JPS58121831A - 集積回路装置 - Google Patents

集積回路装置

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Publication number
JPS58121831A
JPS58121831A JP57004554A JP455482A JPS58121831A JP S58121831 A JPS58121831 A JP S58121831A JP 57004554 A JP57004554 A JP 57004554A JP 455482 A JP455482 A JP 455482A JP S58121831 A JPS58121831 A JP S58121831A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mos
complementary
pair
transistor
pairs
Prior art date
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Pending
Application number
JP57004554A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Ogasawara
和夫 小笠原
Hideo Takahashi
秀雄 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP57004554A priority Critical patent/JPS58121831A/ja
Publication of JPS58121831A publication Critical patent/JPS58121831A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors

Landscapes

  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路装置に関するものであル、特に相補形
MO8アナログスイッチを用いたサンプル・ホールド回
路(以下S/H回路と略す)における過渡雑音を補償す
るのに有効な方法を提供するものである。
近年、デジタル技術の長足の進歩に伴ない、従来アナロ
グ量として情報処理されていた分野においても、アナロ
グ・デジタル変換器を用いて、アナログ量をデジタル量
に変換した後、デジタル処理を行う傾向が強まっている
アナログ・デジタル変換器の精度における感度の高い回
路として、8/H回路がある0例えば第1図の如き回路
構成が考えられる。
一般に、MO8O8アナメグスイッチ成する際に、単極
性MO8と、相補形MO8の使用が考えられるが、単極
性MO8)ランジスタではゲート電極とソース電極間に
しきい値による電圧降下が生ずる欠点があるため、アナ
ログスイッチとしては相補形が有利といえる。
1g1図においてアナログ入力端子1からアナログ電圧
が印加される。相補形MO8)9ンジスダ対4はアナロ
グスイッチとして用いられ、制御信号端子3がインバー
タ6を用いて前記相補形MO8トランジスタ対4のゲー
ト電極に接続されてお〕、制御信号端子3に正の電圧を
印加すれば導通する。
このとき、アナログ入力端子1からアナログ電圧がホー
ルド容量5に充放電を行う0次に、制御信号端子2を負
電圧を印加すると、相補形MO8)ランジスタ対4は非
導通となシ、アナログ電圧はホールド容量5に保持され
、8/H出力端子3t・ら出力される。
第1図のごとき回路は相補形MO8)jンジスタ対4の
ゲート電極とソース電極ま九はドレイン電極間に存在す
る浮遊容量のため、制御信号が正から負に変化するとき
に容量結合の過渡雑音が生じ、S/H回路にオフセット
−圧が生じていた。
この過渡雑音によるオフセット電圧を補償するため公知
の技術として従来第2図の如き回路が用いられていた。
第2図において第1図と同じ個所は同じ番号を用いてい
る。第1図との相異点は補償用相補形MO8)ランジス
タ対17を追加した1      点である。
第2図は制御信号が正から負へと変化するときに第1図
と異なる動作をする。すなわち、制御信号が正から負へ
と変化するときに補償信号が負から正へと変化し、相補
形MO8)ランジスタ対4の過渡雑音を相補形MO8)
ランジスタ対17によシ補償するものである。
通常、補償用相補形M08トランジスタ17の寸法はア
ナ筒グスイッチ用M08トランジスタの約半分にすると
補償されることは公知である。この補償用相補形ム10
8):7ンジスタとアナログスイッチ用トランジスタの
寸法比が製造工程におけるバラツキで変動した場合は補
償が十分に行なわれず、サンプル・ホールド回路の誤差
を生じ、アナログ・デジタル変換器において精度の劣化
が生じる等の欠点があり九。
本発明は公知技術における欠点を改善し、製造工程にお
けるバラツキが生じても1回路的工夫によシ自動的に補
正が行なえるようにしたものである。
本発明は相補形M08トランジスタ対の寸法が変化し長
線に、アナログスイッチ用トランジスタの変化に伴ない
、同じ割合で補償用トランジスタの変化が生じるように
構成したものである。仁のため製造工程のバラツキに対
し、S/H回路の特性劣化が生じず、アナログデジタル
変換器の精度劣化が生じること鉱ない。
本発明の実施例を図面を用iて詳細に説明する。
第3図は本発明の詳細な説明図である。第3図において
第1図および第2図と同じ個所には同じ番号を用いてい
る。
第3図Fi第2図におけゐ相補形MO8)ランジスタ対
17をそれぞれ同極形M08トランジスタ、のソース電
極とドレイン電極を接続したM08トランジスタ対27
および27′に置換され九点にある。この構成とするこ
とで、相補形MO8)ランジスタ対4とほぼ同じ寸法の
MOS)?ンジスタ対27および27′を使用すること
ができる。
MOS )2ンジスタ対27および27′は同極形MO
8)ランジスタの直列接続で構成されているため1等価
的に相補形MOf9)ランジスタ対4の約手分の寸法と
なっている。
このため、製造工程におけるMOS)ランジスタ寸法の
バラツキに対し、同じ割合いの変動を受けることにな〕
、過渡雑音に対する補償は相補形MO8トランジスタ対
4の寸法に自動的に追従する。このことは、製造工程の
バラツキに対し十分に安定な過渡雑音補償を行うことで
あfi、 8/H回路の特性改善が大幅に得られ%特性
の優れたアナログ・デジタル変換器の実現に有効である
もちろん、補償用MO8)ランジスタ対27および27
′はMOS)ランジスタ対4と近接して設計することが
好ましいことは!!#製造業者にと多公知のむとである
なお1本夾施例ではN形M08トランジスタに制御信号
を印加し、P形MO8)ランジスタの制御信号はインバ
ータ6を用いて逆相制御信号を印加しているが、これは
N形とP形を逆にしても可能であるし、まえ差動制御信
号を用いることでも可能である0本発明は補償MO8)
ランジスタの構成にあるのであp1制御信号の印加方法
によらないことは前記説明から明らかである。
以上図面を用いて詳細に説明した如く、本発明を用いれ
ばホールド時の過渡雑音による誤差のない、製造工程の
バラツキに対し十分に安定な集積回路装置が容易に実現
可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は従来用いられていた相補形MO8
アナログスイッチを用いたIs/H回路の説明図、第3
図は本発明の詳細な説明図をそれぞれ示す。 1・・・・・・アナログ入力端子、2・・・・・・8/
H出力端子、3・・・・・・制御信号端子、4・・・・
・・相補形MO19)ランジスタ対、17.27.27
’−°・°・・相補形補償用へ108トランジスタ対、
5・・・・・・ホールド容量。 6・・・・・・インバータ。 ¥1し) −? 2 ■゛4

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ソースおよびドレインが並列接続された一導電型の第1
    のトランジスタ対と、ソースおよびドレインが並列接続
    された逆導電型の第2のトランジスタ対と、第1および
    第2のトランジスタ対の各一方のゲートを共通にホール
    ド容量に接続する手段と、該第1および第2のトランジ
    スタ対の各他方のゲートに相補の駆動信号を供給する手
    段とを有する集積回路装置。
JP57004554A 1982-01-14 1982-01-14 集積回路装置 Pending JPS58121831A (ja)

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JP57004554A JPS58121831A (ja) 1982-01-14 1982-01-14 集積回路装置

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JP57004554A JPS58121831A (ja) 1982-01-14 1982-01-14 集積回路装置

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JPS58121831A true JPS58121831A (ja) 1983-07-20

Family

ID=11587258

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JP57004554A Pending JPS58121831A (ja) 1982-01-14 1982-01-14 集積回路装置

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JP (1) JPS58121831A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63108598A (ja) * 1986-10-27 1988-05-13 Sony Corp サンプリングホ−ルド回路
JPH09106692A (ja) * 1996-07-19 1997-04-22 Sony Corp サンプリングホールド回路
US7936329B2 (en) 2005-04-27 2011-05-03 Nec Corporation Active matrix type display device and driving method thereof

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH09106692A (ja) * 1996-07-19 1997-04-22 Sony Corp サンプリングホールド回路
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