JP2006112837A - 試験装置、試験方法、電子デバイス、及びデバイス生産方法 - Google Patents
試験装置、試験方法、電子デバイス、及びデバイス生産方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006112837A JP2006112837A JP2004298260A JP2004298260A JP2006112837A JP 2006112837 A JP2006112837 A JP 2006112837A JP 2004298260 A JP2004298260 A JP 2004298260A JP 2004298260 A JP2004298260 A JP 2004298260A JP 2006112837 A JP2006112837 A JP 2006112837A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic device
- power supply
- current
- field effect
- effect transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/3181—Functional testing
- G01R31/3183—Generation of test inputs, e.g. test vectors, patterns or sequences
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/30—Marginal testing, e.g. by varying supply voltage
- G01R31/3004—Current or voltage test
- G01R31/3008—Quiescent current [IDDQ] test or leakage current test
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/08—Locating faults in cables, transmission lines, or networks
Abstract
【解決手段】電界効果トランジスタを含む電子デバイスを試験する試験装置であって、電子デバイスを駆動する電力を供給する電源と、電子デバイスに供給するべき複数の試験パターンを順次発生して供給するパターン発生部と、電界効果トランジスタのリーク電流を検出するリーク電流検出部と、リーク電流検出部が検出したリーク電流が所定の値となるように、電界効果トランジスタが設けられたサブストレートに印加するサブストレート電圧を制御する電圧制御部と、電子デバイスに入力される電源電流を、それぞれの試験パターンが印加される毎に測定し、測定した電源電流に基づいて電子デバイスの良否を判定する電源電流測定部とを備える試験装置を提供する。
【選択図】図1
Description
Claims (18)
- 与えられる試験パターンに応じて動作する電界効果トランジスタが設けられた電子デバイスを試験する試験装置であって、
前記電子デバイスを駆動する電力を供給する電源と、
前記電子デバイスに供給するべき複数の前記試験パターンを順次発生して供給するパターン発生部と、
前記電界効果トランジスタのリーク電流を検出するリーク電流検出部と、
前記リーク電流検出部が検出する前記リーク電流を所定の値に維持するように、前記電界効果トランジスタが設けられたサブストレートに印加するサブストレート電圧を制御する電圧制御部と、
前記電子デバイスに入力される電源電流を、それぞれの前記試験パターンが印加される毎に測定し、測定した前記電源電流に基づいて前記電子デバイスの良否を判定する電源電流測定部と
を備える試験装置。 - 前記リーク電流検出部は、p型の前記電界効果トランジスタのp型リーク電流と、n型の前記電界効果トランジスタのn型リーク電流をそれぞれ測定し、
前記電圧制御部は、前記サブストレートに印加する高電圧及び低電圧のうち、前記高電圧を前記p型リーク電流に基づいて制御し、前記低電圧を前記n型リーク電流に基づいて制御する
請求項1に記載の試験装置。 - 前記電源電流測定部は、それぞれの前記試験パターンに対して測定した前記電源電流を、それぞれの前記電源電流の大きさ順に整列させ、整列させた前記電源電流が不連続となる場合に、前記電子デバイスを不良と判定する
請求項1に記載の試験装置。 - 前記電源電流測定部は、整列させた前記電源電流を二階微分し、当該微分値のピークが所定値以上である場合に、前記電子デバイスを不良と判定する
請求項3に記載の試験装置。 - 前記電源電流測定部は、整列させた前記電源電流において隣接する前記電源電流の差分を算出し、算出した差分に予め定められた値より大きい値がある場合に、前記電子デバイスを不良と判定する
請求項3に記載の試験装置。 - 与えられる試験パターンに応じて動作する電界効果トランジスタが設けられた電子デバイスを試験する試験方法であって、
前記電子デバイスを駆動する電力を供給する電源供給段階と、
前記電子デバイスに供給するべき複数の前記試験パターンを順次発生して供給するパターン発生段階と、
前記電界効果トランジスタのリーク電流を検出するリーク電流検出段階と、
前記リーク電流検出段階において検出される前記リーク電流を所定の値に維持するように、前記電界効果トランジスタが設けられたサブストレートに印加するサブストレート電圧を制御する電圧制御段階と、
前記電子デバイスに入力される電源電流を、それぞれの前記試験パターンが印加される毎に測定し、測定した前記電源電流に基づいて前記電子デバイスの良否を判定する電源電流測定段階と
を備える試験方法。 - 与えられる試験パターンに応じて動作する電界効果トランジスタが設けられた電子デバイスであって、
前記電界効果トランジスタのリーク電流と略同一の電流を外部に出力するリーク電流検出回路を備える
電子デバイス。 - 前記リーク電流検出回路は、前記電界効果トランジスタと略同一の特性を有し、前記電界効果トランジスタと略同一の電源電圧が与えられ、ゲート端子とソース端子とが接続され、ドレイン電流を外部に出力するダミートランジスタを有する
請求項7に記載の電子デバイス。 - 前記リーク電流検出回路は、前記試験パターンが入力される入力ピンから独立して設けられる
請求項8に記載の電子デバイス。 - 前記リーク電流検出回路は、n型の前記電界効果トランジスタのリーク電流と略同一の電流を外部に出力するn型の前記ダミートランジスタと、p型の前記電界効果トランジスタのリーク電流と略同一の電流を外部に出力するp型の前記ダミートランジスタとを有する
請求項8に記載の電子デバイス。 - 前記電子デバイスは、
外部の電源から電力を受け取る電源端子と、
前記電源端子から独立に設けられ、前記電界効果トランジスタが設けられたサブストレートに印加される電圧を受け取るサブストレート電圧端子と
を更に備える
請求項7に記載の電子デバイス。 - 与えられる試験パターンに応じて動作する電界効果トランジスタが設けられた電子デバイスを生産するデバイス生産方法であって、
サブストレートを準備する準備段階と、
前記電界効果トランジスタを前記サブストレートに形成する回路形成段階と、
前記電界効果トランジスタのリーク電流と略同一の電流を外部に出力するリーク電流検出回路を前記サブストレートに形成する検出回路形成段階と
を備えるデバイス生産方法。 - 電子デバイスを試験する試験装置であって、
前記電子デバイスを駆動する電力を供給する電源と、
前記電子デバイスに供給するべき複数の前記試験パターンを順次発生して供給するパターン発生部と、
前記電子デバイスに入力される電源電流を、それぞれの前記試験パターンが印加される毎に測定し、測定した前記電源電流に基づいて前記電子デバイスの良否を判定する電源電流測定部と
を備え、
前記パターン発生部は、所定の数の前記試験パターンを前記電子デバイスに供給する毎に、所定のパターンの基準試験パターンを発生して前記電子デバイスに供給し、
前記電源電流測定部は、前記基準試験パターンが前記電子デバイスに供給される毎に、当該基準試験パターンに応じて前記電子デバイスに供給される静止時の前記電源電流が所定の値となるように、前記電源が前記電子デバイスに印加する電源電圧を制御する
試験装置。 - 前記パターン発生部は、前記試験パターンと前記基準試験パターンとを交互に発生して前記電子デバイスに供給する
請求項13に記載の試験装置。 - 前記電源電流測定部は、それぞれの前記試験パターンに対して測定した前記電源電流を、それぞれの前記電源電流の大きさ順に整列させ、整列させた前記電源電流が不連続となる場合に、前記電子デバイスを不良と判定する
請求項13に記載の試験装置。 - 前記電源電流測定部は、整列させた前記電源電流を二階微分し、当該微分値のピークが所定値以上である場合に、前記電子デバイスを不良と判定する
請求項15に記載の試験装置。 - 前記電源電流測定部は、整列させた前記電源電流において隣接する前記電源電流の差分を算出し、算出した差分に予め定められた値より大きい値がある場合に、前記電子デバイスを不良と判定する
請求項15に記載の試験装置。 - 電子デバイスを試験する試験方法であって、
前記電子デバイスを駆動する電力を供給する電源供給段階と、
前記電子デバイスに供給するべき複数の前記試験パターンを順次発生して供給するパターン発生段階と、
前記パターン発生段階において、所定の数の前記試験パターンを前記電子デバイスに供給する毎に、所定のパターンの基準試験パターンを発生して前記電子デバイスに供給する基準試験パターン発生段階と、
前記電子デバイスに入力される電源電流を、それぞれの前記試験パターンが印加される毎に測定し、測定した前記電源電流に基づいて前記電子デバイスの良否を判定する電源電流測定段階と、
それぞれの前記基準試験パターンが前記電子デバイスに供給される毎に、当該基準試験パターンに応じて前記電子デバイスに供給される電源電流を測定する基準電流測定段階と、
前記基準電流測定段階において測定した静止時の前記電源電流が所定の値となるように、前記電源供給段階において前記電子デバイスに印加する電源電圧を制御する電源電圧制御段階と
を備える試験方法。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004298260A JP4846223B2 (ja) | 2004-10-12 | 2004-10-12 | 試験装置および試験方法 |
US11/006,868 US7126367B2 (en) | 2004-10-12 | 2004-12-08 | Test apparatus, test method, electronic device, and electronic device manufacturing method |
EP08075805A EP2006698B1 (en) | 2004-10-12 | 2005-10-11 | Test apparatus and test method |
KR1020077010422A KR20070074615A (ko) | 2004-10-12 | 2005-10-11 | 시험장치, 시험방법, 전자 디바이스, 및 디바이스 생산방법 |
PCT/JP2005/018710 WO2006041064A1 (ja) | 2004-10-12 | 2005-10-11 | 試験装置、試験方法、電子デバイス、及びデバイス生産方法 |
EP05793127A EP1818676B1 (en) | 2004-10-12 | 2005-10-11 | Test apparatus and test method |
CN2005800335593A CN101036063B (zh) | 2004-10-12 | 2005-10-11 | 检测带有场效应晶体管的电子设备的测试方法与测试装置 |
DE602005023770T DE602005023770D1 (de) | 2004-10-12 | 2005-10-11 | Testeinrichtung und testverfahren |
DE602005020197T DE602005020197D1 (de) | 2004-10-12 | 2005-10-11 | Testgerät und Testverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004298260A JP4846223B2 (ja) | 2004-10-12 | 2004-10-12 | 試験装置および試験方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006112837A true JP2006112837A (ja) | 2006-04-27 |
JP4846223B2 JP4846223B2 (ja) | 2011-12-28 |
Family
ID=36144624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004298260A Active JP4846223B2 (ja) | 2004-10-12 | 2004-10-12 | 試験装置および試験方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7126367B2 (ja) |
EP (2) | EP1818676B1 (ja) |
JP (1) | JP4846223B2 (ja) |
KR (1) | KR20070074615A (ja) |
CN (1) | CN101036063B (ja) |
DE (2) | DE602005020197D1 (ja) |
WO (1) | WO2006041064A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008129625A1 (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Fujitsu Microelectronics Limited | リーク電流検出回路、ボディバイアス制御回路、半導体装置及び半導体装置の試験方法 |
JP2010066266A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Advantest Corp | 測定装置、試験システム、および測定方法 |
CN103064007A (zh) * | 2012-12-27 | 2013-04-24 | 东信和平科技股份有限公司 | 一种智能卡的极限测试装置及测试方法 |
KR20230067397A (ko) * | 2021-11-09 | 2023-05-16 | 테크위드유 주식회사 | Mosfet의 누설 전류 제거 회로 장치 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101051227A (zh) * | 2006-04-07 | 2007-10-10 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 电源系统及控制方法 |
US20080042681A1 (en) * | 2006-08-11 | 2008-02-21 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit device with current measurement |
US7797596B2 (en) | 2007-09-26 | 2010-09-14 | Oracle America, Inc. | Method for monitoring and adjusting circuit performance |
US7859288B2 (en) | 2008-09-12 | 2010-12-28 | Advantest Corporation | Test apparatus and test method for testing a device based on quiescent current |
JP2010153559A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Panasonic Corp | 半導体集積回路装置 |
CN102028366B (zh) * | 2009-09-30 | 2012-11-07 | 明门香港股份有限公司 | 儿童座椅 |
CN103323764B (zh) * | 2013-06-28 | 2015-09-23 | 北京大学 | 一种硅pin半导体探测器漏电流检测仪及其检测方法 |
CN104569776B (zh) * | 2014-12-18 | 2017-12-01 | 复旦大学 | 一种测量有多层发光层的oled器件中电子有效迁移率的方法 |
CN105717409B (zh) * | 2016-01-20 | 2018-07-31 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 电子设备的漏电检测方法及系统 |
CN108254669B (zh) * | 2016-12-29 | 2020-12-25 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 集成电路测试方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001249161A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-09-14 | Stmicroelectronics Srl | 集積回路試験方法 |
JP2002107418A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2002116237A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体集積回路 |
JP2004170126A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ノード論理固定回路およびiddq試験方法 |
JP2004257815A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路の検査方法および半導体集積回路装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2967520D1 (en) * | 1979-12-28 | 1985-10-31 | Int Rectifier Corp | Field effect transistor circuit configuration |
JPS5788594A (en) * | 1980-11-19 | 1982-06-02 | Fujitsu Ltd | Semiconductor circuit |
US6753719B2 (en) * | 2002-08-26 | 2004-06-22 | Motorola, Inc. | System and circuit for controlling well biasing and method thereof |
JP2004227710A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
DE60320314T2 (de) * | 2003-02-20 | 2009-06-25 | International Business Machines Corp. | Testverfahren für integrierte schaltungen mit verwendung modifikation von well-spannungen |
JP4744807B2 (ja) * | 2004-01-06 | 2011-08-10 | パナソニック株式会社 | 半導体集積回路装置 |
-
2004
- 2004-10-12 JP JP2004298260A patent/JP4846223B2/ja active Active
- 2004-12-08 US US11/006,868 patent/US7126367B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-10-11 KR KR1020077010422A patent/KR20070074615A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-10-11 DE DE602005020197T patent/DE602005020197D1/de active Active
- 2005-10-11 WO PCT/JP2005/018710 patent/WO2006041064A1/ja active Application Filing
- 2005-10-11 DE DE602005023770T patent/DE602005023770D1/de active Active
- 2005-10-11 EP EP05793127A patent/EP1818676B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-11 EP EP08075805A patent/EP2006698B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-11 CN CN2005800335593A patent/CN101036063B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001249161A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-09-14 | Stmicroelectronics Srl | 集積回路試験方法 |
JP2002107418A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2002116237A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体集積回路 |
JP2004170126A (ja) * | 2002-11-18 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ノード論理固定回路およびiddq試験方法 |
JP2004257815A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路の検査方法および半導体集積回路装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008129625A1 (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Fujitsu Microelectronics Limited | リーク電流検出回路、ボディバイアス制御回路、半導体装置及び半導体装置の試験方法 |
US8174282B2 (en) | 2007-04-10 | 2012-05-08 | Fujitsu Semiconductor Limited | Leak current detection circuit, body bias control circuit, semiconductor device, and semiconductor device testing method |
JP5170086B2 (ja) * | 2007-04-10 | 2013-03-27 | 富士通セミコンダクター株式会社 | リーク電流検出回路、ボディバイアス制御回路、半導体装置及び半導体装置の試験方法 |
JP2010066266A (ja) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Advantest Corp | 測定装置、試験システム、および測定方法 |
CN103064007A (zh) * | 2012-12-27 | 2013-04-24 | 东信和平科技股份有限公司 | 一种智能卡的极限测试装置及测试方法 |
KR20230067397A (ko) * | 2021-11-09 | 2023-05-16 | 테크위드유 주식회사 | Mosfet의 누설 전류 제거 회로 장치 |
KR102610205B1 (ko) | 2021-11-09 | 2023-12-06 | 테크위드유 주식회사 | Mosfet의 누설 전류 제거 회로 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070074615A (ko) | 2007-07-12 |
CN101036063A (zh) | 2007-09-12 |
CN101036063B (zh) | 2011-01-12 |
US7126367B2 (en) | 2006-10-24 |
EP1818676A1 (en) | 2007-08-15 |
JP4846223B2 (ja) | 2011-12-28 |
DE602005020197D1 (de) | 2010-05-06 |
EP1818676A4 (en) | 2008-07-23 |
US20060076970A1 (en) | 2006-04-13 |
EP2006698A1 (en) | 2008-12-24 |
EP2006698B1 (en) | 2010-03-24 |
EP1818676B1 (en) | 2010-09-22 |
DE602005023770D1 (de) | 2010-11-04 |
WO2006041064A1 (ja) | 2006-04-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4630122B2 (ja) | 試験装置、及び試験方法 | |
WO2006041064A1 (ja) | 試験装置、試験方法、電子デバイス、及びデバイス生産方法 | |
US7802160B2 (en) | Test apparatus and calibration method | |
JP4925630B2 (ja) | 試験装置および試験方法 | |
US7979218B2 (en) | Test apparatus, test method and computer readable medium | |
JP2007205792A (ja) | 試験装置及び試験方法 | |
EP0866980B1 (en) | Method for inspecting an integrated circuit | |
JP2008002900A (ja) | 半導体装置のスクリーニング方法と装置並びにプログラム | |
JP2005140759A (ja) | 半導体集積回路及び半導体集積回路の故障検出方法 | |
JPH11142471A (ja) | バーンイン試験方法及びバーンイン試験装置 | |
JP4043743B2 (ja) | 半導体試験装置 | |
JP2000258490A (ja) | デバイステストシステム | |
JP3598643B2 (ja) | 半導体集積回路測定装置および半導体集積回路装置 | |
JP2003043099A (ja) | 半導体試験方法および半導体装置 | |
JP2011027578A (ja) | 回路基板検査方法および回路基板検査装置 | |
JP2003248029A (ja) | 半導体装置の試験方法 | |
JP2008157881A (ja) | タイミング検査装置 | |
JP2002014140A (ja) | 動作周波数測定装置および画像形成装置 | |
JPH11133101A (ja) | 静止電源電流テスト回路 | |
JP2006105841A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0980114A (ja) | Icテスタの電流測定装置 | |
JPH0511016A (ja) | 集積回路検査装置 | |
JP2005098925A (ja) | 半導体装置の故障検出方法および故障検出装置 | |
JP2002350517A (ja) | 半導体集積回路試験装置 | |
JP2006120271A (ja) | 半導体試験装置及びその方法並びに半導体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110120 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111004 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111012 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141021 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4846223 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141021 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |