JP4946565B2 - モールドパッケージおよびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、一対の電極を有する電子部品を、導電性接着剤を介してセラミック基板上に搭載し、これらをモールド樹脂で封止してなるモールドパッケージ、および、その製造方法に関する。

この種の一般的なモールドパッケージは、セラミック基板と、セラミック基板の一面に搭載され一対の電極を有する電子部品と、セラミック基板の一面のうち一対の電極のそれぞれに対応した部位に設けられた一対のランドと、を備え、一対の電極と一対のランドとを導電性接着剤を介して電気的に接続するとともに、電子部品およびセラミック基板をモールド樹脂により封止してなる（たとえば、特許文献１参照）。

このようなモールドパッケージでは、導電性接着剤による電子部品の接続を行うことにより、部品搭載後の洗浄の省略や、はんだの鉛フリー化などの要望に答えている。また、リードフレームなどに比べて高密度配線が可能なセラミック基板を用いて、モールドパッケージのコンパクト化に有利な構成を実現している。

そして、このモールドパッケージは、セラミック基板の一面上のランドに、導電性接着剤を印刷法などにより配設し、続いて、その導電性接着剤の上に電子部品を搭載し、電子部品の電極とランドとを電気的に接続した後、モールド樹脂による封止を行うことにより製造される。
特開２０００−３１９６２２号公報

しかしながら、上記した従来のモールドパッケージにおいては、電子部品のサイズが小さくなってくると、電子部品における一対の電極の間隔は狭くなり、これら一対の電極間で、導電性接着剤が接触しショートを発生しやすくなる。

これは、電子部品の搭載時において、電子部品とセラミック基板との間の毛管現象によって、導電性接着剤中の導電フィラーがブリード成分（樹脂成分）とともに、電子部品の下部にて広がり、セラミック基板の一面における一対のランド間にはみ出してくるためである。たとえば、矩形部位が１６０８サイズ以下の電子部品では、上記のショートが特に懸念される。

また、セラミック基板とモールド樹脂との熱膨張係数が異なることから、モールドパッケージの形成後に発生する応力によって、セラミック基板とモールド樹脂とが剥がれる不具合を起こすという懸念がある。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、一対の電極を有する電子部品を、導電性接着剤を介してセラミック基板の一面上に搭載し、これらをモールド樹脂で封止してなるモールドパッケージにおいて、電子部品の一対の電極間における導電性接着剤の接触によるショートの抑制、および、セラミック基板とモールド樹脂との剥離の抑制を両立させることを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１、請求項２に記載の発明は、セラミック基板（１０）の一面（１１）のうち一対のランド（１２）の間に位置する部位に、一対のランド（１２）間にはみ出してくる導電性接着剤（３０）を吸収する第１の溝（１３）を設け、セラミック基板（１０）の一面（１１）のうち電子部品（２０）が搭載される領域の外側に位置する部位に、モールド樹脂（４０）と噛み合うことによりセラミック基板（１０）とモールド樹脂（４０）とのズレを抑える第２の溝（１４）を設けたことを特徴とする（後述の図１等参照）。

これら請求項１、請求項２に記載の発明によれば、第１の溝（１３）によって、一対のランド（１２）間にはみ出してくる導電性接着剤（３０）が吸収され、第２の溝（１４）によってセラミック基板（１０）とモールド樹脂（４０）とのズレが抑制されるため、一対の電極（２１）間における導電性接着剤（３０）の接触によるショートの抑制、および、セラミック基板（１０）とモールド樹脂（４０）との剥離の抑制を両立させることができる。

ここで、請求項１に記載の発明では、さらに、第２の溝（１４）は、その片方の側面（１４ａ）が当該第２の溝（１４）が設けられているセラミック基板（１０）の一面（１１）に垂直な面となっている断面レの字形状をなすものであることを特徴とする（後述の図３等参照）。

それによれば、当該垂直な片方の側面（１４ａ）は、モールド樹脂（４０）の封止後に発生する剥離応力の方向に対して垂直になるため、モールド樹脂（４０）の剥離防止の点で好ましい。

ここで、第２の溝（１４）が互いに離れて平行に延びる一対のものとして配置されたものである場合、これら一対の第２の溝（１４）のそれぞれにおける外側に位置する側面（１４ａ）を上記の垂直な面とすれば（後述の図５参照）、モールド樹脂（４０）の封止後に発生する剥離応力のうち樹脂の膨張・収縮の両方向に対して垂直な面が、一対の第２の溝（１４）に形成されることになるため、好ましい。

さらに、この場合、セラミック基板（１０）の一面（１１）のうち一対の第２の溝（１４）の間に位置する部位よりも、一対の第２の溝（１４）の外側に位置する部位の方が突出していることが好ましい（後述の図７参照）。

それによれば、上記の垂直な面としての側面（１４ａ）の面積を減少させることなく、一対の第２の溝（１４）の間のモールド樹脂（４０）の厚さを増加させることで、当該一対の第２の溝（１４）に食い込んだモールド樹脂（４０）の根元部分の強度を向上することができる。

また、請求項２に記載の発明では、さらに、第２の溝（１４）は断面Ｖ字形状をなすものであって、その片方の側面（１４ａ）と当該第２の溝（１４）が設けられているセラミック基板（１０）の一面（１１）とのなす角度（θ）が９０°よりも小さいものであることを特徴とする（後述の図８参照）。

この場合も、当該角度（θ）の関係を有する片方の側面（１４ａ）は、モールド樹脂（４０）の封止後に発生する応力に対して、モールド樹脂（４０）のズレ防止作用を発揮するため、モールド樹脂（４０）の剥離防止の点で好ましい。

また、一対のランド（１２）において、これら一対のランド（１２）を隔てる方向とは直交する方向に沿った個々のランドの長さを、ランド長（Ｌ２）とし、このランド長（Ｌ２）の方向に沿った電子部品（２０）の長さを、部品長（Ｌ１）としたとき、一対のランド（１２）の個々のランドは、そのランド長（Ｌ２）が部品長（Ｌ１）よりも大きく、ランド長（Ｌ２）の方向における電子部品（２０）の両端部からはみ出しているものにできる（後述の図９等参照）。

また、この場合、第１の溝（１３）を、一対のランド（１２）の間にてランド長（Ｌ２）の方向に沿って延びるように配置するが、このとき、第１の溝（１３）の長さを、部品長（Ｌ１）よりも大きいものとすることにより、第１の溝（１３）を、ランド長（Ｌ２）の方向における電子部品（２０）の端部からはみ出させるようにしてもよい（後述の図９参照）。

それによれば、第１の溝（１３）を介して導電性接着剤（３０）を多く排出するうえで好ましい。

さらに、第１の溝（１３）を、ランド長（Ｌ２）の方向における電子部品（２０）の両端部からはみ出させれば（後述の図９参照）、第１の溝（１３）がランド長（Ｌ２）の方向における電子部品（２０）の片方の端部のみからはみ出している場合に比べて、第１の溝（１３）を介した導電性接着剤（３０）の排出スペースが多くなり、当該排出量の増加が見込まれる。

また、第１の溝（１３）の長さを、ランド長（Ｌ２）よりも長いものとしてもよい（後述の図１０参照）。それによれば、第１の溝（１３）を介して導電性接着剤（３０）を排出するうえで、さらなる排出量の増加が期待される。

さらに、この場合、第１の溝（１３）のうち一対のランド（１２）の間よりも外側にはみ出している部分を、分岐させるか、もしくは、曲げてもよい（後述の図１０参照）。それによれば、第１の溝（１３）のうち当該はみ出している部分が、セラミック基板（１０）上の他のランドや配線などに干渉するのを防止しやすくできる。

また、セラミック基板（１０）を、複数の層（１０ａ〜１０ｆ）を積層してなる積層基板として構成してもよく、この場合、第１の溝（１３）および第２の溝（１４）は、複数の層（１０ａ〜１０ｆ）のうちセラミック基板（１０）の一面（１１）側から数えて第１番目の層（１０ａ）に形成することが好ましい。

そして、この場合、複数の層（１０ａ〜１０ｆ）のうちセラミック基板（１０）の一面（１１）側から数えて第２番目の層（１０ｂ）において、第２の溝（１４）の直下に位置する部位に、第２の溝（１４）と連通するビアホール（１６）を形成してもよい（後述の図１１参照）。それによれば、第２の溝（１４）の深さを実質的に深くでき、モールド樹脂（４０）の剥離防止の点で好ましい。

また、第１の溝（１３）および第２の溝（１４）を、上記積層基板における第１番目の層（１０ａ）に形成した場合、第１の溝（１３）および第２の溝（１４）の深さを、第１番目の層（１０ａ）の厚さ未満とすることが好ましい（後述の図１２参照）。セラミック基板（１０）が積層基板である場合、内層パターンとの絶縁性確保の点では、第１の溝（１３）および第２の溝（１４）の深さはこのようにすることが好ましい。

また、第１の溝（１３）または第２の溝（１４）を構成する溝（Ｍ）を、セラミック基板（１０）の一面（１１）において或る１つの仮想直線（Ｋ）上に位置させた構成では、当該１つの仮想直線（Ｋ）上に位置する溝（Ｍ）の長さを、当該１つの仮想直線（Ｋ）に沿ったセラミック基板（１０）の長さ（Ｌ３）の１／２以下とすることが好ましい（後述の図１３参照）。このことは、セラミック基板（１０）の強度の低下を抑制するうえで好ましい。

また、第１の溝（１３）および第２の溝（１４）を構成する溝（Ｍ）を、セラミック基板（１０）の一面（１１）において第１の方向（ｘ）に沿って延びるように形成した場合、さらに、第１の方向（ｘ）と直交する第２の方向（ｙ）に沿って延びる溝（Ｍ’）を形成するのがよい（後述の図１４参照）。セラミック基板（１０）の焼成時の収縮ばらつきを考慮すれば、このようにするのが好ましい。

さらに、第１の方向（ｘ）に沿って延びる溝（Ｍ）のトータルの長さと第２の方向（ｙ）に沿って延びる溝（Ｍ’）のトータルの長さとを、同じとすれば、上記収縮ばらつきを均一化させるためには好ましい。さらに、第１の方向（ｘ）に沿って延びる溝（Ｍ）と第２の方向（ｙ）に沿って延びる溝（Ｍ’）とで、個々の溝の形状および長さを同じとすることが好ましい。

また、第２の溝（１４）は、１つの方向だけでなく、異なる２以上の方向に沿って設けられていてもよい。

また、セラミック基板（１０）が、当該セラミック基板（１０）に設けられた分割溝を介して分断することにより形成されるものである場合、この分割溝を形成する金型（２００）として、分割溝を形成する刃（２０１）と第１および第２の溝（１３、１４）を形成する刃（２０２）とを有するものを用い、分割溝を形成するときに分割溝と同時に、第１および第２の溝（１３、１４）を形成する、という製造方法を採用してもよい（後述の図２参照）。それによれば、第１および第２の溝（１３、１４）を分割溝と同時に形成することができる。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るモールドパッケージ１００の全体構成を示す概略断面図である。

このモールドパッケージ１００は、大きくは、セラミック基板１０と、セラミック基板１０の一面１１に搭載され一対の電極２１を有する電子部品２０と、セラミック基板１０の一面１１のうち一対の電極２１に対応した部位に設けられた一対のランド１２と、一対の電極２１と一対のランド１２とを電気的に接続する導電性接着剤３０と、電子部品２０およびセラミック基板１０を封止するモールド樹脂４０とを備えている。

セラミック基板１０は、単層基板でも積層基板でもよいが、本実施形態では、アルミナなどのセラミックよりなる複数の層１０ａ〜１０ｆを積層してなる積層基板として構成されている。ここで、図１においては、セラミック基板１０における内層配線は省略してある。

このような積層基板は、各グリーンシートに配線となる導体層を形成した後、各グリーンシートを積層し、焼成し、しかる後、分割溝を介して分断するという一般的な方法により形成される。ここで、分割溝は、焼成前のセラミック基板１０の一面１１に対して、すなわち、グリーンシートの段階における最表層に対して、金型によるプレス成形を行うことにより形成される。

このセラミック基板１０の一面１１とは、最表層を構成する層１０ａの表面であり、この一面１１には、電子部品２０が搭載されている。この電子部品２０は、一対の電極２１を有する表面実装部品であればよく、たとえばコンデンサ、抵抗素子、フリップチップなどが挙げられる。

ここでは、電子部品２０は矩形ブロック状をなすコンデンサであり、その両端部にそれぞれ電極２１を有し、この両端部の電極２１が互いに独立した一対の電極２１を構成している。そして、セラミック基板１０の一面のうちこの一対の電極２１に対向する部位には、一対のランド１２が設けられている。

このランド１２は、たとえばＣｕやＡｇなどよりなるもので、これらのペーストやメッキなどにより形成されたものである。そして、導電性接着剤３０は、個々の電極２１とランド１２との間に介在しており、これらの間を電気的に接続している。この導電性接着剤３０は、一般的なものでＡｇやＣｕなどの導電フィラーを含有した樹脂により構成され、塗布して硬化させることにより接続の用をなすものである。

モールド樹脂４０は、半導体装置などの分野で一般に用いられるモールド材料であり、エポキシ樹脂などよりなる。このモールド樹脂４０は、一般的な成形型を用いたトランスファーモールド法などにより成型されるものである。

ここにおいて、本実施形態のモールドパッケージ１００では、セラミック基板１０の一面１１のうち一対のランド１２の間に位置する部位には、一対のランド１２間にはみ出してくる導電性接着剤３０を吸収する第１の溝１３が設けられている。

また、セラミック基板１０の一面１１のうち電子部品２０が搭載される領域の外側に位置する部位、つまり、一対のランド１２の外側の部位には、モールド樹脂４０と噛み合うことによりセラミック基板１０とモールド樹脂４０とのズレを抑える第２の溝１４が設けられている。

図１に示される例では、これら第１の溝１３および第２の溝１４は、断面が略Ｖ字形状をなすとともに図１中の紙面垂直方向に延びる溝である。第１の溝１３および第２の溝１４はそれぞれ１個ずつでもよいが、ここでは複数個設けられており、これらは、互いに離れて平行に配置されている。

そして、これら第１の溝１３および第２の溝１４は、上記最表層１０ａすなわち、セラミック基板１０を構成する複数の層１０ａ〜１０ｆのうちセラミック基板１０の一面１１側から数えて第１番目の層１０ａに形成されている。

なお、このモールドパッケージ１００においては、モールド樹脂４０には図示しないリードフレームが封止されており、モールド樹脂４０の内部にてボンディングワイヤなどにより、セラミック基板１０と当該リードフレームとが電気的に接続されている。そして、セラミック基板１０および電子部品２０と外部との電気的なやりとりは、このリードフレームのアウターリードを介して行われるようになっている。

次に、本実施形態に係るモールドパッケージ１００の製造方法について述べる。まず、セラミック基板１０を形成する。このセラミック基板１０は、上述したように、グリーンシートを積層し、焼成、分割することにより形成するが、焼成前のグリーンシートの段階で金型を用いて分割溝を形成する。

この分割溝の形成は、通常は、分割溝に対応した形状を有する刃を備えた金型を、焼成前のセラミック基板１０の一面１１すなわち最表層１０ａとなるグリーンシートの表面に押しつけることにより、行う。ここで、図２は、本実施形態の製造方法において用いる分割溝形成用の金型２００の概略断面図である。

図２に示されるように、本実施形態の金型２００は、通常のものと同様に、分割溝を形成する刃２０１を備えているが、さらに、第１の溝１３および第２の溝１４を形成する刃２０２を備えている。そして、本実施形態では、分割溝を形成するときに、この金型２００を、最表層１０ａとなるグリーンシートに押しつけることにより、分割溝と同時に第１および第２の溝１３、１４を形成する。

その後は、従来と同様に焼成を行い、この焼成されたものを分割溝に沿って分割することにより、本実施形態のセラミック基板１０ができあがる。続いて、このセラミック基板１０の一面１１において、各ランド１２上に導電性接着剤３０を印刷法などを用いて配設する。

そして、セラミック基板１０の一面１１上に電子部品２０を搭載するとともに、電極２１とランド１２とを位置あわせし、これら両者１２、２１を、導電性接着剤３０を介して接触させる。そして、この状態で、導電性接着剤３０を加熱などにより硬化させることで、当該導電性接着剤３０による接着がなされる。

その後は、この電子部品２０が搭載されたセラミック基板１０を、成形型に投入し、モールド樹脂４０による封止を行う。こうして、図１に示されるような本実施形態のモールドパッケージ１００ができあがる。以上が本実施形態の製造方法である。

ところで、上記製造方法においては、セラミック基板１０の一面１１上に導電性接着剤３０を配設した後、これを硬化させるまでの間には、導電性接着剤３０が一対のランド１２間にはみ出してくる。しかし、本実施形態によれば、一対のランド１２間に存在する第１の溝１３によって、当該はみ出してくる導電性接着剤３０が吸収される。

上記図１には、この第１の溝１３に入り込んで吸収された導電性接着剤３０が示されている。このように導電性接着剤３０が第１の溝１３に溜められることで、ランド１２間における導電性接着剤３０の接触が抑制される。

また、上記製造方法においてモールド樹脂４０の封止後は、高温のモールド樹脂４０が冷却されるため、モールド樹脂４０とセラミック基板１０の一面１１との界面に剥離応力が発生する。しかし、本実施形態によれば、モールド樹脂４０は、第２の溝１４に食い込んだ状態となっているため、セラミック基板１０とモールド樹脂４０とのズレが抑制される。

こうして、本実施形態のモールドパッケージ１００によれば、電子部品２０の一対の電極２１間における導電性接着剤３０の接触によるショートを抑制し、且つ、セラミック基板１０とモールド樹脂４０との剥離を抑制することができる。

また、本実施形態では、上記図１に示されるように、モールド樹脂４０は、第１の溝１３と電子部品２０との間にも入り込んで充填されており、この部位にてモールド樹脂４０は第１の溝１３に食い込んだ状態となっている。つまり、本実施形態では、第１の溝１３は、一対のランド１２間における導電性接着剤３０の吸収だけでなく、モールド樹脂４０と噛み合って当該モールド樹脂４０の剥離を防止する機能、すなわち第２の溝としての機能も果たしている。

また、本実施形態の製造方法によれば、分割溝形成用の刃２０１と第１および第２の溝形成用の刃２０２とを有する金型２００を用いて、分割溝と同時に第１および第２の溝１３、１４を形成できる。

ここで、モールド樹脂４０とセラミック基板１０との密着性を向上させ樹脂剥離を抑制する手段としては、基板１０の表面をサンドブラスト法で荒らすことが考えられるが、そのためにサンドブラストを行う必要があり、基板製造工程が増加することになる。それに対して、分割溝と同時に第１および第２の溝１３、１４を形成する本実施形態の製造方法によれば、工程数の増加の抑制、ひいてはコストアップの抑制が可能となる。

ここで、本実施形態のモールドパッケージ１００における第２の溝１４の形状について、さらに述べる。図３は、上記図１中に示される第２の溝１４の断面形状を拡大して示す図である。

図３に示されるように、本実施形態の第２の溝１４においては、その片方の側面１４ａが当該第２の溝１４が設けられているセラミック基板１０の一面１１に垂直な面となっており、第２の溝１４は全体として断面レの字形状をなしている。

また、図４は、モールド樹脂４０の剥離メカニズムを示す概略断面図である。モールド樹脂４０の形成後は、図４（ａ）に示されるように、セラミック基板１０とモールド樹脂４０とは密着しているが、高温から冷却されると熱ストレスが印加され、剥離応力が発生する。

この封止後に発生する剥離応力は、主として、温度の低下によりモールド樹脂４０が収縮する方向に加わるものである。つまり、当該剥離応力の方向は、図４（ｂ）中の矢印に示されるように、セラミック基板１０の一面１１に対して平行な方向、すなわち、せん断方向であり、モールド樹脂４０は同方向に多く収縮する。そして、この収縮により、図４（ｃ）に示されるように、モールド樹脂４０の剥離が発生する。

図５は、上記図３に示される断面レの字形状をなす第２の溝１４が、このようなメカニズムによる樹脂剥離に果たす作用効果を説明するための概略断面図であり、（ａ）は上記垂直な側面１４ａを持たない断面Ｖ字形状の第２の溝１４、（ｂ）は上記垂直な側面１４ａを有する断面レの字形状をなす第２の溝１４、をそれぞれ示す。

図５（ａ）のような形状の第２の溝１４であっても、当該第２の溝１４を持たない従来のモールドパッケージに比べれば、樹脂剥離を抑制する効果は大きい。しかし、剥離応力が大きくなると、図５（ａ）に示されるように、モールド樹脂４０の剥離が発生する恐れがある。

それに対して、図５（ｂ）のような断面レの字形状をなす第２の溝１４であれば、垂直な片方の側面１４ａは、剥離応力の方向に対して垂直になるため、図５（ａ）に示されるものに比べて、収縮しようとするモールド樹脂４０を側面１４ａで確実に受け止めることができる。それゆえ、モールド樹脂４０の剥離が発生しにくいものとなる。

また、図６は、上記図１中に示される２個の第２の溝１４の断面形状を拡大して示す図である。上述したように、本実施形態のモールドパッケージ１００においては、複数個の第２の溝１４は互いに離れて平行に延びている。

そして、図６に示されるように、これら複数個の第２の溝１４のうちの一対の第２の溝１４を見た場合、それぞれにおける外側に位置する側面１４ａが、セラミック基板１０の一面１１に垂直な面となっている構成が存在する。

これは、モールド樹脂４０の封止後において、常温に対して冷却する場合は、セラミックよりも熱膨張係数が大きいモールド樹脂４０がよく縮むが、逆に、パッケージ１００の使用時などにおいて、加熱する場合は、熱膨張係数が大きいモールド樹脂４０がよく伸びることを、考慮したものである。

つまり、この構成の場合、図６中の左右方向の一方がモールド樹脂４０の収縮方向となり、他方が膨張方向となるため、一対の第２の溝１４において一方の第２の溝１４の側面１４ａが、収縮しようとするモールド樹脂４０を受け止め、他方の第２の溝１４の側面１４ａが、膨張しようとするモールド樹脂４０を受け止めるものとなる。そのため、本構成は、モールド樹脂４０の剥離防止の点で好ましい。

（第２実施形態）
図７は、本発明の第２実施形態に係るモールドパッケージの要部の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記図６に示される一対の第２の溝１４の構成を一部変形したものである。

図７に示されるように、本実施形態においても、それぞれ垂直な側面１４ａを有する一対の第２の溝１４が構成されている。さらに、本実施形態では、セラミック基板１０の一面１１のうち一対の第２の溝１４の間に位置する部位よりも、一対の第２の溝１４の外側に位置する部位の方が突出している。この構成は、上記図２に示した金型２００の形状を変えてやれば容易に形成できる。

逆に言えば、本実施形態では、セラミック基板１０の一面１１のうち一対の第２の溝１４の外側に位置する部位よりも、一対の第２の溝１４の間に位置する部位の方が引っ込んでいる。それゆえ、この引っ込んだ分、一対の第２の溝１４の間に位置するモールド樹脂４０の厚さが増加する。

モールド樹脂４０は第２の溝１４に食い込んでいることで剥離防止の効果を発揮するが、このことは、当該食い込み部分の根元部にそれだけ応力が加わるということである。その点、本実施形態によれば、一対の第２の溝１４の間に位置するモールド樹脂４０の厚さを増加させることで、当該根元部の強度の向上が図れる。

また、図７に示されるように、一対の第２の溝１４の間に位置する部位を引っ込ませても、上記垂直な面としての側面１４ａの面積は、上記図６のものに対して低減することはない。そのため、この側面１４ａによるモールド樹脂４０のズレ防止効果についても、低減することなく、むしろ上記根元部の強度向上によって、さらなる剥離防止効果の増大が期待される。

（第３実施形態）
図８は、本発明の第３実施形態に係るモールドパッケージの要部の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、第２の溝１４の構成を一部変形したものである。

上記各実施形態では、第２の溝１４における片方の側面１４ａをセラミック基板１０の一面１１に対して垂直な面としたが、ここでは、図８に示されるように、断面Ｖ字形状をなす第２の溝１４における片方の側面１４ａとセラミック基板１０の一面１１とのなす角度θを９０°よりも小さいものとしている。

このように第２の溝１４の側面１４ａを、セラミック基板１０の一面１１に対して鋭角に傾斜した面とすることにより、当該一面１１に平行な方向に沿って収縮しようとするモールド樹脂４０を受け止めたときに、モールド樹脂４０のズレがより生じにくくなる。そのため、本構成は、モールド樹脂４０の剥離防止の点で好ましい。

本実施形態の第２の溝１４も、上記同様に、分割溝１５を形成する金型２００として、分割溝１５を形成する刃２０１と第１および第２の溝１３、１４を形成する刃２０２とを有するものを用いて、分割溝１５と同時に形成される。

ただし、本実施形態の金型２００の場合、第２の溝１３、１４を形成する刃２０２としては、たとえば入れ子のようなものとすることで金型２００に対して出し入れが自在なスライド式の刃とする。なお、ここでは分割溝１５を形成する刃２０１もスライド式の刃となっているが、こちらの刃２０１については、上記図２のものと同様に、固定された刃であってもよい。

これにより、焼成前のセラミック基板１０の一面１１に金型２０２が到達した後に、刃２０１、２０２をセラミック基板１０側に突き出させ、第１および第２の溝１３、１４を形成する。そして、金型２００をセラミック基板１０から離す前に、刃２０１、２０２を再び金型２００内に引っ込ませる。

本実施形態では、第２の溝１４として、上記した鋭角な側面１４ａを持つものが形成されるが、このようなスライド式の刃２０２を有する金型２００とすることにより、当該刃２０２がセラミック基板１０に食い込んで離れなくなるのを防止し、適切な溝形成が可能となる。

（第４実施形態）
図９は、本発明の第４実施形態に係るモールドパッケージの要部の概略平面構成を示す図である。この図９は、上記図１における電子部品２０およびその近傍部を上方から見たものであり、第１の溝１３は太線にて示してある。本実施形態は特に第１の溝１３に係るものであり、上記各実施形態に適用が可能である。

図９に示されるように、一対のランド１２において、当該一対のランド１２を隔てる方向は、図中の左右方向であり一対のランド１２の配列方向である。そして、このランド１２の配列方向とは直交する方向（図９中の上下方向）に沿った個々のランド１２の長さを、ランド長Ｌ２とする。また、このランド長Ｌ２の方向に沿った電子部品２０の長さを部品長Ｌ１とする。

このとき、ランド長Ｌ２と部品長Ｌ１との大小関係については、特に限定するものではないが、図９に示される例においては、個々のランド１２のランド長Ｌ２は、このランド１２に接続されている電子部品２０の部品長Ｌ１よりも大きいものとなっている。そして、個々のランド１２は、ランド長Ｌ２の方向において電子部品２０の両端部からはみ出して配置されている。

そして、第１の溝１３は、一対のランド１２の間にてランド長Ｌ２の方向に沿って延びるように配置されている。この第１の溝１３の長さは、限定するものではないが、部品長Ｌ１よりも大きいものであることが望ましい。ここでは、第１の溝１３を部品長Ｌ１よりも長いものとし、ランド長Ｌ２の方向における電子部品２０の両端部からはみ出すように配置している。

上述したように、一対のランド１２間に存在する第１の溝１３は、はみ出してくる導電性接着剤３０を溜めて吸収するものである。そこで、第１の溝１３は長い方が、導電性接着剤３０を溜める量も多くなり、好ましい。本実施形態では、第１の溝１３を電子部品２０の両端部からはみ出させているため、導電性接着剤３０を電子部品２０の直下から外側に向かって誘導し、排出することができる。

なお、ここでは、第１の溝１３は電子部品２０の両端部からはみ出しているが、第１の溝１３は、ランド長Ｌ２の方向における電子部品２０のいずれか一方の端部のみからはみ出したものでもよい。しかし、第１の溝１３を電子部品２０の両端部からはみ出させた方が、導電性接着剤３０の排出スペースの増加ひいては排出量の増加が見込まれる。

（第５実施形態）
図１０は、本発明の第５実施形態に係るモールドパッケージの要部の概略平面構成を示す図である。本実施形態は、上記第４実施形態を変形したものであり、上記各実施形態に適用が可能である。

図１０に示されるように、本実施形態では、第１の溝１３をランド長Ｌ２よりも長いものとし、ランド長Ｌ２の方向において電子部品２０の両端部さらにはランド１２の外側にまで延長している。それによれば、上記第４実施形態に比べて、導電性接着剤３０の排出量をより多くすることが可能となる。

さらに、第１の溝１３のうち一対のランド１２の間よりも外側にはみ出している部分をそのまま、真っ直ぐ延ばしてもよいが、その場合、この第１の溝１３のはみ出し部分が、他のランド部やセラミック基板１０上の他の配線などに干渉しやすくなる。

その点を考慮して、図１０では、この第１の溝１３のはみ出し部分を分岐させたり、曲げたりした構成としている。それによれば、上記した干渉を極力抑制しつつ、溝長さを稼ぐことができる。

（第６実施形態）
図１１は、本発明の第６実施形態に係るモールドパッケージ１０１の全体構成を示す概略断面図である。なお、図１１では、モールド樹脂は省略されているが、本モールドパッケージ１０１においても上記図１のパッケージと同様に、上記モールド樹脂４０による封止がなされている。

図１１に示されるように、本実施形態においても、上述したように、セラミック基板１０は複数の層１０ａ〜１０ｆを積層してなる積層基板として構成されており、第１の溝１３および第２の溝１４は、複数の層１０ａ〜１０ｆのうちセラミック基板１０の一面１１側から数えて第１番目の層１０ａに形成されている。

ここで、本実施形態では、複数の層１０ａ〜１０ｆのうちセラミック基板１０の一面１１側から数えて第２番目の層１０ｂにおいて、第２の溝１４の直下に位置する部位に、第２の溝１４と連通するビアホール１６が形成されている。このビアホール１６は、この種のセラミック積層基板における一般的なものと同様である。

本実施形態によれば、第２の溝１４の実質的な深さは、その直下のビアホールの深さを加えたものとなり、実質的な深さを大きくできるため、モールド樹脂４０の剥離防止の点で好ましい。なお、本実施形態は上記各実施形態においてビアホール１６を追加すればよく、上記第１から第５の各実施形態との組み合わせが可能である。

（第７実施形態）
図１２は、本発明の第７実施形態に係るモールドパッケージ１０２の全体構成を示す概略断面図である。なお、図１２では、モールド樹脂は省略されているが、本モールドパッケージ１０２においても上記図１のパッケージと同様に、上記モールド樹脂４０による封止がなされている。

本実施形態のようにセラミック基板１０が積層基板である場合、基板の内部には、通常、図示しない内層配線が設けられている。第１番目の層１０ａに第１の溝１３および第２の溝１４が形成されている場合、これら溝の先端にクラックが入り当該内層配線の絶縁性の確保が困難となる可能性がある。

そこで、本実施形態では、第１の溝１３および第２の溝１４の深さｄを、第１番目の層１０ａの厚さ未満とすることで、そのような可能性を極力低減している。なお、本実施形態は、上記第６実施形態を除く上記各実施形態との組合せが可能である。

（第８実施形態）
図１３は、本発明の第８実施形態に係るモールドパッケージの要部を示す概略平面図であり、セラミック基板１０の一面１１における上記溝１３および１４の配置パターンの一例を示している。図１３では、上記第１の溝１３および第２の溝１４の違いは区別せず、単に溝Ｍとして示してある。

図１３に示されるように、第１の溝１３または第２の溝１４を構成する溝Ｍが、セラミック基板１０の一面１１において或る１つの仮想直線Ｋ（図１３中、破線に図示）上に位置している。図１３では、１つの仮想直線Ｋ上に、長さＬ４の溝Ｍと長さＬ５の溝Ｍとの２個が位置している。

この場合、１つの仮想直線Ｋ上に位置する溝Ｍの長さは、２個の溝Ｍ、Ｍの合計長さ（Ｌ４＋Ｌ５）である。そして、本実施形態では、この合計長さ（Ｌ４＋Ｌ５）を、当該１つの仮想直線Ｋに沿ったセラミック基板１０の長さＬ３の１／２以下としている。

１つの仮想直線Ｋ上に位置する溝Ｍの長さが、大きすぎると、セラミック基板１０の機械的強度が低下する。その点を考慮して、１つの仮想直線Ｋ上に位置する溝Ｍの長さは、上記基板１０の長さＬ３の１／２以下であることが望ましい。

なお、１つの仮想直線上に、第１の溝または第２の溝を構成する溝Ｍが３個以上、位置する場合、１つの仮想直線上に位置する溝の長さは、これら３個以上の溝の長さをすべて足し合わせた長さである。また、１つの仮想直線上に溝Ｍが１個のみ位置する場合は、当該１個の溝Ｍの長さである。

また、１つの仮想直線上に溝Ｍが複数個位置する場合には、当該複数個の溝Ｍは第１の溝１３のみであってもよいし、第２の溝１４のみであってもよいし、第１の溝１３と第２の溝１４とが混ざっていてもよい。そして、本実施形態に係る溝Ｍの配置構成は、上記した各実施形態と組み合わせて適用してもよい。

（第９実施形態）
図１４は、本発明の第９実施形態に係るモールドパッケージの要部を示す概略平面図であり、セラミック基板１０の一面１１における上記溝１３および１４の配置パターンの一例を示している。ここでも、上記図１３と同様に、上記第１の溝１３および第２の溝１４の違いは区別せず、単に上記第１の溝１３または第２の溝１４を構成する溝Ｍとして、図１４に示してある。

図１４に示されるように、第１の溝１３または第２の溝１４を構成する溝Ｍは、セラミック基板１０の一面１１において第１の方向ｘに沿って延びるように形成されている。さらに、セラミック基板１０の一面１１には、第１の方向ｘと直交する第２の方向ｙに沿って延びる溝Ｍ’が形成されている。

この場合、第２の方向ｙに沿って延びる溝Ｍ’は、第１の溝１３としての機能を有する溝でもよいし、第２の溝１４としての機能を有する溝でもよいし、これら第１および第２の溝１３、１４のいずれの機能を持たない溝でもよい。この溝Ｍ、Ｍ’は、上記金型２００において溝Ｍ’用の刃を設けることにより、形成できる。

上述したように、セラミック基板１０は、溝１３、１４すなわち溝Ｍを形成した後に、焼成するものである。一般に、セラミック基板上の溝の存在は、基板焼成時の収縮量に影響を与える。そのため、１つの方向のみに溝Ｍが形成されている場合、この焼成による基板の収縮ばらつきが大きくなる恐れがある。

その点、図１４に示されるように、第１の方向ｘに溝Ｍを形成するだけでなく、これと直交する第２の方向ｙにも溝Ｍ’を形成することにより、焼成時のセラミック基板１０の収縮ばらつきを低減することができる。

また、この場合、第１の方向ｘに沿って延びる溝Ｍのトータルの長さと第２の方向ｙに沿って延びる溝Ｍ’のトータルの長さとを同一とすれば、好ましく、さらに、両方向ｘ、ｙの溝ＭとＭ’とで、個々の溝の形状および長さを同一にすれば、より好ましいことは明らかである。

また、図１４において、溝Ｍ、Ｍ’とセラミック基板１０の端部との距離Ｌ６は、１ｍｍ以上とすることが望ましい。これは、セラミック基板１０が割れ易くなるのを回避するためである。

また、第２の溝１４については、多く形成するほど樹脂剥がれに効果があるが、同じ長さを形成するならば、分割した方が望ましい。これも、セラミック基板１０が割れにくくするためである。なお、本実施形態に係る溝Ｍ、Ｍ’の配置構成は、上記した各実施形態と組み合わせて適用してもよい。

（他の実施形態）
なお、上記した各図では、第１および第２の溝１３、１４の平面形状は、直線状に延びるものであったが、曲線状に曲がりくねったものであってもよい。

また、第２の溝１４は、上記図１４に示した例以外にも、異なる２以上の方向に形成されたものであってもよい。上記図１４では、第２の溝１４を、互いに直交するｘ、ｙ方向に形成することが考えられるが、それ以外にも、ｘ、ｙ方向と交差する種々の方向の中から異なる２以上の方向に沿った形で、第２の溝１４を形成してもよい。

また、電子部品は一対の電極を有するものであるが、この一対の電極とは、電子部品の電極が２個だけであることを意味するものではない。つまり、電子部品は３個以上の電極を持っていてもよく、その場合、これら３個以上の複数個の電極のうちの２個の電極を、一対の電極とする場合も含むものである。また、この電極と同じことが、セラミック基板の一対のランドに対しても言える。

本発明の第１実施形態に係るモールドパッケージの全体概略断面図である。 上記第１実施形態の製造方法において用いる金型の概略断面図である。 上記図１中に示される第２の溝の拡大図である。 モールド樹脂の剥離メカニズムを示す概略断面図である。 上記図３に示される第２の溝の作用効果を説明するための概略断面図である。 上記図１中に示される２個の第２の溝の拡大図である。 本発明の第２実施形態に係るモールドパッケージの要部の概略断面図である。 本発明の第３実施形態に係るモールドパッケージの要部の概略断面図である。 本発明の第４実施形態に係るモールドパッケージの要部の概略平面図である。 本発明の第５実施形態に係るモールドパッケージの要部の概略平面図である。 本発明の第６実施形態に係るモールドパッケージの全体概略断面図である。 本発明の第７実施形態に係るモールドパッケージの全体概略断面図である。 本発明の第８実施形態に係るモールドパッケージの要部の概略平面図である。 本発明の第９実施形態に係るモールドパッケージの要部の概略平面図である。

符号の説明

１０…セラミック基板、１０ａ〜１０ｆ…セラミック基板の複数の層、
１０ａ…第１番目の層、１０ｂ…第２番目の層、１１…セラミック基板の一面、
１２…一対のランド、１３…第１の溝、１４…第２の溝、
１４ａ…第２の溝の片方の側面、１５…分割溝、１６…ビアホール、
２０…電子部品、２１…電子部品の一対の電極、３０…導電性接着剤、
４０…モールド樹脂、２００…金型、２０１…分割溝を形成する刃、
２０２…第１および第２の溝を形成する刃、Ｋ…仮想直線、Ｌ１…部品長、
Ｌ２…ランド長、Ｌ３…仮想直線に沿ったセラミック基板の長さ、
Ｍ…第１の溝または第２の溝を構成する溝、Ｍ’…第２の方向に沿って延びる溝、
ｘ…第１の方向、ｙ…第２の方向、
θ…第２の溝の片方の側面とセラミック基板の一面とのなす角度。

Claims (17)

1. セラミック基板（１０）と、
   前記セラミック基板（１０）の一面（１１）に搭載され、一対の電極（２１）を有する電子部品（２０）と、
   前記セラミック基板（１０）の前記一面（１１）のうち前記一対の電極（２１）に対応した部位に設けられた一対のランド（１２）と、を備え、
   前記一対の電極（２１）と前記一対のランド（１２）とは導電性接着剤（３０）を介して電気的に接続されるとともに、前記電子部品（２０）および前記セラミック基板（１０）はモールド樹脂（４０）により封止されてなるモールドパッケージにおいて、
   前記セラミック基板（１０）の前記一面（１１）のうち前記一対のランド（１２）の間に位置する部位には、前記一対のランド（１２）間にはみ出してくる前記導電性接着剤（３０）を吸収する第１の溝（１３）が設けられており、
   前記セラミック基板（１０）の前記一面（１１）のうち前記電子部品（２０）が搭載される領域の外側に位置する部位には、前記モールド樹脂（４０）と噛み合うことにより前記セラミック基板（１０）と前記モールド樹脂（４０）とのズレを抑える第２の溝（１４）が設けられており、
   前記第２の溝（１４）は、その片方の側面（１４ａ）が当該第２の溝（１４）が設けられている前記セラミック基板（１０）の前記一面（１１）に垂直な面となっている断面レの字形状をなすものであることを特徴とするモールドパッケージ。
2. 前記第２の溝（１４）は、互いに離れて平行に延びる一対のものとして配置されており、
   これら一対の第２の溝（１４）のそれぞれにおける外側に位置する側面（１４ａ）が前記垂直な面となっていることを特徴とする請求項１に記載のモールドパッケージ。
3. 前記セラミック基板（１０）の前記一面（１１）のうち前記一対の第２の溝（１４）の間に位置する部位よりも、前記一対の第２の溝（１４）の外側に位置する部位の方が突出していることを特徴とする請求項２に記載のモールドパッケージ。
4. セラミック基板（１０）と、
   前記セラミック基板（１０）の一面（１１）に搭載され、一対の電極（２１）を有する電子部品（２０）と、
   前記セラミック基板（１０）の前記一面（１１）のうち前記一対の電極（２１）に対応した部位に設けられた一対のランド（１２）と、を備え、
   前記一対の電極（２１）と前記一対のランド（１２）とは導電性接着剤（３０）を介して電気的に接続されるとともに、前記電子部品（２０）および前記セラミック基板（１０）はモールド樹脂（４０）により封止されてなるモールドパッケージにおいて、
   前記セラミック基板（１０）の前記一面（１１）のうち前記一対のランド（１２）の間に位置する部位には、前記一対のランド（１２）間にはみ出してくる前記導電性接着剤（３０）を吸収する第１の溝（１３）が設けられており、
   前記セラミック基板（１０）の前記一面（１１）のうち前記電子部品（２０）が搭載される領域の外側に位置する部位には、前記モールド樹脂（４０）と噛み合うことにより前記セラミック基板（１０）と前記モールド樹脂（４０）とのズレを抑える第２の溝（１４）が設けられており、
   前記第２の溝（１４）は、断面Ｖ字形状をなすものであって、その片方の側面（１４ａ）と当該第２の溝（１４）が設けられている前記セラミック基板（１０）の前記一面（１１）とのなす角度（θ）が９０°よりも小さいものであることを特徴とするモールドパッケージ。
5. 前記一対のランド（１２）において、これら一対のランド（１２）を隔てる方向とは直交する方向に沿った個々のランドの長さを、ランド長（Ｌ２）とし、
   このランド長（Ｌ２）の方向に沿った前記電子部品（２０）の長さを、部品長（Ｌ１）としたとき、
   前記第１の溝（１３）は、前記一対のランド（１２）の間にて前記ランド長（Ｌ２）の方向に沿って延びるように配置されており、
   前記第１の溝（１３）の長さを、前記部品長（Ｌ１）よりも大きいものとすることにより、前記第１の溝（１３）は、前記ランド長（Ｌ２）の方向における前記電子部品（２０）の端部からはみ出していることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。
6. 前記第１の溝（１３）は、前記ランド長（Ｌ２）の方向における前記電子部品（２０）の両端部からはみ出していることを特徴とする請求項５に記載のモールドパッケージ。
7. 前記第１の溝（１３）の長さは、前記ランド長（Ｌ２）よりも長いものであることを特徴とする請求項５または６に記載のモールドパッケージ。
8. 前記第１の溝（１３）のうち前記一対のランド（１２）の間よりも外側にはみ出している部分は、分岐しているかもしくは曲がっていることを特徴とする請求項７に記載のモールドパッケージ。
9. 前記一対のランド（１２）の個々のランドは、その前記ランド長（Ｌ２）が前記部品長（Ｌ１）よりも大きく、前記ランド長（Ｌ２）の方向における前記電子部品（２０）の両端部からはみ出しているものであることを特徴とする請求項５ないし８のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。
10. 前記セラミック基板（１０）は複数の層（１０ａ〜１０ｆ）を積層してなる積層基板として構成されており、
    前記第１の溝（１３）および前記第２の溝（１４）は、前記複数の層（１０ａ〜１０ｆ）のうち前記セラミック基板（１０）の前記一面（１１）側から数えて第１番目の層（１０ａ）に形成されており、
    前記複数の層（１０ａ〜１０ｆ）のうち前記セラミック基板（１０）の前記一面（１１）側から数えて第２番目の層（１０ｂ）においては、前記第２の溝（１４）の直下に位置する部位に、前記第２の溝（１４）と連通するビアホール（１６）が形成されていることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。
11. 前記セラミック基板（１０）は複数の層（１０ａ〜１０ｆ）を積層してなる積層基板として構成されており、
    前記第１の溝（１３）および前記第２の溝（１４）は、前記複数の層（１０ａ〜１０ｆ）のうち前記セラミック基板（１０）の前記一面（１１）側から数えて第１番目の層（１０ａ）に形成されており、
    前記第１の溝（１３）および前記第２の溝（１４）の深さは、前記第１番目の層（１０ａ）の厚さ未満であることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。
12. 前記第１の溝（１３）または前記第２の溝（１４）を構成する溝（Ｍ）が、前記セラミック基板（１０）の前記一面（１１）において或る１つの仮想直線（Ｋ）上に位置しており、
    前記１つの仮想直線（Ｋ）上に位置する前記溝（Ｍ）の長さは、当該１つの仮想直線（Ｋ）に沿った前記セラミック基板（１０）の長さ（Ｌ３）の１／２以下であることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。
13. 前記第１の溝（１３）および前記第２の溝（１４）を構成する溝（Ｍ）は、前記セラミック基板（１０）の前記一面（１１）において第１の方向（ｘ）に沿って延びるように形成されており、
    さらに、前記第１の方向（ｘ）と直交する第２の方向（ｙ）に沿って延びる溝（Ｍ’）が形成されていることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。
14. 前記第１の方向（ｘ）に沿って延びる溝（Ｍ）のトータルの長さと前記第２の方向（ｙ）に沿って延びる溝（Ｍ’）のトータルの長さとが、同じであることを特徴とする請求項１３に記載のモールドパッケージ。
15. 前記第１の方向（ｘ）に沿って延びる溝（Ｍ）と前記第２の方向（ｙ）に沿って延びる溝（Ｍ’）とでは、個々の溝の形状および長さが同じであることを特徴とする請求項１４に記載のモールドパッケージ。
16. 前記第２の溝（１４）は、異なる２以上の方向に沿って設けられていることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれか１つに記載のモールドパッケージ。
17. 請求項１ないし１６のいずれか１つに記載のモールドパッケージを製造する製造方法であって、
    前記セラミック基板（１０）は、当該セラミック基板（１０）の前記一面（１１）に設けられた分割溝を介して分断することにより形成されるものであり、
    この分割溝を形成する金型（２００）として、前記分割溝を形成する刃（２０１）と前記第１および前記第２の溝（１３、１４）を形成する刃（２０２）とを有するものを用い、前記分割溝を形成するときに前記分割溝と同時に、前記第１および前記第２の溝（１３、１４）を形成することを特徴とするモールドパッケージの製造方法。

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