JP3072165B2 - 薄膜ｅｌディスプレイ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌディスプレイ素子Info
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- JP3072165B2 JP3072165B2 JP3304022A JP30402291A JP3072165B2 JP 3072165 B2 JP3072165 B2 JP 3072165B2 JP 3304022 A JP3304022 A JP 3304022A JP 30402291 A JP30402291 A JP 30402291A JP 3072165 B2 JP3072165 B2 JP 3072165B2
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- Japan
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- film
- electrode
- display element
- thin
- lower electrode
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、車載用メータ
等の表示器に使用されるセグメント形の薄膜ＥＬ(Elect
roluminescence）ディスプレイ素子に関する。
等の表示器に使用されるセグメント形の薄膜ＥＬ(Elect
roluminescence）ディスプレイ素子に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、薄膜ＥＬディスプレイ素子は、硫化
亜鉛(ＺnＳ）等を発光母体とする蛍光体に電界をかけた
時に発光する現象を利用したものであり自発光型の平面
ディスプレイ素子として注目されている。ここで、自動
車等のダッシュボード計器類としてディジタル表示のス
ピードメータやバーグラフ表示や各種警告表示など固定
パターン表示をするには、セグメント形の薄膜ＥＬディ
スプレイ素子が用いられる。上記薄膜ＥＬディスプレイ
素子は、その典型的な断面構造を図６に示したように、
絶縁性基板であるガラス基板１上に下部電極２、第１絶
縁膜３、発光層４、第２絶縁層５及び上部電極６を順次
積層して形成されている。又、薄膜ＥＬディスプレイ素
子の上部は、通常、発光層４等の防湿のため図示しない
シリコンオイル等の防湿液で覆っている。
亜鉛(ＺnＳ）等を発光母体とする蛍光体に電界をかけた
時に発光する現象を利用したものであり自発光型の平面
ディスプレイ素子として注目されている。ここで、自動
車等のダッシュボード計器類としてディジタル表示のス
ピードメータやバーグラフ表示や各種警告表示など固定
パターン表示をするには、セグメント形の薄膜ＥＬディ
スプレイ素子が用いられる。上記薄膜ＥＬディスプレイ
素子は、その典型的な断面構造を図６に示したように、
絶縁性基板であるガラス基板１上に下部電極２、第１絶
縁膜３、発光層４、第２絶縁層５及び上部電極６を順次
積層して形成されている。又、薄膜ＥＬディスプレイ素
子の上部は、通常、発光層４等の防湿のため図示しない
シリコンオイル等の防湿液で覆っている。
【０００３】ここで、上部電極６の電極エッジ６１，６
２を下部電極２の電極エッジ２１，２２より小さくして
その下部電極２の電極エッジ２１，２２部分にかからな
いよう配置している。これは以下のような理由に基づい
ている。薄膜ＥＬディスプレイ素子は、下部電極２と上
部電極６とが対向した部分に挟まれた発光層４の部分が
所定のパターン形状に発光する。この時、上部電極６の
電極エッジ６１，６２の位置が下部電極２の電極エッジ
２１，２２の位置と同じで、例えば、上部電極６の電極
形状にてパターン形状を形成しているとする。ここで、
上部電極６と下部電極２との位置ずれが起きると表示さ
れるパターン形状が微妙に変化してしまうことになる。
又、上部電極６の電極エッジ６１，６２付近はその下層
に形成された第２絶縁層５等が厚み方向に変化する段差
部分であり、上部電極６の電極エッジ６１，６２付近で
はその厚みを均一にし難く、輝度ムラの原因にもなる。
２を下部電極２の電極エッジ２１，２２より小さくして
その下部電極２の電極エッジ２１，２２部分にかからな
いよう配置している。これは以下のような理由に基づい
ている。薄膜ＥＬディスプレイ素子は、下部電極２と上
部電極６とが対向した部分に挟まれた発光層４の部分が
所定のパターン形状に発光する。この時、上部電極６の
電極エッジ６１，６２の位置が下部電極２の電極エッジ
２１，２２の位置と同じで、例えば、上部電極６の電極
形状にてパターン形状を形成しているとする。ここで、
上部電極６と下部電極２との位置ずれが起きると表示さ
れるパターン形状が微妙に変化してしまうことになる。
又、上部電極６の電極エッジ６１，６２付近はその下層
に形成された第２絶縁層５等が厚み方向に変化する段差
部分であり、上部電極６の電極エッジ６１，６２付近で
はその厚みを均一にし難く、輝度ムラの原因にもなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】発明者らは、上述の薄
膜ＥＬディスプレイ素子への電圧印加時に、シリコンオ
イル等の防湿液が、一般に熱伝導率が低く素子からの発
熱を有効に発散できないことから、上部電極６の電極エ
ッジ６１，６２部分に電界集中による発熱が生じている
ことを見出した。この現象は、薄膜ＥＬディスプレイ素
子の劣化や破壊に結びつくという問題がある。
膜ＥＬディスプレイ素子への電圧印加時に、シリコンオ
イル等の防湿液が、一般に熱伝導率が低く素子からの発
熱を有効に発散できないことから、上部電極６の電極エ
ッジ６１，６２部分に電界集中による発熱が生じている
ことを見出した。この現象は、薄膜ＥＬディスプレイ素
子の劣化や破壊に結びつくという問題がある。
【０００５】本発明は、上記の課題を解決するために成
されたものであり、その目的とするところは、セグメン
トタイプの薄膜ＥＬディスプレイ素子の劣化、破壊を防
止して、素子寿命を向上させることである。
されたものであり、その目的とするところは、セグメン
トタイプの薄膜ＥＬディスプレイ素子の劣化、破壊を防
止して、素子寿命を向上させることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の第１の発明の構成は、絶縁性基板上に下部電極、第１
絶縁層、発光層、第２絶縁層及び上部電極を順次積層す
ると共に前記下部電極又は前記上部電極のうち少なくと
も光取り出し側の一方を透明導電膜で形成した薄膜ＥＬ
ディスプレイ素子であって、前記絶縁性基板より離れて
形成された前記上部電極を該上部電極と前記発光層を介
して対向する前記絶縁性基板の近傍に形成された前記下
部電極よりほぼ全周にわたって広くなるように形成した
ことを特徴とする。また、第２の発明の構成は、絶縁性
基板と下部電極との間に、絶縁性基板より高い熱伝導率
を有する絶縁膜を配置したことを特徴とする。また、第
３の発明の構成は、絶縁膜は１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱
伝導率を有することを特徴とする。
の第１の発明の構成は、絶縁性基板上に下部電極、第１
絶縁層、発光層、第２絶縁層及び上部電極を順次積層す
ると共に前記下部電極又は前記上部電極のうち少なくと
も光取り出し側の一方を透明導電膜で形成した薄膜ＥＬ
ディスプレイ素子であって、前記絶縁性基板より離れて
形成された前記上部電極を該上部電極と前記発光層を介
して対向する前記絶縁性基板の近傍に形成された前記下
部電極よりほぼ全周にわたって広くなるように形成した
ことを特徴とする。また、第２の発明の構成は、絶縁性
基板と下部電極との間に、絶縁性基板より高い熱伝導率
を有する絶縁膜を配置したことを特徴とする。また、第
３の発明の構成は、絶縁膜は１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱
伝導率を有することを特徴とする。
【０００７】
【作用及び効果】薄膜ＥＬディスプレイ素子は絶縁性基
板上に下部電極、第１絶縁層、発光層、第２絶縁層及び
上部電極が順次積層され、上記下部電極又は上記上部電
極のうち少なくとも光取り出し側の一方が透明導電膜で
形成されている。そして、上記絶縁性基板より離れて形
成された上記上部電極はその上部電極と上記発光層を介
して対向する上記絶縁性基板の近傍に形成された上記下
部電極よりほぼ全周にわたって広くなるように形成され
ている。
板上に下部電極、第１絶縁層、発光層、第２絶縁層及び
上部電極が順次積層され、上記下部電極又は上記上部電
極のうち少なくとも光取り出し側の一方が透明導電膜で
形成されている。そして、上記絶縁性基板より離れて形
成された上記上部電極はその上部電極と上記発光層を介
して対向する上記絶縁性基板の近傍に形成された上記下
部電極よりほぼ全周にわたって広くなるように形成され
ている。
【０００８】薄膜ＥＬディスプレイ素子を上述のような
構成とする理由は、素子の発光時には電極エッジに電界
集中が起こりそこに発熱が生じることを見出したことに
基づいている。即ち、電極エッジの電界集中による発熱
を下部電極側に生じさせ、その下部電極の近傍の絶縁性
基板、例えば、空気やシリコンオイルより１〜２桁熱伝
導率が大きいガラス基板に伝達発散させる。これによ
り、薄膜ＥＬディスプレイ素子の発光時に電界集中によ
り下部電極側で発生した発熱はその近傍の絶縁性基板に
速やかに伝達発散される。従って、薄膜ＥＬディスプレ
イ素子は熱による劣化や破壊が防止されると共に寿命が
向上する。 特に、絶縁性基板より高い熱伝導率を有す
る絶縁膜を絶縁性基板と下部電極との間に配置すること
により、薄膜ＥＬディスプレイ素子からの発熱が効率よ
く絶縁性基板側に伝達される。
構成とする理由は、素子の発光時には電極エッジに電界
集中が起こりそこに発熱が生じることを見出したことに
基づいている。即ち、電極エッジの電界集中による発熱
を下部電極側に生じさせ、その下部電極の近傍の絶縁性
基板、例えば、空気やシリコンオイルより１〜２桁熱伝
導率が大きいガラス基板に伝達発散させる。これによ
り、薄膜ＥＬディスプレイ素子の発光時に電界集中によ
り下部電極側で発生した発熱はその近傍の絶縁性基板に
速やかに伝達発散される。従って、薄膜ＥＬディスプレ
イ素子は熱による劣化や破壊が防止されると共に寿命が
向上する。 特に、絶縁性基板より高い熱伝導率を有す
る絶縁膜を絶縁性基板と下部電極との間に配置すること
により、薄膜ＥＬディスプレイ素子からの発熱が効率よ
く絶縁性基板側に伝達される。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。図１は本発明に係る薄膜ＥＬディスプレイ素子
１００の縦断面を示した模式図である。薄膜ＥＬディス
プレイ素子１００は、絶縁性基板であるノンアルカリの
ガラス基板１上に順次、以下の薄膜が形成され構成され
ている。ガラス基板１上には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxi
de：酸化インジウム、錫）透明導電膜から成る下部電極
２、第１絶縁層３、母体材料が硫化亜鉛(ＺnＳ）から成
る発光層４、第２絶縁層５及び酸化亜鉛(ＺnＯ：Ｇa2Ｏ
3)透明導電膜から成る上部電極６が形成されている。そ
して、上部電極６の電極エッジ６１，６２部分は発光層
４を挟んで下部電極２の電極エッジ２１，２２部分より
広く大きく形成されている。
明する。図１は本発明に係る薄膜ＥＬディスプレイ素子
１００の縦断面を示した模式図である。薄膜ＥＬディス
プレイ素子１００は、絶縁性基板であるノンアルカリの
ガラス基板１上に順次、以下の薄膜が形成され構成され
ている。ガラス基板１上には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxi
de：酸化インジウム、錫）透明導電膜から成る下部電極
２、第１絶縁層３、母体材料が硫化亜鉛(ＺnＳ）から成
る発光層４、第２絶縁層５及び酸化亜鉛(ＺnＯ：Ｇa2Ｏ
3)透明導電膜から成る上部電極６が形成されている。そ
して、上部電極６の電極エッジ６１，６２部分は発光層
４を挟んで下部電極２の電極エッジ２１，２２部分より
広く大きく形成されている。
【００１０】次に、上述の薄膜ＥＬディスプレイ素子１
００の製造方法を以下に述べる。ガラス基板１上にＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide：酸化インジウム、錫）透明導電
膜をアルゴン（Ａr)及び酸素（Ｏ）の混合ガス雰囲気中
で高周波スパッタして2000Åの厚さに成膜し、ウエット
エッチングにより所望のセグメント形のパターン形状に
加工し下部電極２を形成した。その上に、五酸化タンタ
ル・酸化アルミニウム混合(Ｔa2Ｏ5・Ａl2Ｏ3)をターゲ
ットとしてアルゴン及び酸素の混合ガス雰囲気中で高周
波スパッタして4000Åの厚さに成膜し第１絶縁層３を形
成した。次に、ＴbＯＦ を添加した硫化亜鉛(ＺnＳ）を
ターゲットとして、アルゴン及びヘリウム（Ｈe)の混合
ガス雰囲気中で高周波スパッタして8000Åの厚さに成膜
し発光層４を形成した。そして、シリコンをターゲット
としてアルゴン及び窒素の混合ガス雰囲気中で高周波ス
パッタして窒化珪素(ＳiＮ）を1000Åの厚さに成膜し
た。更に、その上に、五酸化タンタル・酸化アルミニウ
ム混合をターゲットとしてアルゴン及び酸素の混合ガス
雰囲気中で高周波スパッタして4000Åの厚さに成膜して
第２絶縁層５を形成した。これらの薄膜を積層形成した
後、Ｇa2Ｏ3 を添加した ＺnＯ透明導電膜をイオンプレ
ーティングにより4000Åの厚さに成膜し、ウエットエッ
チングにより加工し上部電極６を形成した。上述の薄膜
ＥＬディスプレイ素子１００における第１絶縁層３又は
第２絶縁層５の構成材料としては、上記五酸化タンタル
・酸化アルミニウム混合や窒化珪素に限定されるもので
はなく、その他、酸化珪素や酸化イットリウム等の絶縁
膜で形成しても良い。又、発光層４の母体材料は硫化亜
鉛の他、硫化カルシウムや硫化ストロンチウム等でも良
く、添加材もマンガンやサマリウム等の元素及びそれら
の化合物でも良い。
００の製造方法を以下に述べる。ガラス基板１上にＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide：酸化インジウム、錫）透明導電
膜をアルゴン（Ａr)及び酸素（Ｏ）の混合ガス雰囲気中
で高周波スパッタして2000Åの厚さに成膜し、ウエット
エッチングにより所望のセグメント形のパターン形状に
加工し下部電極２を形成した。その上に、五酸化タンタ
ル・酸化アルミニウム混合(Ｔa2Ｏ5・Ａl2Ｏ3)をターゲ
ットとしてアルゴン及び酸素の混合ガス雰囲気中で高周
波スパッタして4000Åの厚さに成膜し第１絶縁層３を形
成した。次に、ＴbＯＦ を添加した硫化亜鉛(ＺnＳ）を
ターゲットとして、アルゴン及びヘリウム（Ｈe)の混合
ガス雰囲気中で高周波スパッタして8000Åの厚さに成膜
し発光層４を形成した。そして、シリコンをターゲット
としてアルゴン及び窒素の混合ガス雰囲気中で高周波ス
パッタして窒化珪素(ＳiＮ）を1000Åの厚さに成膜し
た。更に、その上に、五酸化タンタル・酸化アルミニウ
ム混合をターゲットとしてアルゴン及び酸素の混合ガス
雰囲気中で高周波スパッタして4000Åの厚さに成膜して
第２絶縁層５を形成した。これらの薄膜を積層形成した
後、Ｇa2Ｏ3 を添加した ＺnＯ透明導電膜をイオンプレ
ーティングにより4000Åの厚さに成膜し、ウエットエッ
チングにより加工し上部電極６を形成した。上述の薄膜
ＥＬディスプレイ素子１００における第１絶縁層３又は
第２絶縁層５の構成材料としては、上記五酸化タンタル
・酸化アルミニウム混合や窒化珪素に限定されるもので
はなく、その他、酸化珪素や酸化イットリウム等の絶縁
膜で形成しても良い。又、発光層４の母体材料は硫化亜
鉛の他、硫化カルシウムや硫化ストロンチウム等でも良
く、添加材もマンガンやサマリウム等の元素及びそれら
の化合物でも良い。
【００１１】次に、薄膜ＥＬディスプレイ素子の表面に
液晶を塗布し偏光顕微鏡により発熱状態を観察した（液
晶法）。すると、上部電極６の電極エッジ６１，６２が
下部電極２の電極エッジ２１，２２よりも内側で小さい
ような、従来構造の薄膜ＥＬディスプレイ素子では上部
電極６の電極エッジ６１，６２部分で発熱が観察され
た。これは、上部電極６の電極エッジ６１，６２部分で
電界集中が生じて熱が発生しているのである。これに対
して、本発明の薄膜ＥＬディスプレイ素子１００では従
来のような発熱は観測されなかった。この場合には、電
極エッジ構造の変更により上部電極６と下部電極２との
間の電界分布が変わったことによる。即ち、本発明の薄
膜ＥＬディスプレイ素子１００においては、下部電極２
の電極エッジ２１，２２部分にて同じく電界集中による
発熱が生じるが、この熱が空気やシリコンオイルに比べ
１〜２桁大きな熱伝導率を有するガラス基板１側に速や
かに伝達発散されるからである。従って、本発明の薄膜
ＥＬディスプレイ素子１００においては、素子自身の過
熱が防止され耐劣化及び破壊特性が向上される。
液晶を塗布し偏光顕微鏡により発熱状態を観察した（液
晶法）。すると、上部電極６の電極エッジ６１，６２が
下部電極２の電極エッジ２１，２２よりも内側で小さい
ような、従来構造の薄膜ＥＬディスプレイ素子では上部
電極６の電極エッジ６１，６２部分で発熱が観察され
た。これは、上部電極６の電極エッジ６１，６２部分で
電界集中が生じて熱が発生しているのである。これに対
して、本発明の薄膜ＥＬディスプレイ素子１００では従
来のような発熱は観測されなかった。この場合には、電
極エッジ構造の変更により上部電極６と下部電極２との
間の電界分布が変わったことによる。即ち、本発明の薄
膜ＥＬディスプレイ素子１００においては、下部電極２
の電極エッジ２１，２２部分にて同じく電界集中による
発熱が生じるが、この熱が空気やシリコンオイルに比べ
１〜２桁大きな熱伝導率を有するガラス基板１側に速や
かに伝達発散されるからである。従って、本発明の薄膜
ＥＬディスプレイ素子１００においては、素子自身の過
熱が防止され耐劣化及び破壊特性が向上される。
【００１２】更に、薄膜ＥＬディスプレイ素子の放熱効
果を向上するために、図２に示したような構成とする。
つまり、ガラス基板１と下部電極２との間にガラス基板
１の熱伝導率より高い少なくとも1.0W/m・Ｋ以上の熱伝
導率を有する絶縁材料から成る絶縁膜を挿入する。この
場合には、素子からの発熱がより効率良くガラス基板１
側に伝達発散されることにより、素子自身の過熱が防止
され耐劣化及び破壊特性が向上される。
果を向上するために、図２に示したような構成とする。
つまり、ガラス基板１と下部電極２との間にガラス基板
１の熱伝導率より高い少なくとも1.0W/m・Ｋ以上の熱伝
導率を有する絶縁材料から成る絶縁膜を挿入する。この
場合には、素子からの発熱がより効率良くガラス基板１
側に伝達発散されることにより、素子自身の過熱が防止
され耐劣化及び破壊特性が向上される。
【００１３】又、図３に示したように、図１における下
部電極２の電極エッジ２１，２２部分をテーパ状にエッ
チング加工する。このように下部電極２の電極エッジ２
１，２２部分を上部電極６に対して広げたような形状と
することにより、下部電極２の電極エッジ２１，２２に
おける電界集中を緩和させることができる。これによ
り、薄膜ＥＬディスプレイ素子は下部電極２の電極エッ
ジ２１，２２部分での発熱が抑えられると共にガラス基
板１側に速やかに伝達発散され、素子自身の耐劣化及び
破壊特性が向上される。
部電極２の電極エッジ２１，２２部分をテーパ状にエッ
チング加工する。このように下部電極２の電極エッジ２
１，２２部分を上部電極６に対して広げたような形状と
することにより、下部電極２の電極エッジ２１，２２に
おける電界集中を緩和させることができる。これによ
り、薄膜ＥＬディスプレイ素子は下部電極２の電極エッ
ジ２１，２２部分での発熱が抑えられると共にガラス基
板１側に速やかに伝達発散され、素子自身の耐劣化及び
破壊特性が向上される。
【００１４】本発明の薄膜ＥＬディスプレイ素子を用
い、図４に示したように、０〜９までの数字を表示でき
る日の字型の７セグメント形表示器を構成する。図４で
は、上述と同様に、薄膜ＥＬディスプレイ素子の上部電
極６の電極エッジ部分を下部電極２の電極エッジ部分よ
り広げて大きくしている。すると、下部電極２に設けら
れた電極の足の取り出し部をも、図４に斜線にて示した
ように、覆ってしまうことになる。即ち、セグメント形
状の発光必要部分と電極の足の取り出し部の発光不要部
分とが共に発光してデザイン意匠上、好ましくないとい
うことになる。この場合には、図５に示したように、上
部電極６の電極エッジ部分のうち下部電極２の足の取り
出し部を覆う部分のみ下部電極２のセグメント形状を表
す位置となるように切り欠き部６３を設けることにより
不要発光部分をなくすことができる。
い、図４に示したように、０〜９までの数字を表示でき
る日の字型の７セグメント形表示器を構成する。図４で
は、上述と同様に、薄膜ＥＬディスプレイ素子の上部電
極６の電極エッジ部分を下部電極２の電極エッジ部分よ
り広げて大きくしている。すると、下部電極２に設けら
れた電極の足の取り出し部をも、図４に斜線にて示した
ように、覆ってしまうことになる。即ち、セグメント形
状の発光必要部分と電極の足の取り出し部の発光不要部
分とが共に発光してデザイン意匠上、好ましくないとい
うことになる。この場合には、図５に示したように、上
部電極６の電極エッジ部分のうち下部電極２の足の取り
出し部を覆う部分のみ下部電極２のセグメント形状を表
す位置となるように切り欠き部６３を設けることにより
不要発光部分をなくすことができる。
【図１】本発明の具体的な一実施例に係る薄膜ＥＬディ
スプレイ素子の縦断面を示した模式図である。
スプレイ素子の縦断面を示した模式図である。
【図２】本発明に係る薄膜ＥＬディスプレイ素子の第２
の実施例における縦断面を示した模式図である。
の実施例における縦断面を示した模式図である。
【図３】本発明に係る薄膜ＥＬディスプレイ素子の第３
の実施例における縦断面を示した模式図である。
の実施例における縦断面を示した模式図である。
【図４】本発明の薄膜ＥＬディスプレイ素子を用いて構
成された７セグメント形表示器を示した正面図である。
成された７セグメント形表示器を示した正面図である。
【図５】図４における不要発光部分をなくした７セグメ
ント形表示器の正面図である。
ント形表示器の正面図である。
【図６】従来の薄膜ＥＬディスプレイ素子の縦断面を示
した模式図である。
した模式図である。
１−ガラス基板（絶縁性基板） ２−下部電極 ３
−第１絶縁層 ４−発光層 ５−第２絶縁層 ６−上部電極 ２１，２２−（下部電極の）電極エッジ ６１，６２−（上部電極の）電極エッジ
−第１絶縁層 ４−発光層 ５−第２絶縁層 ６−上部電極 ２１，２２−（下部電極の）電極エッジ ６１，６２−（上部電極の）電極エッジ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井ノ口 和宏 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (72)発明者 伊藤 信衛 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−14835（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−116391（ＪＰ，Ａ) 実公 平２−8400（ＪＰ，Ｙ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05B 33/26 H05B 33/02
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に下部電極、第１絶縁層、
発光層、第２絶縁層及び上部電極を順次積層すると共に
前記下部電極又は前記上部電極のうち少なくとも光取り
出し側の一方を透明導電膜で形成した薄膜ＥＬディスプ
レイ素子であって、 前記絶縁性基板より離れて形成された前記上部電極を該
上部電極と前記発光層を介して対向する前記絶縁性基板
の近傍に形成された前記下部電極よりほぼ全周にわたっ
て広くなるように形成したことを特徴とする薄膜ＥＬデ
ィスプレイ素子。 - 【請求項２】 前記絶縁性基板と前記下部電極との間
に、前記絶縁性基板より高い熱伝導率を有する絶縁膜を
配置したことを特徴とする請求項１に記載の薄膜ＥＬデ
ィスプレイ素子。 - 【請求項３】 前記絶縁膜は１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱
伝導率を有することを特徴とする請求項２に記載の薄膜
ＥＬディスプレイ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3304022A JP3072165B2 (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 薄膜ｅｌディスプレイ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3304022A JP3072165B2 (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 薄膜ｅｌディスプレイ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114488A JPH05114488A (ja) | 1993-05-07 |
| JP3072165B2 true JP3072165B2 (ja) | 2000-07-31 |
Family
ID=17928134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3304022A Expired - Lifetime JP3072165B2 (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | 薄膜ｅｌディスプレイ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3072165B2 (ja) |
-
1991
- 1991-10-22 JP JP3304022A patent/JP3072165B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05114488A (ja) | 1993-05-07 |
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