JPH02301990A - 薄膜ｅｌ端部発光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高解像度光源用の薄膜ＥＬ端部発光装置、特に
、多重化技術を利用してピクセルのそれぞれを励起でき
るように構成された発光ピクセル列を形成する薄膜ＥＬ
端部発光装置に係わる。本発明は本発明の端部発光装置
と併用するための電子駆動システムにも係わる。

ＥＬ装置一般、特に薄膜ＥＬ噛郡部発光装置利用するこ
とにより電子制御高解像度光源が得られることは公知で
あり、その−例が本出願人に譲渡されたＫｕｈｎ等の米
国特許第４，５３５，３４１号に開示されている。この
特許が開示しているのは共通または底部電極上に配置さ
れた第１絶縁層、第１絶縁層から間隔を保つ第２絶縁層
、第１及び第２絶縁層間に介在する蛍光体層、及び第２
絶縁層上に配置された励起または頂部電極を含む薄膜Ｅ
Ｌ端部発光装置である。少なくとも一方の電極、例えば
励起または頂部電極を区分することにより複数の個別制
御電極を形成する。複数の個別制御電極は残りの構造と
共に複数の個別発光ピクセルを形成する。各ピクセル制
御電極とピクセル励起源との間に必要な電気的接続を容
易にするため、公知のファンアウトを介して、端部発光
構造支持基板上に配置されている端部バッドに制御電極
を接糸売する。

ＥＬＬ光装置を光源として利用する装置の他の例が米国
特許第４，７３４，７２３号に開示されている。

この特許が開示しているのは基板の一方の縁端に沿って
配置された複数のＥＬ装置から形成された光学ヘッドを
含む電子写真プリンターである。

基板にはＥＬ装置と連携させて複数の光導波片をも配設
する。該特許によれば、導波片はＥＬ装置から、プリン
ター受光体と対面関係にある基板の他方の縁端へ光を伝
達する。この特許は複数のＥＬ装置の下方電極層形成部
分へ光学ヘッド駆動手段から可変振幅の電気信号を供給
することにより、連携のＥＬ装置からそれぞれ異なる光
量を放出させると述べているが、光学ヘッドの電子駆動
システムや、光学ヘッドと駆動システムとの間の具体的
な接続に関しては言及していない。

日本特許公開公報昭和６３−９１９９８号は上方金属電
極がルミネッセント層の反射端面を囲んでいる、光源用
ＥＬルミネッセント端部発光アレイを開示している。ア
レイを構成する各ＥＬ素子はＥＬ層よりも屈折率の低い
絶縁膜で囲まれている。

アレイは底部電極と頂部金属電極反射端との間に画定さ
れる放電防止域をも含む。この日本特許公開公報昭和６
３−９１９９８号もまたアレイの電子駆動システムにつ
いては触れていない。

上記公知技術は高解像度光源用の薄膜ＥＬ端部発光装置
を開示してはいるが、構造の個別発光ピクセルのそれぞ
れのピクセル励起源に接続する手段を開示しているのは
Ｋｕｈｎ等の端部発光装置だけである。各発光ピクセル
の物理的サイズが極めて小さいことにかんがみ、Ｋｕｈ
ｎ等は各ピクセルの制御電極を構造自体からかなりの距
離をへだてた端部バッドに接続するのにファンアウトを
使用している。各端部バッドはまた、ピクセル励起源と
接続する。従って、ファンアウト及び端部バッドはピク
セル励起源と、端部発光装置を形成する個別ピクセルの
制御電極とを結ぶ信号フロー・バスを提供する。ファン
アウト及び端部バッドは確かに励起源を端部発光装置の
各ピクセルと接続する手段として満足に機能するが、必
要なサイズ及び長さのファンアウトを形成するのは物理
的に煩雑な仕事であり、ファンアウトを展開するのに比
較的広い面積が必要である。従って、端部発光装置ファ
ンアウト及び端部バッドが配設される基層を、このファ
ンアウト展開に合わせて物理的に大きく設定しなければ
ならない。

従って、ＴＦＥＬ端部発光装置を形成する個々のピクセ
ルとピクセル励起源との間の物理的接続が従来のＴＦＥ
Ｌ端部発光装置よりも少なくて済むように改良されたＴ
ＦＥＬ端部発光装置が望まれる。具体的には多重化技術
を利用することによって個々のピクセルを選択的に励起
できるように構成しなければならない。個々のピクセル
を選択的に゛オン”または゛励起”状態にする多重化構
造を形成すれば、端部発光装置／ファンアウト構成を組
み合わせたものよりも物理的サイズの小さい端部発光装
置が得られ、しかもこのようなＴＦＥＬ端部発光装置は
製造が容易であり、量産にも適している。また、個々の
ピクセルを選択的に励起できるように本発明の多重化Ｔ
ＦＥＬ端部発光装置を駆動する新規の電子駆動システム
の実現も望まれる。

本発明は基層上に複数のＴＦＥＬ集合体を配列した高解
像度光源用の薄膜ＥＬ端部発光装置を提供する。各ＴＦ
ＥＬ集合体は第１導電材層、第１導電材層から間隔を保
つ第２導電材層、及び両導電材層間に介在する電気的に
励起可能な発光複合層を含む。各ＴＦＥＬ集合体の少な
くとも第２導電材層を区分することにより複数の第２導
電素子を形成し、この複数第２導電素子が電気的に励起
可能な発光複合層及び第１導電材層との組み合わせにお
いて複数の個別ピクセルを含むピクセル群を形成する。

特定ピクセル群に含まれる個別ピクセルの発光複合層は
すべてのピクセルに共通の第１導電材層に第１電気信号
、個別ピクセルの第２導電素子に第２電気信号がそれぞ
れ供給されると、前記ピクセルの発光端面において光エ
ネルギーを放出する。

本発明はまた、基層上に複数のＴ　Ｆ　Ｅ　Ｌｉ合体を
配列しである光解像度光源用の薄膜ＥＬ端部発光装置及
びその電子駆動システムを提供する。

各ＴＦＥＬ集合体は概ね積層状の構成を有し、第１導電
材層、第１導電材層から間隔を保つ第２導電材層、及び
両導電材層間に介在する電気的に励起可能な発光複合層
を含む。ここでも各ＴＦＥＬ集合体の第２導電材層を区
分することによって複数の第２導電素子を形成し、複数
の第２導電素子を電気的に励起可能な発光複合層及び第
１導電材層と組み合わせることにより、複数の個別発光
ピクセルを含むピクセル群を形成する。特定ピクセル群
の個別ピクセルと連携する発光複合層部分はこの特定ピ
クセル群のすべてのピクセルに共通の第１導電材層に第
１電気信号、個別ピクセルの第２導電素子に第２電気信
号がそれぞれ供給されると前記ピクセルの発光端面から
光エネルギーを放出する。

電気的接続手段を設け、１つのピクセル群の少なくとも
１つのピクセルの第２導電素子を、残りのピクセル群の
それぞれに含まれる少なくとも１つのピクセルの第２導
電素子と電気的に接続する。各ピクセル群の第１導電材
層に第１電気信号源が接続され、任意のピクセル群の第
１導電材層に第１電気信号を供給する。電気的接続手段
に第２電気信号源が接続され、同じく電気的接続手段と
電気的に接続している各ピクセル群に含まれる個々のピ
クセルの第２導電素子に第２信号を供給する。任意のピ
クセル群の第１導電層に対する第１電気信号の供給を、
電気的接続手段と接続している各ピクセル群に含まれる
個々のピクセルの第２導電素子に対する第２電気信号の
供給と協調させることにより、個々のピクセルの第１導
電層及び第２導電素子に対して第１及び第２電気信号が
それぞれ同時に供給されると発光複合層の個々のピクセ
ルと連携する部分が個々のピクセルの発光面から光エネ
ルギーを放出するように構成する。

同じく本発明によりて提供される、基層上に複数のＴＦ
ＥＬ集合体を配列させたＴＦＥＬ端部発光装置及びその
電子駆動システムにおいても、各ＴＦＥＬ集合体は概ね
積層状の構成を有し、第１導電材層、第１導電材層から
間隔を保つ第２導電材層、及び両導電材層間に介在する
電気的に励起可能な発光複合層を含む。ここでも各ＴＦ
ＥＬ集合体の少なくとも第２導電材層を区分することに
より、複数の第２導電素子を形成し、複数の第２導電素
子を、電気的に励起可能な発光複合層及び第１導電材層
と組み合わせることにより、複数の個別発光ピクセルを
含むピクセル群を形成する。

電気的接続手段を設けて１つのピクセル群に含まれる所
定ピクセルの第２導電素子を残りのピクセル群のそれぞ
れに含まれる前記所定ピクセルと対応の位置を占めるピ
クセルの第２導電素子と電気的に接続する。信号発生源
から複数のデータ信号を受信する１つの入力と、複数の
出力を有する第１電気信号源を設ける。１つの出力を単
一ピクセル群の第１導電材層と接続する。第１電気信号
源は受信データ信号に応答して任意のピクセル群の第１
導電材層に第１電気信号を供給する。

第２電気信号源を電気的接続手段に接続し、各ピクセル
群に含まれる所定ピクセルの第２導電素子に第２Ｎ、気
信号を供給させる。

特定ピクセル群の所定ピクセルと連携する発光複合層部
分は前記所定ピクセルの第２導電素子に第２電気信号が
供給されると同時に特定ピクセル群の第１導ｖＬ層に第
１電気信号が供給され、第１及び第２電気信号の差の絶
対値が所定最小値であれば前記所定ピクセルの発光面に
おいて光エネルギーを放出する。

本発明の上記及びその他の特徴と長所は添付図面に沿っ
て以Ｆに述べる詳細な説明から明らかになるであろう。

第１図にはソリッドステート電子制御高解像度光源とし
て使用される本発明のＴＦＥＬ端部発光装置１０を斜視
図で示した。後述するように、Ｔ　Ｆ　Ｅ　ＬＨ部光発
光装置１０多重化技術を利用してそれぞれを”オン”ま
たは発光状態に選択的に励起できる複数の発光ピクセル
を形成するように構成されている。多重化技術を利用し
てピクセルを選択的に励起すれば、装置とその電子駆動
手段とを電気的に接続するため公知のＴＦＥＬ端部発光
装置に従来利用されているファンアウトが不要になる。

第１図から明らかになるように、Ｔ　Ｆ　Ｅ　Ｌ′４部
発光発光装置１ｏ層１４に配列された複数のＴＦＥＬ集
合体１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃを含む。

詳しくは後述するように、それぞれのＴＦＥＬ集合体は
複数の発光ピクセルを含むピクセル群を形成するように
構成されている。Ｔ　Ｆ　Ｅ　ＩｊＬ合体１２Ａ、１２
Ｂ、１２Ｃは全く同じであるから、これらの集合体の具
体的構成を集合体１２Ｂだけに関連して説明する。ただ
し、端部発光装置１０の集合体がいずれも同じ構成を具
えていることを前提とする。また、第１図にはＴＦＥＬ
集合体１２Ｂと、集合体１２Ａ、１２Ｃの一部だけを図
示しであるが、ＴＦＥＬ端部発光装置１０を形成するＴ
ＦＥＬ集合体の実際の数は端部発光装置の所期の全長に
応じて異なる。

ＴＦＥＬ集合体１２Ｂは基層１４の端面１８とほぼ整列
する端面１６を有し、基層の面２２上に配置されｈ第１
導電材層２０を含む。第１導電材層２０上に絶縁材層２
４が、絶縁材層２４上に蛍光体層２６を、蛍光体Ｊ’１
２６上に第２導電材層２８をそれぞれ配置する。絶縁材
層２４及び蛍光材層２８を一括して“電気的に励起可能
な発光複合層“と呼称する。即ち、この２つの層が発光
層を形成することを意味する。ただし、これは飽くまで
もＴＦＥＬ集合体１２Ｂに組み込むことができる発光層
の１例に過ぎない。従って、本発明は絶縁層と蛍光体層
を利用して発光複合層を形成するという方式に限定され
るものではない。第１図には具体的に図示しなかったが
、電気的に励起可能な発光複合層を形成する絶縁材層２
４と蛍光体層２６の位置は必要なら逆でもよく、その場
合には第１導電材層２０上に蛍光体層２６を、蛍光体層
２６上に絶縁材層２４を配置する。なお、第１図には絶
縁層２４を一体的な層として示しであるが、複数の部分
層で構成してもよい。さらにまた、部分層と異なる絶縁
材から形成してもよく、当業者なら所期の絶縁性に応じ
て利用すべき部分層材料を選択できるであろう。なお、
識別用語第１°゛及び゛°篤２”導電材層は明確を期し
ての用語であって、ＴＦＥＬ端部発光装置内での各層の
位置を表わすのが目的ではない。ＴＦＥＬ集合体１２Ｂ
の絶縁材層２４、蛍光体層２６、及び第１導電材層２０
上に配置された′ｊｇ２導電材層２８は積層スタック２
９を形成する。第１図に示すように、ＴＦＥＬ集合体１
２Ｂの積層スタック２９及び第１導電材層２０を区分ま
たは分断することにより、ＴＦＥＬ集合体１２Ｂの端面
１６からＴＦＥＬ集合体１２Ｂの後端部１７にむかって
内方へ所定の奥行を有する複数の凹部または溝３０を形
成する。ＴＦＥＬ集合体１２Ｂの積層スタック２９及び
第１導電材層２０に形成した溝３０がＴＦＥＬ集合体１
２Ｂを複数の互いに平行な個別ピクセル３２．３４．３
６．３８に分割する。即ち、第１図に示すようにＴＦＥ
Ｌ集合体１２Ｂの積層スタック２９及び第１導電材層２
０に３木の溝３０を形成することにより、基層１４の面
２２に４個の個別ピクセル３２〜３８が形成される。図
示のように、ＴＦＥＬ集合体１２Ｂの第１導電層及び発
光複合層は分断処理後もＴＦＥＬ集合体１２Ｂを形成す
るピクセル３２〜３８のそれぞれに共通である。即ち、
ピクセル３２〜３８のそれぞれはこれらの層の一部によ
って形成される。ただし、分断処理後、第２導電材層２
８は間隔を保つ複数の素子、即ち、第２導電素子３１を
形成する。従って、１つの第２導電素子３１はピクセル
３２〜３８の１つの一部を形成する。なお、必要に応じ
てＴＦＥＬ集合体１２Ｂに形成する溝３０の数を増減し
て実際に形成されるピクセルの数を変えればよい。また
、第１図ではわかり易くするため、集合体１２ＢのｆＡ
層スタック２９及び第１導電層２０を複数ピクセル３２
〜３８を形成するため分断した状態で示しであるが、複
数の平行な個別ピクセル３２〜３８を形成するためには
ＴＦＥＬ集合体１２Ｂの第２導電材層２８だけを分断す
ればよい。第２導電材層２８だけを区分すれば、その結
果形成される第２導電素子３１のそれぞれも複数ピクセ
ル３２〜３８の一部を形成することになる。

既に述べたように、基層１４の面２２上に配置されたＴ
ＦＥＬ集合体１２Ｂのピクセル３２〜３８はそれぞれ積
層構造を呈し、第１導電材層２０の一部、電気的に励起
可能な発光複合層を形成する絶縁材層２４．２６の一部
、及び第２導電素子３１を含む。ピクセル３２〜３８は
それぞれ少なくとも各ピクセルの蛍光体層２６端面４０
で形成される発光端面３９を有する。ＴＦＥＬ集合体１
２Ｂの複数ピクセル３２〜３８がピクセル群４２を形成
する。詳しくは後述するように、ピクセル群４２の複数
ピクセル３２〜３８はピクセル群と連携の、またはピク
セル群に共通の第１導電材層２０に第１電気信号が、ピ
クセル３２〜３８の第２導電素子３１に第２電気信号が
それぞれ同時に供給されると選択的に励起されてそれぞ
れの発光端面３９のいて光エネルギーを放出する。

第１図及び第２図から明らかなように、ＴＦＥＬ端部発
光装置１０はＴＦＥＬ集合体１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの
上方にまたがるように配置された電気的接続手段５０を
含む。この電気的接続手段５０はそれぞれが゛Ｕ″字形
湾曲部分６２を介して分離した直線状部分６０を含むよ
うに形成された複数のバス・バー５２．５４．５６．５
８を含む。バス・バー５２〜５８はそれぞれ複数のＴＦ
ＥＬ集合体１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃにまたがるように配
置され、各バス・バー”　Ｕ　”字形湾曲部分６２が各
ピクセル群の互いに対応の位置を占める第２導電素子３
１と接触する。例えば、第１図及び第２図に示すように
、バス・バー５２の“Ｕ”字形湾曲部分６２は隣接する
ＴＦＥＬ集合体１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃのピクセル３２
の第２導電素子３１と接触する。第１図及び第２図には
具体的に図示しなかったが、バス・バー５４の“Ｕ”字
形湾曲部分６２は隣接するＴＦＥＬ集合体１２Ａ、１２
Ｂ、１２Ｃのピクセル３４の第２導電素子と接触し、バ
ス・バー５６の“Ｕ”字形湾曲部分６２は隣接するＴＦ
ＥＬ集合体１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃのピクセル３６の第
２導型素子３１と接触し、バス・バー５８の゛Ｕパ字形
湾曲部分６２は隣接するＴＦＥＬ集合体１２Ａ、１２Ｂ
、１２Ｃのピクセル３８の第２導電素子３１と接触する
。このように構成したから、それぞれのＴＦＥＬ集合体
を形成する各ピクセル群４２の所定ピクセルの第２導電
素子は残りすべてのピクセル群の前記所定ピクセルに対
応する位置を占めるピクセルの第２導電素子と電気的に
接続する。詳しくは後述するようにすべてのピクセル群
に含まれる対応位置のピクセルの第２導電素子は単一の
バス・バーを介して互いに電気的接続関係にあるから、
このバス・バーに電気信号が入力されると、前記対応位
置を占める各ピクセルの第２導電素子に同じ電気信号が
同時に入力されることになる。

電気的接続手段５０を形成するバス・バー５２〜５８の
それぞれと、ＴＦＥＬ端部発光装置１０の一部を形成す
る複数のＴＦＥＬ集合体１２Ａ１１２Ｂ、１２Ｃとの関
係を第３図に略示した。

第３図から明らかなように、複数のバス・バー５２〜５
８がＴＦＥＬ端部発光装置１０の一部を形成するＴＦＥ
Ｌ集合体１２Ａ〜１２Ｃのそれぞれの複数ピクセル３２
〜３８の上方にまたがるように配置されている。各バス
・バー５２〜５８の”Ｕ”字形湾曲部分６２と各ピクセ
ルの第２導電素子の接続を第３図では黒点で略示した。

第３図から明らかなように、複数ＴＦＥＬ集合体１２Ａ
〜１２Ｃの対応位置を占める第１ピクセル３２の第２導
電素子３１はバス・バー５２を介して互いに接続される
。同様に第２ピクセル３４はバス・バー５４を介して、
第３ピクセル３６はバス・バー５６を介して、第４ピク
セル３８はバス・バー５８を介してそれぞれ互いに接続
される。

同じく第３図から明らかなように、バス・バー５２に電
気信号が供給されると、これと同じ電気信号がＴＦＥＬ
集合体１２Ａ〜１２Ｃのピクセル３２の第２導電素子３
１に供給される。

第１図及び第２図に関連して既に述べたように、ＴＦＥ
Ｌ端部発光装置１０の一部を形成する各ＴＦＥＬ集合体
１２Ａ〜１２Ｃの各ピクセル３２〜３８は第１導電材層
２０の一部、絶縁材層２４及び蛍光体層２６の一部から
成る電気的に励起可能な発光複合層の一部、及び第２導
電素子３１から形成されている。複合層の特定ピクセル
と連携する部分を励起することによってこのピクセルの
複合層の前記部分をして該ピクセルの発光面または端面
から光エネルギーを放出させるには、前記ピクセルの第
１導電材層及び第２導電素子の双方に同時に電気信号を
供給すればよい。

第３図から明らかなように、本発明の多重ＴＦＥＬ端部
発光装置１０を利用すれば、特定のＴＦＥＬ粂合体１２
Ａ、１２Ｂまたは１２Ｃの第１導電材層２０に第１電気
信号を供給すると、この第１電気信号がピクセル群の各
ピクセルと連携する第１導電材層の各部分に供給される
。これと同時にバス・バー５２〜５８のいずれか１つに
第２電気信号を供給すると、このバス・バーを介して接
続される対応位置の各ピクセルに第２電気信号が供給さ
れる。従って、例えばＴＦＥＬ集合体１２Ａの第１導電
材層２０に第１電気信号が供給されると、第１導電材層
２０は各ピクセルに共通であるから、必然的な結果とし
て同じ第１電気信号が集合体１２Ａのピクセル３２〜３
８のそれぞれに供給される。これと同時に例えばバス・
バー５２に第２電気信号が供給されると、この第２電気
信号がＴＦＥＬ構造１０の各ピクセル３２の第２導電素
子３１に供給される。バス・バー５２を介してＴＦＥＬ
構造１０の対応位置ピクセル３２の第２導電素子に第２
電気信号を供給するのと同時にＴＦＥＬ集合体１２Ａの
各ピクセル３２〜３８の第１導電材層２０に第１電気信
号を供給すると、ＴＦＥＬ集合体１２Ａの発光複合層の
、ピクセル３２と連携する部分だけがピクセル３２の発
光端面３９から部材６４の面６３にむかって光エネルギ
ーを放出する。（詳しくは後述するように、部材６４は
例えば電子写真結像部の一部を形成する感光紙または電
子写真ドラムのような任意のタイプの感光部材である）
。第１電気信号がＴＦＥＬ集合体１２Ａの第１導電材層
２０に保持され、第２電気信号がバス・バー５２からバ
ス・バー５４に転送されると、ピクセル３２と連携する
複合層部分が光エネルギーの放出を止め、ピクセル３４
と連携する複合層部分が部材６４の面６３にむかって光
エネルギーを放出する。同様に第２電気信号をバス・バ
ー５４からバス・バー５６．５８へ順次転送すれば、ピ
クセル３６．３８と連携する複合層部分が順次光エネル
ギーを放出する。

上述のように、各ＴＦＥＬ集合体１２Ａ〜１２Ｃの第１
導電材層２０に第１電気信号を供給すると、必然的な結
果として、各ＴＦＥＬ集合体１２Ａ〜１２Ｃの各ピクセ
ル３２〜３８と連携する第１導電材層部分にこの第１電
気信号が供給される。もし第１電気信号を各ＴＦＥＬ集
合体１２Ａ〜１２Ｃのピクセル３２〜３８の第１導電材
層２０に保持しながら各バス・バー５２〜５８に第２電
気信号を順次供給すれば、各ＴＦＥＬ集合体のピクセル
３２〜３８の発光複合層が順次発光する、即ち、光エネ
ルギーを放出する。詳しくは後述するように、特定ＴＦ
ＥＬ集合体の個々のピクセルの第１導電材層及び第２導
電素子に同時に第１及び第２電気信号がそれぞれ供給さ
れることでこのピクセルが光エネルギーを放出するかど
うかは第１及び第２電気信号の電圧差絶対値によって決
定される。

（以　　下　　余　　白） 第４図には第１〜３図に関連して述べたＴＦＥＬ端部発
光装置１０の一部を形成するＴＦＥＬ集合体１２Ａ〜１
２Ｃを略示した。各ＴＦＥＬ集合体１２Ａ〜１２Ｃは４
個のピクセル３２〜３８を含み、各ピクセルは各ピクセ
ル群に属するすべてのピクセルに共通の第１導電材層か
ら間隔を保つ第２導電素子３１を含む。第１導電材層と
４個の第２導電素子３１が各ピクセル３２〜３８の導電
部材を形成する。実施例として蛍光体層２６及び絶縁材
層２４を含み、各集合体１２Ａ〜１２Ｃの各ピクセル３
２〜３８の一部を形成する電気的に励起可能な発光複合
層は第４図において省略されている。しかし、実際には
各Ｔ　Ｆ　Ｅ　Ｌ集合体ピクセル群のピクセル３２〜３
８を形成する第１導電材層２０と４個の第２導電素子３
１との間に電気的に励起可能な発光複合層が介在してい
る。

第４図から明らかなように、各ＴＦＥＬ集合体の第１導
電材層２０はＴＦＥＬ端部発光装置の電子駆動システム
６８の一部を形成する′ｓ１電源６６と接続している。

なお、前記電子駆動システムは本発明の主題でもある。

第１電源６６は複数ＴＦＥＬ集合体１２Ａ〜１２Ｃの第
１導電層２０と接続する複数の出カフ２．７４．７６を
有する市販のシフトレジスター／ラッチ／ドライバー複
合装置である。シフトレジスター／ラッチ／ドライバー
６６は複数の入力８０〜８６をも含む。

入力８０はデータ入力、入力８２はクロック入力、入力
８４はラッチ入力、入力８６は極性入力である。公知の
ように、データ入力８０は（図示しないが）電気信号発
生源と接続すればよい。

装置６６にデータ入力を供給できる電気信号発生源とし
ては、例えば、複写またはプリントすべき情報を一連の
情報ビットに変換する電子写真複写機またはプリンター
のコントローラーはＰＣのコントローラーが挙げられる
。

データ入力８０は適当な電気信号発生源またはコントロ
ーラーから情報ビットの形でデジタル・データ・パルス
列または信号列を受信し、情報ビットはシフトレジスタ
ーの各記憶場所に入力される。装置６６の構成及び動作
は公知であるから、ここでその内部動作の詳細な説明は
省く。

同じく公知のように、クロック入力８２はデータ入力８
０を介してシフトレジスターにデジタル情報ビットを供
給するのと同じ電気信号発生源またはコントローラーか
ら、シフトレジスター／ラッチ／ドライバー６６がビッ
ト受信速度を決定できるようにクロックパルスを受信す
る。ラッチ入力８４は装置６６の出カフ２〜７６と接続
するシフトレジスター／ラッチ／ドライバー６６の内部
ラッチ場所へ入力される種々のビットをラッチすること
によって、電気信号発生源からデータ入力８０を介して
追加の情報ビットが受信されている間、前記種々のビッ
トをラッチ場所に保持する。

極性入力８６は同じく電子駆動システム６８の一部を形
成する第２電気信号源８８の出力信号と同期して１／２
サイクルごとに第１電気信号源６６の出力を反転させる
逐次パルス列を受信する。

′Ｍ２電気信号源８８の構成及び動作については詳しく
後述する。

既に述べたように、シフトレジスター／ラッチ／ドライ
バー６６はデータ入力線８０を介して逐次第１電気信号
列またはデジタル・パルス列を受信する。この逐次パル
ス列はシフトレジスターに入力され、シフトレジスター
の各ラッチ場所に１個ずつ情報ビットが記憶される。例
えば、シフトレジスター／ラッチ／ドライバー６６が８
０出力装置なら、最大限８０個の情報ビットまたは第１
電気信号を装置６６に内蔵されている８０個のラッチ場
所に記憶させることができる。

同じく第４図から明らかなように、電子駆動システム６
８は第２電気信号源８８を含み、第２電気信号源８８は
図面では略示しであるバス・バー５２．５４．５６．５
８とそれぞれ接続する４つの出力９０，９２．９４．９
６を含む。第２電気信号源８８は各出力９０〜９６に順
次第２電気信号を供給し、その結果、各バス・バー５２
〜５８に第２電気信号が順次供給される。また、第２電
気信号源８８の動作は反復的であり、各出力９０〜９６
に第２電気信号を供給した後、同様の信号供給ブロセ゛
スを繰り返す。ＴＦＥＬ端部発光装置１０及び電子駆動
システム６８の動作態様を以下に説明する。情報ビット
の形で第１電気信号列が公知の電気信号発生源からデー
タ入力線８０を介してシフトレジスター／ラッチ／ドラ
イバー６６に供給される。受信されたビットはそれぞれ
装置６６で個々の内部ラッチ場所へ転送される。

個々のラッチ場所のビットはシフトレジスター／ラッチ
／ドライバー出力信号としてＴＦＥＬ集合体第１導電材
層の１つに供給される（図面では３つの出カフ２〜７６
を図示）。出カフ２〜７６に供給される第１′Ｒ気信号
またはビットのそれぞれは正値パルスまたはＯ値パルス
である。装置６６の各動作サイクルに出カフ２〜７６に
それぞれ供給され６第１電気信号またはビットは第２電
気信号源８８がその出力９０〜９６のそれぞれに第２電
気信号を順次供給する間、各ＴＦＥＬ集合体１２Ａ〜１
２Ｃの第１導電層２０に保持される。即ち、出力９０〜
９６と接続するバス・バー５２〜５８のそれぞれは逐次
的に第２電気信号を受信する。第２電気信号は３レベル
信号であり、正値信号か、０値信号か、負値信号である
。

バス・バー５２〜５８のそれぞれに第２電気信号が順次
供給された後、装置６６の内部ラッチ場所のそれぞれに
記憶されている第１電気信号または情報ビットが、第２
電気信号源８８の先行動作サイクル中にデータ入力！ｊ
Ａ８０を介してシフトレジスター／ラッチ／ドライバー
６６に入力された後続の第１電気信号または情報ビット
と入れ替わる。

バス・バー５２からバス・バー５４．５６を経てバス・
バー５８へ第２電気信号を順次転送する第２電気信号源
８８の各動作サイクルに、第２電気信号はＴＦＥＬ集合
体１２Ａ〜１２Ｃの対応位置ピクセル３２の第２導電素
子３１からピクセル３４．３６を経て対応位置ピクセル
３８の第２導電素子３１へ順次転送される。第２電気信
号か各群の対応位置ピクセル３２〜３０の第２電導素子
へ順次転送されるのに伴なって、特定ピクセル群と連携
する第１導電材層にも第１電気信号が供給され、しかも
第１及び第２電気信号の電圧差絶対値が所定値を超える
と、前記特定ピクセルが光エネルギーを放出する。例え
ば、もし第１電気信号または情報ビットが出カフ２と接
続している内部ラッチ場所に記憶されると、これと同じ
第１電気信号またはビットがＴＦＥＬ集合体１２Ａの第
１導電材層２０にも存在する。第２電気信号源８８が各
バス・バー５２〜５８に第２電気信号を順次供給してい
る間、もし第１電気信号またはビットがＴＦＥＬ集合体
１２Ａの第１導電材層２０に保持されると、第１及び第
２電気信号の電圧差絶対値次第でＴＦＥＬ集合体１２Ａ
のピクセル３２〜３８が順次光エネルギーを放出する。

第５図は電子Ｉ！！ＡｗＪシス？ムロＢ＋、：よりＴＦ
ＥＬ集合体１２Ａ〜１２Ｃの各ピクセル３２〜３８の第
１及び第２導電材層に供給される信号のタイプを示すグ
ラフである。第５図に関連して述べるのは第１及び第２
電気信号源６６．６８から発生して第３図及び第４図の
ＴＦＥＬ集合体１２Ｂに供給される信号のタイプである
が、これと同タイプの信号は構造１０を形成するすべて
のＴＦＥＬ集合体に供給される。

４個の個別信号５２°〜５８°は′ｓ２電気信号源８８
から４つのバス・バー５２〜５８に順次供給される信号
に相当する。第５図から明らかなように、第２電気信号
５２゛はそれぞれが約８０μｓのパルス長を有し、＋１
０ｖ静止バイアス・レベル６７によって分離された３レ
ベル・パルス対６５から成る。同様に第２電気信号５４
°、５６°、５８′も＋ＩＯＶ静止バイアス・レベル７
５．７７．７９によって分離された３レベル・パルス対
６９．７１．７３から成る。各バス・バー５２〜５８に
常時３レベル信号が１個だけ存在するように第２電気信
号源８８から電気パルス群が順次発生することはいうま
でもない。

第５図にはまた、出カフ４と接続するシフトレジスター
／ラッチ／ドライバー６６の内部ラッチ場所に記憶され
、ＴＦＥＬ集合体１２Ｂの第１導電材層２０に供給され
るデジタルパルス列のタイプを表わすパルス列１２Ｂ′
をも示した。

複合信号８１は第１電気信号１２Ｂ°と１つの３レベル
・パルス６５の和を経時的に表わしたものであり、ＴＦ
ＥＬ集合体１２Ｂのピクセル３２の第１導電材層２０及
び第２導電素子３１に供給される線電圧に相当する。複
合信号８１が例えば約−２５０ｖから＋２５０■の間な
ら、この信号の正負ピーク差の絶対値は５００ｖに等し
い。はぼこの絶対値の電圧において、集合体１２Ｂのピ
クセル３２と連携する電気的に励起可能な発光複合層部
分が光エネルギーを放出する。複合信号８１の差電圧絶
対値が約４６０シ以下なら、発光複合層のピクセル３２
は光エネルギーを放出せず、このピクセルは“オフ”、
即ち、アドレスされない。複合信号８１．８３（１つの
３レベル・パルス６９と第１電気信号１２Ｂ゛の和）及
び８５（１つの３レベル・パルス７１と第１電気信号１
２Ｂ°の和）の比較から明らかなように、ＴＦＥＬ集合
体１２Ｂのピクセル３２が励起されると、即ち、“オン
”になると、同じ集合体のピクセル３４．３６が励起を
解かれ、アドレスされない状態となる。

第５図には具体的に図示しないが、同じ集合体のピクセ
ル３８がピクセル３２が“オン”の状態にある。

電子駆動システム６８の動作中、第１電気信号１２８゛
を形成する情報ビットはそれぞれシフトレジスター／ラ
ッチ／ドライバー６６の出力と接続する内部ラッチ場所
に順次記憶される。

その結果、ＴＦＥＬ集合体１２Ｂの′ＩＪ１導電材層２
０にそれぞれのビットが順次供給される。信号１２Ｂ°
を形成する第１ビツトが集合体１２Ｂの第１導電材層２
０へ順次供給されるのに伴なって第２電気信号５２°〜
５８°がバス・バー５２〜５８に供給される。ＴＦＥＬ
集合体１２Ｂのピクセル３２の第１導電材層及び第２導
電素子３１に供給される第１及び第２電気信号間電圧差
の絶対値が約４６０ｖ以上ならＴＦＥＬ集合体１２Ｂの
ピクセル３２が励起されて光エネルギーを放出する。

第６図には複数の第２電気信号５２°〜５８゜を発生さ
せる第５図図示の第２電気信号源８８の詳細な構成を示
した。第２電気信号源８８はＰ−チャンネルＭＯ５ＦＥ
Ｔ　）−ランシスター１００％限流器としてのトランジ
スター１０２及びレベル・トランスレータ−としてのト
ランジスター１０４から成る正電流源９８を含む。ＭＯ
ＳＦＥＴ　トランジスター１００、限流器１０２及びレ
ベル・トランスレータ−１０４は第２電気信号５２゛〜
５８′の正部分を整形するのに利用される。第２電気信
号５２゛〜５８゛の正部分の振幅は安定直流電圧レベル
“正振幅”入力１０６によって決定される。正電流源９
８から発生する電流はＰチャンネルＭＣｌ５ＦＥＴステ
アリング・トランジスター１１４〜１２０によってチャ
ンネル１０Ｂ、１０８．１１０，１１２　（７）正部分
１０６°、１ｏ８°、１１０’、１１２゜にそれぞれ供
給される。正チャンネル部分１ｏ６゛、１０８’、　１
１０’、　１１２’はステアリング・トランジスター１
１４〜１２０をそれぞれ作動させるオプトカプラー１３
０．１３２．１３４，１３６の１つの作動によって選択
さ、れる。図示の浮動電源１２１が各オプトカプラー１
３０〜１３６に必要な作用電圧を供給する。各波形５２
’　〜５８’　（７）正部分はＮ−チャンネルＭＯｓＦ
ＥＴトランジスター１２２を介して各ピクセルのキャパ
シタンスを静止°゛バイアス”電圧まで放出することに
よって終結させる。

同様に、第２電気信号５２゛〜５８′の負部分はＮ−チ
ャンネルＭＯ５ＦＥＴトランジスター１４０１限流器と
してのトランジスター１４２及びレベル・トランスレー
タ−としてのトランジスター１４４を含む負電流源１３
８によって形成される。第２電気信号５２°〜５８゛の
負部分はステアリング・トランジスター１４４．１４６
．１４８．１５Ｑ　ニよって出力チャンネル１０８〜１
１２　（７１）負部分１０６“、１０８″、１１０　”
　、１１２″にそれぞれ供給される。負チャンネル部分
　１０６′、１０８”　、１１０″、１１２’はステア
リング・トランジスター１４４〜１５０を作動させるオ
プトカプラー１３１．１３３，１３５．１３７を選択作
動させることによって選択する。図示の浮動電源１２３
は各オプトカプラー１３１〜１３７に必要な作用電圧を
供給する。第２電気信号５２′〜５８゛の負部分振幅は
負電流源１３８への“負振幅”直流電圧レベル入力１５
２によって決定され、各波形５２′〜５８′の負部分は
各ピクセルのキャパシタンスをＰ−チャンネルＭＯ５Ｆ
ＥＴ　ｌ−ランシスター１３９を介して静止“バイアス
”電圧まで放出することで終結させる。なお、第６図に
はオプトカプラーを示したが、必要に応じてレベル・シ
フターを使用しても同様の成果が得られる。

既に述べたように、構造１０を形成する各ＴＦＥＬ集合
体の各ピクセル３２〜３８はピーク間振幅が少なくとも
約４６０’Ｖの励起またはアドレス電圧を必要とする。

ただし、第２電気信号源８８はいずれのトランジスタに
おける最大電圧も２５０ｖに制限されるように構成され
ている。これは出力端子５２°〜５８°・においてチャ
ンネル１０６〜１１２の正及び負部分によって形成され
る正及び負側パルスを組み合わせ、ライン１５４及び１
５６が正及び負パルス間において常に静止バイアス・レ
ベルに戻るようにすることによって達成される。判り易
くするため、第２電気信号源８８の出力端子にこれらの
端子に現われる波形と同じ参照符号を付しである。第２
電気信号源８８の特性にかんがみ、組み立てに際しては
公知の既製電子素子を利用することができる。第６図に
示す第２電気信号源８８内の各点に現われる電気信号を
第７図にグラフ形式で示した６ 第８図には、第１〜３図に関連して上述した１対のＴＦ
ＥＬ集合体１２Ａ、１２Ｂを示した。

ＴＦＥＬ集合体１２Ａ、１２Ｂは部材６４の面６３から
所定の間隔を保っている。既に述べたように、部材６４
は感光材シートのような感光部材でもよく、回転ドラム
にコーティングし、従来の複写機やプリンターに使用す
るようなフォトレセプターでもよい。例えばＴＦＥＬ端
部発光装置１０を利用して部材６４の面６３上に第９図
に示すような文字“Ｔ”の像を形成すると共に文字″Ｔ
″の全幅Ｗを５ピクセル幅にしたければ、ＴＦＥＬ集合
体１２Ａ、１２Ｂを以下に述べるように作動させる。

感光部材６４をＴＦＥＬ集合体１２Ａ、１２Ｂに対して
移動させながら、ＴＦＥＬ集合体１２Ａの４個のピクセ
ル３２〜３８及びＴ　Ｆ　Ｅ　Ｌ集合体１２Ｂのピクセ
ル３２を選択的に励起することにより感光部材６４の面
６３上へ光エネルギーを伝達する。各ピクセルの全幅が
例えば６３６５ミクロンならば、各ピクセルからの光エ
ネルギー・ビームの幅は６３．５ミクロンである。感光
部材６４の面６３を１対のＴＦＥＬ集合体の端面１６に
近接させれば、散光現象を無視できる。感光部材６４の
面が１対のＴ　Ｆ　Ｅ　ＬＪ＆合体の端面１６から遠い
場合には部材６４とＴ　Ｆ　Ｅ　Ｌ、集合体対１２Ａ、
１．２Ｂとの間に集束システムを介在させればよい。Ｔ
ＦＥＬ集合体１２Ａ、１２Ｂに対して感光部材６４を穆
勤させながら、第１及び第２電気信号源６６．８８から
供給される適切な第１及び第２電気信号をＴＦＥＬ集合
体対の第１導電層２０及びバス・バー５２〜５８に順次
供給することにより、集合体１２Ａのピクセル３２〜３
８及び集合体１２Ｂのピクセル３２から感光部材６４の
面６３に、行１８２に略伝するような像を形成するのに
適した光エネルギーを放出させる。

感光部材６４をそのままＴＦＥＬ集合体１２Ａ１１２Ｂ
に対して８動させると、ＴＦＥＬ集合体１２Ａのピクセ
ル３６は面６３上に、列１８４に略伝するような像を形
成するのに適した光エネルギーを放出し続ける。部材６
４が感光紙のような感光部材なら、文字”　Ｔ　”を形
成する像の行及び列に感光紙を露出させれば、感光紙を
現像することによってＴ　”が形成されることになる。

部材６４が電子写真式像形成部に利用されるフォトレセ
プターならば、フォトレセプターの面に投影される文字
”Ｔ”の像を形成する行及び列がフォトレセプターを放
電させて、文字“Ｔ”を用紙にプリントできるようにフ
ォトレセプターが適当なトナー材を吸着させ得るように
する。

第１０図には第９図の文字゛Ｔ　”を形成するためＴＦ
ＥＬ集合体１２Ａ、１２Ｂの作用下に感光部材６４の面
６３上に形成される潜像を示した。

第１０図から明らかなように、文字“Ｔ　”の水平ブリ
ッジを形成する行１８２はそれぞれが例えば５本の線分
２００から形成される５つのセクション１９０〜１９８
を含む。セクション１９０の５木の線分２００はＴＦＥ
Ｌ集合体１２Ａのピクセル３２の作用で部材６４の面６
３上に投影される。同様に、セクション１９２．１９４
．１９６．１９８の５木の線分２００はＴＦＥＬ集合体
のピクセル３４．３６．３８及びＴ　Ｆ　Ｅ　Ｌｉ合体
１２Ｂのピクセル３２の作用で部材６４の面６３上に投
影される。第１０図から明らかなように、文字”Ｔ”の
水平ブリッジを形成する行１８２は実際には非線形であ
る。即ち、既に述べたように、第２電気信号源８８から
バス・バー５２〜５８に第２電気信号５２″〜５８゜が
順次供給されるからである。従って、Ｔ　Ｆ　Ｅ　’Ｌ
集合体１２Ａのすべてのピクセル３２〜３８が同時に発
光することはない。ただし、ＴＦＥＬ集合体１２Ａ、１
２Ｂの対応位置ピクセル３２は同時に光エネルギーを放
出する。なぜなら、それぞれのピクセル３２はバス・バ
ー５２と接続しており、（Ｔ　Ｆ　Ｅ　Ｌ集合体１２Ａ
、１２Ｂの第１導電層２０も対応位置ピクセル３２が第
２電気信号５２゛を受信するのと同時に適切な第１′ｗ
ｔ気信号を受信するとして）同じ第２電気信号５２′を
′受信するからである。第１０図から明らかなように、
セクション１９０及び１９８は互いに水平方向に整列し
、セクション１９２．１９４．１９６はセクション１９
０．１９８に対して位置がずれている。各セクション１
９０〜１９８の各線分２００の間隔は面６３上に光エネ
ルギーを投射するためＴＦＥＬ集合体を選択的に作動さ
せながら部材６４を連続移動させてＴ　Ｆ　Ｅ　Ｌｉ合
体を通過させることから生ずる。

部材６４を連続移動させてＴＦＥＬ集合体１２Ａ、１２
Ｂを通過させながら、ＴＦＥＬ集合体１２Ａのピクセル
３６を作動させて面６３上に光エネルギーを投射して“
Ｔ”の垂直部分を形成する列１８４を形成する。

なお、第１〜３図及び第８図に示すＴＦＥＬ端部発光装
置１０を形成する各ＴＦＥＬ集合体のそれぞれは４個の
個別発光ピクセルを含むが、これは各ＴＦＥＬ集合体に
形成できるピクセル数の１例に過ぎない。端部発光装置
１０の各ＴＦＥＬ集合体に形成するピクセル数は任意で
あり、実際に形成するピクセル数は所期の解像度を達成
するように選択することになる。なお、各ＴＦＥＬ集合
体の対応位置ピクセルを接続するのに利用される個別バ
ス・バーの数は各集合体に形成されるピクセル数と一致
しなければならない。

即ち、各Ｔ　Ｆ　Ｅ　Ｌｆｉ合体が８個のピクセルを含
むならば、８木の個別バス・バーを採用することになる
。各Ｔ　Ｆ　Ｅ　Ｌｉ合体のピクセル数を増やした結果
、バス・バーの数も増やさねばならない場合、各バス・
バーに対応する個別出力を含むように第２電気信号源８
８を変更しなければならない。

本発明を好ましい実施例に関連して以上に述べたが、当
業者には明らかなように、本発明の範囲を逸脱すること
なく種々の変更を加えることができる。従って、このよ
うな変更は頭書した特許請求の範囲に包含されるものと
する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の多重薄膜ＥＬ端部発光装置の一部を
示す斜視図である。 第２図は、本発明の多重ＴＦＥＬ端部発光装置の一部を
第１図Ｎ−１１線に沿って示す断面図である。 第３図は、本発明の多重ＴＦＥＬ端部発光装置の一部を
示す頂面図である。 第４図は、本発明の多重薄膜端部発光装置及びその電子
駆動回路の回路図である。 第５図は、本発明のＴＦＥＬ喘部発先部発光装置クセル
の第１４電層及び第２導電素子に、該ＴＦＥＬ端部発光
装置の動作中に供給される信号のタイプを経時的に示す
グラフである。 第６図は、第４図の電子駆動回路の部分回路図である。 第７図は、第６図に示した回路中の所定の点に現われる
信号を経時的に示すグラフである。 第８図は、第３図に示したＴＦＥＬ端部発光装置の一部
を示す拡大頂面図である。 第９図は、本発明のＴＦＥＬ＠部発光装置を利用して感
光材またはフォトレセプター上に形成できる像の１例と
して文字“Ｔ”を示す説明図である。 第１０図は第９図示した文字“Ｔ“の像を形成するため
本発明のＴＦＥＬ端部発光装置によって感光材またはフ
ォトレセプター上に形成した潜像を示す説明図である。 １４・・・・基層 １６・・・・端面 ２０・・・・第一導電材層 ２４・・・・絶縁材層 ２６・・・・蛍光体層 ２８・・・・第二導電材層 ３０・・・・溝 ３２．３４．３６．３８・・・・ピクセル５０・・・・
電気的接続手段 ５２．５４．５６．５８・・・・バス・バー出願人：　
　ウエスチンクへウス・エレクトリック・コーポレーシ
ョン代　理　人：加藤　紘一部（ばか１名）ＦＩＧ、７

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 　（１）基層と； 　前記基層上に配置され、それぞれが第１導電材層、前
   記第１導電材層と間隔を保つ第２導電材層及び両導電材
   層間に介在させた、電気的に励起可能な発光複合層を含
   む複数の薄膜ＥＬ（ＴＦＥＬ）集合体と； 　各ＴＦＥＬ集合体の少なくとも第２導電材層を区分し
   て複数の第２導電素子を形成し、前記複数の第２導電素
   子が前記第１導電材層及び前記電気的に励起可能な発光
   複合層と共に、複数の個別発光ピクセルを含むピクセル
   群を形成するようにしたことと； 　特定ピクセル群の個々のピクセルと連携する発光複合
   層部分が、前記特定ピクセル群のそれぞれの前記ピクセ
   ルと共通の前記第１導電材層に第１電気信号、前記個々
   のピクセルと連携する第２導電素子に第２電気信号がそ
   れぞれ供給されると前記ピクセルの発光端面において光
   エネルギーを放出すること を特徴とする薄膜ＥＬ端部発光装置。
2. 　（２）前記特定ピクセル群のそれぞれの前記ピクセル
   と共通の前記第１導電材層に前記第１電気信号を、前記
   個々のピクセルの前記第２導電素子に前記第２電気信号
   を同時に供給することにより、前記発光複合層の前記個
   々のピクセルと連携する前記部分をして前記個々のピク
   セルの発光端面から光エネルギーを放出させる手段を含
   むことを特徴とする請求項第（１）項に記載の薄膜ＥＬ
   端部発光装置。
3. 　（３）前記発光複合層の前記個々のピクセルと連携す
   る部分が前記第１及び第２電気信号が互いに反対の極性
   を有する信号である時、光エネルギーを放出し； 　前記第１及び第２電気信号の差の絶対値が少なくとも
   約４６０ボルトである ことを特徴とする請求項第（２）項に記載の薄膜ＥＬ端
   部発光装置。
4. （４）前記ピクセル群の１つの少なくとも１つのピクセ
   ルの第２導電素子を残りのピクセル群のそれぞれの少な
   くとも１つのピクセルの第２導電素子と電気的に接続す
   る電気的接続手段と；それぞれの前記ピクセル群の第１
   導電材層と接続し、前記ピクセル群の第１導電材層のう
   ち特定の第１導電材層に前記第１電気信号を供給する第
   １電気信号源と； 前記電気的接続手段と接続し、これと電気的に接続して
   いるそれぞれの前記ピクセル群のそれぞれの前記ピクセ
   ルの前記第２導電素子に前記第２電気信号を供給する第
   ２電気信号源と；前記ピクセル群の第１導電材層のうち
   の前記特定の第１導電材層に対する前記第１電気信号の
   供給を、前記電気的接続手段と接続しているそれぞれの
   前記ピクセルの前記第２導電素子に対する前記第２電気
   信号の供給と協調させることにより、特定ピクセルの第
   １導電材層及び第２導電素子に対する前記第１及び第２
   電気信号の同時供給の結果、前記発光複合層の前記特定
   ピクセルと連携する前記部分をして前記特定ピクセルの
   発光端面から光エネルギーを放出させる手段を含むこと
   を特徴とする請求項第（１）項に記載の薄膜ＥＬ端部発
   光装置。
5. （５）前記電気的接続手段が前記複数のピクセル群に重
   ねて配置された複数の個別バス・バーを含み； それぞれの前記バス・バーがその一端において前記第２
   電気信号源の個別出力と接続すると共に、その全長沿い
   の所定個所においてそれぞれの前記ピクセル群の少なく
   とも１つのピクセルの第２導電素子と接続し； 前記第２電気信号源が前記複数のバス・バーのそれぞれ
   に順次前記第２電気信号を供給することを特徴とする請
   求項第（４）項に記載の薄膜ＥＬ端部発光装置。
6. （６）前記電気的接続手段を形成する個別バス・バーの
   数がそれぞれの前記ピクセル群を形成する個別ピクセル
   の数に相当することを特徴とする請求項第（５）項に記
   載の薄膜ＥＬ端部発光装置。
7. （７）それぞれの前記ＴＦＥＬ集合体第１ 導電層を前記基層上に配置したことと； 前記電気的に励起可能な発光複合層が前記第１導電層上
   に配置された絶縁材層及び前記絶縁材層上に配置された
   蛍光材層を含むことと； 前記複数の第２導電素子を前記蛍光材層上に配置したこ
   と を特徴とする請求項第（１）項に記載の薄膜ＥＬ端部発
   光装置。
8. （８）それぞれの前記ＴＦＥＬ集合体第１ 導電層を前記基層上に配置したことと； 前記電気的に励起可能な発光複合層が前記第１導電材層
   上に配置された蛍光材層及び前記蛍光材層上に配置され
   た絶縁材層を含むことと； 前記複数の第２導電素子を前記絶縁材層上に配置したこ
   とを特徴とする請求項第（１）項に記載の薄膜ＥＬ端部
   発光装置。
9. （９）前記基層が端面を有し； それぞれの前記ピクセル群のそれぞれの前記ピクセルの
   発光端面が実質的に前記基層端面と整列関係にある ことを特徴とする請求項第（１）項に記載の薄膜ＥＬ端
   部発光装置。
10. （１０）特定ピクセル群のそれぞれのピクセルを前記特
    定ピクセル群の残りのピクセルのそれぞれとほぼ平行に
    配置したことを特徴とする請求項第（１）項に記載の薄
    膜ＥＬ端部発光装置。
11. （１１）前記基層上に配置された前記複数のＴＦＥＬ集
    合体がほぼ線形の列を形成する ことを特徴とする請求項第（１）項に記載の薄膜ＥＬ端
    部発光装置。
12. （１２）基層と； 前記基層上に配列され、それぞれが積層構造を形成し、
    第１導電材層、前記第１導電材層から間隔を保つ第２導
    電材層及び両導電材層間に介在させた電気的に励起可能
    な発光複合層を含む複数のＴＦＥＬ集合体と； 各ＴＦＥＬ集合体の少なくとも第２導電材層を区分して
    複数の第２導電素子を形成し、前記複数の第２導電素子
    が前記第１導電材層及び前記電気的に励起可能な発光複
    合層と共に、複数の個別発光ピクセルを含むピクセル群
    を形成するようにしたことと； 特定ピクセル群の個々のピクセルと連携する発光複合層
    部分が、前記特定ピクセル群のそれぞれの前記ピクセル
    と共通の前記第１導電材層に第１電気信号、前記個々の
    ピクセルと連携する第２導電素子に第２電気信号がそれ
    ぞれ供給されると前記ピクセルの発光端面から光エネル
    ギーを放出することと； 前記ピクセル群の１つの少なくとも１つの ピクセルの第２導電素子を残りのピクセル群のそれぞれ
    の少なくとも１つのピクセルの第２導電素子と電気的に
    接続する電気的接続手段と；それぞれの前記ピクセル群
    の第１導電材層と接続し、前記ピクセル群の第１導電材
    層のうち特定の第１導電材層に前記第１電気信号を供給
    する第１電気信号源と； 前記電気的接続手段と接続し、これと電気的に接続して
    いるそれぞれの前記ピクセル群のそれぞれの前記ピクセ
    ルの前記第２導電素子に前記第２電気信号を供給する第
    ２電気信号源と；前記ピクセル群の第１導電材層のうち
    の前記特定の第１導電材層に対する前記第１電気信号の
    供給を、前記電気的接続手段と接続しているそれぞれの
    前記ピクセルの前記第２導電素子に対する前記第２電気
    信号の供給と協調させることにより、特定ピクセルの第
    １導電材層及び第２導電素子に対する前記第１及び第２
    電気信号の同時供給の結果、前記発光複合層の前記特定
    ピクセルと連携する前記部分をして前記特定ピクセルの
    発光端面から光エネルギーを放出させる手段とを備える
    ことを特徴とする薄膜ＥＬ端部発光装置。
13. （１３）前記第１及び第２電気信号が互いに反対極性な
    ら前記発光複合層の前記個々のピクセルと連携する前記
    部分が光エネルギーを放出し；第１及び第２電気信号の
    差の絶対値が少なくとも約４６０ボルトである ことを特徴とする請求項第（１２）項に記載の薄膜ＥＬ
    端部発光装置。
14. （１４）基層と； 前記基層上に配列され、それぞれが第１導電材層、前記
    第１導電材層から間隔を保つ第２導電材層及び両導電材
    層間に介在する電気的に励起可能な発光複合層を含む複
    数のＴＦＥＬ集合体と；各ＴＦＥＬ集合体の少なくとも
    第２導電材層を区分して複数の第２導電素子を形成し、
    前記複数の第２導電素子が前記第１導電材層及び前記電
    気的に励起可能な発光複合層と共に複数の個別発光ピク
    セルを含むピクセル群を形成するようにしたことと； 前記ピクセル群の１つの所定ピクセルの第２導電素子を
    残りのピクセル群のそれぞれの所定ピクセルの第２導電
    素子と電気的に接続する電気的接続手段と； 信号発生源から複数のデータ信号を受信する入力及び複
    数の出力を有し、前記出力の１つが前記ピクセル群の１
    つと連携する第１導電材層と接続し、前記受信データに
    応答して前記ピクセル群第１導電材層のうちの特定の第
    １導電材層に第１電気信号を供給する第１電気信号源と
    ；前記電気的接続手段と接続し、それぞれの前記ピクセ
    ル群のそれぞれの前記所定ピクセルの第２導電素子に第
    ２電気信号を供給する第２電気信号源と； 特定ピクセル群の個々のピクセルと連携する発光複合層
    部分が、前記個々のピクセルの第２導電素子に第２電気
    信号が供給されると同時に前記特定のピクセル群第１導
    電層に第１電気信号が供給され、前記第１及び第２電気
    信号の差の絶対値が所定の最小値に達すると、前記個々
    のピクセルの発光面において光エネルギーを放出する ことを特徴とする薄膜ＥＬ端部発光装置。
15. （１５）前記同時供給される第１及び第２電気信号が互
    いに反対極性であり、前記第１及び第２電気信号の差の
    絶対値が約４６０ボルトの最小所定値に達すると、前記
    個々のピクセルと連携する前記発光複合層部分が光エネ
    ルギーを放出することを特徴とする請求項第（１４）項
    に記載の薄膜ＥＬ端部発光装置。
16. （１６）前記信号発生源が前記第１電気信号源に前記複
    数データを逐次的に供給し； 前記第１電気信号源がシフトレジスト／ラッチ／ドライ
    バー装置と協働して前記複数データ信号を逐次受信し、
    前記データ信号の１つを、それぞれが第１電気信号に相
    当する情報ビットとして前記第１電気信号源の内部の個
    々のラッチ場所に記憶し、 前記ピクセル群第１導電材層の１つが前記 個々のラッチ場所と電気的に接続し、前記個々のラッチ
    場所に入力された前記１つの第１電気信号が前記第１導
    電材層に供給されるようにしたことを特徴とする請求項
    第（１４）項に記載の薄膜ＥＬ端部発光装置。