JP4952044B2 - 多層配線基板の製造方法及び半導体パッケージ並びに長尺配線基板 - Google Patents
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Description
ここで、多層構造を有する配線基板の従来の製造方法としては、ビルドアップ法があげられる。ビルドアップ法では、既にパターン形成されている内層のパターンに合わせて次の層を加工する。そして、ビルドアップ法において、パターンの位置合わせを行う方法としては、基準孔合わせ方式と呼ばれる方法が知られている。
また、アライメントマークをポリイミド上に形成した場合、基準孔の周辺部の銅が除去されてポリイミドが露出した状態でウェット工程を実施すると、若干の吸水性を有するポリイミドが伸縮してアライメントマークが変形することがある。さらに、ポリイミドに形成した基準孔は、工程内の搬送時にも変化することがある。これらのことから、露光時のオートスケール量と伸縮した実際のポリイミド基板とに差異が生じ、内層の回路パターンとの間に位置ずれが生じ易かった。
また、工程数や積層数が増えるにつれてコア基板自体が徐々に寸法変化することがある。このため、予めコア基板に積層数に応じたアライメントマークを作製しても、積層数が多くなるにつれてコア基板の寸法変化が大きくなってしまい、回路パターンの位置精度が低下してしまう。
この発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、配線基板の高密度化に応じてパターンが微細化すると共に、高多層化が進んだ多層配線基板において、既に形成された回路パターンに対し、次の層の回路パターンの位置を精度良く形成できるようにすることを主な目的とする。
この多層配線基板の製造方法では、第2のアライメントマークが、回路パターンを形成する積層体に形成されるので、下層の製造工程を行っている間には第2のアライメントマークが未だ作製されていないので、前工程の影響を受けることがない。第2のアライメントマークの基準は、直ぐ下の積層体に形成した第1のアライメントマークを使用するので、コア基板に最初に形成したアライメントマークを使用する場合に比べてアライメントマークの変形が大幅に抑制される。なお、積層する層数は、2層に限定されず、3層以上であっても良い。また、積層体にはコア基板も含まれる。
この多層配線基板の製造方法では、第2の積層体を貼り付けたときに第1のアライメントマークを露出させることができるので、第2のアライメントの形成位置を速やかに決定することができる。
この多層配線基板の製造方法は、第1のアライメントマークを基準にして第2の積層体にビアホールを形成する。第1のアライメントマークは、第1の積層体に形成されているので、第1の積層体の回路パターンの配置に合わせた正確な位置にビアホールが形成される。さらに、このときに第2のアライメントマークが同時に形成されるので、各積層体にライメントマークを作る場合でも工程数の増大を防止できる。
この半導体パッケージは、前記した多層配線基板の製造方法によって位置ずれなく積層された回路パターンを有する多層配線基板を用いた構成を有し、高品質な半導体パッケージが得られる。
この長尺配線基板は、幅方向に露出する部分に形成したアライメントマークを用いて次の層のビアホールを形成したので層間の位置ずれが防止される。このようにして製造した長尺配線基板からは、位置ずれのない多層配線基板を多数得ることができる。
図1及び図2に一例を示すように、長尺配線基板1は、シート状で可撓性を有するコア基板5を有し、コア基板5の表側を第1層、裏側を第2層とし、コア基板5の表面側に第3層6(表側の第1の積層体)と第5層7(表側の第2の積層体)が積層され、コア基板5の裏面側に第4層8(裏側の第1の積層体)と第6層9(裏側の第2の積層体)が積層されている。この長尺配線基板1には、長さ方向に沿って多層配線基板10が複数形成されている。なお、図1において直交するX方向とY方向とは、それぞれ長尺配線基板1の長さ方向(横方向)と、長尺配線基板1の幅方向(上下方向)とする。
コア基板5のY方向の両側縁部には、2つのビアホール11,12とアライメントマーク13が形成されている。2つのビアホール11,12は、コア基板5を表面から裏面に貫通する貫通孔からなり、アライメントマーク13は、例えばコア基板5上に形成したパターンからなる。ビアホール11は、多層配線基板10のX方向の中心を通る線上に形成されている。ビアホール12とアライメントマーク13は、コア基板10の長さ方向(X方向)に配列されている。ビアホール12とアライメントマーク13は、コア基板5の両側縁部に、多層配線基板10の中心を基準にして点対称な位置に形成されている。
なお、図2においてコア基板5の回路パターン3A,4A、各層6,7,8,9の回路パターン22A,32Aと、回路パターン42A,52Aは、同形状として図示されているが、異なる回路パターンでも良い。
最初に、コア基板5に加工を行う。図4に示すように、コア基板5に1層目の回路パターン3A及び2層目の回路パターン4Aを形成するためのアライメントマークとしてビアホール11を形成する。このビアホール11は、金型を用いた打ち抜き加工によって形成される。また、同時に1、2層目のビアホール作製用のビアホール12も金型により打ち抜き加工によって形成する。
その後、ポジ型レジストをコア基板5の全面に塗布し、ビアホール11にフォトマスクのマスクアライメントを位置合わせして、1、2層目の回路パターン3A,3Bを形成する。さらに、1層目の回路パターン3Aの形成と同時に、図5に示すように次の層のビアホール作製用のアライメントマーク13を形成する。同様に、回路パターン4Aを作製するときにアライメントマーク14を同時に形成する。
第3層6上に第5層7を積層し、第5層7のビアホール43,44及び回路パターン42Aを作製するときは、第3層6の幅よりも短い積層フィルムを貼り合わせる。第5層7のビアホール43及びビアホール44は、アライメントマーク26で位置決めする。回路パターン42Aは、ビアホール44で位置決めする。
回路パターンを形成するときや、ビアホールを形成するときの位置決めの基準として使用するアライメントマークやビアホールは、任意の形状のものを使用でき、例えば、円形、ドーナツ型、四角形、井形等、中心部分又は特定位置部分が確認できる形状であれば良い。特に、円形、ドーナツ型が好ましい。
アライメントマークの形成方法は、フォトリソ法、孔あけ加工法等を使用できる。フォトリソ法としては、フォトレジストによるアライメントマーク形成や、アディティブ法、セミアディティブ法、サブトラクティブ法によるアライメントマーク形成方法があげられる。この方式では、アライメントマークの形状を任意に設計することが可能である。また、工程によっては、回路パターンとアライメントマークを同時に形成することも可能であり、この場合には工程数を削減できる。孔あけ加工は、ドリル加工、レーザー加工又は金型による打ち抜き加工等があげられるが、アライメントマークとなる孔の形状は略円形に限定される。
多層配線基板10の製造方法は、枚葉のコア基板に限定されるものではなく、テープ状のフレキシブル基板を用いたいロール・ツー・ロールの連続生産方法にも適用できる。
多層配線基板10は、回路パターンが上下3層の場合であるが、上下4層、5層等のさらに多層の配線基板にも広く適用することが可能である。
第1のアライメントマークは、導体パターンに限定されずビアホールや、その他の凹部や凸部であっても良い。第2のアライメントマークは、ビアホールに限定されず導体パターンや、その他の凹部や凸部であっても良い。
まず、図6(a)に示すように、幅105mmのテープ状の両面銅箔付ポリイミド基板(絶縁層2としてのポリイミドに、導体層3,4として銅箔を貼り付けたコア基板5)に、金型を使用した打ち抜き加工をし、貫通孔からなる1層目の回路パターン形成用のビアホール11及び1層目のビアホール形成用のビアホール12(基材長さ方向に対して中央部にビアホール11、端部にビアホール12)を形成した。ビアホール11,12は、テープ状のコア基板5の両端に幅90mmの間隔にて形成された2つの貫通孔を1組とした。図6(b)に示すように、コア基板5に脱脂処理を施した後、コア基板5の端部に形成した1層目のビアホール作製用のビアホール12を基準孔とし、位置合わせを行い、銅箔からポリイミドと下側の銅箔の境界までレーザー照射を施し、ビアホール15を形成した。
図7(b)に示すように、2層目のビアホール作製用のアライメントマーク13,14で位置合わせを行い、レーザー加工によって銅箔22,32からポリイミド製の絶縁層21,31を回路パターン3A,4Aとの境界まで貫通させ、ビアホール23,34を作製した。また、3層目、4層目の回路パターン作製用のアライメントマークとしてビアホール25,33をビアホール23,34と同時に形成した。
ビアホールを形成したときに発生した樹脂スミアを除去するためにデスミア処理を行った後、無電解めっき、電解めっきを行った。図7(c)に示すように、銅製のメッキ層74,75を形成し、層間の電気的な接続を行った。硫酸と過酸化水素水の混合液により化学研磨を行い、メッキ層74,75の膜厚を薄くした。
エッチングレジスト76、77にエッチング液を上下よりスプレーを噴出し、レジストのない露出した銅箔を化学的にエッチングした。エッチング後、エッチングレジストは不要となるので剥離した。図8(b)に示すように、両面に回路パターン22A,32Aが作製された。
多層配線基板10は、40mm×40mmのサイズで厚さ200μmのものを使用した。半導体素子61は、15mm×15mmのサイズとし、リフロー処理によって半田接合した。半田63は、質量比でPbが95%、Snが5%のものを使用し、多層配線基板10のパッド上には予め錫−鉛共晶半田によって予備半田層を形成しておいた。
スティフナー65は、金属製とし、熱硬化タイプの接着フィルムをラミネートして形成した接着層を用いて多層配線基板10上に貼り付けた。
多層配線基板10と半導体素子61の隙間の残留するフラックスを洗浄除去した後、毛細管現象を利用してアンダーフィル樹脂64を充填した。この後、Cu製の放熱補強板としてカバープレート66を接着剤で半導体素子61及びスティフナー65に貼り付けた。アンダーフィル樹脂64とカバープレート66の接着剤を熱処理によって硬化させた。
5 コア基板
6 第3層(第1の積層体)
7 第4層(第1の積層体)
8 第5層(第2の積層体)
9 第6層(第2の積層体)
10 多層配線基板
11,12 ビアホール(第2のアライメントマーク)
13,14 アライメントマーク
22A,32A,42A,52A 回路パターン
25,33 ビアホール(第2のアライメントマーク)
26,36 アライメントマーク(第1のアライメントマーク)
44,54 ビアホール(第2のアライメントマーク)
60 半導体パッケージ
61 半導体素子
65 スティフナー
66 カバープレート(放熱補強板)
Claims (5)
- 絶縁層と導体層からなる積層体を複数積層し、前記導体層で回路パターンを形成した多層配線基板の製造方法において、
第1の積層体に回路パターンと共に第1のアライメントマークを形成し、前記第1の積層体上に第2の積層体を積層した後、前記第1のアライメントマークを使用して前記第2の積層体に第2のアライメントマークを形成し、前記第2のアライメントマークを用いて前記第2の積層体に回路パターンを形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 前記第2の積層体は、前記第1のアライメントマークが露出するように前記第1の積層体上に貼り付けられることを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板の製造方法。
- 前記第1のアライメントマークを使用して前記第2の積層体を貫通するビアホールを形成し、このビアホールの少なくとも1つを前記第2のアライメントマークとすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の多層配線基板の製造方法。
- 請求項1から請求項3にいずれか一項に記載の多層配線基板の製造方法で製造した前記多層配線基板と、前記多層配線基板に搭載された半導体素子と、前記多層配線基板に接着固定され、前記半導体素子を囲んで配置されるスティフナーと、前記半導体素子及び前記スティフナーに接着固定される放熱補強板とを含む半導体パッケージ。
- 絶縁層と導体層とを有する長尺フィルム状の積層体を積層して構成された長尺配線基板であって、
前記複数の積層体は、積層順に長さ方向に直交する幅方向の長さが短くなっており、次の積層体を積層したときに幅方向に露出する部分に、前記次の積層体にビアホールを形成するためのアライメントマークを有することを特徴とする長尺配線基板。
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