 측정된 누설 전류 값을 입력받고, MOSFET(101)의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 발생되는 누설 전류(leakage current)를 제거하는 구성이다. 이러한 전류 감산기(120)는 전류 센서(110)로부터 측정된 누설 전류 값을 입력받고, MOSFET(101)의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 발생되는 누설 전류(leakage current)를 제거하기 위해 측정된 누설 전류만큼의 전류를 VOUT에서 그라운드(ground)로 흐르게 할 수 있다. 여기서, 전류 감산기(120)는 MOS M1의 바디와 드레인 사이에 누설 전류가 발생하였을 때 누설 전류를 감지한 전류 센서(110)로부터 누설 전류 값을 받은 후, 전류 감산기(120)가 누설 전류만큼의 전류를 VOUT에서 그라운드로 흐르게 함으로써 MOS M1의 바디와 드레인 사이에 발생한 누설 전류를 제거할 수 있게 된다. 이때, M1의 소스(source)에서는 바디와 드레인 사이의 누설 전류에 무관한 전류를 측정할 수 있다.
또한, 전류 감산기(120)는 도 6에 도시된 바와 같이, MOSFET(101)의 MOS M1의 누설 전류를 감지한 전류인 I_SENSE를 입력으로 받아서 동일 또는 N배 해주어 MOS M1의 드레인 노드(drain node)인 VOUT에서 누설 전류와 동일한 양의 전류를 빼주도록 할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치의 다른 일례의 회로 구성을 도시한 도면이고, 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치의 다른 일례의 회로 구성에서, 전류 센서의 회로 구성을 도시한 도면이다. 도 4 또는 도 5에 각각 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 다른 일례의 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치(100)는, MOSFET(101)의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 누설 전류(leakage current)가 발생하였을 때, 발생된 누설 전류(leakage current)를 측정하기 위한 전류 센서(current sensor)(110)와, 전류 센서(110)로부터 측정된 누설 전류 값을 입력받고, MOSFET(101)의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 발생되는 누설 전류(leakage current)를 제거하는 전류 감산기(current subtractor)(120)와, MOSFET(101)의 바디 전압을 인가하여 바디와 소스 두 단자 사이의 전위차를 0V가 되게 하여 바디와 소스 두 단자 사이의 누선 전류가 발생되지 않도록 하는 버퍼(130)를 포함하여 구성될 수 있다. 이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 다른 일례의 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치의 구체적인 구성에 대해 상세히 설명하기로 한다.
전류 센서(current sensor)(110)는, MOSFET(101)의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 누설 전류(leakage current)가 발생하였을 때, 발생된 누설 전류(leakage current)를 측정하기 위한 구성이다. 이러한 전류 센서(110)는 MOSFET(101)의 MOS M1의 바디 전압을 인가하는 버퍼(130)의 출력 MOS와 동일 또는 상이한 크기(size)의 sense MOS를 사용하고, 버퍼(130)의 출력 node PTR_BD와 sense MOS 출력 node V_SENSE node를 같은 전압이 되도록 하면 MOS M1의 누설 전류와 동일 또는 1/N 전류인 I_SENSE가 흐르게 되고, I_SENSE는 전류 감산기(120)로 전송할 수 있다.
전류 감산기(current subtractor)(120)는, 전류 센서(110)로부터 측정된 누설 전류 값을 입력받고, MOSFET(101)의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 발생되는 누설 전류(leakage current)를 제거하는 구성이다. 이러한 전류 감산기(120)는 도 6에 도시된 바와 같이, MOSFET(101)의 MOS M1의 누설 전류를 감지한 전류인 I_SENSE를 입력으로 받아서 1배 또는 N배 해주어 MOS M1의 드레인 노드(drain node)인 VOUT에서 누설 전류와 동일한 양의 전류를 빼주도록 할 수 있다.
버퍼(130)는, MOSFET(101)의 바디 전압을 인가하여 바디와 소스 두 단자 사이의 전위차를 0V가 되게 하여 바디와 소스 두 단자 사이의 누선 전류가 발생되지 않도록 하는 구성이다. 이러한 버퍼(130)는 MOSFET의 바디 전압을 이용하여 인가함에 따라 MOSFET의 바디와 소스 두 단자 사이의 전위차를 0V가 되게 하여 두 단자 사이의 누설 전류가 발생하지 않도록 기능할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치의 전류 감산기의 회로 구성을 도시한 도면이고, 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치의 전류 감산기의 다른 일례의 회로 구성을 도시한 도면을 나타내고 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치는, MOSFET의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 누설 전류(leakage current)가 발생하였을 때, 발생된 누설 전류(leakage current)를 측정하기 위한 전류 센서(current sensor)와, 전류 센서로부터 측정된 누설 전류 값을 입력받고, MOSFET의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 발생되는 누설 전류(leakage current)를 제거하는 전류 감산기(current subtractor)를 포함하여 구성함으로써, 고온 등으로 MOSFET의 정합 다이오드(junction diode)에 누설 전류(leakage current)가 발생하게 되더라도 누설 전류를 감지 및 감산하여 MOSFET의 VOUT 전압이 원하는 전압보다 높아지게 되는 것을 예방할 수 있도록 할 수 있으며, 또한, MOSFET의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 누설 전류(leakage current)가 발생하였을 때, 전류 센서를 통해 누설 전류를 감지하고, 전류 감산기를 통해 누설 전류만큼의 전류를 그라운드로 접지시킴으로써 MOSFET에서 발생되는 누설 전류를 효과적으로 제거할 수 있으며, MOSFET가 적용되는 회로의 안정적인 회로 동작이 가능하도록 할 수 있게 된다.
이상 설명한 본 발명은 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 다양한 변형이나 응용이 가능하며, 본 발명에 따른 기술적 사상의 범위는 아래의 특허청구범위에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 본 발명의 일실시예에 따른 MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치
101: MOSFET
110: 전류 센서
120: 전류 감산기
130: 버퍼

Claims (8)

  1. MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치(100)로서,
    MOSFET(101)의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 누설 전류(leakage current)가 발생하였을 때, 발생된 누설 전류(leakage current)를 측정하기 위한 전류 센서(current sensor)(110); 및
    상기 전류 센서(110)로부터 측정된 누설 전류 값을 입력받고, 상기 MOSFET(101)의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 발생되는 누설 전류(leakage current)를 제거하는 전류 감산기(current subtractor)(120)를 포함하는 것을 특징으로 하는, MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전류 센서(110)는,
    누설 전류가 발생한 MOSFET(101)의 MOS M1과 동일 또는 상이한 크기의 MOSFET로 구성되는 것을 특징으로 하는, MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전류 센서(110)는,
    누설 전류가 발생한 MOSFET(101)의 MOS M1과 동일 또는 상이한 크기의 MOSFET로 구성하되, 드레인의 전압을 누설 전류가 발생한 MOSFET(101)의 VOUT과 동일하게 해주는 방식으로 누설 전류와 동일 또는 상이한 전류를 감지하는 것을 특징으로 하는, MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전류 감산기(120)는,
    상기 전류 센서(110)로부터 측정된 누설 전류 값을 입력받고, 상기 MOSFET(101)의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 발생되는 누설 전류(leakage current)를 제거하기 위해 측정된 누설 전류만큼의 전류를 VOUT에서 그라운드(ground)로 흐르게 하는 것을 특징으로 하는, MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 전류 감산기(120)는,
    상기 MOSFET(101)의 MOS M1의 누설 전류를 감지한 전류인 I_SENSE를 입력으로 받아서 1배 또는 N배 해주어 MOS M1의 드레인 노드(drain node)인 VOUT에서 누설 전류와 동일한 양의 전류를 빼주는 것을 특징으로 하는, MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치.
  6. MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치(100)로서,
    MOSFET(101)의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 누설 전류(leakage current)가 발생하였을 때, 발생된 누설 전류(leakage current)를 측정하기 위한 전류 센서(current sensor)(110);
    상기 전류 센서(110)로부터 측정된 누설 전류 값을 입력받고, 상기 MOSFET(101)의 MOS M1의 바디(body)와 드레인(drain) 사이에 발생되는 누설 전류(leakage current)를 제거하는 전류 감산기(current subtractor)(120); 및
    상기 MOSFET(101)의 바디 전압을 인가하여 바디와 소스 두 단자 사이의 전위차를 0V가 되게 하여 바디와 소스 두 단자 사이의 누선 전류가 발생되지 않도록 하는 버퍼(130)를 포함하는 것을 특징으로 하는, MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 전류 센서(110)는,
    상기 MOSFET(101)의 MOS M1의 바디 전압을 인가하는 버퍼(130)의 출력 MOS와 동일 또는 상이한 크기(size)의 sense MOS를 사용하고, 버퍼(130)의 출력 node PTR_BD와 sense MOS 출력 node V_SENSE node를 같은 전압이 되도록 하면 MOS M1의 누설 전류와 동일 또는 1/N 전류인 I_SENSE가 흐르게 되고, MOS M1의 누설 전류와 동일 또는 1/N 양의 I_SENSE는 전류 감산기(120)로 전송하는 것을 특징으로 하는, MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 전류 감산기(120)는,
    상기 MOSFET(101)의 MOS M1의 누설 전류를 감지한 전류인 I_SENSE를 입력으로 받아서 1배 또는 N배하여 MOS M1의 드레인 노드(drain node)인 VOUT에서 누설 전류와 동일한 양의 전류를 빼주는 것을 특징으로 하는, MOSFET의 누설 전류 제거 회로 장치.
KR1020210153455A 2021-11-09 2021-11-09 Mosfet의 누설 전류 제거 회로 장치 KR102610205B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210153455A KR102610205B1 (ko) 2021-11-09 2021-11-09 Mosfet의 누설 전류 제거 회로 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210153455A KR102610205B1 (ko) 2021-11-09 2021-11-09 Mosfet의 누설 전류 제거 회로 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20230067397A KR20230067397A (ko) 2023-05-16
KR102610205B1 true KR102610205B1 (ko) 2023-12-06

Family

ID=86546098

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210153455A KR102610205B1 (ko) 2021-11-09 2021-11-09 Mosfet의 누설 전류 제거 회로 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102610205B1 (ko)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006112837A (ja) 2004-10-12 2006-04-27 Advantest Corp 試験装置、試験方法、電子デバイス、及びデバイス生産方法
KR100810426B1 (ko) 2006-08-30 2008-03-04 동부일렉트로닉스 주식회사 누설전류 측정방법 및 장치
JP2008537098A (ja) 2005-02-24 2008-09-11 イセラ・インコーポレーテッド Ｃｍｏｓデバイスの過度の漏れ電流の検出
JP5170086B2 (ja) 2007-04-10 2013-03-27 富士通セミコンダクター株式会社 リーク電流検出回路、ボディバイアス制御回路、半導体装置及び半導体装置の試験方法
JP2017523636A (ja) 2014-05-27 2017-08-17 ルノー エス．ア．エス． 電界効果トランジスタ及びその故障検出装置
KR102006023B1 (ko) 2016-12-02 2019-10-02 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 소자 테스트 장비
KR102212958B1 (ko) 2020-07-06 2021-02-05 주식회사 파이텍 발광 다이오드 조명기기의 누설 전류 제거 회로

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004012321A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Mitsubishi Electric Corp 容量値測定方法
KR20080037941A (ko) * 2006-10-27 2008-05-02 현대자동차주식회사 프리차져를 이용한 하이브리드 연료전지 차량에 있어서에너지 저장장치의 누설전류 측정장치 및 방법
KR20120073933A (ko) * 2010-12-27 2012-07-05 콘티넨탈 오토모티브 시스템 주식회사 홀 센서 타입 스위치의 누설 전류 제거 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006112837A (ja) 2004-10-12 2006-04-27 Advantest Corp 試験装置、試験方法、電子デバイス、及びデバイス生産方法
JP2008537098A (ja) 2005-02-24 2008-09-11 イセラ・インコーポレーテッド Ｃｍｏｓデバイスの過度の漏れ電流の検出
KR100810426B1 (ko) 2006-08-30 2008-03-04 동부일렉트로닉스 주식회사 누설전류 측정방법 및 장치
JP5170086B2 (ja) 2007-04-10 2013-03-27 富士通セミコンダクター株式会社 リーク電流検出回路、ボディバイアス制御回路、半導体装置及び半導体装置の試験方法
JP2017523636A (ja) 2014-05-27 2017-08-17 ルノー エス．ア．エス． 電界効果トランジスタ及びその故障検出装置
KR102006023B1 (ko) 2016-12-02 2019-10-02 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 소자 테스트 장비
KR102212958B1 (ko) 2020-07-06 2021-02-05 주식회사 파이텍 발광 다이오드 조명기기의 누설 전류 제거 회로

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230067397A (ko) 2023-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI420123B (zh) 具有偵測製程邊界角與極端溫度之電路
US8935117B2 (en) Circuit and method for measuring voltage
JP2007266715A (ja) カスコード回路および半導体装置
JP4549372B2 (ja) 漏れ電流測定方法及び装置
CN110945789A (zh) 功率用半导体元件的驱动电路
CN114705904B (zh) 一种高精度过电流检测电路
TW201326829A (zh) 過電流偵測電路及過電流偵測方法
KR102610205B1 (ko) Mosfet의 누설 전류 제거 회로 장치
CN114759912A (zh) 一种动态比较器和模拟数字转换器
US7683716B2 (en) Constant output common mode voltage of a pre-amplifier circuit
TWI558112B (zh) 振幅門檻偵測器
US20070014067A1 (en) Junction temperature sensing for MOSFET
KR101774245B1 (ko) Ｒｍｓ 검출기 및 이를 적용한 차단기
JP2007040771A (ja) ノイズ測定用半導体装置
US10914618B2 (en) Readout circuit for sensor and readout method thereof
JPWO2019021590A1 (ja) 電力用半導体素子の駆動回路
CN104677967A (zh) 离子敏感场效应管传感器及其电压模式读出电路
CN112114257B (zh) 电压电流转换电路及充放电控制装置
Barón et al. Analysis of a Transistor-Based On-State Voltage Measurement Circuit for Condition Monitoring of Power Transistors
JPS5899033A (ja) 集積回路装置
KR20160078273A (ko) 과열 검출 회로 및 반도체 장치
TWI658278B (zh) Current detection circuit
KR100686457B1 (ko) 스위칭 회로
US20080150608A1 (en) Integrated semiconductor circuit
US5920232A (en) Compensated, bias-dependent signal filter and amplifier circuit

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right