JP4934765B2 - 金めっき膜およびその製造方法 - Google Patents
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- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/48—Electroplating: Baths therefor from solutions of gold
Description
表1に、各実施例および各比較例の製造条件を示す。
表2にめっき処理に用いたベース浴の基本組成を示す。
平均電流密度2mA/cm2・sec、パルス周期50msec、デューティー比0.008の条件でパルス電流を流した以外は、実施例1と同じ条件でめっき処理を行った。
平均電流密度5mA/cm2・sec、パルス周期50msec、デューティー比0.01の条件でパルス電流を流した以外は、実施例1と同じ条件でめっき処理を行った。
平均電流密度11mA/cm2・sec、パルス周期50msec、デューティー比0.5の条件でパルス電流を流した以外は、実施例1と同じ条件でめっき処理を行った。
平均電流密度5mA/cm2・sec、パルス周期100msec、デューティー比0.001の条件でパルス電流を流した以外は、実施例1と同じ条件でめっき処理を行った。
平均電流密度5mA/cm2・sec、パルス周期100msec、デューティー比0.01の条件でパルス電流を流した以外は、実施例1と同じ条件でめっき処理を行った。
平均電流密度2.5mA/cm2・sec、パルス周期100msec、デューティー比0.02の条件でパルス電流を流した以外は、実施例1と同じ条件でめっき処理を行った。
平均電流密度2.5mA/cm2・sec、パルス周期100msec、デューティー比0.05の条件でパルス電流を流した以外は、実施例1と同じ条件でめっき処理を行った。
平均電流密度5mA/cm2・sec、パルス周期100msec、デューティー比0.05の条件でパルス電流を流した以外は、実施例1と同じ条件でめっき処理を行った。
平均電流密度11mA/cm2・sec、パルス周期275msec、デューティー比0.254の条件でパルス電流を流した以外は、実施例1と同じ条件でめっき処理を行った。
実施例1と同じベース浴に、さらに、0.1g/Lのカチオン系添加剤の一種であるジアリルジメチルアンモニウムクロリドを添加して、金めっき浴とした。上記金めっき浴を攪拌しながら、陽極と陰極にパルス電源をつなぎ、平均電流密度5mA/cm2・sec、パルス周期10msec、デューティー比0.01の条件でパルス電流を流した。これら以外は、実施例1と同じ条件でめっき処理を行った。
実施例1と同じベース浴に、さらに、0.1g/Lのノニオン系添加剤の一種であるポリオキシエチレン(23)ラウリルエーテルを添加して、金めっき浴とした。上記金めっき浴を攪拌しながら、陽極と陰極にパルス電源をつなぎ、平均電流密度5mA/cm2・sec、パルス周期10msec、デューティー比0.01の条件でパルス電流を流した。これら以外は、実施例1と同じ条件でめっき処理を行った。
平均電流密度5mA/cm2・secの直流電流を流した以外は、実施例1と同じ条件でめっき処理を行った。
平均電流密度5mA/cm2・sec、パルス周期1000msec、デューティー比0.01の条件でパルス電流を流した以外は、実施例1と同じ条件でめっき処理を行った。
平均電流密度5mA/cm2・sec、パルス周期100msec、デューティー比0.9の条件でパルス電流を流した以外は、実施例1と同じ条件でめっき処理を行った。
金めっき膜表面の組織観察には、走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope: SEM)を用いた。また、金めっき膜の組成および結晶子サイズの同定には、X線回折装置を用いた。さらに、金めっき膜の硬度測定には、ビッカース硬度測定機を用いた。
表3に、各実施例および各比較例から得られた金めっき膜の特性を示す。
Claims (3)
- 単一金属元素から成る金めっき膜であって、
上記金めっき膜は、平均粒径が17nm以上25nm以下の範囲である結晶子から構成され、
ビッカース硬度が160Hv以上であることを特徴とする金めっき膜。 - 請求項1に記載の単一金属元素から成る金めっき膜の製造方法であって、
陰極となる被めっき体と陽極とを非シアンの金めっき浴の中に配置する電極配置工程と、
上記陽極と上記陰極との間にパルス電流を流して電析を行う電析工程とを有し、
上記電析工程中に、5msec以上300msec以内の範囲のパルス周期で、かつ上記パルス周期に対するパルスオン時間の比が0.001以上0.5以下の範囲のパルス電流を供給し、
かつ、上記非シアンの金めっき浴が、トリメチルステアリルアンモニウムクロリド、ジアリルジメチルアンモニウムクロリドおよびポリオキシエチレン(23)ラウリルエーテルから選択される少なくとも1種の添加剤を含むことを特徴とする金めっき膜の製造方法。 - 前記電析工程の前に、前記陰極の表面にNi−Pをめっきすることを特徴とする請求項2に記載の金めっき膜の製造方法。
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