JPS58215694A - 静電的に充電された光導体のドツト式放電の方法及び装置 - Google Patents
静電的に充電された光導体のドツト式放電の方法及び装置Info
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- JPS58215694A JPS58215694A JP58071588A JP7158883A JPS58215694A JP S58215694 A JPS58215694 A JP S58215694A JP 58071588 A JP58071588 A JP 58071588A JP 7158883 A JP7158883 A JP 7158883A JP S58215694 A JPS58215694 A JP S58215694A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
式放電のための方法であって、放電は電子的信号の形で
存在する像情報に相応して光によって導入される方法に
関する。それによって光導体の表面上に生じた滞電像は
電気写真の公知の方法によって見えるようにされること
ができる。
存在する像情報に相応して光によって導入される方法に
関する。それによって光導体の表面上に生じた滞電像は
電気写真の公知の方法によって見えるようにされること
ができる。
史に本発明はこの方法の実施のだめの装置にも関する。
尤導一体；例えばセレンドラムのドツト式放電のだめの
方法は既に記載されている。公知の方法によればレーザ
光が使用され、レーザ光はポリゴンミラによってドラム
軸線に沿って偏向される。輝度は像情報に相応して変調
される。この方法は１００（ＤＩＮ Ａ４）頁／分より
大きな印字速度を有するが、そのコスト高の機構のだめ
に比較的高価である。
方法は既に記載されている。公知の方法によればレーザ
光が使用され、レーザ光はポリゴンミラによってドラム
軸線に沿って偏向される。輝度は像情報に相応して変調
される。この方法は１００（ＤＩＮ Ａ４）頁／分より
大きな印字速度を有するが、そのコスト高の機構のだめ
に比較的高価である。
他の方法においてはカソード放射管の偏向されかつ輝度
変調された光点によって検出された光はオプチカルファ
イバ又は光学系を経ドラム表面に供給される。一方光伝
導機構の製造コストは高いので、光学系を介しての結像
の除に小さいアバ−チャのために光点によって検出され
た光の僅かな部分のみしか利用されず、その結果輝度は
非常に高くなければならず、このことは燐の寿命を制限
する。
変調された光点によって検出された光はオプチカルファ
イバ又は光学系を経ドラム表面に供給される。一方光伝
導機構の製造コストは高いので、光学系を介しての結像
の除に小さいアバ−チャのために光点によって検出され
た光の僅かな部分のみしか利用されず、その結果輝度は
非常に高くなければならず、このことは燐の寿命を制限
する。
結局ドラム表面の直前に取付けられている線形発光ダイ
オード装置が使用され、その結果各発光ダイオードによ
って像点が特定されるという方法も公知である。単位ダ
イオードの照度はレーザ光又はカソード放射管の光点に
存在するものよシ本質的に小さいので、最大印字速度は
制御の方法に依存する。方法は上記の両方法についてス
ペース節約構造の利点を有する。しかしＧａＡｓ−ベー
スでつくられたダイオード装置は結晶の大きさが小さい
ために限られた長にしかつくれないので、この装置の多
くは２１．０ｍｍ又は２９７ｍｍ長の一行のＩ）ＩＮＡ
４のｌ」をドラムが印字するために統合されねばならな
い。このことは衝撃個所に中断が生ずることが許されな
いならば困難である。
オード装置が使用され、その結果各発光ダイオードによ
って像点が特定されるという方法も公知である。単位ダ
イオードの照度はレーザ光又はカソード放射管の光点に
存在するものよシ本質的に小さいので、最大印字速度は
制御の方法に依存する。方法は上記の両方法についてス
ペース節約構造の利点を有する。しかしＧａＡｓ−ベー
スでつくられたダイオード装置は結晶の大きさが小さい
ために限られた長にしかつくれないので、この装置の多
くは２１．０ｍｍ又は２９７ｍｍ長の一行のＩ）ＩＮＡ
４のｌ」をドラムが印字するために統合されねばならな
い。このことは衝撃個所に中断が生ずることが許されな
いならば困難である。
従って本発明は公知の方法の欠点を除去した方法を開発
することを課題の基礎とする。特に中断なしに少なくと
も２１０１１１１７＋の長さを有する装置が開発される
べきである。
することを課題の基礎とする。特に中断なしに少なくと
も２１０１１１１７＋の長さを有する装置が開発される
べきである。
この課題は光放射がドツト式の気体放電によって発生す
る場合に冒頭に記載した方法によって解決される。本発
明による方法の有利な実施）ｌ形態に特許請求の範囲第
２項〜第５項に記載されている。特許請求の範囲６〜１
２項はこの方法の実施のだめの装置である。
る場合に冒頭に記載した方法によって解決される。本発
明による方法の有利な実施）ｌ形態に特許請求の範囲第
２項〜第５項に記載されている。特許請求の範囲６〜１
２項はこの方法の実施のだめの装置である。
本発明による方法の実施のだめに必要な電極機構はガラ
ス基板上に取付けられるので、発光ダイオードでは得ら
れない長さｆｌｊｌＪ限がある。個々の放電セルにおけ
る輝度はレーザ光に比してここでは比較的小さい。しか
し印字速度は簡単な方法で複数の又は全てのセルが並列
に制御されることによって高められる。
ス基板上に取付けられるので、発光ダイオードでは得ら
れない長さｆｌｊｌＪ限がある。個々の放電セルにおけ
る輝度はレーザ光に比してここでは比較的小さい。しか
し印字速度は簡単な方法で複数の又は全てのセルが並列
に制御されることによって高められる。
セレンドラム上での個々のドツトの放電のためにどれく
らいの時間が必要かを簡単な引算が示す。
らいの時間が必要かを簡単な引算が示す。
電極のスパッタ速度を許容できる限り小さく保持するた
めに直流放電では高い電流密度で作動される。この条件
の下に輝度ｄ ｚ３ Ｘ Ｉ Ｑ ｃｄ／ｉｎが達成可
能ならば（Ｔスミス、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、 Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｌ）ｅｖ、 １１月２０日１９７３年１１０
３頁）。それからセル面積８０×８０μｍ２では照度Ｉ
＝ ＢＦ−＞ ２ Ｘ １Ｏ−４ｃｄであり、かつ光
量φ＝■・Ｗ−２，５Ｘ １０−３１ｍである。この光
量の半分が利用されることができかつ第一次近似におい
て光等測量（１，ｇｍ’；１．５ Ｘ ｌＣｒ５Ｗ／
５５５ｎｍλ）を基礎とすると仮定すれば、１．ｓ ｘ
１Ｏ−６Ｗの利用可能な光束が得られる。との光が面
積１００ Ｘ １００μｍ２上に入射すると、１．８
Ｘ ］、０−２Ｗ／ａｍ２の照度が生ずる。セレンドラ
ムの表面の放電のために６００１１ｍでｌｏ−６ＷＳ／
Ｃｍ２の露光量カ必要ナノテ、ｔ ＝ １０−６／ ｌ
’、８ Ｘ ］−（１２ｓ５５０μｓの放射時間が必要
とされる。
めに直流放電では高い電流密度で作動される。この条件
の下に輝度ｄ ｚ３ Ｘ Ｉ Ｑ ｃｄ／ｉｎが達成可
能ならば（Ｔスミス、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、 Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎｌ）ｅｖ、 １１月２０日１９７３年１１０
３頁）。それからセル面積８０×８０μｍ２では照度Ｉ
＝ ＢＦ−＞ ２ Ｘ １Ｏ−４ｃｄであり、かつ光
量φ＝■・Ｗ−２，５Ｘ １０−３１ｍである。この光
量の半分が利用されることができかつ第一次近似におい
て光等測量（１，ｇｍ’；１．５ Ｘ ｌＣｒ５Ｗ／
５５５ｎｍλ）を基礎とすると仮定すれば、１．ｓ ｘ
１Ｏ−６Ｗの利用可能な光束が得られる。との光が面
積１００ Ｘ １００μｍ２上に入射すると、１．８
Ｘ ］、０−２Ｗ／ａｍ２の照度が生ずる。セレンドラ
ムの表面の放電のために６００１１ｍでｌｏ−６ＷＳ／
Ｃｍ２の露光量カ必要ナノテ、ｔ ＝ １０−６／ ｌ
’、８ Ｘ ］−（１２ｓ５５０μｓの放射時間が必要
とされる。
１０Ｐ／ｒｎｎ ｄｉｅ ＤＩＮＡ４頁の解像力では略
２０００’ ｘ ３０００ ＝ ６ ｘ １０６ドツト
から構成されるので、純粋の連続印字での複写のために
は３００秒又は５分の時間が必要であろう。しかしこの
時間は部分的な並列運転又は完全な並列運転（ライン）
で作。
２０００’ ｘ ３０００ ＝ ６ ｘ １０６ドツト
から構成されるので、純粋の連続印字での複写のために
は３００秒又は５分の時間が必要であろう。しかしこの
時間は部分的な並列運転又は完全な並列運転（ライン）
で作。
業される場合に著しく減少される。完全な並列運転では
ドツト行の全情報が５０μｓで印字され、その結果ＤＩ
Ｎ Ａ４−一員のために５ Ｘ １０−５秒が必要とな
り、このことは略３６０枚／分に相当する。従って印字
速度は制御の方法に従って高速レーザプリンタの範囲ま
で高められる。
ドツト行の全情報が５０μｓで印字され、その結果ＤＩ
Ｎ Ａ４−一員のために５ Ｘ １０−５秒が必要とな
り、このことは略３６０枚／分に相当する。従って印字
速度は制御の方法に従って高速レーザプリンタの範囲ま
で高められる。
次に本発明を図示の実施例に基いて詳しく説明する。
本発明による装置の実施形態によれば放電セルは個別に
外部から制御される。点火遅延時間の回避のためにセル
内の気体が予備イオン化されなければならない、このこ
とは第１図に従って、セルに対して並列に配置され、常
に弱く燃焼する放電区間によるか、第２図によって、セ
ル自体の中に光放射ができるだけ小さい弱い放電電流を
常に流すことによって行われる。
外部から制御される。点火遅延時間の回避のためにセル
内の気体が予備イオン化されなければならない、このこ
とは第１図に従って、セルに対して並列に配置され、常
に弱く燃焼する放電区間によるか、第２図によって、セ
ル自体の中に光放射ができるだけ小さい弱い放電電流を
常に流すことによって行われる。
第１図において予備イオン化区間のカソード１は抵抗２
を介して接地電位にある。気体放電セルのカソード３は
それぞれ可変抵抗４及びスイッチ５を介して接地電位に
ある。抵抗４及びスイッチ５は直列に接続される。予備
イオン化区間のアノード６は全てのアノード７又はセル
のグループに共通の透明アノード７若しくは気体放電セ
ルのアノードと接続しておりかつ常に正の電圧をかけら
れている。
を介して接地電位にある。気体放電セルのカソード３は
それぞれ可変抵抗４及びスイッチ５を介して接地電位に
ある。抵抗４及びスイッチ５は直列に接続される。予備
イオン化区間のアノード６は全てのアノード７又はセル
のグループに共通の透明アノード７若しくは気体放電セ
ルのアノードと接続しておりかつ常に正の電圧をかけら
れている。
第２図に示された実施形態においては予備イオン化は光
放射のために使用されるセル内で生ずる。このセルのア
ノード７は全てに共通して透明であシかつ常に正の電圧
をかけられている。
放射のために使用されるセル内で生ずる。このセルのア
ノード７は全てに共通して透明であシかつ常に正の電圧
をかけられている。
個々のカソード３は、抵抗２を介して接地電イ＼シにさ
れる。この抵抗２は予備イオン化の大きさを決定する。
れる。この抵抗２は予備イオン化の大きさを決定する。
それによって放電室内の電流が’ｔ’ （ｉｆ！ｉイオ
ン化には充分であるが尚さほどの光放射が生じない程小
さい。この抵抗２と並列に可変抵抗４とスイッチ５が直
列に接続されている。
ン化には充分であるが尚さほどの光放射が生じない程小
さい。この抵抗２と並列に可変抵抗４とスイッチ５が直
列に接続されている。
スイッチ５の閉接と可変抵抗４の対応した調整の後放電
室内の電流は高められた光放射のために充分である。
室内の電流は高められた光放射のために充分である。
第３図は放電セルの構造の装置を通る横断面及び第１図
の実施例による電極の配列を示す。
の実施例による電極の配列を示す。
ガラス基板８上には単一セルのカソード３と絶縁層９と
があり、絶縁層上には常に燃焼する放電区間のカソード
１が取付けられている。両間隔保持体１０及び薄い、好
ましくは１００μｍ厚さのガラスプレート１１によって
気体室１２が区画され、気体室は例えばネ刈ン又はネオ
ン＋０．１％アルゴンを充たされる１、この気体室１２
は装置を貫通する１、気体室１２に面したガラス板１１
の表面上にはＪｌ； 、ｊＱの−ｒノード７又は６があ
り□、アノードはカソード：（１：の範囲では透明、そ
してカソード１上の範囲では不透明である。ガラス板１
１の外表面上に不透明の絞り層１３があり、絞り層はそ
こで光の通過を可能にするために単一セル上の範囲１４
においては分離されている。装置はセレンドラムに対し
て絞り層１３の窓１４がドラム表面から約１００μｍだ
け離れているように組立てられる。
があり、絶縁層上には常に燃焼する放電区間のカソード
１が取付けられている。両間隔保持体１０及び薄い、好
ましくは１００μｍ厚さのガラスプレート１１によって
気体室１２が区画され、気体室は例えばネ刈ン又はネオ
ン＋０．１％アルゴンを充たされる１、この気体室１２
は装置を貫通する１、気体室１２に面したガラス板１１
の表面上にはＪｌ； 、ｊＱの−ｒノード７又は６があ
り□、アノードはカソード：（１：の範囲では透明、そ
してカソード１上の範囲では不透明である。ガラス板１
１の外表面上に不透明の絞り層１３があり、絞り層はそ
こで光の通過を可能にするために単一セル上の範囲１４
においては分離されている。装置はセレンドラムに対し
て絞り層１３の窓１４がドラム表面から約１００μｍだ
け離れているように組立てられる。
絞り１３０代りに光点の座標を特定するために光ファイ
バも使用されることができる。
バも使用されることができる。
第４図は第３図による電極配列の斜視図を示す。電極配
列は好１しくけ写真平版工程でつくられるっカソード３
、光放射のために設けられたセルは好ましくは略１０μ
ｍ厚さのニッケル層から成り、ニッケル層は電気成形方
法によってつくられる。導線は両側に向って案内可能で
あシ、かつスパッタによって層付される抵抗拐料、例え
ばＮｉＣｒから成る。導線はそれによって同時に直流放
電の運転のための抵抗を形成する。導線の端には集積半
導体回路が接続される。この説明からイオン化区間のカ
ソード１も、透明及び不透明アノード７及び６も装置に
沿って延在することかわかる。
列は好１しくけ写真平版工程でつくられるっカソード３
、光放射のために設けられたセルは好ましくは略１０μ
ｍ厚さのニッケル層から成り、ニッケル層は電気成形方
法によってつくられる。導線は両側に向って案内可能で
あシ、かつスパッタによって層付される抵抗拐料、例え
ばＮｉＣｒから成る。導線はそれによって同時に直流放
電の運転のための抵抗を形成する。導線の端には集積半
導体回路が接続される。この説明からイオン化区間のカ
ソード１も、透明及び不透明アノード７及び６も装置に
沿って延在することかわかる。
運転は「ライン」で行われる。このためにブロック線図
が第５図に示されている。各放電セルに−・つのドライ
バートランジスタ１７、二つの直列のメモリセル１５及
び１６及びシフトレジスタ１８の要素が付設されている
。ドツト行の連続して到達するブイデオ情報はソフトレ
ジスタ１８によって寸ずメモ１月５に人力され、そこで
行の終了の後メモリに並列に伝送され、メモリは所属の
ドライバートランジスタ１７を介して放電セルによる電
流従って光放射を規制する。メモリ１５ばその開広のド
ラ１−行の情報を１込まれる。グレースケールが再生さ
れるべき場合、メモリにサンフル及びボールド段、さも
なければ充分簡単なデジタルメモリ七から構成される 装置の構造は第６図において標準尺度と異なる方法で示
されている。部分１〜１４は既に第３図に記載された。
が第５図に示されている。各放電セルに−・つのドライ
バートランジスタ１７、二つの直列のメモリセル１５及
び１６及びシフトレジスタ１８の要素が付設されている
。ドツト行の連続して到達するブイデオ情報はソフトレ
ジスタ１８によって寸ずメモ１月５に人力され、そこで
行の終了の後メモリに並列に伝送され、メモリは所属の
ドライバートランジスタ１７を介して放電セルによる電
流従って光放射を規制する。メモリ１５ばその開広のド
ラ１−行の情報を１込まれる。グレースケールが再生さ
れるべき場合、メモリにサンフル及びボールド段、さも
なければ充分簡単なデジタルメモリ七から構成される 装置の構造は第６図において標準尺度と異なる方法で示
されている。部分１〜１４は既に第３図に記載された。
集積回路１９は基板８上に案内された導線に接着されて
いる。間隔ホルダ１ｏ及びガラスプレート］１は相互に
かつ基板８と接着されている。基板８は装置の両端に孔
２ｏを備え、それによって小さい気体室１２は両プレー
ト８及び２２並びに間隔板２３によって形成される気体
室２１と連通している。この気体室２１は略２ｍｍの厚
さであシかつ小さい気体室１まための貯蔵タンクとして
役立つ。それによって気体室１２中の圧力変化、これは
例えば燃焼する気体放電に基づく温度上昇によって惹起
されるものであるが、この圧力変化が補償される。プレ
ート８及び２２は間隔ボルダ２３と接着される。プレー
ト８及び２２は間隔ホルタ２３と接着される。プレート
２２ハボ／フ接続管２５と接続された穴２４を有する。
いる。間隔ホルダ１ｏ及びガラスプレート］１は相互に
かつ基板８と接着されている。基板８は装置の両端に孔
２ｏを備え、それによって小さい気体室１２は両プレー
ト８及び２２並びに間隔板２３によって形成される気体
室２１と連通している。この気体室２１は略２ｍｍの厚
さであシかつ小さい気体室１まための貯蔵タンクとして
役立つ。それによって気体室１２中の圧力変化、これは
例えば燃焼する気体放電に基づく温度上昇によって惹起
されるものであるが、この圧力変化が補償される。プレ
ート８及び２２は間隔ボルダ２３と接着される。プレー
ト８及び２２は間隔ホルタ２３と接着される。プレート
２２ハボ／フ接続管２５と接続された穴２４を有する。
接着の後装置はこのポンプ接続管２５を通って真空にさ
れかつネオン又はネオン＋０．１％アルゴンの充填によ
っテ２００〜４００ミリバールの圧力にされる。その後
ポンプ接続管は封緘され、それによって装置が運転準備
される。
れかつネオン又はネオン＋０．１％アルゴンの充填によ
っテ２００〜４００ミリバールの圧力にされる。その後
ポンプ接続管は封緘され、それによって装置が運転準備
される。
必要な制御回路の数は直列・並列制御による印字速度の
コストのために減少される。このことは簡単な方法で、
アノードが分離されかつ導線にそれぞれ一つのスイツヂ
Ｓ、、Ｓ２等を設けることによって達成される。第７図
はこの制御の接続原理を示す。回路コストは制御が矩形
マｌ−、ｌＪノクスの原理に従って行われる場合に最小
になる。略２．１００ドツトの装置長ではアノードはｎ
−４６個に分割され、それらに４６個カソードが付設さ
れている。カッ了ドへの導線は第５図による回路を介し
て制御１され、しかしその回路は４６個の接続部分を有
する。運転中まずビイデオ情報が第５図に示された４６
個のメモリに入力される。
コストのために減少される。このことは簡単な方法で、
アノードが分離されかつ導線にそれぞれ一つのスイツヂ
Ｓ、、Ｓ２等を設けることによって達成される。第７図
はこの制御の接続原理を示す。回路コストは制御が矩形
マｌ−、ｌＪノクスの原理に従って行われる場合に最小
になる。略２．１００ドツトの装置長ではアノードはｎ
−４６個に分割され、それらに４６個カソードが付設さ
れている。カッ了ドへの導線は第５図による回路を介し
て制御１され、しかしその回路は４６個の接続部分を有
する。運転中まずビイデオ情報が第５図に示された４６
個のメモリに入力される。
メモリ１６にメモリ１５からの情報の人力の略１／７８
１’＋ｉｌにスイッチ８１及びＳ２は閉じ、それによっ
て第１アノードで点火電圧がかけられる。点火は１μｓ
以内に行われる。それによってＳｚが開き、ＳＢが閉接
し、その結果今や予備イオン化区間の給電のために充分
な小さい電圧ＵＢが存在する。ＳＢの閉接によって略５
０μｓの時間の４６個の弔−カソードの並列接続も行わ
れる。その後Ｓ１が開き、Ｓ２が閉接し、次の４６個の
放電セルのだめの情報がメ士り１５からメモリ１６に移
される。第ニアノードの点火電圧ＵＺの短時間の印加は
最早必要ない、そのわけは気体室は第ニアノードの先端
範囲において予備イオン化され、その結果この区間は今
や電圧ＵＢで点火するからである。作業速度は前記の例
と同一の最大輝度を使用する場合にはそこよりファクタ
４６だけ小さい。しかし１対４６の小さいタクト比のた
めにここでは大きな電流密度で個々の単一セルが作業さ
れることができ、それによって照度はファクタ５〜１０
だけ高められ、従って照明時間は相応して短縮されるこ
とができる。
１’＋ｉｌにスイッチ８１及びＳ２は閉じ、それによっ
て第１アノードで点火電圧がかけられる。点火は１μｓ
以内に行われる。それによってＳｚが開き、ＳＢが閉接
し、その結果今や予備イオン化区間の給電のために充分
な小さい電圧ＵＢが存在する。ＳＢの閉接によって略５
０μｓの時間の４６個の弔−カソードの並列接続も行わ
れる。その後Ｓ１が開き、Ｓ２が閉接し、次の４６個の
放電セルのだめの情報がメ士り１５からメモリ１６に移
される。第ニアノードの点火電圧ＵＺの短時間の印加は
最早必要ない、そのわけは気体室は第ニアノードの先端
範囲において予備イオン化され、その結果この区間は今
や電圧ＵＢで点火するからである。作業速度は前記の例
と同一の最大輝度を使用する場合にはそこよりファクタ
４６だけ小さい。しかし１対４６の小さいタクト比のた
めにここでは大きな電流密度で個々の単一セルが作業さ
れることができ、それによって照度はファクタ５〜１０
だけ高められ、従って照明時間は相応して短縮されるこ
とができる。
他の実施形態において放電セルは気体放電シフトレジス
タを介して直列制御される。第８図は機能原理を示す。
タを介して直列制御される。第８図は機能原理を示す。
ＥｌからＥｌｌまでの放電セルのカソードはＲ１からＲ
１１までの抵抗及びダイオードＤ１を介しである電圧に
なっており、その電圧はＯボルトと略−１８０ボルトの
間に略１対１の走査比及び略１μｓのパ、ルス１１ｊで
接続される。各ノクルスの終りにはスイッチＳが、カソ
ードを再び０ボルトにするだめに短時間閉じられる。ア
ノードは接地電位にある。カソードの−１ｓｏｖの電圧
は放電区間において気体放電を点火するためには不十分
である。しかし電圧は一度点火された放電を保持するた
めには充分である。放電は各パルスの終りでは消えるが
、気体室中に次のパルスのに２しめに尚存在する電荷の
ために新たに構成される７、点火１ｄＺ、がらＺｎまで
の点火電極を介して作用される。点火電極は休止状態に
おいてはＲＺＩ〜Ｒｙ、ｎまでの抵抗を介して接地電位
にあり、スイッチ８１〜Ｓ１１を介して制御される。こ
れらのスイッチは気体放電シフトレジスタを表徴し、そ
して所属の点火電極に略＋５０Ｖ〜＋８Ｖの電汀−を通
じる。スイッチはｓｌではじ１って順次略１／／Ｓの時
間開じられ、その際スイッチの開放と次のスイッチの閉
接の間に同様に略１μＳのポース゛がある。第９図のパ
ルス図かられかるように、ポーズはカソードにＤｌを介
して略−１８０Ｖの電圧がかけられかつ反転される場合
に正確に生ずる。
１１までの抵抗及びダイオードＤ１を介しである電圧に
なっており、その電圧はＯボルトと略−１８０ボルトの
間に略１対１の走査比及び略１μｓのパ、ルス１１ｊで
接続される。各ノクルスの終りにはスイッチＳが、カソ
ードを再び０ボルトにするだめに短時間閉じられる。ア
ノードは接地電位にある。カソードの−１ｓｏｖの電圧
は放電区間において気体放電を点火するためには不十分
である。しかし電圧は一度点火された放電を保持するた
めには充分である。放電は各パルスの終りでは消えるが
、気体室中に次のパルスのに２しめに尚存在する電荷の
ために新たに構成される７、点火１ｄＺ、がらＺｎまで
の点火電極を介して作用される。点火電極は休止状態に
おいてはＲＺＩ〜Ｒｙ、ｎまでの抵抗を介して接地電位
にあり、スイッチ８１〜Ｓ１１を介して制御される。こ
れらのスイッチは気体放電シフトレジスタを表徴し、そ
して所属の点火電極に略＋５０Ｖ〜＋８Ｖの電汀−を通
じる。スイッチはｓｌではじ１って順次略１／／Ｓの時
間開じられ、その際スイッチの開放と次のスイッチの閉
接の間に同様に略１μＳのポース゛がある。第９図のパ
ルス図かられかるように、ポーズはカソードにＤｌを介
して略−１８０Ｖの電圧がかけられかつ反転される場合
に正確に生ずる。
この運転方法ではセルＥ１〜Ｊ）Ｈのどれもが点火さ７
することかできない、何故ならばカソードと点火電極の
電圧は同時に存在しないからである７゜この特定のセル
の点火はＤＩのパルス電圧のポーズにおいてビイデオ信
号を示すＤｌの略−１８０Ｖの電圧がかけられることに
よって行われる。、同時にスイッチ８１〜Ｓｎの一つが
閉じられるので、゛所属のセルの点火電極とカソードと
の間に略２５０Ｖの電位差が存在し、それによってこの
セル中に放電が点火される。この放電は−に記のように
１〕１のパルス電圧が略５パルスの間中断される寸で保
持され、それから残りの電荷はパルス電圧の新たな印加
の際にもやは放電が行われない程の中に低下する。Ｄｌ
のビイデオ信号によってどのセルが点火されるかが決定
される。セルは両状態［−投入］又は「遮断」のみを有
するので、この構成によってグレースケールは再生され
ることができない。更に装置の行走査際に最初に点火さ
れた放電は最後に点火された放電よりも長く続く。
することかできない、何故ならばカソードと点火電極の
電圧は同時に存在しないからである７゜この特定のセル
の点火はＤＩのパルス電圧のポーズにおいてビイデオ信
号を示すＤｌの略−１８０Ｖの電圧がかけられることに
よって行われる。、同時にスイッチ８１〜Ｓｎの一つが
閉じられるので、゛所属のセルの点火電極とカソードと
の間に略２５０Ｖの電位差が存在し、それによってこの
セル中に放電が点火される。この放電は−に記のように
１〕１のパルス電圧が略５パルスの間中断される寸で保
持され、それから残りの電荷はパルス電圧の新たな印加
の際にもやは放電が行われない程の中に低下する。Ｄｌ
のビイデオ信号によってどのセルが点火されるかが決定
される。セルは両状態［−投入］又は「遮断」のみを有
するので、この構成によってグレースケールは再生され
ることができない。更に装置の行走査際に最初に点火さ
れた放電は最後に点火された放電よりも長く続く。
このことを回避するため、又は著しく減少させるために
、カソード導線が例えば１０個に分割される。２１００
の放電セルでは２１０個のセルが−っの共通カソード導
線を有する。各導線にはスイッチ８Ｋがある。装置の行
走査の間これらのスイッチは全て閉じている。行走査の
終了直前にスイッチＳＲ＋は信号Ｄ１の５パルスの間開
き、その結果全ての点火された放電は所属のカソードの
範囲内で消弧する。それから最初の放電セルと２１０番
目の放電セルの間の発光時間が１０対９に保持される。
、カソード導線が例えば１０個に分割される。２１００
の放電セルでは２１０個のセルが−っの共通カソード導
線を有する。各導線にはスイッチ８Ｋがある。装置の行
走査の間これらのスイッチは全て閉じている。行走査の
終了直前にスイッチＳＲ＋は信号Ｄ１の５パルスの間開
き、その結果全ての点火された放電は所属のカソードの
範囲内で消弧する。それから最初の放電セルと２１０番
目の放電セルの間の発光時間が１０対９に保持される。
電気写真方法の急激な階調のためにこのことは認識可能
ないかなる密度差も生じない。
ないかなる密度差も生じない。
−行走査の終了後に中断なし次のドツト行の表示のだめ
の新たな行走査が始まる、そのわけは１〜２１０までの
放電区間は今新だに記載されることができるからである
。２１１〜２１００までの放電セルはこの間尚前の行の
情報を示す。新しい行が要素２０５に来るとはじめて、
ＳＫ２′が５パルスの間開き、その結果点火された全て
の放電がこの範囲において消弧する。
の新たな行走査が始まる、そのわけは１〜２１０までの
放電区間は今新だに記載されることができるからである
。２１１〜２１００までの放電セルはこの間尚前の行の
情報を示す。新しい行が要素２０５に来るとはじめて、
ＳＫ２′が５パルスの間開き、その結果点火された全て
の放電がこの範囲において消弧する。
この方法は僅かな導線しか必要とされないという利点を
有する。１０個のアノードの分割では全部で１７個の導
線が必要である。像メモリはここでは必要々い。方法は
プリント略１０枚／分の中くらいの印字速度に適する。
有する。１０個のアノードの分割では全部で１７個の導
線が必要である。像メモリはここでは必要々い。方法は
プリント略１０枚／分の中くらいの印字速度に適する。
第９図は記載の方法（装置の横断面）の運転のための単
一セルの構造を示す。各放電セル（デスプレーセル）（
第９図の右半分）には気体放電ソフトレジスタの一つの
セルが付設されている（第９図の左半分）。
一セルの構造を示す。各放電セル（デスプレーセル）（
第９図の右半分）には気体放電ソフトレジスタの一つの
セルが付設されている（第９図の左半分）。
構成はガラス基板２６上に構成される。その上にシフト
レジスタのセルのカソード２７とデスプレーセルのカソ
ード２８とがあシ、デスプレーセルの導線２９は薄層抵
抗として形成されており、かつ放電用抵抗とに役立つ。
レジスタのセルのカソード２７とデスプレーセルのカソ
ード２８とがあシ、デスプレーセルの導線２９は薄層抵
抗として形成されており、かつ放電用抵抗とに役立つ。
層３０は例えばポリアミドの略２０μｍ厚さの絶縁層で
ある。層は写真平版的方法で構成されかつカソード２７
の範囲に装置の方向に貫通するダクトを形成し、一方力
ソード２８の範囲において略８０μｍ×８０μｍの矩形
面の空所を有する。金属板３１は電気成形方法によって
つくられる。略２０μｍ厚さでカソード２７に亘って略
８０μｍＸ８０μｍ空所を有する。薄金属鋼３２は板３
１と接続されている。金属板３３はその構造が板３１に
相応している。層３４は略２μｍ厚さの絶縁層である。
ある。層は写真平版的方法で構成されかつカソード２７
の範囲に装置の方向に貫通するダクトを形成し、一方力
ソード２８の範囲において略８０μｍ×８０μｍの矩形
面の空所を有する。金属板３１は電気成形方法によって
つくられる。略２０μｍ厚さでカソード２７に亘って略
８０μｍＸ８０μｍ空所を有する。薄金属鋼３２は板３
１と接続されている。金属板３３はその構造が板３１に
相応している。層３４は略２μｍ厚さの絶縁層である。
ガラス基板３５上に透明の電極３６があり、電極はシフ
トレジスタセルの範囲に抵抗層３７が重ねられる。層３
７は第８図における抵抗ＲＺを示す。デスプレーセルか
らの光の放射のためにここで光導体３８が設けられてい
る。しかし光は第３図に示すと同様な方法でも放射され
ることができる。
トレジスタセルの範囲に抵抗層３７が重ねられる。層３
７は第８図における抵抗ＲＺを示す。デスプレーセルか
らの光の放射のためにここで光導体３８が設けられてい
る。しかし光は第３図に示すと同様な方法でも放射され
ることができる。
作用は次のように行われる。
デスプレーセルのカソード２８に常にり、以」二のパル
ス電圧が存在する。板３３は全てのデスプレーセルに共
通でありかつ接地電位にされたアノードを示す。透明電
極３６、抵抗層３７を介して接地電位にある点火電極で
ある。休止状態において放電は行われない、そのわけは
り、の電圧は点火のプこめには小さすぎるからである。
ス電圧が存在する。板３３は全てのデスプレーセルに共
通でありかつ接地電位にされたアノードを示す。透明電
極３６、抵抗層３７を介して接地電位にある点火電極で
ある。休止状態において放電は行われない、そのわけは
り、の電圧は点火のプこめには小さすぎるからである。
デスプレーセルの気体室が相互に直接接続を有さないの
で、シフトレジスタセルの気体室は層３０内のダクトを
介して相互に接続されている。前方の隣接したセルが点
火された場合にこのダクトを介して予備イオン化が行わ
れる。それによってこのセルは、予備イオン化されない
セルのだめの点火電圧の下に略５０Ｖである電圧で点火
されることができる。この公知の事実に基いて気体放電
はセルからセルヘカソード２７の三相制御によって移行
する。
で、シフトレジスタセルの気体室は層３０内のダクトを
介して相互に接続されている。前方の隣接したセルが点
火された場合にこのダクトを介して予備イオン化が行わ
れる。それによってこのセルは、予備イオン化されない
セルのだめの点火電圧の下に略５０Ｖである電圧で点火
されることができる。この公知の事実に基いて気体放電
はセルからセルヘカソード２７の三相制御によって移行
する。
鋼３２と板３１はシフトレジスタのセルのアノードを示
す。アノードは＋５０〜＋８０Ｖの電圧である。
す。アノードは＋５０〜＋８０Ｖの電圧である。
カソード２７に略−１４０■の電圧がかけられると、直
前に隣接のセルが点火される場合のみ放電力；点火され
る。それからカソード２７とアノード３１又は３２の間
の放電が行われる。それによって鋼３２の目の間の範囲
も導電的になる。この導電性が高オーム抵抗３７以上に
大きいので、電極３６は鋼３２の電位に移行する。カソ
ード２８に同時にＤ２を介してピイデオ信号が存在する
と、デスプレーセルルには放電の点火に充分な略２５０
Ｖの電位差がある。シフトレジスタセルにおける放電の
遮断の際に電極３６の電位は抵抗３７を介して再び０ボ
ルトになシ、一方デスプレーセル内の放電は上記のよう
に保持される。
前に隣接のセルが点火される場合のみ放電力；点火され
る。それからカソード２７とアノード３１又は３２の間
の放電が行われる。それによって鋼３２の目の間の範囲
も導電的になる。この導電性が高オーム抵抗３７以上に
大きいので、電極３６は鋼３２の電位に移行する。カソ
ード２８に同時にＤ２を介してピイデオ信号が存在する
と、デスプレーセルルには放電の点火に充分な略２５０
Ｖの電位差がある。シフトレジスタセルにおける放電の
遮断の際に電極３６の電位は抵抗３７を介して再び０ボ
ルトになシ、一方デスプレーセル内の放電は上記のよう
に保持される。
４、図面の簡単な説明
５第１図は気体放電の予備イオン化のための実 ７施
形態、 １２第
２図は予備イオン化のだめの他の可能性、第３図は本発
明による装置の横断面図、第４図は第３図に示した装置
の電極配列の斜視図、 第５図は光導体の感光度に気体放電の持続時間の適合す
るためのｏＪ能な方法のブロック図、第６図は本発明に
よる装置の好適な実施形態の構造、 第７図は装置制御のだめの可能な接続原理、第８図は本
発明による構成の機能原理であって、気体放電セルが気
体放電シフトレジスタを介して直列制御されるもの、そ
して第９図は第８図に記載の構造の機能原理のだめの単
一セルの構造を示す図である。
５第１図は気体放電の予備イオン化のための実 ７施
形態、 １２第
２図は予備イオン化のだめの他の可能性、第３図は本発
明による装置の横断面図、第４図は第３図に示した装置
の電極配列の斜視図、 第５図は光導体の感光度に気体放電の持続時間の適合す
るためのｏＪ能な方法のブロック図、第６図は本発明に
よる装置の好適な実施形態の構造、 第７図は装置制御のだめの可能な接続原理、第８図は本
発明による構成の機能原理であって、気体放電セルが気
体放電シフトレジスタを介して直列制御されるもの、そ
して第９図は第８図に記載の構造の機能原理のだめの単
一セルの構造を示す図である。
図中符号
３ カソード
４ 可変抵抗
スイッチ
アノード
気体室
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）静電的に滞電された光導体のドツト式放電の方法
にして、放電は電子信号の形で存在する像情報に対応し
て光によって導入される方法において、光放射はドツト
式気体放電によって発生することを特徴とする、方法。 （２）個々の気体放電の持続時間は光導体の感光度に適
合される、特許請求の範囲第１項記載の方法。 （３）気体放電の遅延のない点火のだめに、光放射のだ
めに使用される気体放電区間における平行で常に弱く燃
焼する気体放電又は常に弱く燃焼する放電によって予備
イオン化が導入される、特許請求の範囲第１項又は第２
項記載の方法。 （４）短時間の追加的燃焼気体放電の点火によって先攻
（冒ために使用される気体放電の息吹−が制御される、
特許請求の範囲第１項又は第２項記載の方法。 のための像信号と共に利用される、特許請求の範囲第４
項記載の方法。 （６）静電的に滞電された光導体のドツト式放電の方法
にして、放電は電子信号の形で存在する像情報に対応し
て光によって導入される方法において、光放射はドツト
式気体放電によって発生することを特徴とする方法 を
実施するだめの装置において、装置は貫通した気体室（
１２）を備えだ線形装置を形成する複数の気体放電セル
から成り、その際気体放電セルのアノード（７）は透明
であシ、かつ全ての気体放電セルに共通であり、かつ常
に正の電圧７５玉かかっており、そして気体放電セルの
個々のカソード（３）は前後して接続された調整可能な
抵抗（４）及びスイッチ（５）を介して接地電位に接続
されていることを特徴とする装置。 （７） ＤＪ変低抵抗４）と並列に抵抗（２）が設け
られており、抵抗は気体室（１２）中の電流が予備イオ
ン化のために充分であるがさしたる光放射は生じない稈
小さい程度に予備イオン化の大きさを決定し、そしてス
イ・ツチ（５）の閉接の後気体室（１２）中の電流は可
変抵抗（４）の調整に対応して高められた光放射のため
に充分である、特許請求の範囲第６項記載の装置。 （８）全ての気体放電セルに共通の予備イオン化区間が
設けられておシ、そのアノード（６）は不透明であり、
かつ気体放電セルの透明なアノード（７）と接続してお
り、そして予備イオン化区間のカソード（１）は抵抗（
２）を介して接地電位に接続されている、特許請求の範
囲第６項記載の装置。 （９）全ての気体放電セルに共通の気体室（１２）が貯
蔵タンクとして使用される別の大きな気体室（２１）と
連通している、特許請求の範囲第６項から第８項捷での
うちのいずれか一つに記載の装置。 （１０）入力導線の数の減少のために気体放電セルが、
所属のカソード（３）と共にマトリックスを形成する、
別々に切換可能な部分に分けられている、特許請求の範
囲第６項から第９項までのうちのいずれか一つに記載の
装置。 （１１）装置が、それぞれカソード（２８）とリング状
のアノード（３３）とを有する線形装置を形成する分離
可能な複数の気体放電セルから成り、そして気体室が上
方に向っては透明な点火電極（３６）によって区画され
ており、電極は休止状態において接地電位にあり、そし
て各気体放電セルには点火電極（３６）を介して別の気
体放電セルが付設されており、この気体放電セルハ気体
放電シフトレジスタの部分であり−、そのカソード（２
７）は多相−的に制御”Ｔ能であり、七して全ての気体
放電セルのカソード（２８）は各抵抗を介してグループ
状に統合されており、グループはそれぞれ一つのスイッ
チを介して共通の入力と接続している、特許請求の範囲
第６項記載の装置。 （１２）光点の座標の決定のために、透明の電極（７，
３６）の上方に絞り（１３）又はオプチカルファイバ（
３８）が設けられておシ、その際光導体は気体放電セル
を特定する絞シの窓（１４）のすぐ上方に又はオプチカ
ルファイバ（３８）のすぐ上方にある、％訂請求の範囲
第６項から第１１項までのうちのいずれか一つに記載の
装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE32190743 | 1982-05-21 | ||
| DE19823219074 DE3219074C2 (de) | 1982-05-21 | 1982-05-21 | Verfahren und Anordnungen zum punktweisen Entladen eines elektrostatisch aufgeladenen Photoleiters |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58215694A true JPS58215694A (ja) | 1983-12-15 |
Family
ID=6164137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58071588A Pending JPS58215694A (ja) | 1982-05-21 | 1983-04-25 | 静電的に充電された光導体のドツト式放電の方法及び装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58215694A (ja) |
| DE (1) | DE3219074C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61948U (ja) * | 1984-06-11 | 1986-01-07 | 沖電気工業株式会社 | 光プリンタヘツド |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2153182B (en) * | 1984-01-13 | 1988-06-22 | Ricoh Kk | Image recording method |
| US5818500A (en) * | 1991-05-06 | 1998-10-06 | Eastman Kodak Company | High resolution field emission image source and image recording apparatus |
| US5237180A (en) * | 1991-12-31 | 1993-08-17 | Eastman Kodak Company | High resolution image source |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5340269A (en) * | 1976-09-27 | 1978-04-12 | Hitachi Ltd | Gas discharge display panel |
| JPS5342674A (en) * | 1976-09-29 | 1978-04-18 | Siemens Ag | Picture display unit |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3750190A (en) * | 1970-11-20 | 1973-07-31 | Nippon Electric Co | Electrostatic recording device utilizing the electric potential in a discharge space |
| US3946150A (en) * | 1973-12-20 | 1976-03-23 | Xerox Corporation | Optical scanner |
| DE2515578A1 (de) * | 1975-04-10 | 1976-10-21 | Siemens Ag | Elektrographische schreibvorrichtung mit gesteuerter gasentladung |
-
1982
- 1982-05-21 DE DE19823219074 patent/DE3219074C2/de not_active Expired
-
1983
- 1983-04-25 JP JP58071588A patent/JPS58215694A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5340269A (en) * | 1976-09-27 | 1978-04-12 | Hitachi Ltd | Gas discharge display panel |
| JPS5342674A (en) * | 1976-09-29 | 1978-04-18 | Siemens Ag | Picture display unit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61948U (ja) * | 1984-06-11 | 1986-01-07 | 沖電気工業株式会社 | 光プリンタヘツド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3219074A1 (de) | 1983-11-24 |
| DE3219074C2 (de) | 1985-10-31 |
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