JP4872861B2 - プラズモン共鳴型光電変換素子および該製造方法 - Google Patents
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Description
特許文献1の光電変換素子101は、図2に示すように、カソード電極110とアノード電極130とが電解質溶液120を介して対向配置されている。アノード電極130は、透明基板131上に透明導電性電極132、半導体微粒子層133が順次形成され、半導体微粒子層133上に色素134が吸着されたものである。
特許文献2の光電変換素子201は、図3に示すように、カソード電極210とアノード電極230とが電解質溶液220を介して対向配置されている。アノード電極230は、透明基板231上に透明導電性電極232、金属酸化物膜236が順次形成されている。金属酸化物膜236は、金属酸化物微粒子233の表面に金属微粒子234と色素235を担持したものである。
非特許文献1の光電変換素子301は、図4に示すように、カソード電極310とアノード電極330とが電解質溶液320を介して対向配置されている。アノード電極330は、透明基板331上に透明導電性電極332、金属酸化物等の半導体微粒子層333、金属微粒子層334が順次形成されたものである。
また、特許文献2、非特許文献1のプラズモン共鳴型光電変換素子は、プラズモン共鳴により光を吸収する金属微粒子が電解質溶液により腐食し、電解質溶液中に溶出してしまうことがあるという欠点があった。特に、銀や銅は耐久性が低く、実用上、特許文献2や非特許文献1では利用できなかった。
また、プラズモン共鳴により光を吸収する金属の腐食、電解質溶液中への溶出が抑えられたプラズモン共鳴型光電変換素子の製造方法を提供する。
また、前記酸化還元種が、ヨウ素、臭素、塩素、および鉄からなる群から選ばれる少なくとも1つの元素を含む電解質溶液であることが好ましい。
また、前記半導体薄膜が、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ニオブ、チタン酸ストロンチウム、およびチタン酸カルシウムからなる群から選ばれる少なくとも1つを含む薄膜であることが好ましい。
また、本発明の製造方法によれば、プラズモン共鳴により光を吸収する金属の腐食、電解質溶液中への溶出が抑えられたプラズモン共鳴型光電変換素子を製造できる。
図1は、本発明のプラズモン共鳴型光電変換素子の実施形態の一例を示した断面図である。
プラズモン共鳴型光電変換素子1(以下、光電変換素子1という)は、カソード電極10とアノード電極30とが対向配置され、その間に酸化還元種を含む電解質溶液20(以下、電解質20という)が注入されて構成されている。また、カソード電極10は半導体薄膜14表面が電解質20と接触している。
光電変換素子1は、カソード電極10とアノード電極30とが対向配置されているため、製造コスト、製品の縮小化等の点で好ましい。
カソード電極10は、透明基板11と、透明基板11上に順次積層された透明導電性電極12、金属薄膜13、および半導体薄膜14を有している。
本発明における透明とは、照射された光のうち、少なくともプラズモン共鳴により吸収される光が透過することを意味する。たとえば、プラズモン共鳴により吸収される光以外の波長の光が透過しないものであってもよい。
透明基板11の材料は、基板表面に照射された光が透過するように、透明なものであればよく、たとえば、ガラス、アクリル、ポリエステル、ポリカーボネートが挙げられる。透明基板11は、カソード電極作製時の耐熱性、および得られる光電変換素子1の耐久性が優れる点から、ガラス基板であることが特に好ましい。
透明基板11は、平面形状である。
透明基板11の厚さは、0.1〜10mmであることが好ましい。
また、透明基板11は、透明基板11と透明導電性電極12との密着性を高めるために表面加工が施されたものでもよい。たとえば、表面にアンダーコート層を有しているものを用いてもよい。
透明導電性電極12は、導電性を有する金属酸化物(以下、金属酸化物(I)という)または金属薄膜からなる、透明で導電性を有する電極である。
金属酸化物(I)としては、錫ドープ酸化インジウム(ITO)、フッ素ドープ酸化錫(FTO)、アンチモンドープ酸化錫(ATO)、アルミドープ酸化亜鉛(AZO)、ガリウムドープ酸化亜鉛(GZO)からなる群から選ばれる1つ以上を使用することができ、透明で導電性が高い点から、ITOおよび/またはFTOを使用することが好ましく、ITOを使用することが特に好ましい。
金属薄膜としては、金、銀、白金、銅からなる群から選ばれる少なくとも1つの元素からなる薄膜を使用することができる。
透明導電性電極12は、1種の原料からなる単層であってもよく、2種以上の原料からなる複数の層であってもよく、単層であることが好ましい。
膜厚が20nm以上であれば、充分な導電性を得やすい。また、膜厚が500nm以下であれば、充分な光の透過率を得やすい。
金属薄膜13は、金属からなる薄膜であり、プラズモン共鳴により光を吸収する役割を果たす。
金属薄膜13としては、金、銀、銅、白金、パラジウムからなる群から選ばれる少なくとも1つの元素からなる薄膜であることが好ましい。金属薄膜13は、耐久性を考慮する場合には金または白金からなる薄膜であることがより好ましく、価格を考慮する場合には銀および/または銅からなる薄膜であることがより好ましい。
金属薄膜13の膜厚は、5〜500nmであることが好ましく、5〜400nmであることがより好ましく、5〜300nmであることが特に好ましい。膜厚が前記範囲内であればプラズモン共鳴吸収による電荷分離が起こり易い。
また、特に金属薄膜13の半導体薄膜14側は金属微粒子であることが好ましい。これにより、金属薄膜13と半導体薄膜14との接触面積を大きくすることができ、優れた光電変換効率が得られる。
また、金属薄膜13が前記金属微粒子からなる場合、該金属微粒子は単層となっていてもよく、積層されていてもよい。
半導体薄膜14は、n型半導体からなる薄膜である。
n型半導体としては、金属酸化物(II)からなる半導体またはナイトライド(Nitride)系の半導体が挙げられる。ただし、本発明において、半導体薄膜14を構成する金属酸化物(II)とは、特に断りのない限り、酸素欠損を有する金属酸化物である。たとえば、酸化チタンの場合は、TiO2−x(0<x≦1)で表される。
金属酸化物(II)としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ニオブ、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウムからなる群から選ばれる少なくとも1つを使用することが好ましい。なかでも、特に優れた光電効果を有し、高いエネルギー変換効率を達成できる点から、酸化チタンまたは酸化亜鉛を使用することが特に好ましい。
ナイトライド系のn型半導体としては、たとえば、GaNが挙げられる。
半導体薄膜14は、1種の原料からなる単層であってもよく、2種以上の原料からなる複数の層であってもよく、単層であることが好ましい。
半導体薄膜14が粒子構造を有する薄膜である場合には、該粒子は数平均粒子径が20nm以下の半導体微粒子であることが好ましく、10nm以下の半導体微粒子であることがより好ましい。半導体薄膜14が有する半導体微粒子の数平均粒子径が20nm以下であれば、金属薄膜13との接触面積を比較的大きくすることができる。なお、半導体薄膜14の粒子についても、金属薄膜13の粒子と同様に、AFM像から数平均粒子径を求めることができる。
また、半導体薄膜14が前記半導体微粒子からなる場合、該半導体微粒子は単層となっていてもよく、積層されていてもよい。
電解質20は、酸化還元種を含む電解質溶液である。
酸化還元種としては、たとえば、ハロゲン、遷移金属を含み、それ自体が電解質であるものが好ましい。
ハロゲンとしては、たとえば、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。遷移金属としては、たとえば、鉄、コバルト、ニッケル、マンガン、またこれらの金属のシアノ錯体、アンミン錯体、メタロセンが挙げられる。
具体的には、ヨウ素とヨウ化リチウムの混合物、塩化鉄(II)と塩化鉄(III)の混合物、または硫酸鉄(II)と硫酸鉄(III)の混合物を使用することが好ましい。前記電解質はその酸化還元電位に基づいて、カソード電極10とアノード電極30の電荷輸送のための電子メディエータとして作用する。たとえば、ヨウ素とヨウ化リチウムの混合物を使用した場合は、半導体薄膜20がヨウ素イオン(I3 −)に電子を放出してヨウ素イオン(I−)に還元される。ヨウ素イオン(I−)はアノード電極30に電子を放出してヨウ素イオン(I3 −)に酸化され電荷が輸送される。また、塩化鉄(II)と塩化鉄(III)の混合物、または硫酸鉄(II)と硫酸鉄(III)の混合物を使用した場合、半導体薄膜20が鉄(III)イオンに電子を放出して鉄(II)イオンに還元される。鉄(II)イオンはアノード電極30に電子を放出して鉄(III)イオンに酸化され電荷が輸送される。
電解質20中の酸化還元種の濃度は、1mM〜飽和濃度であることが好ましい。酸化還元種の濃度が1mM以上であれば、充分な光電変換効率が得られ易い。
飽和濃度の具体例としては、たとえば、硫酸鉄(II)は1.4M(20℃)である。
アノード電極30は、特許文献1、2、非特許文献1等の従来の光電変換素子のカソード電極として使用していたものを使用できる。
アノード電極30としては、たとえば、基板表面に金、銀、銅、白金、パラジウム等からなる金属薄膜が形成されたものが使用できる。また、基板表面に導電性電極が形成されたもの、基板表面に導電性電極と金属薄膜とが順次形成されたものが使用できる。前記基板、導電性電極、金属薄膜は、前記透明基板11、透明導電性電極12、金属薄膜13と同等の構成としてもよい。その他、カーボンや金属担持カーボン、導電性高分子を使用することもできる。
導電性高分子としては、たとえば、塩素、臭素、またはヨウ素をドープしたポリアセチレン、ポリアセン、ポリピロール、ポリチオフェン、およびそれらの誘導体が挙げられる。
1辺が50cm以上の光電変換素子を使用する際は、50cm以下の光電変換素子1を複数枚並べて使用することが好ましい。
本発明のプラズモン共鳴型光電変換素子は、図1に例示したような形態には限定されない。たとえば、透明基板11の透明導電性電極12等を形成する面と反対側の面11a(図1)にも、透明導電性電極12、金属薄膜13、または半導体薄膜14の各々と同等の膜が設けられていてもよい。ただし、その場合には光の透過率を低下させすぎないように、透明基板11の面11aに形成される膜の膜厚が厚くなりすぎないようにすることが好ましい。
また、電解質20はアノード電極30に直接接していなくてもよく、たとえば、固体電解質膜、塩橋、他の電解質溶液等を介して電解質20とアノード電極30とが電気的に接続されている構成としてもよい。
以下、本発明の製造方法として、図1に示す光電変換素子1を製造する方法について説明する。
光電変換素子1の製造方法は、カソード電極10を作製する工程と、カソード電極10とアノード電極30とを電解質20を介して配置する工程とを含む。
カソード電極10を作製する工程は、透明基板11表面に透明導電性電極12を形成する工程と、透明導電性電極12表面に金属薄膜13を形成する工程と、金属薄膜13表面に半導体薄膜14を形成する工程とを含む。
電解析出時の参照極に対する作用極の電位差は−0.8〜+0.5Vであることが好ましく、−0.5〜0.0Vであることがより好ましい。
電解析出時間は、5秒〜3時間であることが好ましい。
金属イオン化合物溶液の濃度は、1μM〜飽和濃度であることが好ましい。たとえば、テトラクロロ金酸ナトリウムの水に対する飽和濃度は1.7M(20℃)である。
金属イオン化合物溶液に共存させる物質としては、たとえば、L−システイン、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸が挙げられる。これらを共存させることは、金粒子等の金属微粒子の電着に対して、異方性粒子の形成を促進させる効果が得られるために好ましい。金属イオン化合物溶液中の共存物質の濃度は、10mM以下であることが好ましい。
有機金属化合物溶液を塗布する工程は、ディップコータ、スピンコータ、バーコータ、またはダイコータを用いることが好ましい。なかでも、ディップコータを用い、塗工時の膜形成速度を0.1〜100nm/秒とすることがより好ましく、1〜10nm/秒とすることが特に好ましい。
半導体薄膜14の形成にディップコータを用いる場合には、操作の都合上、透明基板11の透明導電性電極12の反対の面11a側にも半導体微粒子が積層されることになる。
焼成温度は、60〜150℃であることが好ましい。焼成時間は、10〜120分であることが好ましい。また、たとえばバインダー等の有機物を除去する場合等、必要があれば350〜600℃、10〜60分間の条件で焼成を行っても構わない。
以上説明した方法により、カソード電極10が得られる。
以上説明した製造方法により、光電変換素子1が得られる。
[実施例1]
透明基板として縦40mm×横12mm×厚み1.1mmのガラス基板を用い、該ガラス基板の表面にスパッタリングにより透明導電性電極であるITO膜(膜厚200nm)を形成した。その後、2mMのテトラクロロ金酸ナトリウム(和光純薬工業株式会社製)と0.1mMのL−システイン(関東化学株式会社製)を含んだ0.5Mの硫酸水溶液にITO膜表面を接触させ、ITO膜を作用極、Ag/AgCl電極を参照極とし、参照極に対する作用極の電位差を−0.5Vとして電圧を1分間印加することにより、ITO膜の表面に、金属薄膜であるAuナノ粒子(膜厚25nm)を電解析出させた。
ガラス基板表面にITO膜を形成し、該ITO膜表面にAuナノ粒子を電解析出させた段階の表面を原子間力顕微鏡(AFM、SPI−3800、セイコーインスツル株式会社製)で観察した写真を図5(a)、紫外可視近赤外分光光度計(V−670、日本分光株式会社製)を用いて300〜900nmの透過光による吸光度測定を行った結果を図6に示す。
図5(a)のAFM写真から求めたAuナノ粒子の数平均粒子径は45nmであった。数平均粒子径は、観察されたAFM像の1μm四方の領域のAFM写真を用い、画像処理ソフトウエア(WinROOF、三谷商事株式会社)により明度による2値化を行って粒子分離した後、分離した粒子224個について粒子面積から円相当として粒子径を求め、数平均を算出した。
また、図6に示すように、プラズモン共鳴吸収ピークは540nmであった。
また、縦40mm×横12mm×厚み1.1mmのガラス基板の表面に、スパッタリングにより膜厚200nmのITO膜を形成させてアノード電極を作製した。
図7に示すように、光電変換素子1Aのプラズモン共鳴吸収ピークは600nmであった。
Auナノ粒子を電解析出させる際、参照極に対する作用極の電位差を−0.3Vに変更した以外は、実施例1と同様にして光電変換素子1Bを作製した。ガラス基板表面にITO膜を形成し、該ITO膜表面にAuナノ粒子を電解析出させた段階の表面をAFMで観察した写真を図5(b)、紫外可視近赤外分光光度計を用いて300〜900nmの透過光による吸光度測定を行った結果を図6に示す。図5(b)のAFM写真から求めたAuナノ粒子の数平均粒子径は52nmであった。数平均粒子径は、実施例1と同様にして求めた値であり、分離した粒子183個について算出した値である。また、図6に示すように、プラズモン共鳴吸収ピークは600nmであった。
Auナノ粒子を電解析出させる際、参照極に対する作用極の電位差を−0.0Vに変更した以外は、実施例1と同様にして光電変換素子1Cを作製した。ガラス基板表面にITO膜を形成し、該ITO膜表面にAuナノ粒子を電解析出させた段階の表面をAFMで観察した写真を図5(c)、紫外可視近赤外分光光度計を用いて300〜900nmの透過光による吸光度測定を行った結果を図6に示す。図5(c)のAFM写真から求めたAuナノ粒子の数平均粒子径は83nmであった。数平均粒子径は、実施例1と同様にして求めた値であり、分離した粒子60個について算出した値である。また、図6に示すように、プラズモン共鳴吸収ピークは680nmであった。
実施例1で得られた光電変換素子1Aについて、バンドパスフィルター(CVI laser)を使用して、種々の波長の単色光(4.6mW/cm2)をカソード電極のガラス基板側から照射したときの入射光子−電流変換効率(IPCE)を測定した。ただし、IPCEとは、光電変換素子に入射してきた光子をどれだけ電流に変換できたかを示しており、下記式により表される。
(IPCE)(%)=X/Y
式中、Xは「単位面積、単位時間あたりに流れる電子数」、Yは「単位面積、単位時間あたりの入射光子数」を意味する。「単位面積、単位時間あたりに流れる電子数」は計測された電流(短絡電流)を電子数に換算することにより得られ、「単位面積、単位時間あたりの入射光子数」は光量を光量計で測定して光子数に換算することにより得られる。
測定結果を図7に示す。
また、図5および図6に示したとおり、透明導電性電極表面に金属薄膜を形成する構成であっても、電解析出における電圧を高くすることにより金属微粒子の粒子径を大きくすることができ、プラズモン共鳴吸収のピーク波長を調節できた。なお、図6および図7に示すように、実施例1の光電変換素子1Aのプラズモン共鳴吸収のピーク波長は、半導体薄膜が形成される前と比較して長波長となった。これは半導体薄膜の屈折率による影響であると考えられる。
Claims (5)
- 酸化還元種を含む電解質溶液を介して配置されているカソード電極とアノード電極とを備え、
前記カソード電極が、透明基板と、該透明基板上に順次積層された透明導電性電極、金属薄膜、およびn型半導体からなる半導体薄膜とを有し、
前記半導体薄膜表面が前記電解質溶液に接触していることを特徴とするプラズモン共鳴型光電変換素子。 - 前記金属薄膜が、金、銀、白金、銅、およびパラジウムからなる群から選ばれる少なくとも1つの元素からなる請求項1に記載のプラズモン共鳴型光電変換素子。
- 前記酸化還元種が、ヨウ素、臭素、塩素、鉄、コバルト、ニッケル、およびマンガンからなる群から選ばれる少なくとも1つの元素を含む請求項1または2に記載のプラズモン共鳴型光電変換素子。
- 前記半導体薄膜が、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ニオブ、チタン酸ストロンチウム、およびチタン酸カルシウムからなる群から選ばれる少なくとも1つを含む請求項1〜3のいずれかに記載のプラズモン共鳴型光電変換素子。
- 透明基板表面に形成した透明導電性電極の表面に、金属イオン化合物溶液を原料とする電解析出により金属薄膜を形成した後、該金属薄膜表面に有機金属化合物溶液を塗布、焼成してn型半導体からなる半導体薄膜を形成し、カソード電極を作製する工程と、
前記カソード電極の半導体薄膜表面が酸化還元種を含む電解質溶液に接触するように、カソード電極とアノード電極とを酸化還元種を含む電解質溶液を介して配置する工程とを含むことを特徴とするプラズモン共鳴型光電変換素子の製造方法。
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