JP4898766B2 - 物体の位置を測定する方法およびシステム - Google Patents
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Description
−投影平面内の画像位置でエアリアル画像を投影し、
−エアリアル画像の強度を画像マップにマッピングし、画像マップはサンプル抽出箇所の座標の値とそれぞれのサンプル抽出箇所でサンプル抽出された強度の値とを含むように構成され、
−スロット・パターンを通して受け取ったエアリアル画像の強度を測定することによって、振動関連情報を決定するための方法が提供されており、
この方法はさらに、
−画像マップから画像マップの傾斜部分の検出位置を決定するステップを含み、
−この傾斜部分の検出位置で、エアリアル画像の時間的強度を測定しかつスロット・パターンと画像位置との相対位置を測定するステップを含み、スロット・パターンの相対位置はスロット・パターンの位置関連データとして測定され、
−エアリアル画像の時間的強度から前記エアリアル画像に関する振動関連情報を決定するステップを含む。
この装置は、スロット・パターン、感光素子、及び感光素子に接続されたコンピュータ・システムを備え、この感光素子は、スロット・パターンを通して受け取ったエアリアル画像の強度を測定するためにスロット・パターンに対して所定の位置に配置され、
この装置は、スロット・パターンと投影平面内の画像位置との相対位置を変位するように構成されており、
振動関連情報を決定するためのこの装置は、
−画像マップから画像マップの傾斜部分の検出位置を決定するステップを実行し、
−傾斜部分の検出位置で、エアリアル画像の時間的強度を測定しかつスロット・パターンと画像位置との相対位置を測定するステップを実行し、スロット・パターンの相対位置はスロット・パターンの位置関連データとして測定され、
−エアリアル画像の時間的強度から前記エアリアル画像に関する振動関連情報を決定するステップを実行するように構成される。
−放射の投影ビームを供給するための照明系と、
−投影ビームの断面にパターンを付与する役割を果たすパターン形成装置を支持するための支持構造と、
−基板を保持するための基板テーブルと、
−パターン形成したビームを基板の標的部分の上に投影するための投影系と、
−投影平面内の画像位置で投影されかつエアリアル画像の強度を画像マップの中にマッピングするように構成されたエアリアル画像の振動関連情報を決定するための装置であって、画像マップはサンプル抽出箇所の座標の値とそれぞれのサンプル抽出箇所でサンプル抽出された強度の値とを含むように構成されている装置と、を備え、
この装置は、スロット・パターン、感光素子、及び感光素子に接続されたコンピュータ・システムを備え、この感光素子は、スロット・パターンを通して受け取ったエアリアル画像の強度を測定するためにスロット・パターンに対して所定の位置に配置され、
この装置はスロット・パターンと投影平面内の画像位置との相対位置を変位するように構成されており、
振動関連情報を決定するためのこの装置は、
−画像マップから画像マップの傾斜部分の検出位置を決定するステップを実行し、
−傾斜部分の検出位置で、エアリアル画像の時間的強度を測定しかつスロット・パターンと画像位置との相対位置を測定するステップを実行し、スロット・パターンの相対位置はスロット・パターンの位置関連データとして測定され、
−エアリアル画像の時間的強度から前記エアリアル画像に関する振動関連情報を決定するステップを実行するように構成される、リソグラフィ装置が提供される。
−基板を提供するステップと、
−照明系を使用して放射の投影ビームを供給するステップと、
−投影ビームの断面にパターンを付与するためにパターン形成装置を使用するステップと、
−放射の投影ビームを基板の標的部分の上に投影するステップと、
−振動関連情報を決定するステップであって、
−投影平面内の画像位置でエアリアル画像を投影し、
−エアリアル画像の強度を画像マップにマッピングし、画像マップはサンプル抽出箇所の座標の値とそれぞれのサンプル抽出箇所でサンプル抽出された強度の値とを含むように構成され、
−スロット・パターンを通して受け取ったエアリアル画像の強度を測定することによって、振動関連情報を決定するステップと、を含み、
この方法はさらに、
−画像マップから画像マップの傾斜部分の検出位置を決定するステップを含み、
−この傾斜部分の検出位置で、エアリアル画像の時間的強度を測定しかつスロット・パターンと画像位置との相対位置を測定するステップを含み、スロット・パターンの相対位置はスロット・パターンの位置関連データとして測定され、
−エアリアル画像の時間的強度から前記エアリアル画像に関する振動関連情報を決定するステップを含む。
この装置は、スロット・パターン、感光素子、及び感光素子に接続されたコンピュータ・システムを備え、この感光素子は、スロット・パターンを通して受け取ったエアリアル画像の強度を測定するためにスロット・パターンに対して所定の位置に配置され、
この装置はスロット・パターンと投影平面内の画像位置との相対位置を変位するように構成されており、
このコンピュータ・システムは、振動関連情報を決定するための装置が、
−画像マップから画像マップの傾斜部分の検出位置を決定するステップを実行し、
−傾斜部分の検出位置で、エアリアル画像の時間的強度を測定しかつスロット・パターンと画像位置との相対位置を測定するステップを実行し、スロット・パターンの相対位置はスロット・パターンの位置関連データとして測定され、
−エアリアル画像の時間的強度から前記エアリアル画像に関する振動関連情報を決定するステップを実行できるように構成される。
この装置は、スロット・パターン、感光素子、及び感光素子に接続されたコンピュータ・システムを備え、この感光素子は、スロット・パターンを通して受け取ったエアリアル画像の強度を測定するためにスロット・パターンに対して所定の位置に配置され、
この装置はスロット・パターンと投影平面内の画像位置との相対位置を変位するように構成されており、
読込み後のコンピュータ・プログラム製品は、コンピュータ・システムが、
−画像マップから画像マップの傾斜部分の検出位置を決定するステップを実行し、
−この傾斜部分の検出位置で、エアリアル画像の時間的強度を測定しかつスロット・パターンと画像位置との相対位置を測定するステップを実行し、スロット・パターンの相対位置はスロット・パターンの位置関連データとして測定され、
−エアリアル画像の時間的強度から前記エアリアル画像に関する振動関連情報を決定するステップを実行できるようにする。
−放射(例えば、紫外線放射)の投影ビームPBを供給するための照明系(照明器)IL、
−パターン形成装置(例えば、マスク)MAを支持し、かつ要素PLに対してパターン形成装置を正確に位置決めするための第1の位置決め装置PMに連結された第1の支持構造(例えば、マスク・テーブル)MT、
−基板(例えば、レジスト塗布ウェーハ)Wを保持し、かつ要素PLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段PWに連結された基板テーブル(例えば、ウェーハ・テーブル)WT、及び
−パターン形成装置MAによって投影ビームPBに付与されたパターンを基板Wの標的部分C(例えば、1個又は複数のダイを含む)の上に描画するための投影系(例えば、屈折投影レンズ)PLを備える。
1.ステップ方式では、投影ビームに付与されたパターン全体が1回で標的部分Cの上に投影される間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが本質的に静止状態に保持される(即ち、単一静的露光)。次いで、異なる標的部分Cを露光できるように、基板テーブルWTはX方向及び/又はY方向に移動される。ステップ方式では、露光領域の最大のサイズが、単一静的露光で描画される標的部分Cのサイズを限定する。
2.走査方式では、投影ビームに付与されたパターンが標的部分C上に投影される間、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTが同期して走査される(即ち、単一動的露光)。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影系PLの(縮小/)拡大率と画像反転特徴によって決定される。走査方式では、露光領域の最大のサイズが、単一動的露光における標的部分の幅(非走査方向における)を限定するのに対して、走査移動の長さが標的部分の高さ(走査方向における)を決定する。
3.別の方式では、投影ビームに付与されたパターンが標的部分C上に投影される間、プログラム可能なパターン形成装置を保持するマスク・テーブルMTが本質的に静止状態に維持され、かつ基板テーブルWTが移動又は走査される。この方式では、一般にパルス放射源が使用され、プログラム可能なパターン形成装置は、基板テーブルWTのそれぞれの移動後に又は走査時の連続的な放射パルスの合間に必要に応じて更新される。このような動作方式は、上で言及した種類のプログラマブル・ミラー・アレイなどのプログラム可能なパターン形成装置を利用するマスクレス・リソグラフィに容易に応用可能である。
T1:強度Iが低い位置であり、実質的に零の傾斜を有する。
T2:強度Iが高い位置であり、実質的に零の傾斜を有する。
T3:強度IがT1とT2との中間にある位置であり、零とは異なる傾斜を有する。
21 ホスト・プロセッサ
AB 位置合わせビーム
AF 空気の乱流又は層流
AM、AM’ 位置合わせ標識
AS、AS’ 位置合わせシステム
C 標的部分
D 強度検出器
I 強度
IF 干渉計
IL 照明系(照明器)
G0 第1の格子
G1 第2の格子(スロット・パターン)
MA パターン形成装置(例えば、マスク)
MT 第1の支持構造(マスク・テーブル)
PB 投影ビーム
PL 投影系
PM 第1の位置決め装置
PS 光センサ素子
PW 第2位置決め装置
RG 基準格子
RP 基準プレート
SL エアリアル画像強度の傾斜
SO 放射源
T1、T2、T3 測定位置
TIS 透過画像センサ
TOP エアリアル画像ピークの頂点
W 基板(ウェーハ)
WS ウェーハ・ステージ
WT 基板テーブル(ウェーハ・テーブル)
Claims (15)
- 物体が静止している間に第1のセンサによって前記物体に対して第1の位置測定を実行し、かつ前記物体が静止している間に第2のセンサによって前記物体に対して第2の位置測定を実行することによって前記物体の位置を測定する方法であって、
前記第1及び第2の位置測定は、異なる光路を使用した相互に異なる種類の測定方式で行われ、
前記第1の位置測定と前記第2の位置測定の両方が時間単位で複数のサンプルを抽出し、かつ前記第1の位置測定及び前記第2の位置測定を提供する方法。 - 前記第1及び第2の位置測定を同時に実行するステップを含む、請求項1に記載の測定方法。
- 前記第1及び第2のセンサの測定を比較するステップをさらに含む、請求項1または2に記載の方法。
- 前記第1のセンサは、透過画像検出装置、オフアクシス位置合わせセンサ、レンズ通過位置合わせセンサ、及び干渉計のうちから選択された1つであり、前記第2のセンサは、透過画像検出装置、オフアクシス位置合わせセンサ、レンズ通過位置合わせセンサ、及び干渉計から前記第1のセンサとして選択されたものを除いたうちから選択された1つである、請求項1から3のいずれかに記載の方法。
- 前記第1のセンサは、前記物体上に位置決めされるか又は前記物体上に位置決めされている基板上に位置決めされる位置合わせ標識の位置を測定することによって前記物体の位置を測定する、請求項1から3のいずれかに記載の方法。
- 前記第1のセンサは透過画像検出装置である、請求項1から3のいずれかに記載の方法。
- 前記第2のセンサは干渉計である、請求項1から3のいずれかに記載の方法。
- 前記第1のセンサは透過画像検出装置であり、前記第2のセンサは干渉計である、請求項1から3のいずれかに記載の方法。
- 位置合わせビームを生成するステップと、
前記位置合わせビームを前記物体上に位置決めされた位置合わせ標識に誘導するステップと、
前記第1のセンサによって前記位置合わせ標識からの反射ビームを受け取るステップと、
前記第1のセンサを使って前記位置合わせ標識からの前記反射ビームを測定するステップと含み、測定された強度は前記物体の前記位置と共に変化する、請求項1から3のいずれかに記載の方法。 - 前記第1のセンサによって測定された前記強度は、前記物体の前記位置と共に変化し、さらに
前記強度が低く、前記位置の関数として実質的に零の傾斜を有する第1の位置、
前記強度が高く、前記位置の関数として実質的に零の傾斜を有する第2の位置、及び
前記強度が前記第1及び第2の位置の前記強度の中間にあり、零とは異なる傾斜を有する第3の位置の少なくとも1つを有する、請求項9に記載の方法。 - 前記第1、第2、及び第3の位置の少なくとも1つで複数のサンプルを抽出するステップを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記第1及び/又は第2のセンサの前記位置測定を診断するために時間単位でデータセットを選択するステップを含む、請求項1から11のいずれかに記載の方法。
- 前記第1及び/又は第2のセンサの前記位置測定からフーリエ変換を得るステップを含む、請求項1から12のいずれかに記載の方法。
- 前記物体を移動させ、かつ前記物体を前記移動させるのを停止した直後に前記第1及び第2の位置測定の少なくとも一方を実行するステップを含む、請求項1から13のいずれかに記載の方法。
- 物体の位置を測定するシステムであって、前記物体が静止している間に第1の位置測定を実行する第1のセンサと、前記物体が静止している間に第2の位置測定を実行する第2のセンサとを備え、
前記第1及び第2の位置測定は、異なる光路を使用した相互に異なる種類の測定方式で行われ、
前記第1及び第2のセンサはそれぞれ、前記第1の位置測定及び前記第2の位置測定をそれぞれに行う間に、時間単位で複数のサンプルを抽出するように構成され、前記システムは前記第1の位置測定及び前記第2の位置測定を提供するように構成される、システム。
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NL1036279A1 (nl) * | 2007-12-13 | 2009-06-16 | Asml Netherlands Bv | A device for transmission image detection for use in a lithographic projection apparatus and a method for determining third order distortions of a patterning device and/or a projection system of such a lithographic apparatus. |
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US9870603B1 (en) * | 2016-08-03 | 2018-01-16 | Rockwell Collins, Inc. | Image integrity monitor system and method |
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Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4340304A (en) * | 1978-08-11 | 1982-07-20 | Rockwell International Corporation | Interferometric method and system |
DE3318980C2 (de) * | 1982-07-09 | 1986-09-18 | Perkin-Elmer Censor Anstalt, Vaduz | Vorrichtung zum Justieren beim Projektionskopieren von Masken |
JP2802193B2 (ja) * | 1992-04-09 | 1998-09-24 | 三菱電機株式会社 | アライメントマーク検出方法及びアライメントマーク検出装置 |
JPH05335198A (ja) * | 1992-06-02 | 1993-12-17 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
US6278957B1 (en) | 1993-01-21 | 2001-08-21 | Nikon Corporation | Alignment method and apparatus therefor |
JP3622249B2 (ja) * | 1995-02-01 | 2005-02-23 | 株式会社ニコン | 位置検出方法及び装置 |
US5596413A (en) * | 1995-08-17 | 1997-01-21 | Lucent Technologies Inc. | Sub-micron through-the-lens positioning utilizing out of phase segmented gratings |
DE69817491T2 (de) * | 1997-03-07 | 2004-06-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographisches belichtungsgerät mit einer ausserhalb der belichtungsachse liegenden ausrichtungsvorrichtung |
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JPH10335232A (ja) * | 1997-05-28 | 1998-12-18 | Canon Inc | 位置合わせ装置および方法、ならびにこれを用いた露光装置 |
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US6906305B2 (en) * | 2002-01-08 | 2005-06-14 | Brion Technologies, Inc. | System and method for aerial image sensing |
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