JPS63141293A - Elパネル - Google Patents
ElパネルInfo
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- JPS63141293A JPS63141293A JP61286374A JP28637486A JPS63141293A JP S63141293 A JPS63141293 A JP S63141293A JP 61286374 A JP61286374 A JP 61286374A JP 28637486 A JP28637486 A JP 28637486A JP S63141293 A JPS63141293 A JP S63141293A
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- Japan
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- panel
- film wiring
- emitting layer
- thin film
- light
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、表示デバイスなどに用いるBL(エレクトロ
ルミネッセンス)パネルに関する。
ルミネッセンス)パネルに関する。
従来5例えばガラス板等の透明基板/上に、例えばIn
2O3などよりなり、櫛型にバターニングされた下側型
4ijijと、例えばY2O3,513N4などよ絶縁
層3と同様な物質よりなる第2の絶縁層5とを順次形成
し、この第2の絶縁層5の上にA4などよりなり、下側
電極−の櫛型と直交する櫛型にバターニングされた上側
電極6を形成し、さらにこの上に例えばガラス又は金属
等のカバーデにより、上記絶縁層3,5及び発光層≠を
シーリングし、大気中の水分がこれらの層(以後BL層
と呼ぶ)へ浸入するのを防いだ構造のI(Lパネルが知
られている。(ここで絶縁層3.Sは一方もしくは両方
省略することができる。)ここで下側電極2、上側電極
乙は通電の必要上第3図のようにストライブ状の簿膜配
線の一端をシーリングの蓋7の外側に出し、電極接続用
端子rとする。またここでこの電極接続用端子tのピッ
チがあまりに小さいとフラットケーブル等の接続が難か
しくなるため、第3図のように7本ごとに反対の辺に引
き出すのが一般的である。
2O3などよりなり、櫛型にバターニングされた下側型
4ijijと、例えばY2O3,513N4などよ絶縁
層3と同様な物質よりなる第2の絶縁層5とを順次形成
し、この第2の絶縁層5の上にA4などよりなり、下側
電極−の櫛型と直交する櫛型にバターニングされた上側
電極6を形成し、さらにこの上に例えばガラス又は金属
等のカバーデにより、上記絶縁層3,5及び発光層≠を
シーリングし、大気中の水分がこれらの層(以後BL層
と呼ぶ)へ浸入するのを防いだ構造のI(Lパネルが知
られている。(ここで絶縁層3.Sは一方もしくは両方
省略することができる。)ここで下側電極2、上側電極
乙は通電の必要上第3図のようにストライブ状の簿膜配
線の一端をシーリングの蓋7の外側に出し、電極接続用
端子rとする。またここでこの電極接続用端子tのピッ
チがあまりに小さいとフラットケーブル等の接続が難か
しくなるため、第3図のように7本ごとに反対の辺に引
き出すのが一般的である。
また上に述べたような絶縁層を用いた交流駆動の薄膜P
L素子は一般的に通電初期にその電圧ヂ・輝度特性が変
化することが知られている。これは発光時間とともにそ
の電圧グー輝度曲線が高電圧側ヘシフトし、ある時間で
このシフトが止まるというものであり、一般にエージン
グと呼ばれている。
L素子は一般的に通電初期にその電圧ヂ・輝度特性が変
化することが知られている。これは発光時間とともにそ
の電圧グー輝度曲線が高電圧側ヘシフトし、ある時間で
このシフトが止まるというものであり、一般にエージン
グと呼ばれている。
このEL素子の初期不安定状態は発光輝度の不均一や絶
縁破壊の原因となるため、生産直後にパルス電圧等を印
加して安定化しておくのが通常である。(例えば特公昭
乙0−ダ/弘3ざ)〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら上記従来のXYマトリックス型のFiLパ
ネルは、上記従来の安定化処理法によって均一状態で初
期安定化されに<<、そのためELパネルの位置によっ
て発光輝度が異なるELパネルとなりやすいという問題
点があった。父上記問題を解決するために、安定化のた
めの電圧として印加パルス輻の長い電圧を使用する方法
も考えられるが、この方法によると発光層等の摸内微少
欠陥に基づく絶縁破壊が発生しやすくなり、歩留が減少
して生産性が低下するという問題を生じた。
縁破壊の原因となるため、生産直後にパルス電圧等を印
加して安定化しておくのが通常である。(例えば特公昭
乙0−ダ/弘3ざ)〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら上記従来のXYマトリックス型のFiLパ
ネルは、上記従来の安定化処理法によって均一状態で初
期安定化されに<<、そのためELパネルの位置によっ
て発光輝度が異なるELパネルとなりやすいという問題
点があった。父上記問題を解決するために、安定化のた
めの電圧として印加パルス輻の長い電圧を使用する方法
も考えられるが、この方法によると発光層等の摸内微少
欠陥に基づく絶縁破壊が発生しやすくなり、歩留が減少
して生産性が低下するという問題を生じた。
本発明は上記問題点を解決するために、透明基板上に櫛
型の透明薄膜配線からなる下側電極と該透明薄膜配線と
直交するS型の薄膜配線からなる上側電極と両電極に狭
持された発光層と該発光層周りに設けられた発光層保護
カバーとを設けたELパネルにおいて、該透明薄膜配線
の長手方向両端部を発光層保護カバー形成位置よりも外
に設けることにより7つの透明薄膜配線に対して2つの
電極引出し部を用けている。
型の透明薄膜配線からなる下側電極と該透明薄膜配線と
直交するS型の薄膜配線からなる上側電極と両電極に狭
持された発光層と該発光層周りに設けられた発光層保護
カバーとを設けたELパネルにおいて、該透明薄膜配線
の長手方向両端部を発光層保護カバー形成位置よりも外
に設けることにより7つの透明薄膜配線に対して2つの
電極引出し部を用けている。
本発明のBLパネルは該電極引出し部(7本の透FiA
NIM配線に対して2カ所)に安定化m電圧を印加する
ことにより、簡単に均一な発光輝度を有するE Lパネ
ルとすることができる。
NIM配線に対して2カ所)に安定化m電圧を印加する
ことにより、簡単に均一な発光輝度を有するE Lパネ
ルとすることができる。
該FiLパネルは、発光層の両側にY、03. Si3
N4などの絶縁層を有するものであってもかまわず、該
絶縁層を有するものである方が耐久性等が向上するので
好ましい。
N4などの絶縁層を有するものであってもかまわず、該
絶縁層を有するものである方が耐久性等が向上するので
好ましい。
又、発光層周りに設けられる発光層保護層は、発光層に
浸入する湿気を防ぐためのもので、その材質および形状
は防湿効果を有するものであれば使用できる。
浸入する湿気を防ぐためのもので、その材質および形状
は防湿効果を有するものであれば使用できる。
まず、ガラス基板/上に約O1,2μm厚のI n、2
03よりなる透明導電膜をスパッタリング法により作成
した後写真食刻法を用いて櫛型にパターニングして下側
tn極2とした。この下側電極2の中央領域に約0.3
μm厚の813 N 4よりなる下部絶縁層3、約0.
7μm厚のMnをドープしたZnSよりなる発光層ダ、
および約O0,2μm厚のSi3N、よりなる上部絶縁
層jを順次積層した。その後約0.0!μm厚のhl膜
を上部絶縁層jおよびガラス基板/上に蒸着法により作
成し、写真食刻法を用いて下側電極λの透明薄膜配線と
直交するような櫛型にバターニングして上側電極6とし
た。ここで下側電極2および上側電極乙は交互に配線の
長さ方向に前後にずれたパターンとし、交互に相対する
位置に電極接続用端子tを形成できるようにした。又、
下側電極コの透明薄膜配線の両端部は発光層ケの形成位
置からある程度突出するようにした。
03よりなる透明導電膜をスパッタリング法により作成
した後写真食刻法を用いて櫛型にパターニングして下側
tn極2とした。この下側電極2の中央領域に約0.3
μm厚の813 N 4よりなる下部絶縁層3、約0.
7μm厚のMnをドープしたZnSよりなる発光層ダ、
および約O0,2μm厚のSi3N、よりなる上部絶縁
層jを順次積層した。その後約0.0!μm厚のhl膜
を上部絶縁層jおよびガラス基板/上に蒸着法により作
成し、写真食刻法を用いて下側電極λの透明薄膜配線と
直交するような櫛型にバターニングして上側電極6とし
た。ここで下側電極2および上側電極乙は交互に配線の
長さ方向に前後にずれたパターンとし、交互に相対する
位置に電極接続用端子tを形成できるようにした。又、
下側電極コの透明薄膜配線の両端部は発光層ケの形成位
置からある程度突出するようにした。
その後真空中で該ガラス基板を加熱して薄膜中の水分を
除去した後ガラス製のカバータを発光層ダを囲み保護す
る形でエポキシ樹脂を用いて密封状態で固定した。
除去した後ガラス製のカバータを発光層ダを囲み保護す
る形でエポキシ樹脂を用いて密封状態で固定した。
ここで下側電極2の透明配線の両端部と上側電極乙の電
極接続用端子ざはカバー9のシール位置7の外に突出さ
せ、電極引出し部10とした。
極接続用端子ざはカバー9のシール位置7の外に突出さ
せ、電極引出し部10とした。
上記操作により作成したELパネルの模式平面図および
模式断面図を第1図および第2図に示す。
模式断面図を第1図および第2図に示す。
その後このように作成したELパネル2枚に以下の2つ
の安定化処理を別々に行なった。
の安定化処理を別々に行なった。
まず第1は、従来の安定化処理と同一の方法であり、下
側電極の両側の電極接続端子(下側電極の7本の透明薄
膜配線に対してlケ所接続、図中A領域)および上側i
!極の電極接続端子に各々導電性ゴムを多数の電極にわ
たって密着させ、上下の電極に接続する導電性ゴムの間
にパルス波形の電圧を印加させた。
側電極の両側の電極接続端子(下側電極の7本の透明薄
膜配線に対してlケ所接続、図中A領域)および上側i
!極の電極接続端子に各々導電性ゴムを多数の電極にわ
たって密着させ、上下の電極に接続する導電性ゴムの間
にパルス波形の電圧を印加させた。
こうして安定化させたE Lパネルを発光させるとパネ
ルの端の発光部では明らかに下側電極の/本均−であっ
た。又、この現象は両溝電性ゴムに印加する電圧の印加
パルス幅を短かくするほど顕著になった。このような安
定化処理の不均一は導電性ゴムから距離の遠い発光素子
に印加される電圧がEL素子の静電容量と下側透明配線
の抵抗によって低下したり、パルス幅が減少したりする
ためと考えられる。
ルの端の発光部では明らかに下側電極の/本均−であっ
た。又、この現象は両溝電性ゴムに印加する電圧の印加
パルス幅を短かくするほど顕著になった。このような安
定化処理の不均一は導電性ゴムから距離の遠い発光素子
に印加される電圧がEL素子の静電容量と下側透明配線
の抵抗によって低下したり、パルス幅が減少したりする
ためと考えられる。
次に下側導電性ゴムの密着位置をカバー9のシール位置
のすぐそげ(電極引出し部、下側電極の7本の薄膜配線
の両端に導電性ゴムが接続する様、図中B領域)に移動
させた後上述と同様のパルス電圧を印加させた。本安定
化処理方法によって処理したELパネルの発光輝度はパ
ネル内でほぼ均一であり、特に、となり同士のFiL素
子の発光輝度が異なるようなことがなく、すぐれた物で
あった。
のすぐそげ(電極引出し部、下側電極の7本の薄膜配線
の両端に導電性ゴムが接続する様、図中B領域)に移動
させた後上述と同様のパルス電圧を印加させた。本安定
化処理方法によって処理したELパネルの発光輝度はパ
ネル内でほぼ均一であり、特に、となり同士のFiL素
子の発光輝度が異なるようなことがなく、すぐれた物で
あった。
本発明のELパネルは実施例からも明らかなとおり、均
一な発光輝度を有するELパネルであり、絶縁破壊等が
少ないため生産性の良好なELパネルである。又、本発
明のIBLパネルは、良好な安定化処理を歩留良く行な
うことができる。
一な発光輝度を有するELパネルであり、絶縁破壊等が
少ないため生産性の良好なELパネルである。又、本発
明のIBLパネルは、良好な安定化処理を歩留良く行な
うことができる。
第1図および第一図は本発明の実施例により作成したE
Lパネルの模式平面図および模式断面図であり、第3図
および第q図は従来のELパネルの模式平面図および模
式断面図である。 第1図 第2図 第3図 第4図
Lパネルの模式平面図および模式断面図であり、第3図
および第q図は従来のELパネルの模式平面図および模
式断面図である。 第1図 第2図 第3図 第4図
Claims (3)
- (1)透明基板上に、櫛型の透明薄膜配線からなる下側
電極と、該透明薄膜配線と直交する櫛型の薄膜配線から
なる上側電極と、両電極に狭持された発光層と、該発光
層周りに設けられた発光層保護カバーとを設けたELパ
ネルにおいて、該透明薄膜配線の長手方向両端部を発光
層保護カバー形成位置よりも外に設けることにより1つ
の透明薄膜配線に対して2つの電極引出し部を設けたこ
とを特徴とするELパネル。 - (2)該発光層保護カバーから突出する片側の電極引出
部の突出長さが透明薄膜配線1本おきに長くなつており
、該長電極引出部が安定化処理後の発光操作に用いる電
極接続用端子とされている特許請求の範囲第1項記載の
ELパネル。 - (3)該透明薄膜配線1本に対して1つの電極接続用端
子が設けられている特許請求の範囲第2項記載のELパ
ネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61286374A JPS63141293A (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | Elパネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61286374A JPS63141293A (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | Elパネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63141293A true JPS63141293A (ja) | 1988-06-13 |
Family
ID=17703564
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61286374A Pending JPS63141293A (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | Elパネル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63141293A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0357895U (ja) * | 1989-10-09 | 1991-06-04 | ||
JP2007025710A (ja) * | 2006-08-28 | 2007-02-01 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2009224809A (ja) * | 2004-06-03 | 2009-10-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 照明装置 |
US8253320B2 (en) | 2002-04-18 | 2012-08-28 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing an electric optical device in which external connection terminals are formed |
US8592852B2 (en) | 2010-05-21 | 2013-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and lighting device |
US8748930B2 (en) | 2010-07-26 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device |
-
1986
- 1986-12-01 JP JP61286374A patent/JPS63141293A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0357895U (ja) * | 1989-10-09 | 1991-06-04 | ||
US8253320B2 (en) | 2002-04-18 | 2012-08-28 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing an electric optical device in which external connection terminals are formed |
US8339030B2 (en) | 2002-04-18 | 2012-12-25 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing an electric optical device in which external connection terminals are formed |
US8796913B2 (en) | 2002-04-18 | 2014-08-05 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing an electric optical device in which external connection terminals are formed |
JP2009224809A (ja) * | 2004-06-03 | 2009-10-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 照明装置 |
US8582058B2 (en) | 2004-06-03 | 2013-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting system including wiring over electrode |
US8847479B2 (en) | 2004-06-03 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent lighting system including wiring including a plurality of openings |
US9099668B2 (en) | 2004-06-03 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting system |
JP2007025710A (ja) * | 2006-08-28 | 2007-02-01 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
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US8748930B2 (en) | 2010-07-26 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device |
US9728737B2 (en) | 2010-07-26 | 2017-08-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device |
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