JP2007073507A - 炭素ナノチューブを用いた光電気化学素子 - Google Patents

炭素ナノチューブを用いた光電気化学素子 Download PDF

Info

Publication number
JP2007073507A
JP2007073507A JP2006231096A JP2006231096A JP2007073507A JP 2007073507 A JP2007073507 A JP 2007073507A JP 2006231096 A JP2006231096 A JP 2006231096A JP 2006231096 A JP2006231096 A JP 2006231096A JP 2007073507 A JP2007073507 A JP 2007073507A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal oxide
photoelectrochemical
oxide layer
layer
transparent electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006231096A
Other languages
English (en)
Inventor
Young-Jun Park
朴 永 俊
Sang-Cheol Park
商 ▲てつ▼ 朴
Jung-Gyu Nam
政 圭 南
Ha-Jin Kim
夏 辰 金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2007073507A publication Critical patent/JP2007073507A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2027Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
    • H01G9/2031Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2059Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01MPROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M14/00Electrochemical current or voltage generators not provided for in groups H01M6/00 - H01M12/00; Manufacture thereof
    • H01M14/005Photoelectrochemical storage cells
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H10K85/221Carbon nanotubes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542Dye sensitized solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

【課題】炭素ナノチューブを用いた光電気化学素子を提供する。
【解決手段】透明電極、金属酸化物層、染料、対向電極、及び電解質を含む光電気化学素子であって、前記透明電極と前記金属酸化物層との間の界面に、導電性に優れる炭素ナノチューブが配置されることを特徴とする光電気化学素子である。これにより、接触力問題による界面抵抗を減少させることによって、電子移動性能を改善し、優れた光電変換効率を得ることが可能となる。
【選択図】図2

Description

本発明は、炭素ナノチューブを用いた光電気化学素子に係り、より詳細には、透明電極と金属酸化物層間との界面に、導電性に優れる炭素ナノチューブを形成した光電気化学素子に関する。
一般に、光電気化学素子とは、光があたると電気化学的な反応が起き両電極間に電位差が生じる電池のことを総称する。光電気化学素子の類型は、光起電力電池(Photovoltaic cells)類型と光電解電池(photoelectrolytic cells)類型とに大別される。
なかでも、光起電力電池類型の光電気化学素子の代表には、染料感応太陽電池がある。このような染料感応太陽電池は、可視光線を吸収して電子−正孔対を生成できる感光性染料分子と、生成された電子を伝達する転移金属酸化物とを主な構成材料とする光電気化学的太陽電池である。
今まで知られた染料感応太陽電池の代表例には、1991年スイスのグラチェル等によって発表されたものがある。グラチェル等による太陽電池は、染料分子が被覆されたナノ粒子二酸化チタンからなる半導体電極、対向電極(白金電極)及びそれらの間に充填される電解質で構成されている。この電池は、既存のシリコン電池に比べて電力当たりの製造原価が安価なため既存の太陽電池に取って代わる可能性があるという点から注目を浴びている。
このような既存の染料感応太陽電池の構造を、図1に示す。図1を参照すると、染料感応太陽電池は、透明電極101、光吸収層104、電解質102、及び対向電極103を備え、光吸収層104は、金属酸化物107と染料108とからなる。
この光吸収層104において、染料108は、それぞれ中性(S)、転移状態(S)及びイオン状態(S)を表し、太陽光を吸収すると、染料分子は基底状態(S/S)から励起状態(S/S)に電子遷移して電子−正孔対を生成し、励起状態の電子は、金属酸化物107の導電帯(CB)に注入され起電力を発生するようになる。
しかしながら、励起状態の電子が全て金属酸化物107の導電帯に移動するものではなく、中には、再び染料分子と結合し基底状態に戻ったり、導電帯に移動して電解質内の酸化還元カップリングに加わる等の再結合反応(recombination reaction)を引き起こすことによって、光電変換効率を低下させ起電力の減少につながったりする場合があった。そこで、このような電子の再結合反応を抑えることによって電極の電気伝導度を向上させ、太陽電池の光電変換効率を改善することが主要な課題とされてきた。
特に、ナノ粒子を用いて金属酸化物層を形成する場合には、ナノ粒子間の界面が抵抗体として働いて電気伝導度が低くなり、光電変換効率が減少する。すなわち、透明電極上に金属酸化物ナノ粒子をプリンティングまたは直接成長させた場合、両層間に界面が形成され、結果として電気抵抗が高まってしまう。このため、上述したような電子の再結合反応が起き電池の光電変換効率が低下する問題を招くことがあった。
これと関連して、2価または3価の金属イオンでドーピングされた金属酸化物層を含む光起電力電池が特許文献1に開示されているが、この技術においても、上述したような層間界面が形成され、それによる抵抗値の増加によって電子の再結合反応を有効に制御できず、光電変換効率の低下が必然的に発生した。
そこで、導電性透明基板と金属酸化物層間の界面状態を改変し界面での抵抗値を減少させることによって、前述のような電子の再結合反応を抑えて光電変換効率を増大させうる新規の方法が要求されている。
米国特許第5,350,644号明細書
本発明は、上記の従来技術の問題点を解決するためのもので、その目的は、透明電極と金属酸化物層との界面に炭素ナノチューブを形成することによって界面抵抗を減少させ、光電変換効率を向上させることができる光電気化学素子を提供することにある。
上記目的を達成する本発明の一態様は、透明電極、金属酸化物層、染料、対向電極、及び電解質を含む光電気化学素子であって、前記透明電極と前記金属酸化物層との間の界面に、炭素ナノチューブが配置されることを特徴とする、光電気化学素子を提供することである。
本発明による光電気化学素子は、導電性に優れる炭素ナノチューブを含むため、界面抵抗が減少し、電子の移動がより容易となり、結果として優れた光電変換効率及び変色効果が得られる。
以下、添付の図面を参照しつつ、本発明について詳細に説明する。
本発明の光電気化学素子は、透明電極、金属酸化物層、染料、対向電極、及び電解質を含み、界面抵抗を減少させ、電子移動性能を改善し優れた光電変換効率を示す目的で、透明電極と金属酸化物層との間の界面に炭素ナノチューブを含むことを特徴とする。
図2は、本発明の一実施例による光電気化学素子の断面概略図である。図2に示すように、本発明の光電気化学素子は、基板及び前記基板上に被覆される導電物質からなる透明電極201と;前記透明電極201の上部に配置される金属酸化物層207と;前記金属酸化物層207の表面に吸着される染料208と;前記透明電極201と前記金属酸化物層207との間の界面に配置される炭素ナノチューブ206と;前記透明電極201と向かい合うように配置される対向電極203と;前記透明電極201と前記対向電極203との間の空間に充填される電解質202と、を含んで形成される。
一般に、金属酸化物ナノ粒子を使って金属酸化物層を透明電極上に形成する場合、透明電極と金属酸化物層間の界面における接触が不完全なため、ナノ粒子と透明電極間の界面が抵抗体として働き電気伝導度が低下するのに対し、本発明による光電気化学素子は、透明電極及び金属酸化物層間の界面に炭素ナノチューブを含んでいるため、界面接触抵抗が減少し、これにより、染料から発生した電子が金属酸化物層に注入された後、金属酸化物層の内部から透明電極へ移動することが容易となる。
すなわち、従来の光電気化学素子において必然的に発生してきた金属酸化物層と透明電極との間の界面における接触力の低さに起因する界面抵抗が、本発明の場合ほとんど発生せず、電極までの電子移動が容易となる。その結果、電子移動が活発になり、電子の蓄積及び再結合反応を抑制可能となる。
具体的には、前記透明電極と前記金属酸化物層との間に、触媒金属層が配置されることが好ましい。より好ましくは、前記触媒金属層の下部に、更にバッファー層が形成されうる。そして、本発明に特徴的に含まれる炭素ナノチューブ206は、例えば化学気相蒸着法(CVD)またはプラズマ化学気相蒸着法(PECVD)を用いて、透明電極201及び金属酸化物層207の間の界面に配置される前記触媒金属層上に直接形成することが好ましい。
より具体的には、基板上に導電物質が被覆されてなる透明電極の表面に、例えばマグネトロンスパッタリング(magnetron sputtering)や電子ビーム蒸着(e−beam evaporation)によって触媒金属層を所定の厚さに形成し、結果として、炭素ナノチューブ206が透明電極201の表面上に成長できる。
この時、透明電極の種類によってマグネトロンスパッタリングや電子ビーム蒸着を用いて、バッファー層をまず形成し、続いて触媒金属層を形成して炭素ナノチューブを成長させてもよい。
前記触媒金属層の材料は、以下に制限されることはないが、例えば、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウム、白金、及びこれらの合金からなる群より選ばれ、単独または2種以上混合して使用することが可能である。前記触媒金属層の厚さは、好ましくは0.5nm〜10nmが可能である。
また、触媒金属層の下部に形成されるバッファー層は、以下に制限されることはないが、例えば、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、及びニオブ(Nb)からなる群より選ばれ、単独または2種以上混合して使用することが可能である。前記バッファー層の厚さは、好ましくは0.5〜50nmが可能である。
その後、約350〜900℃の温度を維持する反応炉中にメタン、アセチレン、エチレン、エタン、一酸化炭素、及び二酸化炭素などの炭素含有ガスと、H、NまたはArなどのガスを共に注入しながら触媒金属層の表面から垂直方向に炭素ナノチューブを成長させることが可能である。
一方、本発明の光電気化学素子において透明電極201は、基板上に導電物質が被覆されて形成されるもので、前記基板は、透明性を有するものなら特に限定されることなくいずれも使用可能であり、例えば、プラスチック基板、ガラス基板、または有機基板が使用されうる。好ましくは、プラスチック基板またはガラス基板が可能である。また、前記基板上に被覆される導電物質としては、以下に制限されることはないが、例えば酸化インジウムスズ(ITO)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、ZnO−Ga、ZnO−Al及びSnO−Sbが挙げられ、単独または2種以上混合して使用することが可能である。
本発明の光電気化学素子において電解質202は、電解液からなり、例えば、ヨウ素のアセトニトリル溶液、NMP(N−メチル−2−ピロリドン)溶液、3−メトキシプロピオニトリル溶液などを使用することができるが、これに限定されるものではなく、正孔伝導機能があるものならいずれも使用可能である。前記ヨウ素の供給源は、以下に限定されることはないが、例えば、1,2−ジメチル−3−オクチル−ヨウ化イミダゾリウム、LiI、I、及び4−tert−ブチルピリジンなどから選択される1種以上がありうる。また、前記電解質は、単独または2種以上混合して使用することが可能である。
本発明の光電気化学素子において対向電極203の材料としては、導電性物質ならばいずれも使用可能であり、単独または2種以上混合して使用することも可能である。また、絶縁性物質であっても透明電極と対面する側に導電層が配置されている場合には使用可能である。ただし、電気化学的に安定した材料を電極として使用することが好ましく、具体的には、白金、金及びカーボンなどを使用することが好ましい。
また、酸化還元の触媒効果を向上させるべく、透明電極と対面している側の対向電極の表面は、表面積の増大が可能な微細構造を有することが好ましく、例えば、白金なら白金黒状態、カーボンなら多孔質状態とされていることが好ましい。白金黒状態は、白金の陽極酸化法、ヘキサクロロ白金酸での処理などの方法により、一方、多孔質状態のカーボンは、カーボン微粒子の焼結や有機ポリマーの焼成などの方法により形成することが可能である。
本発明の光電気化学素子において金属酸化物層207の材料としては、TiO、ZnO、Nb、WO、SnO、及びMgOからなる群より1種以上を選んで使用することが可能であるが、これに限定されるものではない。好ましくは、TiOを使用することが可能である。
また、この金属酸化物を基板上に塗布する方法としては、例えば、スクリーンプリンティング(screen printing)、電気泳動法、またはスプレー法などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
前記金属酸化物層207の材料は、前記金属酸化物の表面に吸着する染料208がより多くの光を吸収し、電解質との吸着度を向上させるために、表面積を大きくすることが好ましい。従って、前記金属酸化物層207の材料は以下に限定されることはないが、量子ドット、ナノドット、ナノチューブ、ナノワイヤー、ナノベルト、またはナノ粒子などのナノ物質からなることが好ましい。
また、この金属酸化物層207は、電子の発生量を増加させるべく、9〜30nmの粒子径の金属酸化物粒子からなる10〜15μm厚の層、及び100〜500nmの粒子径の金属酸化物粒子からなる5〜10μm厚の層を有する積層構造、または、100〜500nmの粒子径の金属酸化物粒子からなる1〜30μm厚の単層で形成されることが可能である。なお、本発明における粒子径とは平均粒子径を意味する。
本発明の光電気化学素子は、上記金属酸化物層の表面に染料208が吸着されて形成される。この染料208は、光を吸収することによって基底状態から励起状態に電子遷移し電子−正孔対をなし、励起状態の電子は、金属酸化物の導電帯に注入された後に電極へ移動して起電力を発生するようになる。
この染料208の材料としては、特に限定されるものではなく、光電気化学素子分野において一般に使用されるものであればいずれも使用可能であり、特にルテニウム錯体が好ましい。しかし、これに限定されず、電荷分離機能を有し、感応作用を表すものならいずれも使用可能であり、ルテニウム錯体だけでなく、例えば、ロダミンB、ローズベンガル、エオシン、エリスロシンなどのキサンチン系色素、キノシアニン、クリプトシアニンなどのシアニン系色素、フェノサフラニン、カルビブルー、チオシン、メチレンブルーなどの塩基性染料、クロロフィル、亜鉛ポルフィリン、マグネシウムポルフィリンなどのポルフィリン系化合物、その他アゾ色素、フタロシアニン化合物、Ruトリスビピリジルなどの錯化合物、アントラキノン系色素、多環キノン系色素などが使用可能であり、これらを単独または2種以上混合して使用することが可能である。上記ルテニウム錯体としては、RuL(SCN)、RuL(HO)、RuL、RuLなどを使用することができる(式中、Lは2,2'−ビピリジル−4,4'−ジカルボキシレートなどを表す)。
一方、上記のような構造を有する本発明の光電気化学素子は、光起電力効果を利用する太陽電池としての動作特性を示すが、それ以外にも電流の流れによって色が変わるエレクトロクロミック(電気変色)効果も同時に呈し、エレクトロクロミック素子へも応用可能である。
このような本発明の光電気化学素子の製造には、炭素ナノチューブを前記界面に形成する以外は特別な装置や方法を必要とせず、本技術分野で公知となっている任意の方法を用いることが可能である。
以下、実施例に挙げて本発明についてより詳細に説明する。ただし、これら実施例は、本発明を説明するために例示されるもので、本発明の技術的範囲を制限するためのものではない。
<実施例1>
ガラス基板上にスパッタを用いてフッ素ドープ酸化スズ(FTO)を塗布した後、電子ビーム蒸着を用いてアルミニウムのバッファー層を10nm厚に形成し、インバー(Invar、Ni:Fe:Co=42:52:6wt%)で構成された触媒金属層を2nm厚に形成した。続いて、9nmの粒子径を有するTiO粒子からなる15μm厚のTiO層、及び300nmの粒子径を有するTiO粒子からなる5μm厚のTiO層を積層してスクリーンプリンティングし、空気中500℃で1時間焼成した。続いて、500℃の温度を維持する反応炉中にアセチレン及びアルゴン(Ar)を供給しながら10分間反応させることで、触媒金属層の表面に炭素ナノチューブを形成した。このように炭素ナノチューブが形成された透明電極及び金属酸化物層間の界面を、図3及び図4に示す。図4は、図3の接触界面をより拡大した写真である。図3及び図4から、接触界面に炭素ナノチューブ(CNT)が形成されていることが分かる。
続いて、染料として、0.3mM濃度のルテニウムジチオシアネート2,2'−ビピリジル−4,4'−ジカルボキシレート溶液に24時間浸漬した後に乾燥し、上記染料をTiO表面に吸着した。その後、白金で対向電極を形成した後、この対向電極の表面に形成された微細穴から両電極間の空間へ電解質溶液を充填することで素子を製造した。この電解質溶液は、0.6Mの1,2−ジメチル−3−オクチル−ヨウ化イミダゾリウム、0.2MのLiI、0.04MのI及び0.2Mの4−tert−ブチルピリジンを、アセトニトリルに溶解した、I /Iの電解質溶液(ヨウ素のアセトニトリル溶液)を使用した。
<実施例2>
TiO層を、300nmの粒子径を有するTiO粒子からなる5μm厚の単層とする以外は、上記実施例1と同様にして素子を製造した。
<比較例1>
炭素ナノチューブを形成しない以外は、上記実施例2と同様にして素子を製造した。
上記実施例1、2、及び比較例1で製造した素子の光電変換効率を測定するために光電圧及び光電流を測定した。
光源はゼノンランプ(Oriel、01193)を用い、このゼノンランプの太陽条件(AM 1.5)は、標準太陽電池(Frunhofer Institute Solare Engeriessysteme、Certificate No.C−ISE369、Type of material:Mono−Si+KGフィルター)を使用して補正した。測定された光電流−光電圧曲線から計算した、前記素子の電流密度(Isc)、開放電圧(Voc)及び曲線因子(fill factor、FF)、及び下記光電変換効率計算式によって計算した光電変換効率(η)を、下記表1に示す。なお、式中のPincは、光電変換効率の測定時に用いられる入射光エネルギーを表しており、Pincは、102.774mW/cmである。
上記実施例1及び2で製造した素子のエレクトロクロミック効果を測定するために、素子の両電極に電圧を印加して色相変化を観察し、結果をそれぞれ図5及び図6に示す。図5及び図6に示すように、実施例1及び2で製造した素子は、鮮明な色相変化が観察された。しかし一方で、比較例1で製造した素子は色相変化が現れなかった。
以上では好ましい具体例に挙げて本発明を説明してきたが、本発明は、これら具体例に限定されず、本発明の技術的範囲を逸脱しない範囲内で種々の変形及び改良実施ができ、このような種々の変形例や改良例も本発明の技術的範囲に含まれるものとして解釈されるべきである。
従来技術による太陽電池の断面概略図である。 本発明の一実施例による光電気化学素子の断面概略図である。 本発明の実施例1で製造した素子の透明電極及び金属酸化物層間の接触界面を示す走査電子顕微鏡(SEM)写真である。 図3の接触界面を拡大した走査電子顕微鏡写真である。 本発明の実施例1で製造した素子の色相変化を撮影した写真である。 本発明の実施例2で製造した素子の色相変化を撮影した写真である。
符号の説明
101,201 透明電極、
102,202 電解質、
103,203 対向電極、
104 光吸収層、
206 炭素ナノチューブ、
107,207 金属酸化物層、
108,208 染料。

Claims (15)

  1. 透明電極、金属酸化物層、染料、対向電極、及び電解質を含む光電気化学素子であって、
    前記透明電極と前記金属酸化物層との間の界面に、炭素ナノチューブが配置されることを特徴とする、光電気化学素子。
  2. 基板及び前記基板上に被覆される導電物質からなる透明電極と;
    前記透明電極の上部に配置される金属酸化物層と;
    前記金属酸化物層の表面に吸着される染料と;
    前記透明電極と前記金属酸化物層との間の界面に配置される炭素ナノチューブと;
    前記透明電極と向かい合うように配置される対向電極と;
    前記透明電極と前記対向電極との間の空間に充填される電解質と、
    を含むことを特徴とする、請求項1に記載の光電気化学素子。
  3. 前記炭素ナノチューブは、化学気相蒸着またはプラズマ化学気相蒸着によって、前記透明電極及び前記金属酸化物層の間の界面に配置される触媒金属層上に直接形成されることを特徴とする、請求項1または2に記載の光電気化学素子。
  4. 前記触媒金属層の下部に形成されるバッファー層を更に含むことを特徴とする、請求項3に記載の光電気化学素子。
  5. 前記触媒金属層は、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウム、白金、及びこれらの合金からなる群より選ばれる一種以上であることを特徴とする、請求項3または4に記載の光電気化学素子。
  6. 前記バッファー層は、アルミニウム、チタン、クロム、及びニオブからなる群から選ばれる一種以上であることを特徴とする、請求項4に記載の光電気化学素子。
  7. 前記基板は、ガラスまたはプラスチックの基板であることを特徴とする、請求項2に記載の光電気化学素子。
  8. 前記基板上に被覆される導電物質は、酸化インジウムスズ、フッ素ドープ酸化スズ、ZnO−Ga、ZnO−Al、及びSnO−Sbからなる群から選ばれる一種以上であることを特徴とする、請求項2に記載の光電気化学素子。
  9. 前記電解質は、ヨウ素のアセトニトリル溶液、N−メチル−2−ピロリドン溶液、及び3−メトキシプロピオニトリル溶液からなる群から選ばれる一種以上から形成されることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項に記載の光電気化学素子。
  10. 前記金属酸化物層は、TiO、ZnO、Nb、WO、SnO、及びMgOからなる群から選ばれる一種以上であることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載の光電気化学素子。
  11. 前記金属酸化物層は、スクリーンプリンティング、電気泳動法、及びスプレー法からなる群から選ばれるいずれかの方法で形成されてなることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか1項に記載の光電気化学素子。
  12. 前記金属酸化物層は、9〜30nmの粒子径を有する金属酸化物粒子からなる10〜15μm厚の層、及び100〜500nmの粒子径を有する金属酸化物粒子からなる5〜10μm厚の層が積層されてなることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか1項に記載の光電気化学素子。
  13. 前記金属酸化物層は、100〜500nmの粒子径を有する金属酸化物粒子からなる1〜30μm厚の単層であることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか1項に記載の光電気化学素子。
  14. 光起電力特性を示すことを特徴とする、請求項1〜13のいずれか1項に記載の光電気化学素子。
  15. エレクトロクロミック特性を示すことを特徴とする、請求項1〜14のいずれか1項に記載の光電気化学素子。
JP2006231096A 2005-09-05 2006-08-28 炭素ナノチューブを用いた光電気化学素子 Pending JP2007073507A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050082231A KR20070025745A (ko) 2005-09-05 2005-09-05 탄소나노튜브를 이용한 광전기화학 소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007073507A true JP2007073507A (ja) 2007-03-22

Family

ID=37606886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006231096A Pending JP2007073507A (ja) 2005-09-05 2006-08-28 炭素ナノチューブを用いた光電気化学素子

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20090194834A1 (ja)
EP (1) EP1760822A2 (ja)
JP (1) JP2007073507A (ja)
KR (1) KR20070025745A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101013151B1 (ko) 2008-12-26 2011-02-10 포항공과대학교 산학협력단 광감응성 전극 및 이의 제조방법
JP2014500581A (ja) * 2010-10-26 2014-01-09 ドンジン セミケム カンパニー リミテッド 染料感応太陽電池およびその製造方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100964182B1 (ko) * 2007-12-17 2010-06-17 한국전자통신연구원 염료감응 태양전지 및 그의 제조 방법
KR100967090B1 (ko) * 2008-04-10 2010-07-01 한국과학기술연구원 탄소나노튜브 전극을 이용한 염료감응 태양전지 및 그 제조방법
EP2382174A4 (en) * 2009-01-29 2013-10-30 Trustees Of The University Of Princeton CONVERSION OF CARBON DIOXIDE IN ORGANIC PRODUCTS
KR101649290B1 (ko) 2009-02-11 2016-08-31 삼성전자 주식회사 전기변색 소자 및 그 제조 방법
KR101111555B1 (ko) * 2009-02-18 2012-02-13 주식회사 엑사이엔씨 도전성 산화 주석막의 제조방법 및 이에 의해 제조된 도전성 산화 주석막
WO2012066386A1 (en) * 2010-11-18 2012-05-24 Robert Bosch (Sea) Pte. Ltd. A photovoltaic device and method for the production of a photovoltaic device
CN103400889B (zh) * 2013-07-02 2016-03-30 宁国市龙晟柔性储能材料科技有限公司 全固态纤维状同轴聚合物太阳电池和超级电容器集成器件及其制备方法
KR101512906B1 (ko) * 2013-12-04 2015-04-16 경북대학교 산학협력단 다공성 3차원 미세전극 구조물 및 이의 제조방법
KR101865573B1 (ko) 2016-08-19 2018-06-08 한국화학연구원 반도체 전구체용액, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 반도체층
KR102308723B1 (ko) * 2017-10-19 2021-10-05 주식회사 엘지에너지솔루션 음극 활물질, 상기 음극 활물질을 포함하는 음극, 및 상기 음극을 포함하는 이차 전지
CN108286043B (zh) * 2018-01-16 2019-12-24 辽宁师范大学 采用化学气相沉积法制备β-Ga2O3纳米球的方法
US11117801B2 (en) 2018-04-24 2021-09-14 Imam Abdulrahman Bin Faisal University Transparent electrode with a composite layer of a graphene layer and nanoparticles

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU650878B2 (en) * 1990-04-17 1994-07-07 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne Photovoltaic cells
AU2003260901A1 (en) * 2002-09-25 2004-04-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Process to produce solutions to be used as coating in photo-catalytic and transparent films
KR101065308B1 (ko) * 2004-02-04 2011-09-16 삼성에스디아이 주식회사 광전기화학전지
US8062623B2 (en) * 2004-10-15 2011-11-22 Velocys Stable, catalyzed, high temperature combustion in microchannel, integrated combustion reactors

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101013151B1 (ko) 2008-12-26 2011-02-10 포항공과대학교 산학협력단 광감응성 전극 및 이의 제조방법
JP2014500581A (ja) * 2010-10-26 2014-01-09 ドンジン セミケム カンパニー リミテッド 染料感応太陽電池およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1760822A2 (en) 2007-03-07
US20090194834A1 (en) 2009-08-06
KR20070025745A (ko) 2007-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007073507A (ja) 炭素ナノチューブを用いた光電気化学素子
US7923629B2 (en) Method for fabricating flexible semiconductor electrode, semiconductor electrode fabricated thereby, and solar cell using the semiconductor electrode
KR100696529B1 (ko) 금속원소를 포함하는 광전변환소자용 전극 및 이를 채용한염료감응 태양전지
US20060163567A1 (en) Semiconductor electrode, method of manufacturing the same, and solar cell employing the same
Fu et al. High-performance plastic platinized counter electrode via photoplatinization technique for flexible dye-sensitized solar cells
US20060137741A1 (en) Photoanode using carbon nanotubes, method of manufacturing the photoanode, and photovoltaic solar cell including the photoanode
US20070056628A1 (en) Photovoltaic cell comprising carbon nanotubes formed by electrophoretic deposition and method for fabricating the same
JP2008021651A (ja) 触媒が担持されたカーボンナノチューブを用いた太陽電池及びその製造方法
KR20070056581A (ko) 태양전지용 전극, 그의 제조방법 및 그를 포함하는태양전지
JP5171810B2 (ja) 色素増感太陽電池モジュールおよびその製造方法
Mehmood et al. Photovoltaic improvement and charge recombination reduction by aluminum oxide impregnated MWCNTs/TiO2 based photoanode for dye-sensitized solar cells
Mehmood Efficient and economical dye-sensitized solar cells based on graphene/TiO2 nanocomposite as a photoanode and graphene as a Pt-free catalyst for counter electrode
KR20070078530A (ko) 태양전지용 전극, 그의 제조방법 및 그를 포함하는태양전지
Nunes et al. Nb2O5 dye-sensitized solar cells
Gurung et al. A simple cost-effective approach to enhance performance of bifacial dye-sensitized solar cells
JP5162346B2 (ja) 色素増感太陽電池、その製造方法および色素増感太陽電池モジュール
Renani et al. New photoelectrodes based on bismuth vanadate-V2O5@ TiNT for photo-rechargeable supercapacitors
Wu et al. Metal oxide based photoelectrodes in photoelectrocatalysis: advances and challenges
Kang et al. Cu@ C dispersed TiO2 for dye-sensitized solar cell photoanodes
Imbrogno et al. Optimizing dye adsorption in graphene–TiO 2 photoanodes for the enhancement of photoconversion efficiency of DSSC devices
Vibavakumar et al. Synergistic effect of MoO3/MoS2 in improving the electrocatalytic performance of counter electrode for enhanced efficiency in dye-sensitized solar cells
Das et al. Dual function of molybdenum sulfide/C-cloth in enhancing the performance of fullerene nanosheets based solar cell and supercapacitor
KR100846156B1 (ko) 탄소입자를 이용한 작업전극의 제조방법 및 이를 이용한염료감응 태양전지 모듈
KR101013151B1 (ko) 광감응성 전극 및 이의 제조방법
KR101633383B1 (ko) 광전기화학전지용 광전극 및 이의 제조방법