JPS5899033A - 集積回路装置 - Google Patents

集積回路装置

Info

Publication number
JPS5899033A
JPS5899033A JP56197822A JP19782281A JPS5899033A JP S5899033 A JPS5899033 A JP S5899033A JP 56197822 A JP56197822 A JP 56197822A JP 19782281 A JP19782281 A JP 19782281A JP S5899033 A JPS5899033 A JP S5899033A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
control signal
trs
transistor
terminal
transistors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP56197822A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Ogasawara
和夫 小笠原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP56197822A priority Critical patent/JPS5899033A/ja
Publication of JPS5899033A publication Critical patent/JPS5899033A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路装置に関するものであシ、特に相補型
MU8アナログスイッチの出力側に容量性負荷を接続し
てなる集積回路装置に関する。
このような集積回路装置の代表的な例としてサンプル・
ホールド回路(以下87H回路と略記する。)があシ、
以下の説明はS/H回路について主として行なうことに
する。
近年、デジタル技術の長足の進歩に伴ない、従来アナロ
グ量として情報処理されていた分野においても、アナロ
グ・デジタル変換器を用いて、アナログ量をデジタル量
に変換した後、デジタル処理を行う傾向が強まっている
アナログ・デジタル変換器の精度における感度の高い回
路として、サンプル・ホールド回路牟哄がある。例えば
第1図の 如き回路構成がある。
一般に、絶縁ゲート電界効果トランジスタ(以グスイッ
チを構成する際に、単極性Mosト5ンジスタと、相補
型MOB )ランジスタの使用が考えられるが、単極性
NUN)ランジスタではゲート電極とソース電極間にし
きい値による電圧降下が生ずる欠点があるため、アナロ
グスイッチとしては相補型が有利といえる。
第1図においてアナログ人力湘子1からアナログ電圧が
印加される。相補型MOB )ランジスタ対4はアナロ
グスイッチとして用いられ、制御信号端子3が直接及び
インバータ6を介して前記相補型M(JS )ランジス
タ対4のそれぞれのトランジスタのゲート電極に接続さ
れておシ、制御信号端子3に正の電圧を印加すれば導通
する。このとき、アナログ入力端子1からアナログ電圧
がホールド容量5に充放電を行う。次に、制御信号端子
に 3v負電圧を印加すると、相補型MU8 )ランジスタ
対4は非導通となシ、アナログ電圧はホールド容15に
保持され、8/H出力端子3から出力される。
第1図のごとき回路は相補型Musト?ンジスタ対4の
ゲート電極とソース電極またはドレイン電極間に存在す
る浮遊容量のため、制御信号が正から負に変化するとき
に容量結合の過渡雑音が生じ、S/H回路にオフセット
電圧が生じていた。
この過渡雑音によるオフセット電圧を補償するため公知
の技術として従来第2図に示すような回路が用いられて
いた。第2図において第1図と同速 じ個所は同じ番号を用いている。第1図との相x点は補
償用相補型MOSトランジスタ対17を追加し圧点であ
る。
第2図は制御信号が正から負へと変化するときに第1図
と異なる動作をする。すなわち、制御信号が正から負へ
と変化するときに補償信号が負から正へと変化し、相補
型MU8 )ランジスタ対4の過渡雑音全相補型MOB
 )ランジスタ対17により補償するものである。
通常、補償月相桶型MOSトランジスタ17の寸法は、
ゲート絶縁膜の種類、厚さが同じとするとアナログスイ
ッチ用MO8ト9ンジスタの約牛分にすると補償される
ことは公知である。それは、このMOB )ランジスタ
対17のソースとドレインが短絡されているので、ゲー
ト・ドレイン間浮遊容置とゲート・ノース間浮遊容量が
並列に入るからである。
しかし、この補償用相補型NU8 トランジスタとアナ
ログスイッチ用トランジスタの寸法比が製造1根におけ
るばらつきで変動した場合は補償が十分に行なわれず、
87H回路の誤差を生じ、アナログ・ディジタル変換器
において精度の劣化が生じる等の欠点があった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、装造
工程の変動によって過渡雑音の補償効果に急影響をうけ
ない相補型アナログ・スイッチとその出力側に容量性負
荷を接続してなる集積回路装置を提供することを目的と
する。
本発明によれば、互いに導電型の異なるwJl及び第2
のMOSトランジスタの対と前記それぞれのトランジス
タのゲートに互いに逆相の制御信号を加える手段とを備
えてなる相補型アナログ・スイッチとその出力側に容量
性負荷を接続してなる集積回路装置において、前記第1
のトランジスタのゲート制御信号及び前記第2のトラン
ジスタのゲート制御信号と前記アナログ・スイッチの出
力との間に、前記第2のトランジスタ及び前記第1のト
ランジスタのそれぞれと同一導電型で形状・寸法がtl
 #?1′同じでソースとドレインを接続したM(JS
)ランジスタを2個ゲートどうしを結んで直列接続して
、それぞれ挿入して配置し、前記制御信号による過渡雑
音を補償することを特徴とする集積回路装置が得られる
以上のような構成になっているので、相補型M(J8ト
ランジスタ対の寸法が変化した際に、アナログ・スイッ
チ用トランジスタの変化と同じ割合で補償用トランジス
タも変化し、製造1糧のdらつきによって過渡雑音の補
償効果が劣化することはない。
次に、本発明をその実施例に従い図面を用いて詳細に説
明する。
第3図は本発明の一実施例を説明するための等価回路図
で、第1図及び第2図と同じ個所には同じ番号を用いて
いる。従来例との相違は、第2図における相補型MOS
トランジスタ対17の代シに論列接続された同一導電型
MO8)ランジスタ対27および27′を設けた点にあ
る。こ\でM〕Sトランジスタ対2対表77′とは互い
に逆の導電型である。この構成とすることで、相補型M
O8トランジスタ対4とほぼ同じ寸法のMOB )ラン
ジスタ対27および27′を使用することができる。
M(Jf!3 トランジスタ対27および27′は則−
導電型N(J8 トランジスタの直列接続で構成されて
いるため、相補型NU8 )ランジスタ対4の約半分の
寸法のM(J8)ランジスタ対を用いるのと等価である
このため、製造工程におけるMOB )ランジスタ寸法
のばらつきに対し、同じ割合いの変動を受けることにな
シ、過渡雑音に対する補償は相補型MO8トランジスタ
対4の寸法変動に対して自動的に追従して行なわれる。
このことは、製造工程のばらつきに対し十分に安定な過
渡雑音補償を行うことであ夛、代表例に即していえば、
87H回路の特性改善が大幅に得られ、特性の優れたア
ナログ・デジタル変換器の実現に有効である。
もちろん、補償用M08トランジスタ対27および27
′はMOSトランジスタ対4と近接して配置するように
設計することが好ましいことは集積回路の分野における
一般思想から轟然いえることで、詳細に説明することは
省略する。
なお本実施例ではへ形MO& )ランジスタに制御信号
を印加し、P形MUSト9ンジスタの制御信号はインバ
ータ6を用いて逆相制御信号を印加しているが、これは
へ形とP形を逆にしても可能であるし、また互いに逆相
の制御信号を得るのに差動制御信号を用いてもよいこと
はいうまでもない0本発明は補償N(J8 )ランジス
タの構成にあるのであシ、制御信号の印加方法によらな
いことは前記説明から明らかである。
以上図面を用いて詳細に#5tF!Aシた如く、本発明
によれば過渡雑音による誤差のない、製造工程のばらつ
きに対し十分に安定な集積回路装置が容易に実現可能で
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は従来用いられていた相補型NU8
アナログ・スイッチを用いた8/H回路のP、明図、第
3図は本発明の詳細な説明図をそれぞれ示す。 1・・・・・・アナログ入力端子、2・・・・・・8/
H出力端子、3・・・・・・制御信号端子、4・・・・
・・相補型M(J8 トランジスタ対、17.27.2
7’・・・・・・相補型補償用M(J8)ランジスタ対
、5・・・・・・ホールド容量、6・・・・・・インバ
ータ0

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 互いに4を型の異なる第1及び第2のNO8トランジス
    タの対と前記それぞれのトランジスタのグー)K互いに
    逆相の制御信号を加える手段とを備えてなる相補型アナ
    ログ・スイッチとその出力側に容量性負荷を接続してな
    る集積回路装置において、前記第1のトランジスタのゲ
    ート制御信号及び前記第2のトランジスタのゲート制御
    信号と前記アナログ・スイッチの出力との間に、前記第
    2のトランジスタ及び前記第1のトランジスタのそれぞ
    れと同一導電型で形状寸法がほぼ同じでソースとドレイ
    ンt−接続した同一導電型MO8トランジスタを2個ケ
    ートどうしを結んで直列接続して、それぞれ挿入して配
    置し、前記制御信号による過渡雑−fを鵜償することを
    %徴とする集積回路装置。
JP56197822A 1981-12-09 1981-12-09 集積回路装置 Pending JPS5899033A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56197822A JPS5899033A (ja) 1981-12-09 1981-12-09 集積回路装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56197822A JPS5899033A (ja) 1981-12-09 1981-12-09 集積回路装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5899033A true JPS5899033A (ja) 1983-06-13

Family

ID=16380910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56197822A Pending JPS5899033A (ja) 1981-12-09 1981-12-09 集積回路装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5899033A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6037819A (ja) * 1983-08-10 1985-02-27 Hitachi Ltd アナログスイツチ回路装置
JPS6243212A (ja) * 1985-08-20 1987-02-25 Toshiba Corp 半導体電子スイツチ
JPS6387023A (ja) * 1986-09-30 1988-04-18 Toshiba Corp 集積回路装置
JPS6424626A (en) * 1987-07-21 1989-01-26 Nippon Telegraph & Telephone Digital control type variable capacitor device
US5475330A (en) * 1991-09-04 1995-12-12 Sharp Kabushiki Kaisha Integrated circuit with voltage setting circuit
JP2007133725A (ja) * 2005-11-11 2007-05-31 Taito Corp Rfidカード
US7936329B2 (en) 2005-04-27 2011-05-03 Nec Corporation Active matrix type display device and driving method thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5564437A (en) * 1978-11-08 1980-05-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor analog switch

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5564437A (en) * 1978-11-08 1980-05-15 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Semiconductor analog switch

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6037819A (ja) * 1983-08-10 1985-02-27 Hitachi Ltd アナログスイツチ回路装置
JPS6243212A (ja) * 1985-08-20 1987-02-25 Toshiba Corp 半導体電子スイツチ
JPS6387023A (ja) * 1986-09-30 1988-04-18 Toshiba Corp 集積回路装置
JPH0478214B2 (ja) * 1986-09-30 1992-12-10 Tokyo Shibaura Electric Co
JPS6424626A (en) * 1987-07-21 1989-01-26 Nippon Telegraph & Telephone Digital control type variable capacitor device
US5475330A (en) * 1991-09-04 1995-12-12 Sharp Kabushiki Kaisha Integrated circuit with voltage setting circuit
US7936329B2 (en) 2005-04-27 2011-05-03 Nec Corporation Active matrix type display device and driving method thereof
JP2007133725A (ja) * 2005-11-11 2007-05-31 Taito Corp Rfidカード

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3983414A (en) Charge cancelling structure and method for integrated circuits
US4075509A (en) Cmos comparator circuit and method of manufacture
JPH0322103B2 (ja)
US4346310A (en) Voltage booster circuit
US5541532A (en) All MOS single-ended to differential level converter
JPS5899033A (ja) 集積回路装置
US6549029B1 (en) Circuit and method for measuring capacitance
JPS623611B2 (ja)
JPH0582741A (ja) Mosキヤパシタ
US4162539A (en) Read-out circuit for digital storage elements
US4254345A (en) Output circuit for bucket-brigade devices
JPS58121831A (ja) 集積回路装置
JPS58111194A (ja) 半導体装置
JPH118534A (ja) 半導体集積回路
JPS60174518A (ja) Cmosアナログスイツチ
JPH01175410A (ja) 半導体アナログ・スイッチ
JPS6337711A (ja) アナログ演算回路
JPS6231863B2 (ja)
JPS60136405A (ja) ソ−スフオロワ回路
JPS58137311A (ja) 差動ソ−スホロワ回路
JPH0766727A (ja) 電界効果トランジスタで構成されるアナログ信号のサンプリング回路
JPS6012816A (ja) Cmosコンパレ−タ
JPS58107723A (ja) 半導体装置
JP3124730B2 (ja) チョッパコンパレータ回路
JPH0548389A (ja) スイツチトキヤパシタ回路