JPS6391998A - Ｅｌ発光アレイ - Google Patents
Ｅｌ発光アレイInfo
- Publication number
- JPS6391998A JPS6391998A JP61236010A JP23601086A JPS6391998A JP S6391998 A JPS6391998 A JP S6391998A JP 61236010 A JP61236010 A JP 61236010A JP 23601086 A JP23601086 A JP 23601086A JP S6391998 A JPS6391998 A JP S6391998A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- metal electrode
- array
- emitting layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- GSDLWVWZLHUANO-UHFFFAOYSA-N zinc;manganese(2+);disulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[Mn+2].[Zn+2] GSDLWVWZLHUANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は電子写真方式のプリンタにおける印字用など
に使用されるＥＬ発光アレイに関する。
に使用されるＥＬ発光アレイに関する。
［従来の技術］
従来、電子写真方式を利用したプリンタに、印字用とし
てＬＥＤ（発光ダイオード）を使用するプリンタが知ら
れている。このプリンタはＬＥＤアレイを用いて光導電
体ドラム上に帯電した電荷を、記録する文字、図形に応
じた光を当て放電させることにより光像を書き込むもの
である。これ１こ使用されるＬＥＤアレイは数十〇ｍの
長さが要求されるが、ＬＥＤは半導体のＰＮ接合によっ
て作製するため、このような長さ全体にわたり均一の発
光点寸法および１度を保つように作製することはむずか
しく、また製造上の欠陥により発光点の欠損をまねく確
率も多いため作製歩留りが悪くなって製造コストを高く
していた。このためＬＥＤアレイにかわる発光プレイと
して、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）発光アレイを
用いることが考えられている。
てＬＥＤ（発光ダイオード）を使用するプリンタが知ら
れている。このプリンタはＬＥＤアレイを用いて光導電
体ドラム上に帯電した電荷を、記録する文字、図形に応
じた光を当て放電させることにより光像を書き込むもの
である。これ１こ使用されるＬＥＤアレイは数十〇ｍの
長さが要求されるが、ＬＥＤは半導体のＰＮ接合によっ
て作製するため、このような長さ全体にわたり均一の発
光点寸法および１度を保つように作製することはむずか
しく、また製造上の欠陥により発光点の欠損をまねく確
率も多いため作製歩留りが悪くなって製造コストを高く
していた。このためＬＥＤアレイにかわる発光プレイと
して、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）発光アレイを
用いることが考えられている。
ＥＬ素子は真空蒸着、スパッタリング法などでＥＬ発光
層および絶縁層を作製するため、大きな面積にわたって
均一な犀さで層形成ができる。さら（こＥＬ発光ＩＶ：
１中にドーピングする元素の濃度も大きな面積にわたっ
て均一にすることが容易である。そのため各層を作製し
たのちエツチング法などでアレイ状に素子を分割した場
合、各ＥＬ素子の発光輝度を均一にそろえる事が比較的
容易である。また欠陥アレイの発生する割合も低いとい
う特長がある。ＥＬ発光アレイを形成している発光素子
は第５図に示すような薄ｉ Ｅ Ｌ ＊子のみ波路構造
を備えている。同図において、１１は細長い直方形のＥ
Ｌ発光層で、斜線を施した前部端面ばｇＬ光出射端面１
１ａになっている。このＥＬ発光層１１の上下左右周囲
は前後部端面を除いて、ＥＬ発光ノーの材料と異なる届
折率の材料よりなる絶縁層１２で覆われていて、さらに
絶縁層１２の上下１こ金属電極１３ａ、１３ｂが設けら
れている。この金属電極１３ａ、 １３ｂ間に交流電圧
を印加するとＥＬ発光層１１が発光する。この発光の原
理は通常の薄膜ＥＬ素子の場合と同様である。
層および絶縁層を作製するため、大きな面積にわたって
均一な犀さで層形成ができる。さら（こＥＬ発光ＩＶ：
１中にドーピングする元素の濃度も大きな面積にわたっ
て均一にすることが容易である。そのため各層を作製し
たのちエツチング法などでアレイ状に素子を分割した場
合、各ＥＬ素子の発光輝度を均一にそろえる事が比較的
容易である。また欠陥アレイの発生する割合も低いとい
う特長がある。ＥＬ発光アレイを形成している発光素子
は第５図に示すような薄ｉ Ｅ Ｌ ＊子のみ波路構造
を備えている。同図において、１１は細長い直方形のＥ
Ｌ発光層で、斜線を施した前部端面ばｇＬ光出射端面１
１ａになっている。このＥＬ発光層１１の上下左右周囲
は前後部端面を除いて、ＥＬ発光ノーの材料と異なる届
折率の材料よりなる絶縁層１２で覆われていて、さらに
絶縁層１２の上下１こ金属電極１３ａ、１３ｂが設けら
れている。この金属電極１３ａ、 １３ｂ間に交流電圧
を印加するとＥＬ発光層１１が発光する。この発光の原
理は通常の薄膜ＥＬ素子の場合と同様である。
ＢＬ発光層１１に例えば硫化亜鉛マンガンＺｎＳ二Ｍｎ
を用いると、Ｚｎ８の届折率は２４であり、また絶縁層
１２に酸化イツトリウムＹ２０．を用いるとその届折率
は１．３である。このためＢＬ６＠光層１１で発光した
光は届折率の異なるＥＬ発光層１１と絶縁層１２の界面
で全反射して、導波路構造のＥＬ発光層１１内にとじ込
められる。
を用いると、Ｚｎ８の届折率は２４であり、また絶縁層
１２に酸化イツトリウムＹ２０．を用いるとその届折率
は１．３である。このためＢＬ６＠光層１１で発光した
光は届折率の異なるＥＬ発光層１１と絶縁層１２の界面
で全反射して、導波路構造のＥＬ発光層１１内にとじ込
められる。
全反射角より小さな角度でＥＬ発光層１１と絶縁層１２
との界面に入射した光は、絶縁Ｆｔ１１２を透過するが
、素子の上下に設けた金属電極１３例えばアルミニウム
膜により反射してＥＬ発光層１１内に戻る。この結果Ｅ
Ｌ発光層１１で発光し導波路内にとじ込められた光の多
くはＥＬ発光層１１のＥＬ光出射端面１１ａより外部に
放射される。このＥＬ光出射端面１１ａの面積は１μｍ
ｘ０．５ｍ 程度の小さなものであるから単位面積当り
の光エネルギーの流れは非常Ｉこ大きなものとなり、光
導電体ドラムを感光させると充分な輝度が得られるが、
さらにＥＬ＠光層１１の図示しない後部端面からの光の
放射を防いで輝度効率を高くするため従来はこの後部端
面に光反射膜をコーテングして、光を反射させ前部のＥ
Ｌ光出射端面１１ａに光を導く構造がとられていた。
との界面に入射した光は、絶縁Ｆｔ１１２を透過するが
、素子の上下に設けた金属電極１３例えばアルミニウム
膜により反射してＥＬ発光層１１内に戻る。この結果Ｅ
Ｌ発光層１１で発光し導波路内にとじ込められた光の多
くはＥＬ発光層１１のＥＬ光出射端面１１ａより外部に
放射される。このＥＬ光出射端面１１ａの面積は１μｍ
ｘ０．５ｍ 程度の小さなものであるから単位面積当り
の光エネルギーの流れは非常Ｉこ大きなものとなり、光
導電体ドラムを感光させると充分な輝度が得られるが、
さらにＥＬ＠光層１１の図示しない後部端面からの光の
放射を防いで輝度効率を高くするため従来はこの後部端
面に光反射膜をコーテングして、光を反射させ前部のＥ
Ｌ光出射端面１１ａに光を導く構造がとられていた。
［発明が解決しようとする問題点］
上記の光反射膜は上下の金属電極間の短絡を防ぐため絶
縁性の材料を用いているが、１絶縁件の材料では充分な
光反射率を得ることがむずかしく、またＥＬ素子の各構
成層製造工程にさらに端面の光反射膜製膜の一工程が増
えコスト高になる欠点があった。
縁性の材料を用いているが、１絶縁件の材料では充分な
光反射率を得ることがむずかしく、またＥＬ素子の各構
成層製造工程にさらに端面の光反射膜製膜の一工程が増
えコスト高になる欠点があった。
この発明はこれらの問題点を解決するためになされたも
ので、光の出射効率がよく、かつ素子の作製に当って工
程を増すことなく、製造コストの安いＥＬ発光アレイを
提供することを目的上している。
ので、光の出射効率がよく、かつ素子の作製に当って工
程を増すことなく、製造コストの安いＥＬ発光アレイを
提供することを目的上している。
［問題点を解決するための手段および作用］この発明は
第１図に示すように直方体状のＥＬ発光層１吉、このＥ
Ｌ発光層１の届折率と異なる届折率の材料よりなり、Ｅ
Ｌ発光層１のＥＬ光出射端面１ａと後部端面１ｂを除く
周囲を覆う絶縁層２と、この絶縁層２を上下にはさんで
設ける上側および下側金属電極３，４により構成するＥ
Ｌ素子を基板５上に複数個ならべたｇＬ発光アレイにお
いて、下側金属電極３はＥＬ発光１裔１の後部端面１ｂ
まで延長して設け、この後部端面１ｂの光反射膜を兼ね
ていることが特徴である。
第１図に示すように直方体状のＥＬ発光層１吉、このＥ
Ｌ発光層１の届折率と異なる届折率の材料よりなり、Ｅ
Ｌ発光層１のＥＬ光出射端面１ａと後部端面１ｂを除く
周囲を覆う絶縁層２と、この絶縁層２を上下にはさんで
設ける上側および下側金属電極３，４により構成するＥ
Ｌ素子を基板５上に複数個ならべたｇＬ発光アレイにお
いて、下側金属電極３はＥＬ発光１裔１の後部端面１ｂ
まで延長して設け、この後部端面１ｂの光反射膜を兼ね
ていることが特徴である。
このようにＢＬ発光アレイを構成することにより、後部
端面１ｂまで延長した上側金属電極３は光反射膜として
働き後部端面１ｂに出る光を反射して再びＥＬ発光層１
内に戻し、ＥＬ光出躬端面１ａより放射される光を強め
ることができる。この光反射膜３ａは下側金属電極３と
同じ金属材料であるので絶縁性の材料に比べて元の反射
率は著しくよいのでＥＬ索子の輝度効率を高めることが
できる。また下側金属電極３は光反射膜となる部分を含
めて同一工程で作製できるので製Ｂコスト上有利である
。
端面１ｂまで延長した上側金属電極３は光反射膜として
働き後部端面１ｂに出る光を反射して再びＥＬ発光層１
内に戻し、ＥＬ光出躬端面１ａより放射される光を強め
ることができる。この光反射膜３ａは下側金属電極３と
同じ金属材料であるので絶縁性の材料に比べて元の反射
率は著しくよいのでＥＬ索子の輝度効率を高めることが
できる。また下側金属電極３は光反射膜となる部分を含
めて同一工程で作製できるので製Ｂコスト上有利である
。
［実施例］
以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明する、第
２図において５はＥＬＬ光アレイを一体に構成するため
の基板でこの実施例ではコーニング社の７０５９ガラス
基板（大きさ７（ｍＸ３０ｊｒａＸ厚さ１ ｙｎｘ ）
を使用した。この基板５上に下側金属成極４としてアル
ミニウムの蒸着膜が厚さ約１００ＯＡ で形成され、さ
らにその上に酸化イツトリウムＹ、 ０．よりなる下側
絶縁層２ａと上側絶縁層２ｂをスパッタリング法で厚さ
約６００ＯＡ に成、模しである。下側、上側絶縁層２
ａ。
２図において５はＥＬＬ光アレイを一体に構成するため
の基板でこの実施例ではコーニング社の７０５９ガラス
基板（大きさ７（ｍＸ３０ｊｒａＸ厚さ１ ｙｎｘ ）
を使用した。この基板５上に下側金属成極４としてアル
ミニウムの蒸着膜が厚さ約１００ＯＡ で形成され、さ
らにその上に酸化イツトリウムＹ、 ０．よりなる下側
絶縁層２ａと上側絶縁層２ｂをスパッタリング法で厚さ
約６００ＯＡ に成、模しである。下側、上側絶縁層２
ａ。
２ｂの間には硫化亜鉛ＺｕＳの中に約Ｑ、５ｗｔｑ６の
マンガンＭｎを含有したベレットを用い、エレクトロン
ビーム法で蒸着したＥ Ｌ発光層１が約１μｍの厚さで
設けられている。実際の製造工程ではこのＰＬ発光Ｊ虻
１は下側絶縁層２ａ上に成膜されたのち第３図に示すよ
うな独立したＥＬＬ子７を構成するために巾約０．５
ｍ ｆこ工、チングされ、その上に上側絶縁層２ｂが成
膜される。
マンガンＭｎを含有したベレットを用い、エレクトロン
ビーム法で蒸着したＥ Ｌ発光層１が約１μｍの厚さで
設けられている。実際の製造工程ではこのＰＬ発光Ｊ虻
１は下側絶縁層２ａ上に成膜されたのち第３図に示すよ
うな独立したＥＬＬ子７を構成するために巾約０．５
ｍ ｆこ工、チングされ、その上に上側絶縁層２ｂが成
膜される。
最上部には下側金属電極４と同様のアルミニウム蒸着膜
で構成する上側金属電極３を設ける。
で構成する上側金属電極３を設ける。
この下側金属電極３はＢＬ発光層ｌの後部端面１ｂ才で
延長して設けてあり、この後部端面１ｂでの光反射膜を
兼ねている。この上側金属１＆極３の作製にあたって、
第４図に示すようにアルミニウムの蒸着膜（ベレット）
８と、ＥＬＬ子７を保持する基板５とのなす角度を約４
５°とした斜め蒸着法で成膜した。こねにより同一の蒸
着工程で上側金属電極３と光反射膜となる延長部３山を
同時に作製することができ、このような工程で成膜した
上側金属電ｖｉ、３と＼延長部３Ｑ。
延長して設けてあり、この後部端面１ｂでの光反射膜を
兼ねている。この上側金属１＆極３の作製にあたって、
第４図に示すようにアルミニウムの蒸着膜（ベレット）
８と、ＥＬＬ子７を保持する基板５とのなす角度を約４
５°とした斜め蒸着法で成膜した。こねにより同一の蒸
着工程で上側金属電極３と光反射膜となる延長部３山を
同時に作製することができ、このような工程で成膜した
上側金属電ｖｉ、３と＼延長部３Ｑ。
は共に光分な厚さと付着強度をもつものが得られる。な
お、この実施例においては上側絶り層２ｂの端部に傾斜
面が形成され、上側金属電極３とその延長部３ａの連続
１屯がよくなるように配慮されている。
お、この実施例においては上側絶り層２ｂの端部に傾斜
面が形成され、上側金属電極３とその延長部３ａの連続
１屯がよくなるように配慮されている。
さらに、下側金属’を極４の成膜にあたっては上側金属
［極３との間の放電と防止するため光反射膜３ａの端部
さこれに近接する下側金属電極４の端部との間に０．５
ｙ〜１ｎ程度の放電防止領域６を設けて、これにより
放電破壊を防いでいる。
［極３との間の放電と防止するため光反射膜３ａの端部
さこれに近接する下側金属電極４の端部との間に０．５
ｙ〜１ｎ程度の放電防止領域６を設けて、これにより
放電破壊を防いでいる。
以上のようにしで作製したＥＬＬ光アレイはＥＬＬ光出
射端面１ａの面積が約１μｍＸ０．５ｍｍで、導波路構
造の導波方向の長さは約５＋ｕ＋、また各ＥＬＬ子７間
のピッチは１間である。この実施例によるＥＬＬ光アレ
イは発光強度として１５０ｍＷ−Ｃｍ のものが得
られた。これは従来のＬＥＤプリンタに用いられたＬＥ
Ｄアレイの発光強度にはゾ同じ値であり、プリンター用
発光アレイとして充分高い値である。
射端面１ａの面積が約１μｍＸ０．５ｍｍで、導波路構
造の導波方向の長さは約５＋ｕ＋、また各ＥＬＬ子７間
のピッチは１間である。この実施例によるＥＬＬ光アレ
イは発光強度として１５０ｍＷ−Ｃｍ のものが得
られた。これは従来のＬＥＤプリンタに用いられたＬＥ
Ｄアレイの発光強度にはゾ同じ値であり、プリンター用
発光アレイとして充分高い値である。
上側金属電極３として銀Ａｇ＋ニッケルＮｉ。
パラジウムＰｄを用いた場合も同様の特性が得られた。
なほこの発明は上記実施例に限定されるものでなく渋旨
を変更しない範囲で種々変形して実施できる。
を変更しない範囲で種々変形して実施できる。
例えば斜め蒸着法により上側金属電極を形成させる際の
蒸着：１． ｓと基板５とのなず角度は１０゜〜８０°
において適宜に選ぶことができる。
蒸着：１． ｓと基板５とのなず角度は１０゜〜８０°
において適宜に選ぶことができる。
［発明の効果］
上述したようにこの発明によればＥＬ発光１ｊ後部端面
の光反射膜は上側金属電極と同じ導電性の高い金属膜で
構成できるので絶縁性の光反射膜に比べて充分高い反射
率が得られ、したがってＢＬ光光出射圃面り放射される
ＥＬ光の輝度効率を上げることができる。また上側金属
電極と光反射膜となるこの電ｊの延長部は同じ工程の蒸
着作業で同時に成、噂できるのでアレイ作製の工程が簡
略化され製造コストが低減できる。
の光反射膜は上側金属電極と同じ導電性の高い金属膜で
構成できるので絶縁性の光反射膜に比べて充分高い反射
率が得られ、したがってＢＬ光光出射圃面り放射される
ＥＬ光の輝度効率を上げることができる。また上側金属
電極と光反射膜となるこの電ｊの延長部は同じ工程の蒸
着作業で同時に成、噂できるのでアレイ作製の工程が簡
略化され製造コストが低減できる。
第１図はこの発明のＥ Ｌ、素子の概略的構成を示す断
面図、第２図この発明の一実施例の断面図、第３図はＥ
Ｌ素子を基板上にならべてアレイを構成したＥＬＬ光ア
レイの斜視図、第４図は上側金属電極を形成する斜め蒸
着法の説明図、第５図は従来のＥＬ素子の構成を示す斜
視図である。 １・ＥＬＬ光層 １ａ・・ＥＬ光出射端而面ｂ・・
・後部端面 ２・・・絶縁層２ａ・・・下側ｅ
線層 ２ｂ・・・上側絶縁層３・・・上側金Ｖ４電
極 ３ａ・・・延長部４・・・下側金属電極 ５
・・・基板６・・・放電防止領域 ７・・・ＥＬ素
子８・・・蒸着源 １１・・・ＥＬ発光層１１
ａ・・・ＥＬ光出射端面 １２・・・絶縁層１３・・・
電極 第１図 第２図
面図、第２図この発明の一実施例の断面図、第３図はＥ
Ｌ素子を基板上にならべてアレイを構成したＥＬＬ光ア
レイの斜視図、第４図は上側金属電極を形成する斜め蒸
着法の説明図、第５図は従来のＥＬ素子の構成を示す斜
視図である。 １・ＥＬＬ光層 １ａ・・ＥＬ光出射端而面ｂ・・
・後部端面 ２・・・絶縁層２ａ・・・下側ｅ
線層 ２ｂ・・・上側絶縁層３・・・上側金Ｖ４電
極 ３ａ・・・延長部４・・・下側金属電極 ５
・・・基板６・・・放電防止領域 ７・・・ＥＬ素
子８・・・蒸着源 １１・・・ＥＬ発光層１１
ａ・・・ＥＬ光出射端面 １２・・・絶縁層１３・・・
電極 第１図 第２図
Claims (3)
- （１）直方体状のＥＬ発光層の上下左右をこのＥＬ発光
層より届折率の小さな絶縁体膜で覆いさらにその上下を
上側金属電極および下側金属電極で挟んだＥＬ素子をア
レイ状に並べたＥＬアレイにおいて、前記上側金属電極
が前記ＥＬ発光層の反射側端面に廻り込みこれを覆つて
形成されていることを特徴とするＥＬアレイ。 - （２）上記下側金属電極の端部を短かくして上側金属電
極の反射側端部との間に放電防止領域を設けていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＥＬアレイ。 - （３）上記上側金属電極は斜め蒸着法により形成されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２
項記載のＥＬアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61236010A JPS6391998A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | Ｅｌ発光アレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61236010A JPS6391998A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | Ｅｌ発光アレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6391998A true JPS6391998A (ja) | 1988-04-22 |
Family
ID=16994443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61236010A Pending JPS6391998A (ja) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | Ｅｌ発光アレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6391998A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0395327A2 (en) * | 1989-04-24 | 1990-10-31 | Westinghouse Electric Corporation | A multiplexed thin film electroluminescent edge emitter structure and electronic drive system therefor |
| JPH0321467A (ja) * | 1989-05-17 | 1991-01-30 | Westinghouse Electric Corp <We> | 薄膜ｅｌ端部発光構造体 |
| US5004956A (en) * | 1988-08-23 | 1991-04-02 | Westinghouse Electric Corp. | Thin film electroluminescent edge emitter structure on a silcon substrate |
| US5017824A (en) * | 1989-11-13 | 1991-05-21 | Westinghouse Electric Corp. | TFEL edge emitter module and packaging assembly employing sealed cavity capacity varying mechanism |
| US5043632A (en) * | 1990-04-13 | 1991-08-27 | Westinghouse Electric Corp. | TFEL edge emitter structure with uniform light emission filter |
| US5101137A (en) * | 1989-07-10 | 1992-03-31 | Westinghouse Electric Corp. | Integrated tfel flat panel face and edge emitter structure producing multiple light sources |
| US5252895A (en) * | 1991-05-09 | 1993-10-12 | Westinghouse Electric Corp. | TFEL edge emitter structure with light emitting face at angle greater than ninety degrees to substrate street |
| US5258690A (en) * | 1991-05-23 | 1993-11-02 | Westinghouse Electric Corp. | TFEL edge emitter module with hermetically-sealed and refractive index-matched solid covering over light-emitting face |
| CN104244487A (zh) * | 2013-06-24 | 2014-12-24 | 上海科斗电子科技有限公司 | 电致发光片及其电致发光显示器和生产工艺 |
-
1986
- 1986-10-03 JP JP61236010A patent/JPS6391998A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5004956A (en) * | 1988-08-23 | 1991-04-02 | Westinghouse Electric Corp. | Thin film electroluminescent edge emitter structure on a silcon substrate |
| EP0395327A2 (en) * | 1989-04-24 | 1990-10-31 | Westinghouse Electric Corporation | A multiplexed thin film electroluminescent edge emitter structure and electronic drive system therefor |
| EP0395327A3 (en) * | 1989-04-24 | 1991-04-03 | Westinghouse Electric Corporation | A multiplexed thin film electroluminescent edge emitter structure and electronic drive system therefor |
| EP0395327B1 (en) * | 1989-04-24 | 1995-06-28 | Westinghouse Electric Corporation | A multiplexed thin film electroluminescent edge emitter structure and electronic drive system therefor |
| JPH0321467A (ja) * | 1989-05-17 | 1991-01-30 | Westinghouse Electric Corp <We> | 薄膜ｅｌ端部発光構造体 |
| US5101137A (en) * | 1989-07-10 | 1992-03-31 | Westinghouse Electric Corp. | Integrated tfel flat panel face and edge emitter structure producing multiple light sources |
| US5017824A (en) * | 1989-11-13 | 1991-05-21 | Westinghouse Electric Corp. | TFEL edge emitter module and packaging assembly employing sealed cavity capacity varying mechanism |
| US5043632A (en) * | 1990-04-13 | 1991-08-27 | Westinghouse Electric Corp. | TFEL edge emitter structure with uniform light emission filter |
| US5252895A (en) * | 1991-05-09 | 1993-10-12 | Westinghouse Electric Corp. | TFEL edge emitter structure with light emitting face at angle greater than ninety degrees to substrate street |
| US5258690A (en) * | 1991-05-23 | 1993-11-02 | Westinghouse Electric Corp. | TFEL edge emitter module with hermetically-sealed and refractive index-matched solid covering over light-emitting face |
| CN104244487A (zh) * | 2013-06-24 | 2014-12-24 | 上海科斗电子科技有限公司 | 电致发光片及其电致发光显示器和生产工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6082907B2 (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
| US8410686B2 (en) | Display device having lens portions for enhanced extraction of light | |
| JP4806678B2 (ja) | 光取り出しが改善された有機発光ダイオード（ｏｌｅｄ）及びそれに対応するディスプレイユニット | |
| JP2670572B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| US5131065A (en) | High luminance and contrast flat display panel | |
| US20070096112A1 (en) | Area light emitting device | |
| CN111834545A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
| JP3880356B2 (ja) | 表示装置 | |
| KR20080010458A (ko) | 전장 발광 광원 | |
| CN102969458A (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
| US5907160A (en) | Thin film organic light emitting diode with edge emitter waveguide | |
| JPS6391998A (ja) | Ｅｌ発光アレイ | |
| JP2001203393A (ja) | 発光ダイオード | |
| TWI301803B (en) | Scanning head and printer | |
| JP2004119147A (ja) | 発光モジュール、発光モジュール用基板及び発光モジュール用部材 | |
| JP2010034074A (ja) | 表示装置 | |
| JP4252741B2 (ja) | 光源装置 | |
| CN110320702B (zh) | 基板及其制备方法、显示面板 | |
| JP5138569B2 (ja) | 有機ｅｌ発光装置 | |
| JP2003168553A (ja) | 有機ｌｅｄ素子 | |
| KR100822959B1 (ko) | 반사 측벽을 가지는 유기전계발광장치 및 이의 제조 방법. | |
| JPH06151061A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3382332B2 (ja) | Ｌｅｄ素子 | |
| JP2001337396A (ja) | 露光装置 | |
| JPH0638396Y2 (ja) | 端面発光型ｅｌ素子ユニット |