JP4881664B2 - 配線板及び配線板の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、絶縁基材の電極部上に電子部品を表面実装する配線板及び配線板の製造方法に関する。
電子機器の軽薄短小化、半導体チップや部品の小型化および端子の狭ピッチ化に伴い、配線板の実装面積の縮小、配線の細密化が進んでいる。同時に、情報関連機器では、振動周波数の広帯域化に対応して部品間を連結する配線の短距離化が求められており、高密度、高性能を達成するための配線板の多層化は必要不可欠となっている。
次に、多層配線板の一従来例を説明する。図30に示すように、多層配線板100は、互いに積層された第1〜第4基板110,120,130,140から構成されている。第1、第2及び第3基板110,120,130は、可撓性を備えた絶縁基材111,121,131と、この絶縁基材111,121,131の一面に形成され接着層112,122,132と、絶縁基材111,121,131の他面に形成された導電パターン層113,123,133と、絶縁基材111,121,131内に設けられた複数の層間導電部である導電性ペーストビア114,124,134とから主に構成されている。第4基板140は、可撓性を備えた絶縁基材141と、この一面に形成された導電パターン層142とから主に構成されている。第1〜第3基板110.120,130の各導電性ペーストビア114,124,134によって各層の導電パターン層113,123,133,142が電気的に接続されている。
このように第1〜第4基板110,120,130,140を重ね合わせる多層配線板100は、例えば加熱プレスによって第1〜第4基板110,120,130,140を一括で積層する。
しかしながら、このような加熱プレスによる多層配線板100の積層工程では、接着層112,122,132が流動性を持つ一方で、この接着層112,122,132に較べて導電性ペーストビア114,124,134の突起部(図示せず)が硬いこと、及び、各層の導電パターン層113,123,133による凹凸によって、図30に示すように、多層配線板100に歪みが発生する。特に、導電性ペーストビア114,124,134が直線状に配置された個所とそうでない箇所との間では大きな歪みが顕著に現れる。
このように多層配線板100に歪みがあると、電子部品を接続信頼性の高い状態で表面実装できない。
つまり、多層配線板100は、図31に示すように、最上面の導電パターン層113の一部によって複数の電極部113aが形成されている。この複数の電極部113a上に電子部品150の複数の電極部150aが位置合わせされ、双方の電極部113a,150a間が半田バンプ160を介して接続される。ところが、上記したように多層配線板100に歪みがあると、多層配線板100の複数の電極部113aに高低差(図30のh)が発生し、双方の電極部113a,150a間の距離が離れすぎている箇所(図31の中央の半田バンプ)では、実装不良が発生する。
実装不良の半田バンプ160は、図32に示すように、半田バンプ160が形状不良となり、図33に示すように、外部ストレスによって簡単に破断する。
このような不具合を解消する手段として、図34に示すように、多層配線板170の両側の基板171,172をC線に沿って研磨し、各基板171,172を平坦化する方法がある(特許文献1参照)。この方法によれば、両側の基板171,172の電極部171a,172aは、共に同じ高さとなるため、電子部品を良好な状態で表面実装できる。
又、特許文献2にもほぼ同じ方法が開示されている。
特開平6−13755号公報 特開平7−231146号公報
しかしながら、上記従来例では、各基板171,172の全ての導電パターン層を研磨することになるため、導電パターン層が損傷を受ける、電極部171a,172aを含む導電パターン層が薄くなって回路抵抗が大きくなる、電極部171a,172aを含む導電パターン層の厚み以上に歪みがあると、研磨によって平坦化できない等の種々の不具合が発生するため、実用的な対応策とはいえない。
また、単板の配線板においても何らかの理由によって歪みが発生すると、上記した多層配線板と同様の問題が発生し、その対策が望まれている。
そこで、本発明は、配線板に歪みがあっても電子部品を接続信頼性の高い状態で表面実装できる配線板及び配線板の製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成する本発明は、互いに積層され、可撓性を備えた複数の絶縁基材と、最も外側に配置された少なくとも一方の前記絶縁基材の外面に設けられ、レーザビアホールによって形成された複数のベース電極部と、この複数のベース電極部に積層され、それぞれの表面高さが同じ位置になるよう高さが設定された複数の高さ調整用電極部とを備え、少なくとも前記ベース電極部と前記高さ調整用電極部によって電極部が構成され、
前記複数の絶縁基材の各々には、前記絶縁基材の貫通孔に導電性ペーストを充填した層間導電部が設けられ、前記層間導電部は、前記絶縁基材の積層方向に沿って直線状に配置されたことを特徴とする配線板である。前記複数の絶縁基材の各々における一方の面には、前記層間導電部と接続した導電パターン層が形成されており、前記導電パターン層には、前記貫通孔と連通し、前記貫通孔より小径の小孔が設けられ、前記小孔に導電性ペーストが充填されていてもよい。高さ調整用電極部は、導電性ペースト又は金属メッキにて形成しても良い。高さ調整用電極部には、電子部品を接続する半田バンプが設けられていてもよい。
他の本発明は、可撓性を備えた複数の絶縁基材を積層し、最も外側に配置された少なくとも一方の前記絶縁基材の外面に、レーザビアホールによって形成された複数のベース電極部を被うようにレジスト層を形成し、次に、このレジスト層の前記各ベース電極部の位置に開口部を形成し、次に、この複数の開口部に導電性部材をそれぞれ配置し、次に、前記レジスト層及び複数の前記導電性部材の表面を同じ高さの平坦な面になるよう研磨し、前記導電性部材の研磨加工によって前記各開口部内に高さ調整用電極部をそれぞれ形成し、次に、前記レジスト層を除去し、少なくとも前記ベース電極部とこの上に積層された高さ調整用電極部によって電極部を構成し、前記複数の絶縁基材の各々には、前記絶縁基材の貫通孔に導電性ペーストを充填した層間導電部を設け、前記複数の絶縁基材を、前記層間導電部を積層方向に沿って直線状に配置して積層させたことを特徴とする配線板の製造方法である。前記複数の絶縁基材の各々における一方の面には、前記層間導電部と接続した導電パターン層を形成し、前記導電パターン層には、前記貫通孔と連通し、前記貫通孔より小径の小孔を設け、前記小孔から減圧吸引して導電性ペーストを充填してもよい。
本発明によれば、配線板に歪みがあっても複数の電極部の表面高さが同じであるため、電子部品を接続信頼性の高い状態で表面実装できる。そして、従来例のように配線板の導電パターン層を研磨しないため、導電パターン層を研磨することによる種々の不具合が発生しない。
以下、本発明の実施の形態に係る配線基板及びその製造方法の詳細を図面に基づいて説明する。但し、図面は模式的なものであり、各材料層の厚みやその比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。
(第1の実施の形態)
図1〜図13は本発明の第1の実施の形態を示し、図1は多層配線板の断面図、図2〜図7は各基板作製工程の断面図、図8及び図9は基板積層工程の断面図、図10〜図13は電極作製工程の断面図である。
図1に示すように、配線板である多層配線板1Aは、互いに積層された第1〜第4基板10,20,30,40から構成されている。第1、第2及び第3基板10,20,30は、可撓性を備えた絶縁基材11,21,31と、この絶縁基材11,21,31の一面に形成された接着層12,22,32と、絶縁基材11,21,31の他面に形成された導電パターン層13,23,33と、絶縁基材11,21,31内に設けられた複数の層間導電部である導電性ペーストビア14,24,34とから主に構成されている。第4基板40は、可撓性を備えた絶縁基材41とこの一面に形成された導電パターン層42とから主に構成されている。第1〜第3基板10,20,30の各導電性ペーストビア14,24,34によって各層の導電パターン層13,23,33,42が電気的に接続されている。
又、第1基板10の上面の導電パターン層(ベース電極部13a,13b,13c)13の下部には、導電性ペーストビアが備えられている。この各ベース電極部13a,13b,13cの上面にはシード層51を介して高さ調整用電極部52a,52b,52cが積層され、高さ調整用電極部52a,52b,52cとシード層51とベース電極部13aとによって各電極部50が構成されている。
各高さ調整用電極部52a,52b,52cは、それぞれの表面高さが同じ位置H1になるようその高さが設定されている。つまり、図1に示すように、ベース電極部13a,13cの表面高さが高い場合には、高さ調整用電極部52a,52cの高さ寸法が小さく、ベース電極部13bの表面高さが低い場合には、高さ調整用電極部52bの高さ寸法が大きく設定されている。
次に、多層配線板1Aの製造方法を説明する。多層配線板1Aは、第1〜第4基板10,20,30,40をそれぞれ作製する基板作製工程と、これら第1〜第4基板10,20,30,40を加熱プレスによって一括積層する基板積層工程と、第1基板10の上面に電極部50を作製する電極作製工程とから作製される。
先ず、基板作製工程を説明する。基板作製工程は、第1基板10を例に取って説明する。非熱可塑性ポリイミド材で、厚さ20μmの絶縁基材11と、この片面に貼られた厚さ10μmの銅箔層60とからなる基材を出発基材とする。図2に示すように、銅箔層に塩化鉄による銅エッチングを施し、絶縁基材11の一面に所定パターンの導電パターン層13を形成する。導電パターン層13の一部によって複数のベース電極部13a,13b,13cが形成される。
次に、図3に示すように、導電パターン層13が形成されていない絶縁基材11の反対面に、フィルム状の接着層12を形成し、このフィルム状の接着層12の上にカバー層61を形成する。フィルム状の接着層12は、エポキシ樹脂及びアクリル系エラストマーからなるフィルム状熱硬化接着シート(厚さ25μm)を100℃で30秒間熱ラミネートすることによって形成する。カバー層61は、ポリイミドフィルム(厚さ25μm)を10℃で30秒間熱ラミネートすることによって形成する。
次に、図4に示すように、UV−YAGレーザ(波長355nm)を照射してカバー層62、フィルム状の接着層12及び絶縁基材11を貫通する貫通孔62を形成し、この貫通孔62の中心に導電パターン層13を貫通する小孔63を形成する。貫通孔62は直径100μmの孔であり、小孔63は直径30μmの孔である。
次に、図5に示すように、小孔63より空気を減圧吸引しながらスクリーン印刷によって貫通孔62及び小孔63内に、銅フィラー及びエポキシ樹脂からなる導電性ペースト64を充填する。図6に示すように、充填した導電性ペースト64によって層間導電部である導電性ペーストビア14を形成する。ここで、小孔63は、スクリーン印刷時に貫通孔62を減圧して導電性ペースト64の充填をスムーズに行うためのものであり、省略可能である。
次に、図7に示すように、カバー層61を剥離する。これによって、導電性ペーストビア14の先端には、フィルム状の接着層61より突出する突起部14aが形成される。以上によって、第1基板10の作製を完了する。第2及び第3基板20,30も同様にして作製する。
第4基板40は、フレキシブル基板であり、その作製工程は省略する。
次に、基板の積層工程を説明する。図8に示すように、上記方法によって製造した第1基板10、第2基板20、第3基板30及び第4基板40とを互いに位置合わせして重ね合わせ、加熱プレスする。加熱プレスの条件は、温度:180℃、プレス力:4MPa、プレス時間:1時間とし、この加熱プレス条件によってペーストビア、及び接着層が効果し、一括積層される。これによって、図9に示す多層積層体1aを作製する。
次に、電極作製工程を説明する。先ず、図10に示すように、第1基板10の絶縁基材11の導電パターン層13側の面に、メッキレジストフィルムをラミネートすることによってメッキレジスト層65を形成する。
次に、図11に示すように、フォトリソ工程によりパターニングして、第1基板10の導電パターン層13のベース電極部13a,13b,13cの位置を特定する。この特定した各位置のメッキレジスト層65に開口部66を形成する。
次に、図12に示すように、スパッタリングによってメッキレジスト層65の表面、開口部66の周面、ベース電極部13a,13b,13cの表面にシード層51を形成する。そして、シード層51を電極とし、シード層51の表面にパネルメッキによる金属メッキ層67を形成する。尚、金属メッキ層67は、無電界メッキによって形成しても良い。
次に、図13に示すように、バフ研磨機によってメッキレジスト層65及び金属メッキ層67を、その表面が同じ高さの平坦な面になるよう研磨する。この金属メッキ層67の研磨加工によって、各開口部66内に高さ調整用電極部52a,52b,52cをそれぞれ形成する。
最後に、均一高さとされたメッキレジスト層65を除去する。以上によって、図1に示す多層配線板1Aを作製することができる。
このようにして作製された多層配線板1Aは、多層配線板1Aに歪みがあっても複数の電極部50の表面高さの位置H1が同じになるため、電子部品を接続信頼性の高い状態で表面実装できる。そして、多層配線板1Aの導電パターン層13を研磨しないため、導電パターン層13を研磨することによる種々の不具合が発生しない。
特に、この多層配線板1Aは、加熱プレスによる一括積層によって作製され、接着層12,22,32が流動性を持つ一方で、この接着層12,22,32に較べて導電性ペーストビア14,24,34の突起部14a,24a,34a(図8に示す)が硬いこと、及び、各層の導電パターン層13,23,33による凹凸によって、図1に示すように、多層配線板1Aに歪みが発生し易い。その上、導電性ペーストビア14,24,34が直線状に配置された個所(ベース電極部13a,13cの位置)とそうでない箇所(ベース電極部13bの位置)との間では歪みによる大きな高低差が顕著に現れる可能性がある。このような歪み発生条件が重なった場合においても、本発明によれば、上記した理由によって電子部品を接続信頼性の高い状態で表面実装できる。
この第1の実施の形態では、導電性部材が金属メッキであるので、高さ調整用電極部52a,52b,52cの作製に金属メッキ機を利用できる。基板の作製工程で金属メッキ機を使用する場合には、装置の兼用が可能である。
(第2の実施の形態)
図14は本発明の第2の実施の形態に係る多層配線板の断面図である。
図14に示すように、この第2の実施の形態に係る多層配線板1Bは、前記第1の実施の形態に係る多層配線板1Aと比較するに、第1〜第5基板10,20,30,40,50の5枚の基板によって構成され、且つ、多層配線板1Bの両面側に電極部50,70が構成されている。両面側の電極部50,70の構成は、前記第1の実施の形態と同様であるため、図面の同一構成箇所に対応符号を付してその説明を省略する。又、電極作製工程も同様であるため、その説明を省略する。
図14において、第1の実施の形態と同一構成箇所には同一符号を図面に付してその明確化を図る。
この第2の実施の形態では、多層配線板1Bに歪みがあっても両面側の複数の電極部50,70の表面高さ位置H1,H2がそれぞれ同じであるため、両面に電子部品を接続信頼性の高い状態でそれぞれ表面実装できる。
(第3の実施の形態)
図15〜図19は本発明の第3の実施の形態を示し、図15は多層配線板の断面図、図16〜図19は各電極作製工程の断面図である。
図15に示すように、この第3の実施の形態に係る多層配線板1Cは、前記第1の実施の形態に係る多層配線板1Aと比較するに、その両面側に電極部50,71が構成されている。そして、一方面側の電極部50は、前記第1の実施の形態のものと同様であるが、他方面側の電極部71の構成が相違する。尚、図15は図1に対して上下逆である。以下、説明する。
第4基板40Aは、絶縁基材41と、絶縁基材41の一面側に形成された導電パターン層42と、絶縁基材41の他面側に形成され、導電パターン層42に接続された複数のベース電極部44a,44b,44cとを備えている。この各ベース電極部44a,44b,44cは、レーザビアホール(LVH)によって形成されている。そして、レーザビアホールによるベース電極部44a,44b,44cの上にシード層51を介して高さ調整用電極部52a,52b,52cが積層され、ベース電極部44a,44b,44cとシード層51と高さ調整用電極部52a,52b,52cとによって電極部71が構成されている。
一方面側の電極部50の作製工程は、前記第1の実施の形態のものと同様であるため、説明を省略し、他方面側の電極部71の作製工程を説明する。先ず、図16に示すように、第4基板40Aのベース電極部44a,44b,44c側の面に、メッキレジストフィルムをラミネートすることによってメッキレジスト層65を形成する。
次に、図17に示すように、フォトリソ工程によりパターニングし、第4基板40Aのベース電極部44a,44b,44cの一を特定する。この特定した各位置のメッキレジスト層65に開口部66を形成する。
次に、図18に示すように、スパッタリングによってメッキレジスト層65の表面、開口部66の周面、ベース電極部44a,44b,44cの表面にシード層51を形成する。そして、このシード層51を電極とし、シード層51の表面にパネルメッキによって金属メッキ層67を形成する。尚、金属メッキ層67は、無電界メッキによって形成しても良い。
次に、図19に示すように、バフ研磨機によってメッキレジスト層65及び金属メッキ層67を、その表面が同じ高さの平坦な面になるよう研磨する。この金属メッキ層67の研磨加工によって、各開口部66内に高さ調整用電極部52a,52b,52cをそれぞれ形成する。
最後に、均一高さとされたメッキレジスト層65を除去する。以上によって、図15に示す多層配線板1Cを作製することができる。
従来のレーザビアホールによる電極のみを備えた配線板では、その電極が絶縁基材より突出していないため、電子部品を表面実装することは困難であったが、この第3の実施の形態では、絶縁基材41上に電極部71が突出し、且つ、その突出面が平坦であることから電子部品を表面実装できる。その上、多層配線板1Cは、多層配線板1Cに歪みがあっても両面側の複数の電極部50,71の表面高さの位置H1,H2がそれぞれ同じであるため、電子部品を接続信頼性の高い状態でそれぞれ表面実装できる。そして、多層配線板1Cの導電パターン層を研磨しないため、導電パターン層を研磨することによる種々の不具合が発生しない。
(第4の実施の形態)
図20は本発明の第4の実施の形態に係る配線板の断面図である。
図20に示すように、この第4の実施の形態に係る配線板1Dは、前記第1〜第3の実施の形態に係る多層配線板1A〜1Cではなく、単層の基板より構成されている。つまり、配線板1Dは、絶縁基材80と、絶縁基材80の一面側に形成された導電パターン層81と、絶縁基材80の他面側に形成され、導電パターン層81に接続された複数のベース電極部82a,82b,82cとを備えている。この複数のベース電極部82a,82b,82cは、レーザビアホール(LVH)によって形成されている。そして、レーザビアホールによるベース電極部82a,82b,82cの上にシード層51を介して高さ調整用電極部52a,52b,52cが積層され、ベース電極部82a,82b,82cとシード層51と高さ調整用電極部52a,52b,52cとによって電極部72が構成されている。
次に、電極部72の電極作製工程を説明する。先ず、図21に示すように、絶縁基材80のベース電極部82a,82b,82cの面に、メッキレジストフィルムをラミネートすることによってメッキレジスト層65を形成する。
次に、図22に示すように、フォトリソ工程によりパターニングし、ベース電極部82a,82b,82cの位置を特定する。この特定した各位置のメッキレジスト層65に開口部66を形成する。
次に、図23に示すように、スパッタリングによってメッキレジスト層65の表面、開口部66の周面、ベース電極部82a,82b,82cの表面にシード層51を形成する。そして、このシード層51を電極とし、シード層51の表面にパネルメッキによって金属メッキ層67を形成する。尚、金属メッキ層67は、無電界メッキによって形成しても良い。
次に、図24に示すように、バフ研磨機によってメッキレジスト層65及び金属メッキ層67を、その表面が同じ高さの平坦な面になるよう研磨する。この金属メッキ層67の研磨加工によって、各開口部66内に高さ調整用電極部52a,52b,52cをそれぞれ形成する。
最後に、均一高さとされたメッキレジスト層65を除去する。以上によって、図20に示す配線板1Dを作製することができる。
従来のレーザビアホールによる電極のみを備えた配線板では、その電極が絶縁基材より突出していないため、電子部品を表面実装することは困難であったが、この第4の実施の形態では、絶縁基材80上に電極部72が突出し、且つ、その突出面が平坦であることから電子部品を表面実装できる。その上、配線板1Dに歪みがあっても、複数の電極部72の表面高さの位置H1が同じであるため、電子部品を接続信頼性の高い状態で表面実装できる。そして、配線板1Dの導電パターン層81を研磨しないため、導電パターン層81を研磨することによる種々の不具合が発生しない。
(第5の実施の形態)
図25〜図29は本発明の第5の実施の形態を示し、図25は多層配線板の断面図、図26〜図29は各電極作製工程の断面図である。
図25に示すように、この第5の実施の形態に係る多層配線板1Eは、前記第1の実施の形態に係る多層配線板1Aと比較するに、電極部73は、ベース電極部13a,13b,13cと高さ調整用電極部53a,53b,53cとから構成され、高さ調整用電極部53a,53b,53cが導電性ペーストである半田ペーストにて形成されている点が相違する。
他の構成は、前記第1の実施の形態と同様であるため、図面の同一構成箇所には同一符号を付してその説明を省略する。
多層配線板1Eの製造過程にあって、第1の実施の形態と比較して異なるのは、電極部73の電極作製工程のみであるため、電極作製工程を次に説明する。
先ず、図26に示すように、第1基板10の絶縁基材11の導電パターン層12側の面に、レジストフィルムをラミネートすることによってレジスト層68を形成する。
次に、図27に示すように、フォトリソ工程によりパターニングし、第1基板10のベース電極部13a,13b,13cの位置を特定する。この特定した位置のレジスト層68に開口部66を形成する。
次に、図28に示すように、スクリーン印刷によって導電性ペーストである半田ペーストをレジスト層68の開口部66に充填して半田ペースト層69を形成する。
次に、レジスト層68の開口部66内に半田ペースト層69をリフローにより加熱溶融する。
次に、図29に示すように、バフ研磨機によってレジスト層68及び半田ペースト層69を、その表面が同じ高さの平坦な面になるよう研磨する。この半田ペースト層69の研磨加工によって各開口部66内に高さ調整用電極部53a,53b,53cをそれぞれ形成する。
最後に、均一高さとされたレジスト層68を除去する。以上によって、図25に示す多層配線板1Eを作製することができる。
このようにして作製された多層配線板1Eは、多層配線板1Eに歪みがあっても複数の電極部73の表面高さの位置H1が同じであるため、電子部品を接続信頼性の高い状態で表面実装できる。そして、多層配線板1Eの導電パターン層13を研磨しないため、導電パターン層13を研磨することによる種々の不具合が発生しない。
この第5の実施の形態では、導電性部材が半田ペーストであるので、高さ調整用電極部53a,53b,53cの作製に半田ペースト用のスクリーン印刷機を利用できる。基板の作製工程で半田ペースト用のスクリーン印刷機を使用する場合には、装置の兼用が可能である。導電性部材は、半田ペースト以外の導電性ペーストであっても良いことはもちろんである。
(その他の実施の形態)
前記第2の実施の形態では、導電性部材として金属メッキを使用した場合を示したが、第5の実施の形態のように、導電性部材として導電性ペースト(半田ペースト)を使用し、導電性ペースト(半田ペースト)によって高さ調整用電極部を形成しても良い。
前記第3の実施の形態では、導電性部材として金属メッキを使用した場合を示したが、第5の実施の形態のように、導電性部材として導電性ペースト(半田ペースト)を使用し、導電性ペースト(半田ペースト)によって高さ調整用電極部を形成しても良い。
前記第4の実施の形態では、導電性部材として金属メッキを使用した場合を示したが、第5の実施の形態のように、導電性部材として導電性ペースト(半田ペースト)を使用し、導電性ペースト(半田ペースト)によって高さ調整用電極部を形成しても良い。
単層の配線板としては、第4の実施の形態においてレーザビアホールによる電極を備えたものを示したが、例えば導電性ペーストビアによる電極を備えたものであっても本発明を適用できることはもちろんである。
又、前記各実施形態では、本発明を複数の基板を一括して積層する一括積層タイプの多層配線板に適用した場合を示したが、絶縁基材と導電パターン層を一層づつ積み上げていくビルドアップタイプの多層積層板にも適用可能である。但し、上述したように一括積層タイプの多層配線板は、ビルドアップタイプの多層積層板に較べて、多層積層板に歪みが発生し易いため、本発明の適用に際して有効である。
(従来例と本発明の実験比較例)
電極部がベース電極部のみの従来例の場合(図30参照)と、電極部が少なくともベース電極部と高さ調整用電極部とから構成された本発明の場合(例えば図1、図25参照)とを、6層の多層配線板を作製して比較した。この結果、従来例の場合には、電極部の高低差が40μm程度であったが、本発明の場合には、電極部の高低差が10μm以内であった。そして、双方の多層配線板に、−25℃と125℃の温度変化を1サイクルとした熱衝撃試験を行った結果、従来例の多層配線板に表面実装した電子部品は、500サイクル程度で破壊した。これに対し、本発明の多層配線板に表面実装された電子部品は、1000サイクル以上の耐久性を示した。以上によって、本発明に係る多層配線板は、電子部品を接続信頼性の高い状態で表面実装できることが実証された。
本発明の第1の実施の形態にかかる多層配線板の断面図である。 本発明の第1の実施の形態にかかる基板作製工程の断面図である。 本発明の第1の実施の形態にかかる基板作製工程の断面図である。 本発明の第1の実施の形態にかかる基板作製工程の断面図である。 本発明の第1の実施の形態にかかる基板作製工程の断面図である。 本発明の第1の実施の形態にかかる基板作製工程の断面図である。 本発明の第1の実施の形態にかかる基板作製工程の断面図である。 本発明の第1の実施の形態にかかる基板積層工程の断面図である。 本発明の第1の実施の形態にかかる基板積層工程の断面図である。 本発明の第1の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。 本発明の第1の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。 本発明の第1の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。 本発明の第1の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。 本発明の第2の実施の形態にかかる多層配線板の断面図である。 本発明の第3の実施の形態にかかる多層配線板の断面図である。 本発明の第3の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。 本発明の第3の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。 本発明の第3の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。 本発明の第3の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。 本発明の第4の実施の形態にかかる配線板の断面図である。 本発明の第4の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。 本発明の第4の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。 本発明の第4の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。 本発明の第4の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。 本発明の第5の実施の形態にかかる多層配線板の断面図である。 本発明の第5の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。 本発明の第5の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。 本発明の第5の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。 本発明の第5の実施の形態にかかる電極作製工程の断面図である。 従来例の多層配線板の断面図である。 従来例の多層配線板に電子部品が表面実装された状態の断面図である。 半田バンプが形状不良となった状態を示す断面図である。 半田バンプが破断した状態を示す断面図である。 従来例の断面図である。
符号の説明
1A,1B,1C,1E 多層配線板(配線板)
1D 配線板
10 第1基板(基板)
11 絶縁基材
13 導電パターン層
13a,13b,13c ベース電極部
20 第2基板(基板)
21 絶縁基材
23 導電パターン層
30 第3基板(基板)
31 絶縁基材
33 導電パターン層
40,40A 第4基板(基板)
41 絶縁基材
42 導電パターン層
44a,44b,44c ベース電極部
50 電極部
51 シード層
52a,52b,52c 高さ調整用電極部
53a,53b,53c ベース電極部
64 導電性ペースト(導電性部材)
65 メッキレジスト層(レジスト層)
66 開口部
67 金属メッキ層
68 レジスト層
69 半田ペースト層
70 電極部
71 電極部
72 電極部
73 電極部
80 絶縁基材
81 導電パターン層
82a,82b,82c ベース電極部

Claims (7)

  1. 互いに積層され、可撓性を備えた複数の絶縁基材と、最も外側に配置された少なくとも一方の前記絶縁基材の外面に設けられ、レーザビアホールによって形成された複数のベース電極部と、この複数のベース電極部に積層され、それぞれの表面高さが同じ位置になるよう高さが設定された複数の高さ調整用電極部とを備え、少なくとも前記ベース電極部と前記高さ調整用電極部によって電極部が構成され
    前記複数の絶縁基材の各々には、前記絶縁基材の貫通孔に導電性ペーストを充填した層間導電部が設けられ、前記層間導電部は、前記絶縁基材の積層方向に沿って直線状に配置されたことを特徴とする配線板。
  2. 前記複数の絶縁基材の各々における一方の面には、前記層間導電部と接続した導電パターン層が形成されており、前記導電パターン層には、前記貫通孔と連通し、前記貫通孔より小径の小孔が設けられ、前記小孔に導電性ペーストが充填されたことを特徴とする請求項に記載された配線板。
  3. 前記高さ調整用電極部は、導電性ペーストにて形成されたことを特徴とする請求項1または2のいずれか一項に記載された配線板。
  4. 前記高さ調整用電極部は、金属メッキによって形成されたことを特徴とする請求項1または2のいずれか一項に記載された配線板。
  5. 前記高さ調整用電極部には、電子部品を接続する半田バンプが設けられたことを特徴とする請求項1乃至請求項のいずれか一項に記載された配線板。
  6. 可撓性を備えた複数の絶縁基材を積層し、最も外側に配置された少なくとも一方の前記絶縁基材の外面に、レーザビアホールによって形成された複数のベース電極部を被うようにレジスト層を形成し、次に、このレジスト層の前記各ベース電極部の位置に開口部を形成し、次に、この複数の開口部に導電性部材をそれぞれ配置し、次に、前記レジスト層及び複数の前記導電性部材の表面を同じ高さの平坦な面になるよう研磨し、前記導電性部材の研磨加工によって前記各開口部内に高さ調整用電極部をそれぞれ形成し、次に、前記レジスト層を除去し、少なくとも前記ベース電極部とこの上に積層された高さ調整用電極部によって電極部を構成し
    前記複数の絶縁基材の各々には、前記絶縁基材の貫通孔に導電性ペーストを充填した層間導電部を設け、前記複数の絶縁基材を、前記層間導電部を積層方向に沿って直線状に配置して積層したことを特徴とする配線板の製造方法。
  7. 前記複数の絶縁基材の各々における一方の面には、前記層間導電部と接続した導電パターン層を形成し、前記導電パターン層には、前記貫通孔と連通し、前記貫通孔より小径の小孔を設け、前記小孔から減圧吸引して導電性ペーストを充填することを特徴とする請求項に記載された配線板の製造方法。
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