JPS62272499A - 薄膜elパネル - Google Patents
薄膜elパネルInfo
- Publication number
- JPS62272499A JPS62272499A JP61114853A JP11485386A JPS62272499A JP S62272499 A JPS62272499 A JP S62272499A JP 61114853 A JP61114853 A JP 61114853A JP 11485386 A JP11485386 A JP 11485386A JP S62272499 A JPS62272499 A JP S62272499A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- brightness
- back electrode
- electrode
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 37
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 4
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 1
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔発明の利用分野〕
本発明は、電界の印加によってEL(エレクトロ・ルミ
ネッセンス)発光を生ずる薄膜ELパネルに関するもの
であり、特に、表示の輝度(階調)を可変にする技術に
関するものである。
ネッセンス)発光を生ずる薄膜ELパネルに関するもの
であり、特に、表示の輝度(階調)を可変にする技術に
関するものである。
従来の薄膜ELパネルとしては1例えば、第7図に示す
ごときものがある(例えば、実開昭57−182595
号に記a)、。
ごときものがある(例えば、実開昭57−182595
号に記a)、。
なお、第7図(A)は平面図、(B)は(A)のA−A
’断面図である。
’断面図である。
以下、簡単のため、−辺の長さがaの正方形を表示する
場合を例として説明する。
場合を例として説明する。
第7図において、ガラス基板1の上には、In、O,や
SnO,等の透明導電膜からなる前面電極2(膜厚約2
000人)が蒸着され、続いて、Y、O,や513N4
等からなる第1誘電体11i3.Mnを微量に含むZn
Sからなる発光膜4および第1誘電体111I3と同様
の材質からなる第2誘電体膜5が電子ビーム蒸着あるい
はスパッタリングによって順次積層されており、上記の
3〜5がELa層100を形成している。
SnO,等の透明導電膜からなる前面電極2(膜厚約2
000人)が蒸着され、続いて、Y、O,や513N4
等からなる第1誘電体11i3.Mnを微量に含むZn
Sからなる発光膜4および第1誘電体111I3と同様
の材質からなる第2誘電体膜5が電子ビーム蒸着あるい
はスパッタリングによって順次積層されており、上記の
3〜5がELa層100を形成している。
なお、それぞれの膜厚はH電体膜が5ooo人1発光膜
が6000人程度1ある。
が6000人程度1ある。
また、上記の前面電極2は、(A)に示すごとく幅がa
の短冊状にパターン化されている。
の短冊状にパターン化されている。
次に、上記の第2誘電体膜5の上に質量膜厚が50〜3
00人のMo膜からなる島状吸収体膜6を電子ビーム蒸
着あるいはスパッタリングによって形成する。
00人のMo膜からなる島状吸収体膜6を電子ビーム蒸
着あるいはスパッタリングによって形成する。
なお、この島状吸収体膜6は、島状構造を持つ他の金属
膜や半導体膜1例えば、Ta、 Cr、 Si等で代替
することも可能である。
膜や半導体膜1例えば、Ta、 Cr、 Si等で代替
することも可能である。
上記の島状吸収体膜6の上に5000人程度0膜厚を持
つA603等の透明誘電体膜7を形成し、さらにその上
にA1等の金属WA8を蒸着あるいはスパッタリングに
よって順次積層する。
つA603等の透明誘電体膜7を形成し、さらにその上
にA1等の金属WA8を蒸着あるいはスパッタリングに
よって順次積層する。
上記の6〜8が黒色化背面電極200を形成している。
また、上記の黒色化背面電極200は、(A)に示すご
とく幅がaの短冊形をしており、前記の前面電極2と上
記の黒色化背面電極200とで挟まれた部分がaXaの
正方形になるように形成されている。
とく幅がaの短冊形をしており、前記の前面電極2と上
記の黒色化背面電極200とで挟まれた部分がaXaの
正方形になるように形成されている。
また、上記の黒色化背面電極200は、明るい環境下に
おいて、表示側となるガラス基板1を透過して侵入した
外来光がAll金属膜8で反射して再び外部に射出する
のを防止し1発光パターンのコントラストを改善するた
めに配設されているものである。
おいて、表示側となるガラス基板1を透過して侵入した
外来光がAll金属膜8で反射して再び外部に射出する
のを防止し1発光パターンのコントラストを改善するた
めに配設されているものである。
上記の黒色化背面電極200は、その各構成膜6゜7.
8が電子ビーム蒸着あるいはスパッタリングによって順
次積層された後、フォトリングラフィによって所定形状
にパターン化される。
8が電子ビーム蒸着あるいはスパッタリングによって順
次積層された後、フォトリングラフィによって所定形状
にパターン化される。
上記のフォトリソグラフィの際に用いられるエッチャン
ト(エツチング液)としては、透明誘電体膜7として用
いられているAt、03が耐酸性、耐アルカリ性が高く
、したがって、耐エツチング性もかなり高いので、それ
に対するエツチング作用を有するものに主眼がおかれ、
例えば、特開昭52−131940号公報で示されてい
るようなN a OHと次亜塩素酸を混合したアルカリ
系エッチャントやH,PO,、HNO,および氷酢酸を
混合した酸系エッチャントが用いられる。
ト(エツチング液)としては、透明誘電体膜7として用
いられているAt、03が耐酸性、耐アルカリ性が高く
、したがって、耐エツチング性もかなり高いので、それ
に対するエツチング作用を有するものに主眼がおかれ、
例えば、特開昭52−131940号公報で示されてい
るようなN a OHと次亜塩素酸を混合したアルカリ
系エッチャントやH,PO,、HNO,および氷酢酸を
混合した酸系エッチャントが用いられる。
これらのエッチャントは、透明誘電体膜7の上に積層さ
れているMの金属膜8および下に積層されているMoの
島状吸収体膜6に対してもエツチング作用を有し、AQ
20.膜に対するエツチング速度に比較すると、これら
の両膜6.8に対してはかなり速いエツチング速度を有
している。
れているMの金属膜8および下に積層されているMoの
島状吸収体膜6に対してもエツチング作用を有し、AQ
20.膜に対するエツチング速度に比較すると、これら
の両膜6.8に対してはかなり速いエツチング速度を有
している。
上記のようにして構成した薄膜ELパネルの前面電極2
と黒色化背面電極200との間に1例えば、1kHzで
150〜250v程度の交流電圧を印加すると、上記両
電極に挟まれた部分が印加された電力に応じた輝度で発
光し1表示図形、すなわちこの場合にはaXaの正方形
が表示される。
と黒色化背面電極200との間に1例えば、1kHzで
150〜250v程度の交流電圧を印加すると、上記両
電極に挟まれた部分が印加された電力に応じた輝度で発
光し1表示図形、すなわちこの場合にはaXaの正方形
が表示される。
上記のごとき薄膜ELパネルにおいては、視認性を向上
させることを目的として、あるいは、造形上の要8nか
ら、単に図形を表示するだけではなく、階調を出すこと
、すなわち輝度の強弱を設けることが必要とされる場合
がある。
させることを目的として、あるいは、造形上の要8nか
ら、単に図形を表示するだけではなく、階調を出すこと
、すなわち輝度の強弱を設けることが必要とされる場合
がある。
従来の薄膜ELパネルにおいて表示輝度を変える場合に
は、前記両電極間に印加する電力密度を変える方法が用
いられていた。
は、前記両電極間に印加する電力密度を変える方法が用
いられていた。
電力密度を変える方法としては、例えば、印加電圧を変
える方法、駆動周波数を変える方法、あるいは間欠的に
電力を供給し、その印加時間を変える方法等を用いるこ
とが出5来る。
える方法、駆動周波数を変える方法、あるいは間欠的に
電力を供給し、その印加時間を変える方法等を用いるこ
とが出5来る。
上記のごとく、従来の薄膜ELパネルにおいては、ri
I度を変える場合にセグメントに供給する電力密度(セ
グメント単位面積当りの電力)を増減する方法を用いて
いたため、低輝度で発光させた場合に表示面内で輝度む
ら(表示の明暗)が生じ易いという問題があった(詳細
後述)。
I度を変える場合にセグメントに供給する電力密度(セ
グメント単位面積当りの電力)を増減する方法を用いて
いたため、低輝度で発光させた場合に表示面内で輝度む
ら(表示の明暗)が生じ易いという問題があった(詳細
後述)。
そのため、輝度を可変にし、しかも表示品質を十分なも
のとすることがかなり困難であった。
のとすることがかなり困難であった。
また、上記のごとき輝度の可変方法では、高輝度で発光
させた場合も低輝度で発光させた場合も単にセグメント
が一様に光るのみで表示に面白みがなく、平板で装飾性
に乏しいという問題があった。
させた場合も低輝度で発光させた場合も単にセグメント
が一様に光るのみで表示に面白みがなく、平板で装飾性
に乏しいという問題があった。
本発明は、上記のごとき従来技術の問題を解決するため
になされたものであり1表示の輝度を任意に可変にして
階調を変えることが出来、かつ、装飾性に富んだ表示を
行なうことの出来る薄膜ELパネルを提供することを目
的とするものである。
になされたものであり1表示の輝度を任意に可変にして
階調を変えることが出来、かつ、装飾性に富んだ表示を
行なうことの出来る薄膜ELパネルを提供することを目
的とするものである。
上記の目的を達成するため、本発明においては。
前面電極と背面電極との少なくとも一方をそれぞれ別個
の引出し線を有する複数の電極に分割し、そのうちの所
定の電極を選択して電圧を印加することにより所望の輝
度で発光させるように構成している。
の引出し線を有する複数の電極に分割し、そのうちの所
定の電極を選択して電圧を印加することにより所望の輝
度で発光させるように構成している。
すなわち、本発明においては、輝度を変えるために印加
電力を変えるのではなく1表示面内で発光させる面積を
変えることによって階調を出すように構成したものであ
る。
電力を変えるのではなく1表示面内で発光させる面積を
変えることによって階調を出すように構成したものであ
る。
第1図は本発明の一実施例図であり、(A)は平面図、
(B)は(A)のB−B’断面図である。
(B)は(A)のB−B’断面図である。
第1図の装置は、輝度を4階調まで表示出来るものであ
り、また、前記の従来例と同様に一辺がaの正方形を表
示する場合を例示している。
り、また、前記の従来例と同様に一辺がaの正方形を表
示する場合を例示している。
第1図において、前記の従来例と同様の材料。
膜厚、方法でガラス基板1の上に前面電極2と第1誘電
体膜31発光膜4、第2誘電体膜5からなるEL3層1
00を形成する。
体膜31発光膜4、第2誘電体膜5からなるEL3層1
00を形成する。
続いて、ELa層100の上に島状吸収体膜6、透明誘
電体[7、金属膜8からなる多層膜を形成した後、フォ
トリングラフィによって(A)に示すようなくし歯状の
パターンを有する一対の黒色化背面[w420OAオヨ
ヒ200B ヲ形成t6゜この206Aと200 Bと
は歯の部分が相互に相手方の歯の間隙に納まるように配
置されており、それぞれ専用の引出し線201A、20
1Bを有している。
電体[7、金属膜8からなる多層膜を形成した後、フォ
トリングラフィによって(A)に示すようなくし歯状の
パターンを有する一対の黒色化背面[w420OAオヨ
ヒ200B ヲ形成t6゜この206Aと200 Bと
は歯の部分が相互に相手方の歯の間隙に納まるように配
置されており、それぞれ専用の引出し線201A、20
1Bを有している。
また、黒色化背面電極200Aの歯の幅はQ、歯の数は
N、黒色化背面電極200Bの歯の幅はm。
N、黒色化背面電極200Bの歯の幅はm。
歯の数はN+1(第1図の場合はN=3)であり、悲〉
mとする。
mとする。
また、隣接し合う200 Aの歯と200Bの歯との間
の隙間りは50I1m程度であり、前記の幅Q、mに比
べると無視出来るほど小さいものである。
の隙間りは50I1m程度であり、前記の幅Q、mに比
べると無視出来るほど小さいものである。
また1表示する正方形の一辺の長さa (am)とり、
Q、mおよびNとの間には。
Q、mおよびNとの間には。
a=NQ+(N+1)m+2Nhの関係がある。
ただし、店、n、hはaと同じ単位で表示されているも
のとする。
のとする。
また、くし歯の歯の長さは、 200A、200Bのど
ちらも正方形の一辺の長さaよりも長い。
ちらも正方形の一辺の長さaよりも長い。
次に、表示の際の動作について説明する。
従来の方法においては、印加する電力密度を増減して輝
度(cd/m”)を可変することにより、セグメントの
階調を実現していたが、本発明においては、セグメント
の発光する面積を変えることによって階調を実現するも
のである。
度(cd/m”)を可変することにより、セグメントの
階調を実現していたが、本発明においては、セグメント
の発光する面積を変えることによって階調を実現するも
のである。
すなわち、第1図(A)に示すごとく、交流電源eの一
端を前面電極2に接続し、他の一端を開閉手段10Aお
よびIOBを介してそれぞれ黒色化背面電極200 A
、200 Bの引出し線201A、201Bに接続する
。
端を前面電極2に接続し、他の一端を開閉手段10Aお
よびIOBを介してそれぞれ黒色化背面電極200 A
、200 Bの引出し線201A、201Bに接続する
。
そして、交流電源eは1表示面内に輝度むらが生じない
程度に十分な電圧値に設定されているものとする。
程度に十分な電圧値に設定されているものとする。
まず、開閉手段10A、IOBを両方閉じると、前面電
極2と黒色化背面電ffl 200 Aとで挟まれてい
る部分、および前面型j@2と黒色化背面電極200B
とで挟まれている部分とが同時に発光し、第3図(A)
に示すごとく、セグメントの正方形がほぼ全面発光する
。
極2と黒色化背面電ffl 200 Aとで挟まれてい
る部分、および前面型j@2と黒色化背面電極200B
とで挟まれている部分とが同時に発光し、第3図(A)
に示すごとく、セグメントの正方形がほぼ全面発光する
。
なお、黒色化背面電極200Aと200Bとの歯の隙間
は発光しないが、非常に狭いために殆ど目立たない。
は発光しないが、非常に狭いために殆ど目立たない。
次に、開閉手段10Aのみを閉じると、前面電極2と黒
色化背面電極200Aとで挟まれた部分のみが発光し、
第2図(B)に示すようになる。
色化背面電極200Aとで挟まれた部分のみが発光し、
第2図(B)に示すようになる。
また、開閉手段10Bのみを閉じると、今度は前面電極
2と黒色化背面電極200Bとで挟まれた部分のみが発
光し、第2図(C)に示すように発光する。
2と黒色化背面電極200Bとで挟まれた部分のみが発
光し、第2図(C)に示すように発光する。
また、開閉手段10AおよびIOBの両方を開にすれば
、全く発光しないことになる。
、全く発光しないことになる。
したがって1本実施例においては、セグメントの発光面
積を変えることによって無発光の場合を含めて最大4P
I調まで実現することが出来る。
積を変えることによって無発光の場合を含めて最大4P
I調まで実現することが出来る。
次に、作用を説明する。
まず、前記の発明が解決しようとする問題点で述べた輝
度むらが発生する原因について説明する。
度むらが発生する原因について説明する。
薄11iELi子を形成する際には、構成する各薄膜の
膜厚や膜質が基板面内でばらつくことが避は難く生じる
。
膜厚や膜質が基板面内でばらつくことが避は難く生じる
。
また、前面電極や黒色化背面電極の引出し線の抵抗がフ
ォトリソグラフィの不確定性によって同じ面内でばらつ
くことが屡々ある。
ォトリソグラフィの不確定性によって同じ面内でばらつ
くことが屡々ある。
そして、これらのばらつきが全て発光特性の相違となっ
て現れてくる。
て現れてくる。
第3図は上記のごとき基板面内における発光特性のばら
つきを示す図であり、横軸は印加電力、縦軸は輝度を表
わしている。
つきを示す図であり、横軸は印加電力、縦軸は輝度を表
わしている。
そして同じガラス基板上であっても前記のごときばらつ
きにより、場所によって発光特性がLいL2のように変
化する。
きにより、場所によって発光特性がLいL2のように変
化する。
なお、本発明者が実験したところによると1発光特性の
ばらつきは第3図のLl、L2に示すように横軸方向に
ほぼ平行移動した関係になる。
ばらつきは第3図のLl、L2に示すように横軸方向に
ほぼ平行移動した関係になる。
上記のごとき特性において、前記の従来方法のように印
加電力を増減して階調を出した場合には。
加電力を増減して階調を出した場合には。
例えば、ある中間輝度を出すためにPoなる電力を供給
した場合、発光特性L1の部分とり、の部分とではその
輝度がそれぞれLoいL0□のようになり、輝度差が非
常に大きくなるので、表示面内では目に見える程の大き
な明暗差となって現れ、それが輝度むらとなって現れて
いた。
した場合、発光特性L1の部分とり、の部分とではその
輝度がそれぞれLoいL0□のようになり、輝度差が非
常に大きくなるので、表示面内では目に見える程の大き
な明暗差となって現れ、それが輝度むらとなって現れて
いた。
これに対して本発明においては、十分大きな電力P1を
与えることによって発光特性の差の少ない部分で動作さ
せることが出来るので、輝度むらを生じるおそれがなく
なる。
与えることによって発光特性の差の少ない部分で動作さ
せることが出来るので、輝度むらを生じるおそれがなく
なる。
また1本発明においては、第2図に示すごとく、階調に
応じてセグメントの模様が変わるので、従来のような一
様の発光に比べて変化に富み、装飾性が豊かになる。
応じてセグメントの模様が変わるので、従来のような一
様の発光に比べて変化に富み、装飾性が豊かになる。
次に、第4図は本発明の他の実施例図であり、背面電極
の他に前面電極2も分割した例を示す。
の他に前面電極2も分割した例を示す。
この場合も前記と同様に一辺がaの正方形を表示する場
合を例示している。
合を例示している。
第4図において、まず、ガラス基板1の上にIn、O,
やSnO,等の透明導電膜を電子ビーム蒸着あるいはス
パッタリング等の手段で形成し、フォトリソグラフィを
用いて図示のごときくシ爾パターンの一対の前面電極2
0A、20Bを形成する。
やSnO,等の透明導電膜を電子ビーム蒸着あるいはス
パッタリング等の手段で形成し、フォトリソグラフィを
用いて図示のごときくシ爾パターンの一対の前面電極2
0A、20Bを形成する。
なお、20Aと20Bとは互いに歯の部分が他方の歯の
間に納まるように配置されており、それぞれ専用の引出
し線21A、21Bを有している。
間に納まるように配置されており、それぞれ専用の引出
し線21A、21Bを有している。
また、20Aの歯の幅はi、歯の数はに、20Bの歯の
幅はj、歯の数はに+1(第4図ではに=3の場合を例
示)であり、i>jとする。
幅はj、歯の数はに+1(第4図ではに=3の場合を例
示)であり、i>jとする。
また、2OAと20Bとの隣合う歯の隙間をg(gχ5
0.1111. g< i 、 j )とすれば、正方
形の一辺の長さa (cm)とg、il、jおよびKの
間にはa=Ki+(K+1)、i+2Kgの関係がある
。
0.1111. g< i 、 j )とすれば、正方
形の一辺の長さa (cm)とg、il、jおよびKの
間にはa=Ki+(K+1)、i+2Kgの関係がある
。
ただし、i、j、gはaと同じ単位で示されているもの
とする。
とする。
また、20A、20Bのくし歯の長さは、aよりも長い
。
。
続いて、前記第1図の実施例と全く同様にしてEL3層
lOOおよび黒色化背面電極200A、200Bを形成
する。なお、i > Q > m > jの関係がある
。
lOOおよび黒色化背面電極200A、200Bを形成
する。なお、i > Q > m > jの関係がある
。
次に、動作について説明する。
交流電源eの一端を開閉手段11A、11Bを介して前
面電極20A、20Bのそれぞれの引出し線21A、2
1Bに接続し、他端を開閉手段10A、IOBを介して
黒色化背面電極200A、200 Bの引出し線201
A。
面電極20A、20Bのそれぞれの引出し線21A、2
1Bに接続し、他端を開閉手段10A、IOBを介して
黒色化背面電極200A、200 Bの引出し線201
A。
201Bにそれぞれ接続する。
また、交流電源eは、基板面内に輝度むらを生じない程
度に十分高い電圧に設定されているものとする。
度に十分高い電圧に設定されているものとする。
上記、の開閉手段11A、IIBおよびIOA、IOB
を組み合わせて開閉制御することにより、第5図に示し
たごと<10段階(図示しない無発光の場合を含む)の
階調を実現することが出来る。
を組み合わせて開閉制御することにより、第5図に示し
たごと<10段階(図示しない無発光の場合を含む)の
階調を実現することが出来る。
なお、第5図において、斜線を施した部分が発光してい
る部分を示す。
る部分を示す。
また、前記の実施例においては、前面電極や黒色化背面
電極の形状として長方形の歯を有するくし歯状を示して
いるが、これに限られるものではなく1例えば、第6図
に示すようなパターンを用いることも出来る。
電極の形状として長方形の歯を有するくし歯状を示して
いるが、これに限られるものではなく1例えば、第6図
に示すようなパターンを用いることも出来る。
また、前記の実施例においては、背面電極として黒色化
背面電極を用いたものを例示しているが。
背面電極を用いたものを例示しているが。
単なる金属膜からなる背面電極の場合でも勿論本発明を
適用することが出来る。
適用することが出来る。
以上説明したごとく1本発明においては、前面電極と背
面電極との少なくとも一方をそれぞれ別−個の引出し線
を有する複数の電極に分割し、そのうちの所定の電極を
選択して電圧を印加するように構成しているので、発光
する面積を変えることによって任意の階調を実現するこ
とが出来、しかも表示面内に輝度むらを生じるおそれの
ない程度の十分高い電圧を印加することが出来るので、
低輝度側でも表示面内に輝度むらを生じるおそれがない
。
面電極との少なくとも一方をそれぞれ別−個の引出し線
を有する複数の電極に分割し、そのうちの所定の電極を
選択して電圧を印加するように構成しているので、発光
する面積を変えることによって任意の階調を実現するこ
とが出来、しかも表示面内に輝度むらを生じるおそれの
ない程度の十分高い電圧を印加することが出来るので、
低輝度側でも表示面内に輝度むらを生じるおそれがない
。
また、各階調毎にセグメントの模様が変化するので、表
示に面白みが出来、装飾性に優れているという効果も得
られる。
示に面白みが出来、装飾性に優れているという効果も得
られる。
第1図は本発明の一実施例図、第21iii1は第1図
の装置における発光状態を示す図、第3図は基板面内に
おける発光特性のばらつきを示す図、第4図は本発明の
他の実施例図、第5図は第4図の装置の発光状態を示す
図、第6図は本発明における電極形状の他の実施例図、
第7図は従来装置の一例図である。 〈符号の説明〉 1・・・ガラス基板 2・・・前面電極3・・・
第1誘電体[4・・・発光膜 5・・・第2誘電体[6・・・島状吸収体膜7・・・透
明誘電体膜 8・・・金属膜10A、IOB・・・
開閉手段 11A、IIB・・・開閉手段20A、20
B・・・前面電極 21A、21B・・・引出し線10
0・・・E L 3 M 200・・・黒色化
背面電極200A、 200B・・・黒色化背面電極2
0LA、 201B・・・引出し線 代理人弁理士 中 村 純之助 tl 図 (B) lOA#2tffi口区区
求==:王:コ 区::==Σ:==コ 中3 弐 電力(電、圧) づ]゛41 (B) 、計・・61 200A (20A ”) 200B (208) ′J−7喝
の装置における発光状態を示す図、第3図は基板面内に
おける発光特性のばらつきを示す図、第4図は本発明の
他の実施例図、第5図は第4図の装置の発光状態を示す
図、第6図は本発明における電極形状の他の実施例図、
第7図は従来装置の一例図である。 〈符号の説明〉 1・・・ガラス基板 2・・・前面電極3・・・
第1誘電体[4・・・発光膜 5・・・第2誘電体[6・・・島状吸収体膜7・・・透
明誘電体膜 8・・・金属膜10A、IOB・・・
開閉手段 11A、IIB・・・開閉手段20A、20
B・・・前面電極 21A、21B・・・引出し線10
0・・・E L 3 M 200・・・黒色化
背面電極200A、 200B・・・黒色化背面電極2
0LA、 201B・・・引出し線 代理人弁理士 中 村 純之助 tl 図 (B) lOA#2tffi口区区
求==:王:コ 区::==Σ:==コ 中3 弐 電力(電、圧) づ]゛41 (B) 、計・・61 200A (20A ”) 200B (208) ′J−7喝
Claims (1)
- 透明な前面電極と背面電極との間に少なくとも発光膜
を挟持して成る薄膜ELパネルにおいて、上記前面電極
と背面電極との少なくとも一方を、それぞれに別個の引
出線を有する複数の電極に分割し、そのうちの所定の電
極を選択して電圧を印加することにより、所望の輝度で
発光させることを特徴とする薄膜ELパネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61114853A JPS62272499A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | 薄膜elパネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61114853A JPS62272499A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | 薄膜elパネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62272499A true JPS62272499A (ja) | 1987-11-26 |
Family
ID=14648340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61114853A Pending JPS62272499A (ja) | 1986-05-21 | 1986-05-21 | 薄膜elパネル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62272499A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01311423A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-15 | Hitachi Ltd | 情報の記録方法及び記録装置 |
JPH02301990A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-12-14 | Westinghouse Electric Corp <We> | 薄膜el端部発光装置 |
JPH03186891A (ja) * | 1989-12-16 | 1991-08-14 | Sharp Corp | 薄膜el表示装置の駆動方法 |
WO2006123776A1 (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-23 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | 発光装置及び液晶表示装置 |
JP2007173519A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機el照明パネル及び有機el照明装置 |
JP2009224809A (ja) * | 2004-06-03 | 2009-10-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 照明装置 |
US8592852B2 (en) | 2010-05-21 | 2013-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and lighting device |
US8748930B2 (en) | 2010-07-26 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5123873A (ja) * | 1973-04-17 | 1976-02-26 | Toshinobu Nagashima | Haienshoriho |
JPS6151795A (ja) * | 1984-08-21 | 1986-03-14 | 中日本写真工業株式会社 | プレ−トランプ |
-
1986
- 1986-05-21 JP JP61114853A patent/JPS62272499A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5123873A (ja) * | 1973-04-17 | 1976-02-26 | Toshinobu Nagashima | Haienshoriho |
JPS6151795A (ja) * | 1984-08-21 | 1986-03-14 | 中日本写真工業株式会社 | プレ−トランプ |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01311423A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-15 | Hitachi Ltd | 情報の記録方法及び記録装置 |
JPH02301990A (ja) * | 1989-04-24 | 1990-12-14 | Westinghouse Electric Corp <We> | 薄膜el端部発光装置 |
JPH03186891A (ja) * | 1989-12-16 | 1991-08-14 | Sharp Corp | 薄膜el表示装置の駆動方法 |
JP2635787B2 (ja) * | 1989-12-16 | 1997-07-30 | シャープ株式会社 | 薄膜el表示装置の駆動方法 |
JP2009224809A (ja) * | 2004-06-03 | 2009-10-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 照明装置 |
US20100026179A1 (en) * | 2004-06-03 | 2010-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting system |
US8582058B2 (en) | 2004-06-03 | 2013-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting system including wiring over electrode |
US8847479B2 (en) | 2004-06-03 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent lighting system including wiring including a plurality of openings |
US9099668B2 (en) | 2004-06-03 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting system |
WO2006123776A1 (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-23 | Kabushiki Kaisha Toyota Jidoshokki | 発光装置及び液晶表示装置 |
JP2007173519A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機el照明パネル及び有機el照明装置 |
JP4696896B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2011-06-08 | パナソニック電工株式会社 | 有機el照明パネル及び有機el照明装置 |
US8592852B2 (en) | 2010-05-21 | 2013-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and lighting device |
US8748930B2 (en) | 2010-07-26 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device |
US9728737B2 (en) | 2010-07-26 | 2017-08-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, lighting device, and manufacturing method of light-emitting device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3918558B2 (ja) | 有機el表示装置 | |
JPS62272499A (ja) | 薄膜elパネル | |
KR100773939B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 | |
JP2003197114A (ja) | プラズマディスプレイパネル | |
JP2001110574A (ja) | 発光素子用電極 | |
TWI607481B (zh) | 螢光顯示管之製造方法、螢光顯示管 | |
KR100605152B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 | |
JP2003092190A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 | |
JPH0334292A (ja) | 薄膜el素子を用いたドットマトリクスディスプレイ | |
KR100661161B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 | |
JPH02230693A (ja) | 薄膜el表示素子 | |
JP2502560B2 (ja) | 誘電体膜の形成方法 | |
JPH0922258A (ja) | 発光素子および表示装置 | |
JPH0377297A (ja) | El表示装置の階調表示方法 | |
KR100338514B1 (ko) | 양면 표시가 가능한 유기전계 발광 디스플레이 및 그제조방법 | |
JPH03283385A (ja) | 薄膜エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
JPH04190588A (ja) | 薄膜el素子 | |
JPS62115694A (ja) | 薄膜el素子 | |
JPH02126589A (ja) | 薄膜elパネル | |
JP3072165B2 (ja) | 薄膜elディスプレイ素子 | |
JPS62147693A (ja) | 薄膜el素子 | |
JPH0481318B2 (ja) | ||
JPS62176096A (ja) | El表示パネル | |
JPS6089098A (ja) | 薄膜el素子の電極構造 | |
KR20060063496A (ko) | 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법 |