JP4943545B2 - 照明装置 - Google Patents

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Description

本発明は発光素子を用いた照明装置に関する。
発光素子は、自発光型の素子であり、照明装置として利用することが試みられている。
発光素子は、面発光体であり、照明として用いることでより自然光に近い照明装置を得る
ことができる。
発光素子は、電場を加えることでルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅ
ｎｃｅ）が得られる発光物質を含む層と、陽極と、陰極とを有している。陽極から注入さ
れたホールと、陰極から注入された電子とが電界発光層で結合することで、発光が得られ
る。電界発光層から得られるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際
の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（燐光）とが含まれる。
このような発光素子を用いた発光装置において、光が射出する方向の電極は透明である
必要がある。しかし、一般に透明電極として用いられる透明導電膜は抵抗率が比較的大き
いものが多く、電流供給端子から離れた部分では電圧降下が生じる。特に、照明装置は、
全面を同じ輝度で発光させることが多いため、この輝度のばらつき（不均一性）がさらに
目立ってしまう。
しかし、照明装置を大面積化した場合、電流が流れにくい部分では輝度が低下してしま
う。つまり、照明装置の発光領域内で輝度にばらつきが生じてしまう。また、一般に陽極
として使用されているＩＴＯ電極は、陰極に用いられているＡｌ等の金属に比べ電気抵抗
が高い。そのため、電流供給端子から離れた部分では電圧降下を生じ、輝度が低くなって
しまう。この問題点を解決するため、陽極の少なくとも一部分に、陽極より電気抵抗の低
い補助電極を併設した構造が報告されている（特許文献１参照）。
特開２００４―１３４２８２号公報
特許文献１では、発光素子の長辺または短辺に補助電極を設けているが、照明装置を大
面積化した場合、補助電極から離れた部分（例えば、照明装置の中心部）では、輝度低下
が起きてしまう。しかし、特許文献１の構造で、陽極の全面に補助電極を設けると、発光
層から射出された光が外部に出ることができないため、補助電極は一部にしか設けること
ができない。
また、照明装置は、全面を同じ輝度で発光させることが多いため、この輝度のばらつき
がさらに目立ってしまう。
上記問題を鑑みて、本発明は、照明装置を大面積化した際に、発光領域内での輝度のば
らつきを抑制することができる（つまり、輝度の均一性が良い）照明装置を提供すること
を課題とする。
本発明の照明装置は、第１の電極と、第２の電極との間に、発光物質を含む層が形成さ
れ、第２の電極と、発光物質を含む層とに形成された開口部を介して、第１の電極と接続
する第３の電極が備えられている構成であることを特徴とする。
つまり、第１の電極と補助電極との間に、発光物質を含む層と、第２の電極とを有し、
補助電極は、第２の電極を挟んで、第１の電極とは反対側に形成され、第１の電極と補助
電極とは、第２の電極と発光物質を含む層とに形成された開口部を通じて電気的に接続さ
れている構成とする。なお、第１の電極と第２の電極、第２の電極と補助電極とは、電気
的に絶縁されている必要がある。
より具体的には、透明導電膜からなる第１の電極上に、第１の開口部が形成された発光
物質を含む層と、第２の開口部が形成された第２の電極とが、前記第１の開口部と前記第
２の開口部とが重畳するように配置され、第２の電極上に設けられ、第１の開口部と第２
の開口部と、第２の開口部の側壁を覆い、前記第１の電極を露出させる第３の開口部が形
成された絶縁層と、絶縁層上に備えられ、第１乃至第３の開口部を介して、第１の電極と
接する第３の電極とが備えられていることを特徴とする。
上記構成において、開口部は照明装置の発光領域に複数設けられていることを特徴とす
る。
また、上記構成において、発光物質を含む層から発光した光は、第１の電極側から出射
される。つまり、第１の電極は透光性を有しており、透明導電膜で形成されている。具体
的には、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す）、または珪素を含有したインジウム
錫酸化物、２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含む酸化インジウム等が挙げられる。
なお、補助電極としては、抵抗率の小さい材料を用いることが好ましい。抵抗率の小さ
い材料を用いることにより、第１の電極の電圧降下を低減することができる。
また、上記構成において、発光物質を含む層は、複数の発光物質を含む層を積層させた
構成としてもよい。
上記の構成において、発光は補助電極によって遮られない為、補助電極と第１の電極の
接続部分以外での発光の損失がない。そのため、補助電極の材料や膜厚、形成場所を自由
に設定することができる。
また、補助電極と第１の電極の接続部分の面積を十分に小さくしておけば、光の射出面
から見た場合も、補助電極の存在をほぼ無視できる。よって、開口部を照明装置の発光領
域内に複数設けることが可能となる。
本発明の一は、第１の電極と、第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に設けら
れた発光物質を含む層と、基板上に格子状に形成され、蛍光物質を含む絶縁層と、絶縁層
の上に設けられた配線と、を有する発光装置である。ここで、絶縁層と配線とは、第１の
電極と配線とが接するように、第１の電極に覆われていることを特徴とする。
本発明を用いることにより、輝度のばらつきが低減された照明装置を得ることができる
。また、補助電極は光の射出方向に配置されていないため、補助電極による光の損失が小
さく、補助電極の材料や膜厚、形成場所を自由に設定することができる。
本発明の照明装置の発光領域の断面図および上面図。 本発明の照明装置の作製方法を示す図。 本発明の照明装置の作製方法を示す図。 本発明の照明装置の作製方法を示す図。 本発明の照明装置の発光領域の断面図および上面図。 本発明の照明装置の作製方法を示す図。 本発明の照明装置の作製方法を示す図。 本発明の照明装置の上面図および断面図。 本発明の照明装置を用いた機器の一例を示す図。 本発明の照明装置を用いた機器の一例を示す図。 本発明の照明装置の発光物質を含む層の一例を示す図。 本発明の照明装置の発光物質を含む層の一例を示す図。 本発明の照明装置の態様について説明する図。 本発明の照明装置の作製方法について説明する図。 本発明の照明装置の作製方法について説明する図。 本発明の照明装置の態様について説明する図。
本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説
明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様
々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実
施の形態の記述内容に限定して解釈されるものではない。
（実施の形態１）
本発明の照明装置の構造を図１を用いて説明する。図１に示した照明装置は、基板側か
ら光を出射する下面出射型の照明装置である。なお、図１（Ｂ）は本発明の照明装置の発
光領域の上面図、図１（Ａ）は発光領域の開口部付近（図１（Ｂ）のＡ−Ａ’）における
断面図である。
図１において、基板１０１は透光性を有する基板を用いる。具体的には、ガラス、プラ
スチック、ポリエステルまたはアクリル樹脂のような透光性を有する材料を用いることが
できる。また、基板１０１は可撓性を有していてもよい。
基板１０１上には第１の電極１０２として透明導電膜が形成されている。透明導電膜と
しては、例えばインジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す）、または珪素を含有したイン
ジウム錫酸化物、２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含む酸化インジウム等が挙げられる
。
第１の電極１０２上には、発光物質を含む層１０３が形成されている。発光物質を含む
層１０３には、公知の材料を用いることができ、低分子系材料および高分子系材料のいず
れを用いることもできる。なお、発光物質を含む層を形成する材料には、有機化合物材料
のみから成るものだけでなく、無機化合物を一部に含む構成も含めるものとする。また、
発光物質を含む層は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層（ホールブロッキング層）、
発光層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて構成されるが、単層で構成しても
よいし、複数の層を積層させた構成としてもよい。図１１に、発光物質を含む層が、正孔
注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を有する構造の一例を示す。図１
１では、基板１１００上に、第１の電極（陽極）１１０１、発光物質を含む層１１０２、
第２の電極（陰極）１１０３が形成されており、発光物質を含む層１１０２は、正孔注入
層１１１１、正孔輸送層１１１２、発光層１１１３、電子輸送層１１１４、電子注入層１
１１５を有している。なお、本発明の照明装置において、発光物質を含む層は、図１１の
構造に限定されない。以下に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入
層に用いる具体的な材料を示す。
正孔注入層を形成する正孔注入性材料としては、有機化合物であればポルフィリン系の
化合物が有効であり、フタロシアニン（以下、Ｈ2−Ｐｃと示す）、銅フタロシアニン（
以下、Ｃｕ−Ｐｃと示す）等を用いることができる。また、導電性高分子化合物に化学ド
ーピングを施した材料もあり、ポリスチレンスルホン酸（以下、ＰＳＳと示す）をドープ
したポリエチレンジオキシチオフェン（以下、ＰＥＤＯＴと示す）などを用いることもで
きる。また、ベンゾオキサゾール誘導体と、ＴＣＱｎ、ＦｅＣｌ3、Ｃ60またはＦ4ＴＣＮ
Ｑのいずれか一または複数の材料とを含むようにしても良い。
また、正孔輸送層を形成する正孔輸送性材料としては、芳香族アミン系の化合物（すな
わち、ベンゼン環−窒素の結合を有する化合物）が好適である。広く用いられている材料
として、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１
，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（以下、ＴＰＤと示す）の他、その誘導体で
ある４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（以
下、α−ＮＰＤと示す）や、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）−トリフェ
ニルアミン（以下、ＴＣＴＡと示す）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル
−アミノ）−トリフェニルアミン（以下、ＴＤＡＴＡと示す）、４，４’，４’’−トリ
ス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（以下
、ＭＴＤＡＴＡと示す）などのスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げられる。
また、発光層を形成する発光性材料としては、具体的には、トリス（８−キノリノラト
）アルミニウム（以下、Ａｌｑ3と示す）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）ア
ルミニウム（以下、Ａｌｍｑ3と示す）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリ
ナト）ベリリウム（以下、ＢｅＢｑ2と示す）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）
−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（以下、ＢＡｌｑと示す）、ビス［２−（２−
ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛（以下、Ｚｎ（ＢＯＸ）2と示す）、
ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾラト］亜鉛（以下、Ｚｎ（ＢＴＺ
）2と示す）などの金属錯体の他、各種蛍光色素が有効である。
なお、ゲスト材料と組み合わせて発光層を形成する場合には、キナクリドン、ジエチル
キナクリドン（以下、ＤＥＱＤと示す）、ジメチルキナクリドン（以下、ＤＭＱＤと示す
）、ルブレン、ペリレン、クマリン、クマリン５４５Ｔ（以下、Ｃ５４５Ｔと示す）、Ｄ
ＰＴ、Ｃｏ−６、ＰＭＤＦＢ、ＢＴＸ、ＡＢＴＸ、ＤＣＭ、ＤＣＪＴの他、トリス（２−
フェニルピリジン）イリジウム（以下、Ｉｒ（ｐｐｙ）3と示す）、２，３，７，８，１
２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（以下、Ｐ
ｔＯＥＰと示す）等の三重項発光材料（燐光材料）をゲスト材料として用いることができ
る。
電子輸送層に用いることができる電子輸送性材料としては、先に述べたＡｌｑ3、Ａｌ
ｍｑ3、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウ
ム（略称：ＢＡｌｑ）、Ｇａｑ3、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニ
ルフェノラト−ガリウム（略称：ＢＧａｑ）、ＢｅＢｑ2、Ｚｎ（ＢＯＸ）2、Ｚｎ（ＢＴ
Ｚ）2などの金属錯体のほか、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチル
フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（
ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン
（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（
４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ
−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２
，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅ
ｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などが挙げられる。
電子注入層を形成する電子注入性材料としては、具体的には、ＬｉＦ、ＣｓＦなどのア
ルカリ金属ハロゲン化物や、ＣａＦ2のようなアルカリ土類ハロゲン化物、Ｌｉ2Ｏなどの
アルカリ金属酸化物のような絶縁体の超薄膜がよく用いられる。また、リチウムアセチル
アセトネート（略称：Ｌｉ（ａｃａｃ））や８−キノリノラト−リチウム（略称：Ｌｉｑ
）などのアルカリ金属錯体も有効である。また、ベンゾオキサゾール誘導体と、アルカリ
金属、アルカリ土類金属、または遷移金属のいずれか一または複数の材料とを含むように
しても良い。
なお、発光物質を含む層１０３は、複数の発光物質を含む層を積層させた構造としても
よい。図１２に複数の発光物質を含む層を積層させた構造の一例を示す。図１２では、基
板１２００上に、第１の電極１２０１、発光物質を含む第１の層１２０２、電荷発生層１
２０３、発光物質を含む第２の層１２０４、第２の電極を積層した構造を有している。電
荷発生層１２０３はキャリアを注入する役割を持ち、透光性の高い材料であることが必要
である。なお、図１２では、２層の発光物質を含む層を積層した構造を示したが、これに
限定されず、３層以上の発光物質を含む層を積層した構造でもよい。また、図１２では基
板側の電極を第１の電極としたが、基板側の電極を第２の電極としてもよい。
発光物質を含む層を積層させた構造にすることにより、同じ電流でも積層しただけ輝度
が向上する。特に、高輝度が必要とされる照明用途には、発光物質を含む層を積層させた
構造が好適である。また、複数の発光物質を含む層を積層させた構造とする場合、同じ材
料で構成された発光物質を含む層を積層させた構造としてもよいし、異なる材料で構成さ
れた発光物質を含む層を積層させた構造としてもよい。
例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光を示す材料で形成した発光物質を
含む層を積層し、全体として白色発光を得ることもできる。このような赤色（Ｒ）、緑色
（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光を示す材料は、それぞれ蒸着マスクを用いた蒸着法、又は液滴
吐出法（インクジェット法ともいう）などによって形成すればよい。具体的には、正孔注
入層としてＣｕＰｃやＰＥＤＯＴ、正孔輸送層としてα−ＮＰＤ、電子輸送層としてＢＣ
ＰやＡｌｑ3、電子注入層としてＢＣＰ：ＬｉやＣａＦ2をそれぞれ用いることができる。
また例えば発光層は、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれの発光色に対応したドーパント（Ｒの場合Ｄ
ＣＭ等、Ｇの場合ＤＭＱＤ等）をドープしたＡｌｑ3を用いればよい。なお、白色発光を
得る場合には、上記の３色の発光材料を積層した構造に限らず、２色の発光材料を積層し
た構造としてもよい。例えば、青色と黄色の発光を示す材料を積層して白色発光を得るこ
ともできる。
なお、発光物質を含む層の構造は、上記積層構造に限定されるものではない。例えば、
発光物質を含む層は、単層型、積層型、また層の界面がない混合型のいずれでもよい。ま
た蛍光材料、燐光材料、又はそれらを組み合わせた材料を用いることができる。例えば、
赤色（Ｒ）の発光を示す材料に、燐光材料を用い、緑（Ｇ）や青（Ｂ）の発光を示す材料
に蛍光材料を用いることができる。またさらに、低分子材料、高分子材料及び中分子材料
を含む有機材料、電子注入性に優れる酸化モリブデン等に代表される無機材料、有機材料
と無機材料の複合材料のいずれを用いてもよい。
なお、本発明の照明装置は、白色に限らず、所望の色の光を得るようにしてもよい。ま
た、カラーフィルター、又は色変換層、又はカラーフィルター及び色変換層、などを別途
設けてもよい。
発光物質を含む層１０３上には第２の電極１０４を形成されている。第２の電極１０４
としては、公知の材料を用いることができる。第２の電極１０４を陰極とする場合は、仕
事関数の小さい導電性材料を用いることが好ましく、具体的には、ＬｉやＣｓ等のアルカ
リ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ
：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉなど）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いて形成することもでき
る。また、ＬｉＦ、ＣｓＦ、ＣａＦ2、Ｌｉ2Ｏ等の電子注入層を用いる場合は、アルミニ
ウム等の通常の導電性薄膜を用いることができる。第２の電極１０４を陽極とする場合は
、仕事関数の大きい導電性材料を用いることが好ましい。具体的には、ＴｉＮ、ＺｒＮ、
Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ等の単層膜の他、窒化チタンからなる膜とアルミニウムを主
成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜と
の三層構造等を用いることができる。あるいは、Ｔｉ、Ａｌ等の反射性電極の上に透明導
電膜を積層する方法でもよい。
第２の電極１０４と発光物質を含む層１０３を覆うように絶縁膜１０５が形成されてい
る。この絶縁膜１０５により、第１の電極１０２と第２の電極１０４、第２の電極１０４
と補助電極１０６が、それぞれ電気的に絶縁されている。なお、この絶縁膜１０５は、水
分や酸素などの発光物質を含む層の劣化を促進させる原因となる物質の透過を防ぐ保護膜
としての機能を有していてもよい。
絶縁膜１０５の一部は開口部１０７を有し、この開口部１０７において、第１の電極１
０２と補助電極１０６とが電気的に接続している。補助電極１０６としては、抵抗率の小
さい材料を用いることが好ましく、具体的にはアルミニウム、銅、銀等の材料を用いるこ
とができる。また、開口部の径は１０〜５００μｍ、好ましくは５０〜２００μｍとする
。
また、開口部１０７は発光領域１０８に複数設けられている。この開口部１０７を介し
て、補助電極１０６が第１の電極１０２と電気的に接続することにより、透明導電膜の抵
抗が比較的高いことに起因する電圧降下の影響を低減することができる。つまり、補助電
極１０６が、発光領域１０８に複数設けられた開口部１０７を介して第１の電極１０２を
電気的に接続されていることにより、第１の電極１０２の抵抗を実質的に低下させている
。それにより、電流供給端子から離れた部分が暗くなる輝度のばらつきを低減することが
できる。なお、この開口部の大きさを十分小さくしておけば、光の射出方向、つまり透光
性を有する基板側から照明装置を見たとき、補助電極の存在はほぼ無視することができる
。また、補助電極は光の射出方向に配置されていないため、補助電極の材料や膜厚、形成
場所を自由に設定することができる。そのため、補助電極を、電圧降下が起こりやすい場
所に選択的に形成することも可能であるし、照明装置の発光領域全面に形成することも可
能となる。
本発明の照明装置は、第１の電極の抵抗が比較的大きいことに起因する電圧降下による
輝度のばらつきを低減できるため、特に大面積の照明装置に適用することが好ましい。
（実施の形態２）
本発明の照明装置の構造を図５を用いて説明する。図５に示した照明装置は、基板側と
は逆側から光を出射する上面出射型の照明装置である。なお、図５（Ｂ）は照明装置の発
光領域の上面図、図５（Ａ）は発光領域の開口部付近（図５（Ｂ）のＡ−Ａ’）における
断面図である。
図５において、基板５０１は薄型で可撓性を有する素材で形成されている基板を用いる
。具体的には、プラスチック基板、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムの
ような可撓性を有する基板を用いることができる。
基板５０１上には第２の電極５０２が形成されている。第２の電極５０２としては、公
知の材料を用いることができる。第２の電極５０２を陰極とする場合は、仕事関数の小さ
い導電性材料を用いることが好ましく、具体的には、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およ
びＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ
：Ｌｉなど）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いて形成することもできる。また、Ｌ
ｉＦ、ＣｓＦ、ＣａＦ2、Ｌｉ2Ｏ等の電子注入層を用いる場合は、アルミニウム等の通常
の導電性薄膜を用いることができる。第２の電極５０２を陽極とする場合は、仕事関数の
大きい導電性材料を用いることが好ましい。具体的には、ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎ
ｉ、Ｐｔ、Ｃｒ等の単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、
窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との三層構造等を用いるこ
とができる。あるいは、Ｔｉ、Ａｌ等の反射性電極の上に透明導電膜を積層する方法でも
よい。
第２の電極５０２上には、発光物質を含む層５０３が形成されている。発光物質を含む
層５０３には、公知の材料を用いることができ、低分子系材料および高分子系材料のいず
れを用いることもできる。なお、発光物質を含む層を形成する材料には、有機化合物材料
のみから成るものだけでなく、無機化合物を一部に含む構成も含めるものとする。また、
発光物質を含む層は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層（ホールブロッキング層）、
発光層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて構成されるが、単層で構成しても
よいし、複数の層を積層させた構成としてもよい。
なお、発光物質を含む層５０３は、複数の発光物質を含む層を積層させた構造としても
よい。積層させた構造にすることにより、同じ電流でも積層しただけ輝度が向上する。特
に、高輝度が必要とされる照明用途には、発光物質を含む層を積層させた構造が好適であ
る。また、複数の発光物質を含む層を積層させた構造とする場合、同じ材料で構成された
発光物質を含む層を積層させた構造としてもよいし、異なる材料で構成された発光物質を
含む層を積層させた構造としてもよい。
発光物質を含む層５０３の上には第１の電極５０４として透明導電膜が形成されている
。透明導電膜としては、例えばインジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す）、または珪素
を含有したインジウム錫酸化物、２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含む酸化インジウム
等が挙げられる。
基板５０１、第２の電極５０２、発光物質を含む層５０３および第１の電極５０４は開
口部５０７を有しており、第１の電極５０４および基板５０１の開口部付近と、開口部の
側壁とを、覆うように絶縁膜５０５が形成されている。この絶縁膜５０５により、第１の
電極５０４と第２の電極５０２、第２の電極５０２と補助電極５０６が、それぞれ電気的
に絶縁されている。なお、この絶縁膜５０５は、水分や酸素などの発光物質を含む層の劣
化を促進させる原因となる物質の透過を防ぐ保護膜としての機能を有していてもよい。
補助電極５０６は、基板の下面、開口部、第１の電極の開口部付近に形成され、開口部
付近で第１の電極と補助電極とが電気的に接続している。補助電極５０６としては、抵抗
率の小さい材料を用いることが好ましく、具体的にはアルミニウム、銅、銀等の材料を用
いることができる。また、開口部の径は１０〜５００μｍ、好ましくは５０〜２００μｍ
とする。
また、開口部５０７は発光領域５０８に複数設けられている。この開口部５０７を介し
て、補助電極５０６が第１の電極５０４と電気的に接続することにより、透明導電膜の抵
抗が比較的高いことに起因する電圧降下の影響を低減することができる。つまり、補助電
極５０６が、発光領域５０８に複数設けられた開口部５０７を介して第１の電極５０４を
電気的に接続されていることにより、第１の電極５０４の抵抗を実質的に低下させている
。それにより、電流供給端子から離れた部分が暗くなる輝度のばらつきを低減することが
できる。なお、この開口部の大きさを十分小さくしておけば、光の射出方向、つまり透光
性を有する基板側から照明装置を見たとき、補助電極の存在はほぼ無視することができる
。また、補助電極は光の射出方向に配置されていないため、補助電極の材料や膜厚、形成
場所を自由に設定することができる。そのため、補助電極を、電圧降下が起こりやすい場
所に選択的に形成することも可能であるし、照明装置の発光領域全面に形成することも可
能となる。
本発明の照明装置は、第１の電極の抵抗が比較的大きいことに起因する電圧降下による
輝度のばらつきを低減できるため、特に大面積の照明装置に適用することが好ましい。
（実施の形態３）
本発明の照明装置の一態様について、図１３（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明する。なお、
図１３（Ａ）は、図１３（Ｂ）の上面図で表される照明装置のＡ−Ａ’における断面図で
ある。
図１３（Ａ）、（Ｂ）において、基板１０の上には、絶縁層１１が設けられている。絶
縁層１１は、図１３（Ｂ）に示すように、基板１０上に格子状に形成されている。また、
絶縁層１１には、蛍光物質が含まれている。そして、絶縁層１１の上には、配線１３が形
成されている。
絶縁層１１、配線１３の上には、絶縁層１１と配線１３とを覆うように、第１の電極１
２が設けられている。そして、第１の電極１２の上には発光物質を含む層１４が設けられ
ている。さらに、発光物質を含む層１４の上には第２の電極１５が形成されている。
ここで、第１の電極１２について特に限定はないが、可視光を透過出来る電極であるこ
とが好ましく、実施の形態１で説明した第１の電極１０２と同様のものを用いることが出
来る。また、第２の電極１５についても特に限定はなく、実施の形態１で説明した第２の
電極１０４と同様のものを用いることが出来る。さらに発光物質を含む層１４についても
特に限定はなく、実施の形態１で説明した発光物質を含む層１０３と同様のものを用いる
ことができる。
また、配線１３について特に限定はないが、アルミニウムや銅等の抵抗値の小さい金属
から成ることが好ましい。
また、絶縁層１１に含まれる蛍光物質についても特に限定はなく、９，１０−ジフェニ
ルアントラセン、９，１０−ジ−２−ナフチルアントラセン、９，１０−ビス（４−ジフ
ェニルアミノフェニル）アントラセン、ルブレン、１，２，３，４，５−ペンタフェニル
シクロペンタジエン、ｐ−セキシフェニル、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルペリレン等の多環芳香族化合物の他、２，５−ジフェニルオキサゾール、１
，４−ビス（５−フェニルオキサゾール−２−イル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチ
ル−５−フェニルオキサゾール−２−イル）ベンゼン、２−（１−ナフチル）−５−フェ
ニルオキサゾール、２−（４−ビフェニリル）−６−フェニルベンズオキサゾール、２，
５−ビス（５−ｔｅｒｔ−ブチルベンズオキサゾール−２−イル）チオフェン、２−（４
−ビフェニリル）−６−フェニルベンズオキサゾール、２−（４−ビフェニリル）−５−
フェニル−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５
−（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，４−ジフェニル−１，３
，４−オキサジアゾール、ロフィン等のヘテロ芳香族化合物、クマリン６、クマリン６Ｈ
、クマリン７、クマリン３０、クマリン１０２、クマリン１２０、クマリン１５１、クマ
リン１５２、クマリン１５３、クマリン３１４、クマリン３３４、クマリン３３７、クマ
リン３４３、クマリン４８０Ｄ、クマリン５４５Ｔ等のクマリン系化合物、４−（ジシア
ノメチレン）−２−メチル−６−［２−（４−ジメチルアミノフェニル）エテニル］−４
Ｈ−ピラン、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−［２−（ジュロリジン−９−
イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−［２−
（２，２，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン、
４−（ジシアノメチレン）−２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（２，２，７，７−テト
ラメチルジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン、４−（ジシアノメチレン
）−２−イソプロピル−６−［２−（２，２，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−
イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン等のピラン系化合物、１，１，４，４−テトラフェニル
−１，３−ブタジエン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、４，４’−ビス
（２，２−ジフェニルエテニル）ビフェニル等のスチレン系化合物、ローダミンＢ、ロー
ダミン６Ｇ、ローダミン５７５、フルオレセイン、ナイルレッド等のキサンテン系化合物
を用いることができる。
ここで、発光物質を含む層１４の表面高さ（基板１０の表面、つまり基板面を基準面と
したときの基準面から表面までの長さ）は、絶縁層１１の表面高さよりも低いことが好ま
しい。これによって、発光物質を含む層１４における発光が、絶縁層１１に入り易くなる
。
なお、第１の電極１２と基板１０との間には、窒化珪素や酸化珪素を含む絶縁層が設け
られていてもよい。このような絶縁層を設けることによって、基板１０を透って混入した
水分が、発光物質を含む層１４に入ることを防ぐことができる。
以上のような照明装置では、配線１３が設けられていることによって、第１の電極１２
における電圧降下が低減する。
また、以上のような構成を有する照明装置は、第１の電極１２から注入された正孔と第
２の電極１５から注入された電子とが再結合することによって励起された発光物質が、基
底状態に戻るときに発光するものである。さらに、本形態の照明装置では、基板面に対し
平行な方向に導光した発光が、絶縁層１１に入り、絶縁層１１に含まれた蛍光物質が発光
するものである。
このように、絶縁層１１に含まれた蛍光物質が発光することによって、基板１０の基板
面全体から、発光を得られる。
（実施の形態４）
本形態では、実施の形態３で説明した照明装置の作製方法について図１４（Ａ）、（Ｂ
）、（Ｃ）、図１５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を用いて説明する。なお、図１４（Ａ）、（
Ｂ）、（Ｃ）は、それぞれ、図１５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の上面図で表される照明装置
のＡ−Ａ’における断面図である。
まず、基板１０の上に、絶縁層と、導電層とを順に形成した後、これらを所望の形状に
加工して、絶縁層１１と配線１３とを形成する。絶縁層１１について特に限定はなく、蛍
光物質を含む絶縁層であってもよい。このような絶縁層としては、シロキサン、またはア
クリル若しくはポリイミド等が挙げられる。また、配線１３について特に限定はないが、
アルミニウムや銅等の低抵抗な材料を用いて形成することが好ましい。なお、アルミニウ
ムには、ニッケルやシリコン等が含有されていてもよい。
次に、基板１０、絶縁層１１、配線１３の上に、基板１０、絶縁層１１、配線１３を覆
う第１の電極１２を形成する。第１の電極１２について特に限定はなく、実施の形態１で
示した第１の電極１０２と同様の材料を用いて形成することが好ましい。また、第１の電
極１２の形成方法についても特に限定はなく、スパッタ法等を用いて形成すればよい。
本形態では、絶縁層１１と配線１３とは、同じレジストマスクを用いて連続してエッチ
ングすることによって加工する。しかし、これに限らず、例えば、所望の形状の絶縁層１
１を形成した後、その絶縁層１１を覆う導電層を形成し、その導電層を所望の形状に加工
して配線１３を形成しても構わない。なお、本形態では、絶縁層１１は、図１５（Ｂ）に
示すように、格子状に形成する。
次に、第１の電極１２と絶縁層１１と配線１３とを覆うように発光物質を含む層１４を
形成する。発光物質を含む層１４について特に限定はなく、実施の形態１で説明した発光
物質を含む層１０３と同様の構成の層を、蒸着法または、インクジェット法等を用いて形
成すればよい。
次に発光物質を含む層１４の上に第２の電極１５を形成する。第２の電極１５について
特に限定はなく、実施の形態１で示した第２の電極１０４と同様の材料を用いて形成する
ことが好ましい。また、第２の電極１５の形成方法についても特に限定はなく、スパッタ
法や蒸着法等を用いて形成すればよい。
なお、第１の電極１２と第２の電極１５とは接触しないように積層することが好ましい
。例えば、本形態では、第１の電極１２と第２の電極１５とのいずれか一方の縁が、発光
物質を含む層１４よりも内側になるように形成することによって、第１の電極１２と第２
の電極１５とが接触することを防いでいる。
（実施の形態５）
本発明の照明装置の一態様について、図１６を用いて説明する。なお、図１６（Ａ）は
、図１６（Ｂ）の上面図で表される照明装置のＡ−Ａ’における断面図である。
図１６（Ａ）、（Ｂ）において、基板３０の上には、第１の電極３１が設けられている
。第１の電極３１の上には、凹部を有する絶縁層３２が形成されている。絶縁層３２は、
図１６（Ｂ）に示すように、第１の電極３１上に格子状に形成されている。また、絶縁層
３２には、蛍光物質が含まれている。そして、絶縁層３２の凹部内には、配線３３が形成
されている。また、絶縁層３２の凹部内には開口部が設けられており、開口部を介して、
配線３３と第１の電極３１とが接続する。
第１の電極３１と絶縁層３２と配線３３とは、発光物質を含む層３４によって覆われて
いる。さらに、発光物質を含む層３４の上には第２の電極３５が形成されている。
ここで、配線３３について特に限定はないが、アルミニウムや銅等の抵抗値の小さい金
属から成ることが好ましい。
なお、発光物質を含む層３４の表面高さは、絶縁層３２の表面高さよりも低いことが好
ましい。
また、蛍光物質についても特に限定はなく、実施の形態３に記載したような蛍光物質等
を用いることができる。
また、第１の電極３１について特に限定はないが、可視光を透過出来る電極であること
が好ましく、実施の形態１で説明した第１の電極１０２と同様のものを用いることが出来
る。また、第２の電極３５についても特に限定はなく、実施の形態１で説明した第２の電
極１０４と同様のものを用いることが出来る。さらに発光物質を含む層３４についても特
に限定はなく、実施の形態１で説明した発光物質を含む層１０３と同様のものを用いるこ
とができる。
以上のような照明装置では、配線３３が設けられていることによって、第１の電極３１
における電圧降下が低減する。
また、以上のような構成を有する照明装置は、第１の電極３１から注入された正孔と第
２の電極３５から注入された電子とが再結合することによって励起された発光物質が、基
底状態に戻るときに発光するものである。さらに、本形態の照明装置では、基板面に対し
平行な方向に進んだ発光が、絶縁層３２に入り、絶縁層３２に含まれた蛍光物質が発光す
るものである。
このように、絶縁層３２に含まれた蛍光物質が発光することによって、基板３０の基板
面全体から、発光を得られる。
本実施例では、図１に示した本発明の照明装置の作製方法について、図２を用いて説明
する。
透光性を有する基板２０１の上に第１の電極２０２である透明導電膜を成膜する。本実
施例では、透光性を有する基板２０１としてガラス基板を用い、第１の電極２０２として
ＩＴＯを成膜する。
次に、第１の電極２０２上に発光物質を含む層２０３を形成する。発光物質を含む層２
０３は公知の材料を用いることができる。また、複数の発光物質を含む層を積層した構成
としてもよい。
この発光物質を含む層２０３の上に第２の電極２０４を成膜する（図（Ａ））。第２の
電極２０４は、開口部を有しており、発光物質を含む層上に全面に成膜した後フォトリソ
グラフィ法でパターニングしてもよいし、マスクを用いて形成してもよい。本実施例では
、第２の電極２０４としてアルミニウムを用い、発光物質を含む層２０３上に全面に形成
した後、フォトリソグラフィ法によりパターニングする。その後、パターニングされた第
２の電極をマスクとして、発光物質を含む層に開口部を形成する（図２（Ｂ））。
次に、発光物質を含む層２０３と第２の電極２０４とを覆うように絶縁膜２０５を形成
する（図２（Ｃ））。絶縁膜２０５も開口部を有しており、全面に成膜した後フォトリソ
グラフィ法でパターニングしてもよいし、マスクを用いて形成してもよい。本実施例では
、絶縁膜２０５として酸化珪素を用いる。
次に、補助電極２０６を形成する（図２（Ｄ））。補助電極２０６は低抵抗であること
が望ましく、本実施例ではアルミニウムを用いる。補助電極２０６は開口部２０７におい
て第１の電極２０２と電気的に接続しており、第２の電極２０４とは絶縁されている。
このように第１の電極２０２であるＩＴＯは、補助電極２０６と開口部２０７で接続さ
れているおり、第１の電極の抵抗が比較的高いことに起因する電圧降下の影響を低減する
ことができる。そのため大面積の照明装置に適用した場合、輝度のばらつきを低減するこ
とができる。また、開口部２０７を十分小さくしておけば、光の射出方向、つまり透光性
を有する基板側から照明装置を見たとき、補助電極の存在はほぼ無視することができる。
なお、本実施例では、発光物質を含む層は全面に形成した後、アルミニウムをマスクと
してパターニングされていたが、開口部を有するようにマスクを用いて発光物質の含む層
を形成してもよい。
また、図３には、発光物質を含む層３０３および第２の電極３０４をそれぞれマスクを
用いて形成する方法を示した。すなわち、基板３０１上に、全面に第１の電極３０２を形
成した後、発光物質を含む層３０３、第２の電極３０４をそれぞれマスクを用いて形成し
、絶縁膜３０５、補助電極３０６、開口部３０７は上述した方法と同様に形成すればよい
。このとき、発光物質を含む層３０３よりも第２の電極３０４の開口部を大きくすること
により、第１の電極と第２の電極の絶縁をより確実にすることができる。
本実施例では、図１に示した本発明の照明装置の実施例１とは異なる作製方法について
、図４を用いて説明する。
透光性を有する基板４０１の上に第１の電極４０２である透明導電膜を成膜する。本実
施例では、透光性を有する基板４０１としてガラス基板を用い、第１の電極４０２として
ＩＴＯを成膜する。
次に、発光物質を含む層４０３、第２の電極４０４を順次形成する（図４（Ａ））。本
実施例では第２の電極４０４としてアルミニウムを成膜する。
次に、透光性を有する基板４０１側から、レーザ光を照射し、開口部を形成する（図４
（Ｂ））。レーザ光としては、ガラス基板およびＩＴＯを透過し、発光物質を含む層４０
３および第２の電極４０４に吸収される波長のレーザ光を用いる。本実施例では、波長５
３２ｎｍのレーザ光を使用する。波長５３２ｎｍのレーザ光は、ＹＡＧレーザまたはＹＶ
Ｏ4レーザ等の基本波（波長１０６４ｎｍ）を非線形光学素子によって第２高調波に変換
することで得られる。レーザ光を吸収した発光物質を含む層および第２の電極は加熱され
、昇華し、開口部が形成される。開口部を形成したあとは、実施例１と同様に絶縁膜４０
５、補助電極４０６を形成すし、第１の電極４０２と補助電極４０６とが、開口部４０７
において、電気的に接続するようにする。（図４（Ｃ））。
本実施例では、図５に示した本発明の照明装置の作製方法について、図６〜図７を用い
て説明する。
薄型で可撓性を有する素材で形成されている基板６０１上に、第２の電極６０２、発光
物質を含む層６０３、第１の電極６０４を形成する。本実施例では、ポリエステルフィル
ム上に、第２の電極６０２としてアルミニウム、第１の電極６０４としてＩＴＯを形成す
る（図６（Ａ））。
次に、基板６０１、第２の電極６０２、発光物質を含む層６０３、第１の電極６０４を
開口部を設ける（図６（Ｂ））。基板６０１は可撓性を有する素材で形成されているため
、物理的に力を加えることで容易に開口部を設けることができる。
次に、絶縁膜６０５として、酸化珪素膜を形成する。酸化珪素膜はマスクを用いて、ス
パッタ法または蒸着法により形成する（図６（Ｃ））。スパッタ法または蒸着法を用いる
ことで、開口部を通して、膜形成しようとする面と反対側の面にも回り込んで酸化珪素膜
が形成される。これにより、第２の電極６０２と補助電極６０６との絶縁性がより確実な
ものとなる。
次に、補助電極６０６を形成する。まず、印刷法により、第１の電極６０４側に銀を成
膜する。このとき印刷法を用いることにより、開口部６０７に銀が満たされる（図７（Ａ
））。次に、基板６０１側から全面に銀を成膜する（図７（Ｂ））。これにより第１の電
極６０４と補助電極６０６が電気的に接続される。これにより、第１の電極の抵抗が比較
的高いことに起因する電圧降下の影響を低減することができる。そのため大面積の照明装
置に適用した場合、輝度のばらつきを低減することができる。
また、本実施例の構造では、第１の電極であるＩＴＯと、補助電極である銀とは、光の
射出方向で接続しているが、開口部６０７を十分小さくしておけば、光の射出方向、つま
り第１の電極側から照明装置を見たとき、補助電極の存在はほぼ無視することができる。
本実施例では、本発明の照明装置の全体の構造の一例について、図８を用いて説明する
。
図８は、本発明の照明装置の上面図および断面図である、本発明の照明装置は、基板８
０１、第１の電極８０２、発光物質を含む層８０３、第２の電極８０４、絶縁膜８０５、
補助電極８０６を有し、開口部８０７において第１の電極８０２と補助電極８０６が電気
的に接続されている。開口部８０７は発光領域に複数設けられている。また、発光領域の
端部には第２の絶縁膜８０８があり、第１の電極８０２と第２の電極８０４が短絡するの
を防ぐ役割をしている。電流供給端子８０９は、それぞれ第２の電極８０４と補助電極８
０６に接続されている。そして、発光領域は、封止材８１０により封止されている。発光
物質を含む層の劣化を防ぐため、封止材はできるだけ水分や酸素を透過しない材料である
ことが望ましい。また、封止材で囲まれた内部には、充填材８１１が充填されている。封
止材で囲まれた内部には、充填剤の代わりに、不活性気体（窒素やアルゴン等）、または
封止材と同質の材料が充填されていてもよい。
図８では、実施例１に示した構造を例示するが、実施例２および実施例３に示した構造
でも同様に封止し、照明装置として用いることが可能である。
本実施例では、本発明の照明装置を用いた機器の一例を図９〜図１０を用いて説明する
。
図９は、本発明の照明装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図
９に示した液晶表示装置は、筐体９０１、液晶層９０２、バックライト９０３、筐体９０
４を有し、液晶層９０２は、ドライバＩＣ９０５と接続されている。また、バックライト
９０３は、本発明の照明装置が用いられおり、端子９０６により、電流が供給されている
。
本発明の照明装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、輝度のばら
つきの少ないバックライトが得られるので、表示装置としての品質が向上する。また、バ
ックライトの大面積化が可能となるため、液晶表示装置の大面積化も可能になる。さらに
、発光素子は薄型で低消費電力であるため、表示装置の薄型化、低消費電力化も可能とな
る。
図１０（Ａ）は、本発明の照明装置を室内の照明として用いた一例である。本発明の照
明装置は、面発光の照明装置であり、大面積化した場合でも輝度のばらつきが少ないため
、例えば、天井全面に本発明の照明装置を用いることもできる。また、天井に限らず、壁
、床や柱等にも本発明の照明装置を用いることができる。さらに、本発明の照明装置は可
撓性を有しているため、曲面に設置することも可能である。また、室内に限らず、室外で
使用することも可能であり、外灯として、建物の壁等に設置することもできる。
図１０（Ｂ）は、本発明の照明装置を、トンネル内の照明として用いた一例である。本
発明の照明装置は、可撓性を有しているため、トンネル内の壁の曲面に沿って設置するこ
とが可能である。
図１０（Ｃ）は、本発明の照明装置をインテリア用の照明として用いた一例である。本
発明の照明装置は、薄型で可撓性を有しており、かつ面発光であるため、図１０（Ｂ）の
ように、自由な形状に加工することが可能である。
また、本発明の照明装置は、写真を撮影する際の照明として用いることもできる。写真
を撮影する場合は、大面積の均一化された輝度の光で被写体を照らすことにより、自然光
で被写体を照らした場合と同様な写真を撮ることができる。
１０ 基板
１１ 絶縁層
１２ 第１の電極
１３ 配線
１４ 発光物質を含む層
１５ 第２の電極
３０ 基板
３１ 第１の電極
３２ 絶縁層
３３ 配線
３４ 発光物質を含む層
３５ 第２の電極
１０１ 基板
１０２ 第１の電極
１０３ 発光物質を含む層
１０４ 第２の電極
１０５ 絶縁膜
１０６ 補助電極
１０７ 開口部
１０８ 発光領域
２０１ 基板
２０２ 第１の電極
２０３ 発光物質を含む層
２０４ 第２の電極
２０５ 絶縁膜
２０６ 補助電極
２０７ 開口部
３０１ 基板
３０２ 第１の電極
３０３ 発光物質を含む層
３０４ 第２の電極
３０５ 絶縁膜
３０６ 補助電極
３０７ 開口部
４０１ 基板
４０２ 第１の電極
４０３ 発光物質を含む層
４０４ 第２の電極
４０５ 絶縁膜
４０６ 補助電極
４０７ 開口部
５０１ 基板
５０２ 第１の電極
５０３ 発光物質を含む層
５０４ 第２の電極
５０５ 絶縁膜
５０６ 補助電極
５０７ 開口部
５０８ 発光領域
６０１ 基板
６０２ 第１の電極
６０３ 発光物質を含む層
６０４ 第２の電極
６０５ 絶縁膜
６０６ 補助電極
６０７ 開口部
８０１ 基板
８０２ 第１の電極
８０３ 発光物質を含む層
８０４ 第２の電極
８０５ 絶縁膜
８０６ 補助電極
８０７ 開口部
８０８ 絶縁膜
８０９ 電流供給端子
８１０ 封止材
８１１ 充填剤
９０１ 筐体
９０２ 液晶層
９０３ バックライト
９０４ 筐体
９０５ ドライバＩＣ
９０６ 端子
１１００ 基板
１１０１ 第１の電極（陽極）
１１０２ 発光物質を含む層
１１０３ 第２の電極（陰極）
１１１１ 正孔注入層
１１１２ 正孔輸送層
１１１３ 発光層
１１１４ 電子輸送層
１１１５ 電子注入層
１２００ 基板
１２０１ 第１の電極
１２０２ 発光物質を含む第１の層
１２０３ 電荷発生層
１２０４ 発光物質を含む第２の層

Claims (8)

  1. 基板上に、可視光を透過する第１の電極と、発光物質を含む層と、アルミニウムでなる第２の電極と、蛍光物質を含む絶縁層と、配線とを有し、
    前記絶縁層は、凹部を有し、前記凹部内に開口部を有し、前記開口部を介して前記配線と前記第１の電極は接続されており、
    前記第１の電極は第１の領域と、複数の第２の領域とを有し、
    前記第１の領域において、前記第１の電極上に接して前記絶縁層及び前記配線が設けられ、前記絶縁層及び前記配線上に前記発光物質を含む層が設けられ、前記発光物質を含む層上に前記第２の電極が設けられ、
    前記複数の第２の領域において、前記第１の電極上に接して前記発光物質を含む層が設けられ、前記発光物質を含む層上に前記第２の電極が設けられ、
    前記第１の領域は前記複数の第２の領域の各々を囲むように設けられ、
    前記発光物質を含む層から発光した光は前記第１の電極側から射出されることを特徴とする照明装置。
  2. 請求項１において、
    前記発光物質を含む層は、燐光材料を用いた層と蛍光材料を用いた層を有することを特徴とする照明装置。
  3. 請求項１または２において、
    前記配線の側面は前記絶縁層によって囲まれており、
    前記第１の領域において、前記配線は前記第２の電極に接しないことを特徴とする照明装置。
  4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
    前記第１の領域における前記基板の表面から前記絶縁層の表面までの距離は、前記複数の第２の領域における前記基板表面から前記発光物質を含む層の表面までの距離より長いことを特徴とする照明装置。
  5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
    前記配線は、ニッケル若しくはシリコンを含有するアルミニウム、アルミニウム、又は銅を含むことを特徴とする照明装置。
  6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
    前記絶縁層は、アクリル又はポリイミドを含むことを特徴とする照明装置。
  7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
    前記基板はガラス基板であり、
    前記第１の電極はＩＴＯ電極であることを特徴とする照明装置。
  8. 請求項１乃至７のいずれか一において、
    前記基板と前記第１の電極の間に窒化珪素又は酸化珪素を含む絶縁層を有することを特徴とする照明装置。
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Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4027914B2 (ja) 2004-05-21 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置及びそれを用いた機器
US7733441B2 (en) * 2004-06-03 2010-06-08 Semiconductor Energy Labortory Co., Ltd. Organic electroluminescent lighting system provided with an insulating layer containing fluorescent material
EP1819202B1 (en) * 2006-02-10 2011-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4755246B2 (ja) * 2006-03-31 2011-08-24 パイオニア株式会社 低抵抗基板の作製方法
DE102006052029B4 (de) * 2006-09-22 2020-01-09 Osram Oled Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung
DE102007004509A1 (de) * 2006-11-23 2008-05-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Beleuchtungselement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102008020816B4 (de) * 2008-02-29 2019-10-10 Osram Oled Gmbh Organische Leuchtdiode, flächiges, optisch aktives Element mit einer Kontaktanordnung und Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode
EP2120275A3 (en) * 2008-05-16 2012-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Light-emitting element, lighting apparatus, light-emitting device, electronic appliance, and display
KR20110081968A (ko) * 2008-10-06 2011-07-15 아사히 가라스 가부시키가이샤 전자 디바이스용 기판, 그의 제조 방법, 이것을 이용한 전자 디바이스, 그의 제조 방법 및 유기 ｌｅｄ 소자용 기판
DE102008051048A1 (de) * 2008-10-09 2010-04-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper
JP5377985B2 (ja) 2009-01-13 2013-12-25 株式会社東芝 半導体発光素子
US11996550B2 (en) 2009-05-07 2024-05-28 Amprius Technologies, Inc. Template electrode structures for depositing active materials
US20100285358A1 (en) 2009-05-07 2010-11-11 Amprius, Inc. Electrode Including Nanostructures for Rechargeable Cells
US8137148B2 (en) * 2009-09-30 2012-03-20 General Electric Company Method of manufacturing monolithic parallel interconnect structure
KR20120102680A (ko) 2009-11-11 2012-09-18 암프리우스, 인코포레이티드 전극용 중간 층 제조하기
KR101082162B1 (ko) * 2009-12-03 2011-11-09 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 패널 일체형 평판표시장치
EP2333859B1 (en) * 2009-12-03 2017-09-13 Novaled GmbH A method for forming an organic light emitting diode
US20110143019A1 (en) 2009-12-14 2011-06-16 Amprius, Inc. Apparatus for Deposition on Two Sides of the Web
TW201138180A (en) * 2010-01-05 2011-11-01 Koninkl Philips Electronics Nv A method of manufacturing an OLED device
EP2543098B1 (en) 2010-03-03 2019-07-31 Amprius, Inc. Template electrode structures for depositing active materials
US9780365B2 (en) 2010-03-03 2017-10-03 Amprius, Inc. High-capacity electrodes with active material coatings on multilayered nanostructured templates
KR101642117B1 (ko) * 2010-04-22 2016-07-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US9349325B2 (en) 2010-04-28 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
JP2012009420A (ja) 2010-05-21 2012-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び照明装置
JP2013531345A (ja) 2010-07-08 2013-08-01 エルジー・ケム・リミテッド 有機発光素子およびその製造方法
WO2012014759A1 (en) 2010-07-26 2012-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device
JP5829070B2 (ja) 2010-07-26 2015-12-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、照明装置、及び発光装置の作製方法
KR101741687B1 (ko) * 2010-09-24 2017-05-31 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조 방법
CN103250266B (zh) * 2010-10-21 2016-06-15 Oled工厂有限责任公司 具有亮度分布控制装置的oled器件
JP5894932B2 (ja) * 2010-11-30 2016-03-30 株式会社カネカ 有機ｅｌ装置
JP5827885B2 (ja) 2010-12-24 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び照明装置
KR20120090595A (ko) * 2011-02-08 2012-08-17 삼성전자주식회사 유기 발광 소자
KR20120092019A (ko) 2011-02-09 2012-08-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
KR101890876B1 (ko) 2011-03-23 2018-08-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치의 제작 방법
TWI555436B (zh) 2011-04-08 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及其製造方法
WO2013006583A2 (en) 2011-07-01 2013-01-10 Amprius, Inc. Template electrode structures with enhanced adhesion characteristics
KR101758763B1 (ko) * 2011-07-25 2017-07-18 한국전자통신연구원 발광 소자 및 이를 제조하는 방법
US8912547B2 (en) 2012-01-20 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, display device, and semiconductor device
CN104636669B (zh) * 2013-11-13 2018-08-14 华为技术有限公司 一种数据管理的方法及设备
US9843019B2 (en) 2014-01-24 2017-12-12 Pioneer Oled Lighting Devices Corporation Light emitting apparatus
JP2017505324A (ja) 2014-02-07 2017-02-16 ゴジョ・インダストリーズ・インコーポレイテッド 胞子及び他の生物に対する効力を有する組成物及び方法
JP7182758B2 (ja) 2014-05-12 2022-12-05 アンプリウス テクノロジーズ インコーポレイテッド リチウムバッテリのためのアノードおよびその製造方法
DE102014111037B4 (de) * 2014-08-04 2017-06-01 Osram Oled Gmbh Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode und organische Leuchtdiode
US10077890B2 (en) * 2014-09-16 2018-09-18 Konica Minolta, Inc. Light-emitting device
FI128685B (en) * 2016-09-27 2020-10-15 Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy Layered device and its manufacturing method
CN111505868A (zh) * 2020-05-11 2020-08-07 Tcl华星光电技术有限公司 背光模组和显示面板
CN115275058B (zh) * 2022-07-29 2024-01-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示终端

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62272499A (ja) * 1986-05-21 1987-11-26 日産自動車株式会社 薄膜ｅｌパネル
JPS63141293A (ja) * 1986-12-01 1988-06-13 日本板硝子株式会社 Ｅｌパネル
JP2666228B2 (ja) * 1991-10-30 1997-10-22 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP2755281B2 (ja) 1992-12-28 1998-05-20 富士電機株式会社 薄膜太陽電池およびその製造方法
TW364275B (en) * 1996-03-12 1999-07-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device
JPH09306668A (ja) * 1996-05-13 1997-11-28 Hokuriku Electric Ind Co Ltd Ｅｌ素子とその製造方法
US5905275A (en) 1996-06-17 1999-05-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Gallium nitride compound semiconductor light-emitting device
US6479941B1 (en) * 1998-10-30 2002-11-12 3M Innovative Properties Company Electroluminescent device and method for the production of the same
TW471239B (en) * 1999-01-22 2002-01-01 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent display screen for displaying fixed and segmented patterns, and method of manufacturing such an electroluminescent display screen
JP2000268980A (ja) * 1999-03-19 2000-09-29 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電界発光素子
DE60026278T2 (de) * 1999-03-23 2006-10-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Anzeigevorrichtung und herstellungsverfahren
EP1182910A4 (en) * 1999-04-02 2006-10-18 Idemitsu Kosan Co ORGANIC ELECTROLUMINESCENT SCREEN AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
US6208791B1 (en) * 1999-04-19 2001-03-27 Gemfire Corporation Optically integrating pixel microstructure
TW511298B (en) 1999-12-15 2002-11-21 Semiconductor Energy Lab EL display device
US7768210B2 (en) * 1999-12-22 2010-08-03 General Electric Company Hybrid electroluminescent devices
US6566808B1 (en) * 1999-12-22 2003-05-20 General Electric Company Luminescent display and method of making
US20020190661A1 (en) * 2000-01-27 2002-12-19 General Electric Company AC powered oled device
US7576496B2 (en) 1999-12-22 2009-08-18 General Electric Company AC powered OLED device
TWI273722B (en) 2000-01-27 2007-02-11 Gen Electric Organic light emitting device and method for mounting
US6515417B1 (en) 2000-01-27 2003-02-04 General Electric Company Organic light emitting device and method for mounting
US6700322B1 (en) 2000-01-27 2004-03-02 General Electric Company Light source with organic layer and photoluminescent layer
JP4434411B2 (ja) * 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
US6777871B2 (en) * 2000-03-31 2004-08-17 General Electric Company Organic electroluminescent devices with enhanced light extraction
US6661029B1 (en) * 2000-03-31 2003-12-09 General Electric Company Color tunable organic electroluminescent light source
TW461228B (en) 2000-04-26 2001-10-21 Ritdisplay Corp Method to manufacture the non-photosensitive polyimide pixel definition layer of organic electro-luminescent display panel
US6608449B2 (en) 2000-05-08 2003-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent apparatus and method of manufacturing the same
US6630785B1 (en) 2000-05-30 2003-10-07 Ritdisplay Corporation Surface treatment process for fabricating a panel of an organic light emitting device
US6350633B1 (en) * 2000-08-22 2002-02-26 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with simultaneously electroplated contact terminal and connection joint
US6864628B2 (en) * 2000-08-28 2005-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising light-emitting layer having triplet compound and light-emitting layer having singlet compound
JP2002203674A (ja) * 2000-10-30 2002-07-19 Fuji Name Plate Kk 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4711273B2 (ja) * 2000-11-20 2011-06-29 スタンレー電気株式会社 照明付き液晶表示装置
JP2002170688A (ja) * 2000-11-30 2002-06-14 Victor Co Of Japan Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2002343580A (ja) * 2001-05-11 2002-11-29 Pioneer Electronic Corp 発光ディスプレイ装置及びその製造方法
JP2002343562A (ja) * 2001-05-11 2002-11-29 Pioneer Electronic Corp 発光ディスプレイ装置及びその製造方法
JP4997667B2 (ja) * 2001-05-31 2012-08-08 凸版印刷株式会社 透明導電性フィルム及びその製造方法、並びにそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子
JP2003133080A (ja) * 2001-10-30 2003-05-09 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子
SG176316A1 (en) 2001-12-05 2011-12-29 Semiconductor Energy Lab Organic semiconductor element
CN101728422B (zh) * 2001-12-18 2012-03-28 精工爱普生株式会社 发光装置、其制造方法、电光学装置和电子仪器
SG126714A1 (en) * 2002-01-24 2006-11-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP3910864B2 (ja) 2002-03-04 2007-04-25 ローム株式会社 有機ｅｌ表示パネルおよびその製造方法
EP1343206B1 (en) * 2002-03-07 2016-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus, electronic apparatus, illuminating device and method of fabricating the light emitting apparatus
JP3933591B2 (ja) * 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP3980918B2 (ja) 2002-03-28 2007-09-26 株式会社東芝 アクティブマトリクス基板及びその製造方法、表示装置
JP4047631B2 (ja) 2002-05-28 2008-02-13 エルピーダメモリ株式会社 王冠構造のキャパシタを有する半導体集積回路装置およびその製造方法
JP3864851B2 (ja) * 2002-06-03 2007-01-10 株式会社豊田自動織機 面状発光装置
TWI272874B (en) * 2002-08-09 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Organic electroluminescent device
JP2004134282A (ja) 2002-10-11 2004-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置及びそれを用いた画像読取装置
TWI313069B (en) 2002-11-08 2009-08-01 Epistar Corporatio Light emitting diode and method of making the same
JP4077756B2 (ja) * 2003-04-11 2008-04-23 ローム株式会社 平面表示パネルの製造方法
CN100578688C (zh) * 2003-10-28 2010-01-06 住友金属矿山株式会社 透明导电层叠体及其制造方法及使用了该层叠体的器件
JP2005302508A (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Fuji Photo Film Co Ltd 透明導電性シートおよびそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子
JP4027914B2 (ja) 2004-05-21 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置及びそれを用いた機器
US7733441B2 (en) 2004-06-03 2010-06-08 Semiconductor Energy Labortory Co., Ltd. Organic electroluminescent lighting system provided with an insulating layer containing fluorescent material
JP4646702B2 (ja) * 2004-06-03 2011-03-09 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置及びその作製方法

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