JP4935838B2 - 固体撮像素子及びその製造方法、電子機器 - Google Patents
固体撮像素子及びその製造方法、電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4935838B2 JP4935838B2 JP2009054212A JP2009054212A JP4935838B2 JP 4935838 B2 JP4935838 B2 JP 4935838B2 JP 2009054212 A JP2009054212 A JP 2009054212A JP 2009054212 A JP2009054212 A JP 2009054212A JP 4935838 B2 JP4935838 B2 JP 4935838B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- semiconductor substrate
- state imaging
- imaging device
- scribe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 107
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 162
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 154
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 150
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 14
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 78
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- -1 polysilicon Chemical compound 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14689—MOS based technologies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76256—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques using silicon etch back techniques, e.g. BESOI, ELTRAN
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/782—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, each consisting of a single circuit element
- H01L21/784—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, each consisting of a single circuit element the substrate being a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/105—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Dicing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
しかし、通常の半導体基体に比べてSOI基板が高価であるため、SOI基板を用いることによる固体撮像素子の製造コストの増大が問題となる。
しかしながら、複数の画素からなる画素部の一部若しくは周囲に終端検出部を設ける場合、終端検出部の面積を大きくすると、画素部においてフォトダイオードを形成する領域及び画素を構成する複数のMOSトランジスタを形成する領域が縮小してしまう。また、終端検出部の面積を小さくした場合には、CMPによる化学機械研磨を自己整合的に停止させることが困難になる。さらに、終端検出部を形成することにより、半導体基体表面に凹凸が発生してしまう。このため、層間絶縁層の平坦化が困難になる。
終端検出部が形成されることにより、半導体基体の1面側を除去する際にその除去加工が、終端検出部の底面が露出する位置で自己整合的に停止される。さらに、終端検出部がスクライブラインに形成されるため、固体撮像素子の画素部やトランジスタを形成する領域等の面積に影響を与えない。また、上記の構成で終端検出部を形成することにより、固体撮像素子の個片化の際に薄く加工された半導体基体の割れ等による製造歩留まりの低下を抑制することができる。
また、本発明の電子機器によれば、上記本発明の固体撮像素子を備えることにより、製造歩留まりがよく、低コストで製造が可能である。
なお、説明は以下の順序で行う。
1.固体撮像素子の構成例
2.固体撮像素子の製造方法
3.電子機器の構成例
[固体撮像素子の構成例:概略構成図]
以下、本発明の固体撮像素子の具体的な実施の形態について説明する。
図1に、本発明の固体撮像素子の一例として、MOS型の固体撮像素子の概略構成を示す。
つまり、終端検出部21は、固体撮像素子10の周囲のスクライブライン20において方形状に形成されている。図1A,Bでは、方形状の終端検出部21を、半導体基体のスクライブ方向と同じ方向に長手方向が形成された矩形状として示している。なお、終端検出部21は、図1A,Bに示す形状に限らず、スクライブ方向と平行な辺を有する方形状であればよい。例えば、半導体基体のスクライブ方向と直交する方向に長手方向が形成された矩形状や、スクライブ方向と平行な辺を有する正方形などの形状とすることもできる。
出力回路17は、カラム信号処理回路15の各々から水平信号線11を通して順次に供給される信号に対し、信号処理を行って出力する。
図2に上述の固体撮像素子10の断面図を示す。なお、図2においては、固体撮像素子10のフォトダイオードPDと複数のMOSトランジスタTrからなる単位画素の一例と、スクライブライン20の終端検出部21の構成を示している。
複数のMOSトランジスタTrは、フォトダイオードPDとソース・ドレイン領域42と両者間のゲート電極44とで電荷読出しトランジスタが形成され、他の対のソース・ドレイン領域42と両者間のゲート電極45とで他のトランジスタが構成されている。
フォトダイオードPD及びMOSトランジスタTrの所定の領域、例えば、ソース・ドレイン領域、ゲート電極等に対応した位置において、配線層33と接続するためのコンタクトプラグ35が、絶縁層34を貫通して設けられている。
このため、終端検出部21上に、終端検出部21よりも面積が大きいゲート電極22を形成することにより、半導体基体30と終端検出部21との間で発生した段差部分を、ゲート電極22で被覆し、ゲート電極22の下に埋め込む。このように、終端検出部21上に、終端検出部21よりも面積が大きいゲート電極22を設けることにより、基体と終端検出部と間の段差に起因する配線層の断線や短絡などを抑制し、固体撮像素子の信頼性が向上する。
次に、上述の終端検出部21及び終端検出部21上に形成されるゲート電極22の構成について説明する。終端検出部21及びゲート電極22の平面拡大図を図3に示す。
図3において、矩形の内側の線が終端検出部21の半導体基体表面での平面形状を示し、矩形の外側の線がゲート電極22の半導体基体表面での平面形状を示している。
矩形状の終端検出部21は、その長手方向が半導体基体のスクライブ方向と同じ方向になるように形成されている。つまり、終端検出部21は、半導体基体において固体撮像素子10の周囲に形成されるスクライブラインと、終端検出部21の長手方向とが平行に形成されている。
また、スクライブ方向と直交する方向に隣接する終端検出部21同士は、交互にスクライブ方向側にずれた位置に形成されている。図3Aでは、終端検出部21の長辺の長さの半分程度、隣接する終端検出部21からスクライブ方向へずれている。
図3Bに示す終端検出部21の配列では、図3Aに示す終端検出部21の配列に対し、スクライブ方向で隣接する終端検出部21同士が、スクライブ方向と直交する方向、いわゆるスクライブラインの幅方向にずれた位置に形成されている。
つまり、スクライブ方向と直交する方向に隣接する終端検出部21同士が、交互にスクライブ方向側にずれた位置に形成され、さらに、スクライブ方向に並ぶ終端検出部21が、それぞれスクライブラインの幅方向にずれて形成されている。
このように、終端検出部21は、スクライブ方向に対して一列に並ぶ以外にも、若干スクライブラインの幅方向にずれた位置に形成されてもよい。但し、スクライブ方向に隣接する終端検出部21同士が、スクライブ方向においてその一部が少なくとも重なる位置に形成される。
つまり、図3Cに示す終端検出部21の配列は、図3Bに示す終端検出部21の配列と同様に、スクライブ方向に並ぶ終端検出部21が、それぞれスクライブ方向と直交する方向、いわゆるスクライブラインの幅方向にずれた位置に形成されている。
さらに、図3Cに示す終端検出部21の配列は、スクライブ方向に一列に並ぶ終端検出部21の列において、終端検出部21が3列ともスクライブラインの幅方向において異なる位置に形成されている。これに対し、図3Aに示す終端検出部21の配列では、スクライブ方向に一列に並ぶ終端検出部21の列が、交互にスクライブラインの幅方向に同じ位置となるように形成されている。つまり、図3Cに示す終端検出部21の配列では、図3Aに示す終端検出部21の配列のように、2列毎にスクライブ方向と直交する方向において、終端検出部21を同じ位置に形成しなくてもよい。従って、図3Cに示す終端検出部21の配列では、終端検出部21を形成する位置が、スクライブ方向及びスクライブ方向と直交する方向において任意の位置とすることができる。
このとき、スクライブ方向に隣接する終端検出部21同士は、スクライブ方向においてその一部が少なくとも重なる位置に形成される。さらに、スクライブ方向と直交する方向で隣接する終端検出部21同士は、スクライブ方向と直交する方向その一部が少なくとも重なる位置に形成される。
また、終端検出部21同士の間隔は、スクライブ方向と平行な方向の間隔を1μm、スクライブ方向と直交する方向の間隔を0.7μmとして形成される。そして、スクライブラインの端から、最もスクライブラインの端側の終端検出部21までの間隔を1.3μmとして形成される。
なお、半導体基体の大きさや、固体撮像素子の大きさ等により、スクライブライン同士の間隔を1〜15mm、スクライブラインの幅が30〜400μm、終端検出部21の短辺が0.1〜2μm、長辺が0.2〜25000μmで形成することができる。また、終端検出部21上のゲート電極は、短辺が0.1〜2μm、長辺が0.1〜25000μmで形成することができる。
また、スクライブ方向と平行な方向の間隔、及び、スクライブ方向と直交する方向の間隔を、共に0.1〜400μmとして形成することができる。
図4に示すように、終端検出部21は、例えば、半導体基体30のトレンチ内において、第1の層27と第2の層28とから構成される。第1の層27は、例えば第2の層28が導電性の材料により構成される際に、第2の層28と半導体基体30との間の絶縁層として形成される。
終端検出部21は、半導体基体の一面側を除去する際に除去加工が停止されるように、半導体基体よりも硬度の大きい材料から形成される。例えば、酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁材料や、終端検出部21が電極として使用される場合には、ポリシリコン、PDAS(P Doped Amorphous Silicon)、金属等の導電材料により形成される。
なお、終端検出部21は、図4に示したように2層構造の他にも、例えば単一の材料による構成や、2層以上の複数の構成とすることができる。
ゲート電極22及びサイドウォール24,25、パッシベーション層26等の構成は、固体撮像素子を構成するトランジスタのゲート電極の形状に合わせて形成されている。トランジスタのゲート電極と同じ構成とすることにより、トランジスタのゲート電極を形成する工程において、トランジスタのゲート電極と同時に終端検出部21上のゲート電極22を形成することができる。
さらに、方形状の終端検出部同士を、交互にスクライブ方向側にずれた位置に形成する。また、スクライブ方向で隣接する方形状の終端検出部同士を、スクライブ方向と直交する方向にずれた位置に形成する。また、スクライブ方向に隣接する方形状の終端検出部同士を、スクライブ方向と直交する方向にずれた位置、且つ、スクライブ方向と直交する方向で隣接する方形状の終端検出部同士を、スクライブ方向にずれた位置に形成する。
上記構成の終端検出部を半導体基体に設けることにより、裏面照射型の固体撮像素子のように、薄く削られた半導体基体において、半導体基体から固体撮像素子を個片化するスクライブの際の基体の割れ等を抑制することができる。従って、半導体基体の割れ等による製造歩留まりの低下を抑制することができる。
このため、従来における半導体装置の製造方法の工程数を増加させずに、上述の構成の終端検出部を形成することができる。
本発明の固体撮像素子の製造方法の実施の形態について説明する。
まず、図5Aに示すように、半導体基体(例えばシリコンウェハ)30を用意し、この半導体基体30のスクライブラインとなる領域に、方形状の終端検出部を形成するための溝(トレンチT)を形成する。そして、図5Bに示すように、トレンチTを形成した後、トレンチTの溝の内壁面及び基体表面を覆うように、例えばCVD等により、第1の層27を形成する。さらに、トレンチT内を埋め込むように、例えばCVD等により、第2の層28を形成する。そして、図5Cに示すように、第1の層27及び第2の層28をエッチバックし、トレンチT内にのみ第1の層27及び第2の層28を残す。この工程により、第1の層27及び第2の層28からなる2層構造の終端検出部21を形成する。
このとき、例えば終端検出部21の形状を、長手方向が半導体基体のスクライブ方向と同じ方向の矩形状に形成する場合には、トレンチTの形状を、半導体基体30の表面での形状が矩形状であり、長手方向がスクライブ方向と同じ方向になるように形成する。
なお、以下の説明及び説明で用いる図では、説明の簡略化のため終端検出部21を単層構造で示すが、上述のように終端検出部21は、複数層で構成されているものとしてもよい。
複数のMOSトランジスタTrは、各種の個数で構成され、例えば電荷読出しトランジスタ、リセットトランジスタ、アンプトランジスタ、垂直選択トランジスタの4つのトランジスタで構成することもできる。
また、終端検出部21上において、ゲート電極22の面積が終端検出部21の面積よりも大きくなるように、ゲート電極22を形成する。
また、終端検出部21上において、ゲート電極22の面積が終端検出部21の面積よりも大きくなるように、ゲート電極22を形成する。
次に、図6Cに示すように、多層配線層31上に例えばシリコン基板等による支持基板36を貼り合わせる。このとき、スクライブライン上の終端検出部21をアライメントマークとして用いて、半導体基体30と支持基板33との位置合わせを行う。
このように、終端検出部21の硬度が高いことから、半導体基体30の裏面の化学機械研磨により露出する終端検出部21の底面がストッパとして働き、半導体基体30がそれ以上研磨されずに、自己整合的に半導体基体30の研磨面が表れる。
第2導電型(n型)の半導体領域47には、不純物濃度の高い第2導電型(n+型)の電荷蓄積領域46を形成する。そして、電荷蓄積領域46に接して、暗電流の発生を抑制するための、不純物濃度の高い第1導電型(p+型)の半導体領域からなるアキュミュレーション層48を形成する。また、フォトダイオードPDの光の入射面側に暗電流の発生を抑制するため、不純物濃度の高い第1導電型(p+型)の半導体領域からなるアキュミュレーション層49を形成する。
なお、フォトダイオードPDは、上述の図6Aを用いて説明した工程において、半導体基体30の表面側からのイオン注入を行うことで形成することも可能である。
以上の工程により、裏面照射型のMOS型の固体撮像素子を製造することができる。
さらに、半導体基体のスクライブラインに、上記構成の終端検出部を形成することにより、半導体基体を薄く加工した後に固体撮像素子を個片化するためのスクライブ等の工程において、半導体基体の割れ等を抑制することができる。従って、半導体基体の割れ等による製造歩留まりの低下を抑制することができる。
本発明に係る固体撮像素子は、固体撮像素子を備えたカメラ、カメラ付き携帯機器、固体撮像素子を備えたその他の機器、等の電子機器に適用することができる。
図8に、本発明の電子機器の一例として、固体撮像素子を静止画撮影が可能なデジタルスチルカメラに適用した場合の概略構成を示す。
さらに、図8の構成は、光学レンズ51、固体撮像素子52、信号処理回路53、及び、駆動回路54がモジュール化した撮像機能を有するモジュール、いわゆる撮像機能モジュ−ルとして構成することができる。本発明は、このような撮像機能モジュールを備えた電子機器を構成することができる。
ゲート電極、23 各単位画素領域、24,25 サイドウォール、26,55 パッシベーション層、27 第1の層、28 第2の層、29,43 ゲート絶縁膜、30 半導体基体、31 多層配線層、33,123,223 配線層、34,125,225
絶縁層、35 コンタクトプラグ、36 支持基板、38 コンタクトホール、41 p−well領域、42 ソース・ドレイン領域、47 第2導電型(n型)の半導体領域、46 電荷蓄積領域、48,49 アキュミュレーション層、50 カメラ、51 光学レンズ、52 固体撮像素子、53 信号処理回路、54 駆動回路、56,127,227 カラーフィルタ、57,128,228 オンチップレンズ、101 裏面照射型固体撮像素子、122,222 光電変換部、124,224 配線、129,229 信号処理部、201 表面照射型固体撮像素子、L 斜め光、PD フォトダイオード、T トレンチ、Tr トランジスタ
Claims (15)
- 入射光量を電気信号に変換する光電変換部と複数の画素トランジスタとを有する複数の画素と、
前記複数の画素が形成された半導体基体の一方面側に配線層を備え、前記配線層が形成されている面とは反対側より入射される光を前記光電変換部で受光する構造を有し、
前記複数の画素からなる画素部の周囲に形成されているスクライブラインと、
前記スクライブラインに、前記半導体基体の他方面側から行う化学機械研磨処理を自己整合的に終了するための、前記半導体基体よりも硬度が高い方形状の終端検出部が、前記半導体基体の一方面側から厚み方向に形成され、
前記方形状の終端検出部が、前記半導体基体のスクライブ方向と平行な辺を有する
固体撮像素子。 - 前記終端検出部が、長手方向が前記半導体基体のスクライブ方向と同じ方向、又は、長手方向が前記半導体基体のスクライブ方向と直交する方向に形成されている矩形状である請求項1に記載の固体撮像素子。
- スクライブ方向と直交する方向で隣接している前記方形状の終端検出部同士は、スクライブ方向にずれた位置に形成されている請求項1に記載の固体撮像素子。
- スクライブ方向で隣接する前記方形状の終端検出部同士は、スクライブ方向と直交する方向にずれた位置に形成され、且つ、スクライブ方向と直交する方向で隣接する前記終端検出部同士は、スクライブ方向にずれた位置に交互に形成されている請求項1に記載の固体撮像素子。
- スクライブ方向で隣接する前記方形状の終端検出部同士は、スクライブ方向と直交する方向にずれた位置に形成され、且つ、スクライブ方向と直交する方向で隣接する前記方形状の終端検出部同士は、スクライブ方向にずれた位置に形成されている請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記終端検出部が、絶縁材料及び導電材料からなる多層構造で形成されている請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記終端検出部上にゲート電極が形成されている請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記ゲート電極が、前記終端検出部よりも大きな面積で前記半導体基体上に形成されている請求項7に記載の固体撮像素子。
- 前記終端検出部上に形成されている前記ゲート電極が、前記画素トランジスタのゲート電極と同じ構造を有する請求項8に記載の固体撮像素子。
- 半導体基体のスクライブラインにおいて、前記半導体基体の一方面から厚み方向に、前記半導体基体よりも硬度が高く、前記半導体基体のスクライブ方向と平行な辺を有する方形状の終端検出部を形成する工程と、
前記半導体基体の一方面側に固体撮像素子の構成要素の一部を形成する工程と、
前記半導体基体の一方面側に支持基板を貼り合わせる工程と、
前記半導体基体の他方面側から化学機械研磨を行い、前記半導体基体の他方面側から前記終端検出部の底面が露出する位置で前記化学機械研磨を自己整合的に停止して、前記半導体基体を薄く加工する工程と、
前記半導体基体の他方面側に固体撮像素子の構成要素の他部を形成する工程と
を有する固体撮像素子の製造方法。 - 前記終端検出部を、長手方向が前記半導体基体のスクライブ方向と同じ方向の矩形状に形成する請求項10に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記支持基板を貼り合わせる工程において、前記終端検出部をアライメントマークとして使用する請求項10に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記固体撮像素子の構成要素の一部を形成する工程において、前記終端検出部上にゲート電極を形成する請求項10に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記固体撮像素子の構成要素の一部を形成する工程において、前記固体撮像素子を構成するトランジスタのゲート電極を形成する工程と同じ工程で、前記終端検出部上にゲート電極を形成する請求項13に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 入射光量を電気信号に変換する光電変換部と複数の画素トランジスタとを有する複数の画素と、前記複数の画素が形成された半導体基体の一方面側に配線層を備え、前記配線層が形成されている面とは反対側より入射される光を前記光電変換部で受光する構造を有し、前記複数の画素からなる画素部の周囲に形成されているスクライブラインと、前記スクライブラインに、前記半導体基体の他方面側から行う化学機械研磨処理を自己整合的に終了するための、前記半導体基体よりも硬度が高い方形状の終端検出部が、前記半導体基体の一方面側から厚み方向に形成され、前記方形状の終端検出部は、前記半導体基体のスクライブ方向と平行な辺を有する固体撮像素子と、
前記固体撮像素子の撮像部に入射光を導く光学系と、
前記固体撮像素子の出力信号を処理する信号処理回路と
を有する電子機器。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009054212A JP4935838B2 (ja) | 2009-03-06 | 2009-03-06 | 固体撮像素子及びその製造方法、電子機器 |
US12/700,550 US8558947B2 (en) | 2009-03-06 | 2010-02-04 | Solid-state image pickup element, a method of manufacturing the same and electronic apparatus using the same |
TW099103818A TWI449164B (zh) | 2009-03-06 | 2010-02-08 | 固態影像拾取元件,其製造方法,以及使用該固態影像拾取元件之電子裝置 |
KR1020100017772A KR20100100624A (ko) | 2009-03-06 | 2010-02-26 | 고체 촬상 소자, 그 제조 방법 및 그것을 사용한 전자 기기 |
EP10154775A EP2226843B1 (en) | 2009-03-06 | 2010-02-26 | Solid-state image pickup element, method of manufacturing the same, and electronic apparatus using the same |
CN2010101249719A CN101826538B (zh) | 2009-03-06 | 2010-03-01 | 固态摄像元件、制作该元件的方法及使用该元件的电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009054212A JP4935838B2 (ja) | 2009-03-06 | 2009-03-06 | 固体撮像素子及びその製造方法、電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010212307A JP2010212307A (ja) | 2010-09-24 |
JP4935838B2 true JP4935838B2 (ja) | 2012-05-23 |
Family
ID=42172528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009054212A Expired - Fee Related JP4935838B2 (ja) | 2009-03-06 | 2009-03-06 | 固体撮像素子及びその製造方法、電子機器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8558947B2 (ja) |
EP (1) | EP2226843B1 (ja) |
JP (1) | JP4935838B2 (ja) |
KR (1) | KR20100100624A (ja) |
CN (1) | CN101826538B (ja) |
TW (1) | TWI449164B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011086709A (ja) * | 2009-10-14 | 2011-04-28 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP5836581B2 (ja) * | 2010-10-04 | 2015-12-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
KR102378636B1 (ko) | 2011-05-24 | 2022-03-25 | 소니그룹주식회사 | 반도체 장치 |
JP6055598B2 (ja) | 2012-02-17 | 2016-12-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014027123A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP6076123B2 (ja) * | 2013-02-14 | 2017-02-08 | オリンパス株式会社 | 半導体基板、撮像素子、および撮像装置 |
JP6545957B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2019-07-17 | 京セラ株式会社 | 水晶素子の製造方法 |
JP6422355B2 (ja) * | 2015-01-29 | 2018-11-14 | 株式会社ディスコ | アライメント方法 |
TWI832908B (zh) * | 2018-10-17 | 2024-02-21 | 日商索尼半導體解決方案公司 | 固態攝像裝置及固態攝像裝置之製造方法、以及電子機器 |
EP3966875A1 (de) * | 2019-04-05 | 2022-03-16 | Arno Mecklenburg | Integrierbarer kondensator |
US11810933B2 (en) * | 2020-01-21 | 2023-11-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor device and fabrication method thereof |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0437020A (ja) | 1990-05-31 | 1992-02-07 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 熱圧着ウエーハの製造方法 |
JPH0715867B2 (ja) * | 1990-08-30 | 1995-02-22 | 九州電子金属株式会社 | 熱圧着ウエーハ及びその製造方法 |
JPH06283702A (ja) | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Hamamatsu Photonics Kk | 固体撮像装置 |
TW428243B (en) * | 1999-01-22 | 2001-04-01 | United Microelectronics Corp | Method for enhancing the planarization of the die region and scribe line by using dummy pattern |
JP2005302985A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Nec Electronics Corp | 半導体ウェーハおよび半導体チップ |
JP2005311473A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-11-04 | Sharp Corp | 撮像装置および信号処理方法ならびにそのプログラムと記録媒体 |
JP4501633B2 (ja) * | 2004-10-28 | 2010-07-14 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子とその製造方法 |
KR100695876B1 (ko) * | 2005-06-24 | 2007-03-19 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 키 및 그 형성 방법, 오버레이 키를 이용하여형성된 반도체 장치 및 그 제조 방법. |
JP4931422B2 (ja) * | 2006-01-13 | 2012-05-16 | 株式会社リコー | 半導体ウエハ |
KR100791336B1 (ko) * | 2006-08-10 | 2008-01-07 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 제조 방법 |
JP5101876B2 (ja) * | 2006-12-26 | 2012-12-19 | セイコーインスツル株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法並びにラインイメージセンサicの製造方法 |
JP2008182142A (ja) | 2007-01-26 | 2008-08-07 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法、および撮像装置 |
KR100856950B1 (ko) * | 2007-12-22 | 2008-09-04 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
-
2009
- 2009-03-06 JP JP2009054212A patent/JP4935838B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-02-04 US US12/700,550 patent/US8558947B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-08 TW TW099103818A patent/TWI449164B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-02-26 KR KR1020100017772A patent/KR20100100624A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-02-26 EP EP10154775A patent/EP2226843B1/en not_active Not-in-force
- 2010-03-01 CN CN2010101249719A patent/CN101826538B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101826538B (zh) | 2012-06-20 |
TW201103135A (en) | 2011-01-16 |
CN101826538A (zh) | 2010-09-08 |
US20100225774A1 (en) | 2010-09-09 |
TWI449164B (zh) | 2014-08-11 |
KR20100100624A (ko) | 2010-09-15 |
US8558947B2 (en) | 2013-10-15 |
EP2226843A1 (en) | 2010-09-08 |
EP2226843B1 (en) | 2012-10-10 |
JP2010212307A (ja) | 2010-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4935838B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法、電子機器 | |
KR101942680B1 (ko) | 반도체 장치 및 전자 기기 | |
KR102367384B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 형성 방법 | |
JP4501633B2 (ja) | 固体撮像素子とその製造方法 | |
JP5568969B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 | |
KR101198984B1 (ko) | 고체 촬상 장치 및 고체 촬상 장치의 구동 방법 | |
US20090140365A1 (en) | Image sensor with back-side illuminated photoelectric converters | |
JP2013098446A (ja) | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び、電子機器 | |
JP2014011304A (ja) | 固体撮像装置 | |
KR20140146060A (ko) | 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 반도체 웨이퍼 및 전자 기기 | |
JP2010258157A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP6200035B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8440954B2 (en) | Solid-state image pickup device with a wiring becoming a light receiving surface, method of manufacturing the same, and electronic apparatus | |
US8945973B2 (en) | Method of manufacturing backside illuminated active pixel sensor array | |
JP4270105B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP2014053431A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
WO2023188891A1 (ja) | 光検出装置及び電子機器 | |
JP2010056245A (ja) | 半導体撮像素子及びその製造方法、電子機器 | |
JP2010109398A (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、並びに半導体装置とその製造方法 | |
JP2006351788A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
JP2022036438A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP5115566B2 (ja) | 固体撮像装置とその製造方法、並びに半導体装置とその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110506 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110531 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110722 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120124 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120206 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |