JP5295751B2 - 酸化亜鉛膜形成方法および酸化亜鉛膜形成装置 - Google Patents

酸化亜鉛膜形成方法および酸化亜鉛膜形成装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5295751B2
JP5295751B2 JP2008329755A JP2008329755A JP5295751B2 JP 5295751 B2 JP5295751 B2 JP 5295751B2 JP 2008329755 A JP2008329755 A JP 2008329755A JP 2008329755 A JP2008329755 A JP 2008329755A JP 5295751 B2 JP5295751 B2 JP 5295751B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
zinc oxide
oxide film
conductive layer
film forming
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008329755A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010153193A (ja
Inventor
剛 屋根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd, Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2008329755A priority Critical patent/JP5295751B2/ja
Priority to US12/636,358 priority patent/US8361831B2/en
Publication of JP2010153193A publication Critical patent/JP2010153193A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5295751B2 publication Critical patent/JP5295751B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/22Electroplating: Baths therefor from solutions of zinc
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/02Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
    • C23C18/12Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
    • C23C18/125Process of deposition of the inorganic material
    • C23C18/1262Process of deposition of the inorganic material involving particles, e.g. carbon nanotubes [CNT], flakes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/54Contact plating, i.e. electroless electrochemical plating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2027Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
    • H01G9/204Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising zinc oxides, e.g. ZnO
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20Light-sensitive devices
    • H01G9/2059Light-sensitive devices comprising an organic dye as the active light absorbing material, e.g. adsorbed on an electrode or dissolved in solution
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542Dye sensitized solar cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)

Description

本発明は、色素増感型太陽電池において光電層として用いられる多孔質の酸化亜鉛膜を基材上に形成する技術に関する。
近年、低コストにて製造可能であり、かつ、様々な製品のデザイン性を損なうことなくその電源として利用することができる色素増感型太陽電池が注目されている。色素増感型太陽電池は、導電層(例えば、ITO膜(酸化インジウムスズ膜)やFTO膜(フッ素ドープ酸化スズ膜)の層)を有する透明基板、光電層、電荷輸送層、対極導電層を有する対向基板が積層された構造を有し、光電層となる多孔質の半導体層を形成する手法として、酸化チタン等の半導体微粒子を含むペーストを基板上に塗布して高温で焼成する手法が採用されている。
また、軽量かつ安価な樹脂基板を用いて色素増感型太陽電池を製造することも求められており、特許文献1では、テンプレート剤を含む電解液中にて基板に対してカソード電析を行うことにより、テンプレート剤を含む酸化亜鉛薄膜を基板の導電層上に形成し、その後、テンプレート剤を脱離させることにより、多孔質の酸化亜鉛膜を形成する手法が提案されている。特許文献1の手法では、樹脂基板に不適な焼成工程を行うことなく、樹脂基板上に多孔質の酸化亜鉛膜を形成することができる。
しかしながら、特許文献1の手法では、酸化亜鉛膜の電析処理、および、テンプレート剤の脱離処理に長時間を要するため、色素増感型太陽電池の生産性が低くなるという問題がある。そこで、特許文献2では、酸化亜鉛微粒子と有機溶媒とを含有するペーストの塗布により基板の導電層上に酸化亜鉛の微粒子膜を形成し、当該微粒子膜を極性溶剤を主成分とする浸漬液中に浸漬することにより、膜中の酸化亜鉛の溶解および再析出を生じさせて、機械的強度および導電性が高い酸化亜鉛膜を形成する手法が提案されている。特許文献2の手法では、樹脂基板を用いた色素増感型太陽電池の生産性を向上することが可能となる。
なお、特許文献3では、酸化チタンペーストの塗布により酸化チタン基層を形成し、この酸化チタン基層をオキシ硫酸チタン水溶液に浸漬させることにより、酸化チタン粒子同士のつながりを強固にして、色素増感型太陽電池の発電効率を高くする手法が開示されている。また、特許文献4では、不導体基材を銀イオンを含有する活性化剤で触媒化処理した後、酸化亜鉛析出溶液に浸漬して無電解法により基材上に酸化亜鉛被膜を形成する技術が開示されている。
特開2004−6235号公報 特開2008−62181号公報 特開2005−259514号公報 特開2000−8180号公報
ところで、特許文献2の手法では、酸化亜鉛の微粒子膜の浸漬液中への浸漬により、酸化亜鉛の微粒子間の結合は強固なものとなるが、酸化亜鉛膜と導電層との密着性は確保されないため(実際には、酸化亜鉛膜表面の凹凸と導電層表面の凹凸との機械的な係合のみにより、酸化亜鉛膜が導電層に付着していると捉えられる。)、色素増感型太陽電池の製造に係る後続の処理にて、酸化亜鉛膜が基板から剥落する場合がある。
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基材の導電層との密着性に優れた多孔質の酸化亜鉛膜を容易に、かつ、効率よく形成することを目的としている。
請求項1に記載の発明は、色素増感型太陽電池において光電層として用いられる多孔質の酸化亜鉛膜を基材上に形成する酸化亜鉛膜形成方法であって、a)基材に形成された導電層上に電解析出または化学析出により酸化亜鉛を含む析出物を形成する工程と、b)前記析出物が形成された前記導電層上に酸化亜鉛の微粒子および溶媒を含む液状またはペースト状の膜形成材料を塗布し、前記導電層上の膜形成材料から前記溶媒が除去されることにより、前記導電層上に多孔質の酸化亜鉛膜を形成する工程とを備える。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の酸化亜鉛膜形成方法であって、前記b)工程が、膜形成材料の塗布後に、純水である補助液、または、亜鉛イオンを含む補助液を前記導電層上の膜形成材料に付与する工程を備える。
請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の酸化亜鉛膜形成方法であって、前記a)工程において、前記析出物が多数の島状にて形成される。
請求項4に記載の発明は、請求項1または2に記載の酸化亜鉛膜形成方法であって、前記a)工程において、前記析出物が膜状にて形成される。
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の酸化亜鉛膜形成方法であって、前記a)工程において、亜鉛イオンおよびテンプレート剤を含む電析液中に前記基材を浸漬しつつ電解析出が行われる。
請求項6に記載の発明は、請求項1ないし5のいずれかに記載の酸化亜鉛膜形成方法であって、前記b)工程の後に、亜鉛よりも貴な金属のイオンを含む溶液を前記酸化亜鉛膜に付与することにより、前記金属を前記酸化亜鉛膜に添加する工程をさらに備える。
請求項7に記載の発明は、請求項1ないし6のいずれかに記載の酸化亜鉛膜形成方法であって、前記基材が樹脂にて形成されている。
請求項8に記載の発明は、請求項1ないし7のいずれかに記載の酸化亜鉛膜形成方法であって、前記基材において、前記導電層よりも比抵抗が小さい材料にて前記導電層上に配線が形成されているとともに、膜形成材料に対する撥液性を有するマスクが前記配線を覆うように形成されている。
請求項9に記載の発明は、色素増感型太陽電池において光電層として用いられる多孔質の酸化亜鉛膜を基材上に形成する酸化亜鉛膜形成装置であって、基材に形成された導電層上に電解析出または化学析出により酸化亜鉛を含む析出物を形成する析出部と、前記析出物が形成された前記導電層上に酸化亜鉛の微粒子および溶媒を含む液状またはペースト状の膜形成材料を塗布する塗布部とを備え、前記導電層上の膜形成材料から前記溶媒が除去されることにより、前記導電層上に多孔質の酸化亜鉛膜が形成される。
請求項10に記載の発明は、請求項9に記載の酸化亜鉛膜形成装置であって、前記塗布部による膜形成材料の塗布後に、純水である補助液、または、亜鉛イオンを含む補助液を前記導電層上の膜形成材料に付与する補助液付与部をさらに備える。
請求項11に記載の発明は、請求項9または10に記載の酸化亜鉛膜形成装置であって、亜鉛よりも貴な金属のイオンを含む溶液を前記酸化亜鉛膜に付与することにより、前記金属を前記酸化亜鉛膜に添加する金属添加部をさらに備える。
請求項12に記載の発明は、請求項9ないし11のいずれかに記載の酸化亜鉛膜形成装置であって、前記基材が長尺であり、前記析出部において、電析槽にて貯溜される電析液中にて前記導電層に対する電解析出が行われ、前記酸化亜鉛膜形成装置が、前記導電層よりも比抵抗が小さい材料にて前記導電層上に形成される配線を覆うようにマスクを形成するマスク形成部と、前記基材の長手方向に連続する複数の部位を前記マスク形成部および前記電析槽に順次移動する移動機構とを備え、前記析出部が、前記電析液中に浸漬される対極と、前記電析液中に浸漬される参照電極と、前記複数の部位の移動方向に関して前記マスク形成部の上流側にて前記配線に当接する当接部と、前記対極および前記参照電極に電気的に接続されるとともに、前記当接部および前記配線を介して前記導電層に電気的に接続され、前記参照電極と前記導電層との間に所定の電圧を付与して前記電析液中の前記導電層上に前記析出物を形成する電源部とを備える。
本発明によれば、基材の導電層との密着性に優れた多孔質の酸化亜鉛膜を容易に、かつ、効率よく形成することができる。
また、請求項2および10の発明では、酸化亜鉛の微粒子間、および、微粒子と析出物との間の結合をより強固にすることができ、請求項3の発明では、析出物の形成を短時間にて行うことができ、請求項4の発明では、酸化亜鉛膜と導電層との密着性をさらに向上することができる。
また、請求項5の発明では、導電層上に多孔質の析出物を形成することができ、請求項6および11の発明では、他の金属が添加された酸化亜鉛膜を容易に形成することができる。
また、請求項8の発明では、マスク上に膜形成材料が付着することを抑制して、マスクの剥離を容易に行うことができ、請求項12の発明では、電解析出の際に、導電層への電位の付与を容易に行うことができる。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る酸化亜鉛膜形成装置1の構成を示す図である。酸化亜鉛膜形成装置1は、例えば、ITO膜(酸化インジウムスズ膜)やFTO膜(フッ素ドープ酸化スズ膜)等の透明な導電層を有する透明な樹脂基板9に酸化亜鉛の多孔質薄膜を形成するためのものである。酸化亜鉛膜が形成された樹脂基板9には、後続の工程にて対向電極(対極導電層)を有する対向基板が対向して設けられ、2つの基板間に液状の電解質が注入されて電荷輸送層(電解質層)が形成されることにより色素増感型太陽電池が製造される。このように、酸化亜鉛膜形成装置1にて形成される酸化亜鉛膜は、色素増感型太陽電池において光電層(光電極層とも呼ばれる。)として用いられる。
図1の酸化亜鉛膜形成装置1は、樹脂基板9に形成された導電層上に電解析出により酸化亜鉛を含む析出物を形成する析出部2、樹脂基板9を洗浄および乾燥する第1洗浄部31、析出物が形成された導電層上に酸化亜鉛の微粒子を含む液状またはペースト状の膜形成材料を塗布する塗布部4、塗布部4による膜形成材料の塗布後に、亜鉛イオンがおよそ飽和となっている補助液を導電層上の膜形成材料に付与する補助液付与部5、樹脂基板9の導電層に向けて純水蒸気を噴出する加湿部6、樹脂基板9を洗浄および乾燥する第2洗浄部32、並びに、析出部2から取り出された樹脂基板9を第1洗浄部31、塗布部4、補助液付与部5、加湿部6および第2洗浄部32に順に水平移動する搬送部11を備える。以下の説明では、搬送部11による樹脂基板9の移動方向を搬送方向という。
図2は、析出部2の構成を示す図である。図2の析出部2は、塩化物イオン、亜鉛イオンおよびテンプレート剤を主たる成分として含む(すなわち、塩化亜鉛(ZnCl)およびテンプレート剤を主たる成分として含む)電析液を貯溜する電析槽21、樹脂基板9を保持するとともに電析液中に浸漬される基板保持部25、基板保持部25に保持される樹脂基板9の中心を通るとともに主面に垂直な中心軸を中心として基板保持部25を回転する回転機構26、電析液中に配置される対極22および参照電極23(例えば、銀−塩化銀(Ag/AgCl)電極であり、基準電極とも呼ばれる。)、並びに、樹脂基板9の導電層、対極22および参照電極23に電気的に接続される電源部24を備える。なお、電源部24では、樹脂基板9の導電層に流れる電流も検出可能となっている。
電析槽21には供給管271が取り付けられ、供給管271にはフィルタ274が設けられる。また、供給管271はポンプ272を介して電析液タンク273に接続される。電析液タンク273には、排出管275を介して電析槽21から戻される電析液が貯溜されており、ポンプ272を駆動することによりフィルタ274にて電析液中の不要物や気泡を除去しつつ電析液タンク273から電析槽21内に電析液が供給され、電析槽21にて一定量の電析液が貯溜される。このように、電析液中の不要物や気泡を除去することにより、当該不要物による析出物の質の低下や、析出物における気泡による欠損部の発生が防止される。
実際には、供給管271からの電析液は、電析槽21内に配置される樹脂基板9の主面(基板保持部25とは反対側の主面)に向けて噴出されており(例えば、毎分15リットル(15L/min.)の流量にて噴出される。)、当該主面に電析液の噴流が衝突する。図2の析出部2では、供給管271、ポンプ272および排出管275により、電析槽21と電析液タンク273との間にて電析液を循環させる循環機構が構築される。
電析槽21には、電析液中の酸素濃度を測定する溶存酸素計213、および、電析液の温度を測定する温度計214が取り付けられる。電析液タンク273中にはヒータ215が設けられており、温度計214の出力に基づいて温度コントローラ216がヒータ215を制御することにより、電析槽21と電析液タンク273との間を循環する電析液が一定の温度にて保たれる。なお、電析液を攪拌する機構や、温度計等が電析液タンク273に設けられてもよい。
供給管271において、フィルタ274とポンプ272との間には気体溶解ユニット276が設けられ、溶存酸素計213の測定値に応じて電析液中に酸素が溶解される。このように、空気と接していない供給管271内にて酸素を溶解させることにより、電析液中の溶存酸素濃度を容易に飽和にすることができる。フィルタ274と気体溶解ユニット276との間には電析液の成分を分析する分析装置277が接続されており、分析装置277における結果に応じて、成分調整部278から電析液タンク273内に、電析液中に含まれる各成分(例えば、高濃度の塩化亜鉛溶液やテンプレート剤)が必要な量だけ供給される。なお、必要に応じて電析液を攪拌する機構やヒータが電析槽21に設けられてもよく、さらに、供給管271において電析液中に溶解する気体を除去する機構が設けられ、気体溶解ユニット276と協働して電析液中の酸素濃度が高められてもよい。
図3は、酸化亜鉛膜形成装置1が酸化亜鉛膜を樹脂基板9上に形成する処理の流れを示す図である。図3中にて破線の矩形にて囲む処理(すなわち、ステップS10a,S10b,S16a)は、後述の酸化亜鉛膜形成装置1aにて行われる処理であり、図1の酸化亜鉛膜形成装置1では行われない。後述するように、樹脂基板9以外の基材上に酸化亜鉛膜を形成する場合もあるため、図3では、樹脂基板9を「基材」と一般化して示している。
実際には、酸化亜鉛膜形成装置1の複数の構成要素(析出部2、第1洗浄部31、塗布部4、補助液付与部5、加湿部6および第2洗浄部32)では、複数の樹脂基板9に対して並行して処理が行われるが、以下の説明では、1つの樹脂基板9に注目して説明を行う。
また、本実施の形態における樹脂基板9の導電層上には、銅メッキや銀ペーストの印刷等により、当該導電層よりも比抵抗が小さい材料にて所定のパターンの配線(いわゆる、集電線)が予め形成されているとともに、塗布部4から吐出される膜形成材料に対する撥液性を有するマスクも、フォトリソグラフィ法や印刷法等により当該配線を覆うように形成されている。
樹脂基板9上に酸化亜鉛膜を形成する際には、まず、図2の析出部2において昇降機構により回転機構26が上昇して、基板保持部25が電析液中から取り出される。続いて、析出部2と搬送部11(図1参照)との間に設けられるロボットアーム(図示省略)により、樹脂基板9が導電層を下方に向けた状態で基板保持部25の下面近傍に配置され、基板保持部25におけるチャック機構により樹脂基板9が基板保持部25にて保持される。ロボットアームの退避後、回転機構26の下降により基板保持部25と共に樹脂基板9が電析液中に浸漬される。
本実施の形態では、例えば、1リットル当たり塩化亜鉛を5ミリモル(すなわち、5mM)、塩化カリウムを0.1モル、テンプレート剤(例えば、色素)を40マイクロモルだけ含む電析液が準備され、電析液の温度が45℃に調整される。そして、回転機構26により基板保持部25が毎分25回の回転数(すなわち、25rpm)にて回転するとともに、電源部24により参照電極23に対する導電層の電位が制御される。例えば、参照電極23として飽和Ag/AgClを用いる場合、これに対する導電層の電位は(−1.0)ボルト(V)に制御される。このように、樹脂基板9の導電層と参照電極23との間に所定の電圧(電位差)が付与されることにより、樹脂基板9に対して電解析出が行われ、樹脂基板9上に酸化亜鉛およびテンプレート剤を含む析出物が形成される(ステップS11)。このとき、仮に、配線がマスクにて覆われていない場合には、導電層よりも抵抗が低い(例えば、1/10以下の抵抗の)配線上に析出物が偏って析出するが、実際には、配線が絶縁性のマスクにて覆われていることにより、配線上に析出物が析出することが防止される。
電圧の付与は予め定められた時間(例えば、1〜5分)だけ継続され、その後、回転機構26が上昇し、ロボットアームにより樹脂基板9において下方を向く導電層上の外縁部近傍が吸引チャックにより保持され、基板保持部25からロボットアームに樹脂基板9が受け渡される。ロボットアームでは、導電層が上方を向くように樹脂基板9の向きが反転され、導電層を上方に向けた状態にて樹脂基板9が、図1の搬送部11のベルト111上に載置される。樹脂基板9は、ベルト111の各部位と共に図1中の右側に向かって緩やかな速度にて連続的に移動する。なお、析出部2から搬送部11へと樹脂基板9を移載する機構は、基板保持部25にて保持される樹脂基板9を下方から支持する機構、および、下方から支持される樹脂基板9を反転してベルト111上に載置する機構を含むものであってもよい。
図4は、搬送部11のベルト111上の樹脂基板9を示す図である。図4に示すように、ベルト111上には複数のストッパ112が搬送方向に配列形成されている。詳細には、搬送方向に関して1つの樹脂基板9を挟むように配置される2つのストッパ112をストッパ対として、ベルト111上には複数のストッパ対が一定の間隔を空けて(一定のピッチにて)形成されており、各ストッパ対により搬送途上における樹脂基板9の位置ずれが防止される。ベルト111は耐水性および耐薬品性を有しており、後述する第1洗浄部31、塗布部4、補助液付与部5、加湿部6および第2洗浄部32による樹脂基板9に対する処理により、ベルト111が劣化することが防止される。
樹脂基板9が、図1に示す第1洗浄部31へと到達すると(正確には、樹脂基板9の各部位が洗浄スプレー群311の下方に到達すると)、洗浄スプレー群311から純水等の洗浄液がベルト111上の樹脂基板9の表面に向けて緩やかに噴射され、電析液に含まれる不要物(塩化カリウム等)が除去される。続いて、エアナイフ312からのエアにより樹脂基板9の表面の洗浄液が除去される。このとき、析出物中のテンプレート剤もある程度除去されることにより、導電層上の析出物は多孔質(例えば、直径が1〜500ナノメートル(nm)のロッド状の結晶の集合体)となっている。また、エアナイフ312におけるエアの噴射方向は、鉛直方向から樹脂基板9の進行方向の後側に向かって傾斜していることにより、樹脂基板9の表面に洗浄液が残留することが防止される。
その後、樹脂基板9は乾燥炉313を通過して、樹脂基板9の乾燥が行われる(ステップS12)。酸化亜鉛膜形成装置1では、樹脂基板9の表面を確実に乾燥させる(すなわち、導電層上における洗浄液の残留を防止する)ことにより、後述の塗布部4において膜形成材料を樹脂基板9の表面全体(ただし、マスク上を除く。)に均一に付着させることが可能となる。なお、第1洗浄部31では、洗浄スプレー群311と樹脂基板9の表面との間の間隙の幅が小さくされ、当該間隙が液密状態とされて樹脂基板9の洗浄が行われてもよい。
続いて、樹脂基板9が塗布部4の下方へと到達すると、攪拌機構(または、微粒子を分散させる機構)を有する材料タンク42から供給される膜形成材料(すなわち、酸化亜鉛の微粒子を含む膜形成材料)がスリットノズル41から吐出され、析出物が形成された導電層上に膜形成材料が塗布される(ステップS13)。このとき、搬送方向に垂直かつ水平な方向に長い吐出口を有するスリットノズル41によりマスクの厚さよりも薄い所定の厚さにて精度よく膜形成材料が塗布される。また、導電層上に形成されるマスクが膜形成材料に対する撥液性を有していることにより、膜形成材料は導電層上のマスク以外の領域に付着することとなる。膜形成材料には、水やアルコール等を含む揮発性の高い有機溶媒が用いられており、低速にて搬送方向に移動する樹脂基板9の各部位が、後続の(搬送方向の下流側の)補助液付与部5の処理位置へと到達する前に、導電層上の膜形成材料中の溶媒が揮発によりある程度除去され、導電層上に多孔質の酸化亜鉛膜が形成される。
塗布部4において、100マイクロメートル(μm)の厚さにて膜形成材料を塗布する場合には、溶媒の除去後の膜形成材料(すなわち、酸化亜鉛膜)の厚さは、例えば10〜15μmとなる。また、膜形成材料に含まれる酸化亜鉛の微粒子の粒径分布は、好ましくは5〜500ナノメートル(nm)の範囲に亘るものとされ、このように、粒径分布が広範囲に亘る微粒子にて酸化亜鉛膜が形成されることにより、極めて微小な粒径の微粒子のみを用いる場合に比べて酸化亜鉛膜に含まれる微粒子数を低減させて、酸化亜鉛膜中における電子の移動度を向上するとともに、膜の充填率をある程度高くすることができる。
実際には、導電層上に塗布された直後の膜形成材料では、酸化亜鉛の溶解および再析出が生じて、膜形成材料中の微粒子間の結合、および、微粒子と導電層上の析出物(電解析出による酸化亜鉛の析出物)との間の結合が生じる。なお、塗布部4では、材料タンク42内の膜形成材料を攪拌することにより、微粒子の凝集を防止することができ、導電層上に塗布される膜形成材料の厚さの均一性の低下や、ノズルの詰まり等が生じることが防止される。また、攪拌機構を有する材料タンク42がスリットノズル41の近傍に設けられることにより、微粒子の分散性の低い膜形成材料も用いることができる。材料タンク42には、膜形成材料の成分を調整する成分調整部が設けられてもよい。
続いて、補助液付与部5では、亜鉛イオンがおよそ飽和となっている補助液が導電層上の膜形成材料(すなわち、酸化亜鉛膜)に付与され(ステップS14)、補助液中の酸化亜鉛膜では、酸化亜鉛の溶解および析出が促進される。これにより、酸化亜鉛膜中の微粒子間、および、微粒子と導電層上の析出物との間の接続部が、酸化亜鉛の析出により太くなり(すなわち、両者間の接触面積が増大し)、酸化亜鉛膜中の微粒子間、および、微粒子と導電層上の析出物との間がより強固に結合されるとともに、酸化亜鉛膜の内部、および、導電層と酸化亜鉛膜との間における電子の移動度も向上する。なお、酸化亜鉛膜中の微粒子間における酸化亜鉛の析出は、結晶粒界の低減と捉えることもできる。
実際には、後続の加湿部6にて樹脂基板9の導電層に向けて純水蒸気(大きな液滴であってもよい。)が噴出され、導電層が乾燥することが防止されることにより、補助液中の酸化亜鉛の析出が長時間に亘って生じることとなる(ステップS15)。なお、補助液中の酸化亜鉛膜における酸化亜鉛の溶解および析出も、酸化亜鉛膜の形成の一部と捉えることができる。
そして、樹脂基板9が第2洗浄部32へと到達すると、第1洗浄部31と同様に、洗浄スプレー群321から純水等の洗浄液がベルト111上の樹脂基板9の表面に向けて緩やかに噴射され、続いて、エアナイフ322からのエアにより樹脂基板9の表面の洗浄液が除去される。そして、樹脂基板9が、例えば100℃程度に加熱された乾燥炉323を通過して、樹脂基板9の乾燥が行われる(ステップS16)。このようにして、酸化亜鉛膜が形成された樹脂基板9から、水分や析出部2の電析液に由来する不要物等が除去されることにより、水分や不要物の存在による色素増感型太陽電池の品質の低下や劣化等が防止される。
乾燥炉323を通過した樹脂基板9は、図示省略のロボットアームによりベルト111上から取り出される。後続の工程では、導電層上のマスクが剥離された後、多孔質の酸化亜鉛膜に増感色素が吸着(担持)される。そして、対向電極を有する対向基板が樹脂基板9に対向して設けられ、2つの基板間(光電層と対向電極との間)に液状(または擬液状)の電解質が注入されて電荷輸送層が形成されることにより色素増感型太陽電池が製造される。
以上に説明したように、図1の酸化亜鉛膜形成装置1では、析出部2において電解析出により樹脂基板9の導電層上に酸化亜鉛を含む析出物が形成され、続いて、樹脂基板9は塗布部4へと搬送される。そして、導電層上に酸化亜鉛の微粒子および溶媒を含む液状またはペースト状の膜形成材料が塗布され、その後、導電層上の膜形成材料から溶媒が揮発により除去されることにより、多孔質の酸化亜鉛膜が導電層上に形成される。
ここで、仮に、テンプレート剤を含む電析液を用いた電解析出のみにより、テンプレート剤を含む酸化亜鉛膜を基板の導電層上に形成し、その後、テンプレート剤を脱離させることにより、多孔質の酸化亜鉛膜を形成する場合には、例えば、電解析出に0.5〜2時間を要し、テンプレート剤の脱離に1〜24時間を要してしまう。また、酸化亜鉛の微粒子および溶媒を含む膜形成材料の塗布のみにより酸化亜鉛膜を形成する場合には、酸化亜鉛膜と導電層との密着性が確保されないため、酸化亜鉛膜が樹脂基板9から剥落する場合がある。
これに対し、酸化亜鉛膜形成装置1では、後述するように、析出部2における析出物の形成は、条件によっては30秒ほどで完了することが可能であり、塗布部4における膜形成材料の塗布も1分程度にて完了することが可能である。また、電解析出による導電層と析出物との結合、および、膜形成材料の塗布の際の析出物と酸化亜鉛膜との結合により、析出物上に形成される酸化亜鉛膜と導電層との密着性を向上することが可能である。このように、酸化亜鉛膜形成装置1では、樹脂基板9の導電層との密着性に優れた多孔質の酸化亜鉛膜を導電層上に容易に、かつ、効率よく(すなわち、短時間にて)形成することが実現され、色素増感型太陽電池の生産性を向上することができる。
また、補助液付与部5では、膜形成材料の塗布後に、亜鉛イオンがおよそ飽和となっている補助液を導電層上の膜形成材料に付与することにより、酸化亜鉛の微粒子間、および、微粒子と析出物との間の結合をより強固にすることができ、酸化亜鉛膜の導電層に対する密着性をさらに向上することができる。
さらに、酸化亜鉛膜形成装置1では、樹脂基板9の導電層上の配線をマスクにて覆うことにより電解析出を適切に行うことができ、マスクが膜形成材料に対する撥液性を有することにより、マスク上に膜形成材料が付着することを抑制して、マスクの剥離を容易に行うことができる。
ここで、電解析出の際の樹脂基板9における電流密度と電析液の温度との関係について述べる。図5は、樹脂基板9の導電層における電流密度の変化を示す図である。図5では、電析液の温度が30、35、40、45、50、60℃の場合の電流密度の変化を符号L1,L2,L3,L4,L5,L6を付す線にてそれぞれ示している。ここで、電流密度は、電源部24にて取得される導電層における電流を導電層の面積(マスクの領域を除く。)にて除することにより得られる値(平均電流密度)である。
図5に示すように、樹脂基板9の導電層と参照電極23との間への電圧(電位差)の付与の開始直後(図5の0秒近傍)では、電析液の温度が60℃の場合(線L6)を除き、電流密度は時間の経過に従って減少しており、その後増大してほぼ一定の値K1となっている。図5では、電析液の温度が30、35、40℃の場合の電流密度(線L1〜L3にて示す電流密度)は、電圧の付与の開始から300秒までの間では値K1まで増大していないが、実際には、300秒以降の時刻にて値K1に到達する。
ここで、電圧の付与の開始直後の電流密度の減少は、導電層上における酸化亜鉛の結晶の初期核の形成段階、および、結晶核の成長の初期段階に対応し、その後、結晶核の成長がより顕著となり、その表面積の増大に伴って電流密度が増大するものと考えられる。そして、導電層上の酸化亜鉛が膜状(薄膜状)になり、表面積がほぼ一定となると、電流密度が一定の値K1となる(電析液の温度が60℃の場合の電流密度とほぼ同じになる)。したがって、電析液の温度が比較的低い場合(50℃以下の場合)では、樹脂基板9の導電層と参照電極23との間への電圧の付与の開始直後(好ましくは、電流密度が増大に転じた後)から電流密度が値K1となる直前までの間のある時刻にて電圧の付与を終了すると、樹脂基板9の導電層上に酸化亜鉛の析出物が多数の島状にて形成されることとなり、電流密度が値K1となる期間にて電圧の付与を終了すると、樹脂基板9の導電層上に酸化亜鉛の析出物が膜状にて形成されることとなる。
一方で、電析液の温度が60℃の場合には(線L6参照)、樹脂基板9の導電層と参照電極23との間への電圧の付与の開始直後から約60秒までの間では、電流密度が大きく変動しており、電析液の温度が50℃以下の場合に見られる電流密度の減少はほとんど生じていないが、この期間では、樹脂基板9の導電層上に酸化亜鉛の析出物が多数の島状にて形成されていると考えられる。また、電圧の付与の開始から約60秒経過後には、電流密度はほぼ一定の値K1にて安定しており、電析液の温度が60℃の場合には、電圧の付与の開始から約60秒にて、樹脂基板9の導電層上の酸化亜鉛の析出物が膜状になっていると考えられる。
電析液の温度を60℃よりも高くすることにより、電圧の付与の開始から導電層上の酸化亜鉛の析出物が膜状になるまでの時間はさらに短縮可能であるが、実際には、樹脂基板9の導電層近傍での電析液の酸素濃度の低下により時間の短縮には一定の限界があり、さらに、本実施の形態では、樹脂基板9の軟化点が比較的低く、かつ、電析液が水溶液とされる等の理由により、電析液の温度は70℃以下とされることが好ましい。電析液の温度が70℃の場合には、電圧の付与の開始から約30秒にて、ほぼ膜状の析出物が得られる。なお、供給管271から樹脂基板9に向けて噴出する電析液の流量の増大、あるいは、回転機構26による基板保持部25の回転数の増大によっても、析出物が膜状となるまでの時間を短縮することが可能である。
以上のように、酸化亜鉛膜形成装置1の析出部2では、電解析出の処理時間に応じて析出物の状態が相違するため、析出物の形成を短時間にて行って色素増感型太陽電池の生産性を向上するには、導電層上の酸化亜鉛の析出物が多数の島状にて形成されることが好ましい。また、酸化亜鉛膜と導電層との密着性をさらに向上するには、導電層上の酸化亜鉛の析出物が膜状(多数の島が結合した状態(すなわち、多数の孔部を含む膜状)を含む。)にて形成され、析出物と、膜形成材料の付与により形成される酸化亜鉛膜、および、樹脂基板9上の導電層との接触面積が増大されることが好ましい(後述の酸化亜鉛膜形成装置1a,1bにおいて同様)。なお、導電層上の酸化亜鉛の析出物を膜状に形成する場合には、多数の島状に形成する場合に比べて、導電層と酸化亜鉛膜との間の抵抗も小さくなり、色素増感型太陽電池の性能を向上することが可能となる。
図6.Aおよび図6.Bは、本発明の第2の実施の形態に係る酸化亜鉛膜形成装置1aの構成を示す図である。酸化亜鉛膜形成装置1aでは、透明な導電層が形成された透明な樹脂フィルム(プラスチックフィルム)9a上に多孔質の酸化亜鉛膜が形成される。
図6.Aおよび図6.Bに示すように、酸化亜鉛膜形成装置1aは、長尺の基材である樹脂フィルムのロール90(ウェブ(WEB)とも呼ばれる。)から樹脂フィルム9aの各部位(すなわち、帯状の樹脂フィルムに連続して存在する複数の部位のそれぞれ)を連続的に引き出す引出部12、樹脂フィルム9a(の各部位)の導電層上に所定のパターンの配線を形成する配線形成部7、導電層上において配線を覆うマスクを形成するマスク形成部8、電解析出により酸化亜鉛の析出物を導電層上に形成する析出部2a、析出物が形成された樹脂フィルム9aを洗浄および乾燥する第1洗浄部31a、導電層上に酸化亜鉛の微粒子を含む液状またはペースト状の膜形成材料を塗布する塗布部4a、塗布部4aによる膜形成材料の塗布後に、亜鉛イオンがおよそ飽和となっている補助液を導電層上の膜形成材料に付与する補助液付与部5、補助液が付与された樹脂フィルム9aの導電層に向けて純水蒸気を噴出する加湿部6、樹脂フィルム9aを洗浄および乾燥する第2洗浄部32a、並びに、樹脂フィルム9aを巻き取る巻取部13を備える。
酸化亜鉛膜形成装置1aでは、引出部12、配線形成部7、マスク形成部8、析出部2a、第1洗浄部31a、塗布部4a、補助液付与部5、加湿部6、第2洗浄部32aおよび巻取部13は所定の方向に一列に並べられており、当該方向に垂直かつ水平な方向に伸びる複数のローラ14が酸化亜鉛膜形成装置1aの全体に亘って配置されることにより、引出部12から引き出される樹脂フィルム9aの各部位が、緩やかな速度にて巻取部13まで連続して搬送される。このように、複数のローラ14が、樹脂フィルム9aの長手方向に連続する複数の部位を配線形成部7、マスク形成部8、析出部2a、第1洗浄部31a、塗布部4a、補助液付与部5、加湿部6および第2洗浄部32aに順次移動する移動機構となっている。なお、ローラ14は、酸化亜鉛膜形成装置1aにて用いられる液体(後述の電析液等)に対して耐食性を有する材料にて形成される。
配線形成部7は、樹脂フィルム9aの導電層上に銀ペーストのパターンを印刷法により形成する印刷部71、および、導電層上の銀ペーストを乾燥する乾燥炉72を備え、配線形成部7により導電層よりも比抵抗が小さい材料(銀を含む材料)にて導電層上に配線が形成される。また、マスク形成部8は、樹脂フィルム9aの配線上に所定のマスク材料を印刷法により付与する印刷部81、および、導電層上のマスク材料を乾燥する乾燥炉82を備え、マスク形成部8により、膜形成材料に対する撥液性を有するマスクが配線を覆うように形成される。
印刷部71,81は、回転する版胴を有するものとされ、樹脂フィルム9aの連続する複数の部位にパターンが連続的に形成される。もちろん、印刷部71,81は、他の印刷法によりパターンを形成するものであってもよく、例えば、スクリーン印刷法を採用する場合、樹脂フィルム9aが停止した状態で印刷動作が行われ、印刷動作の完了後、一度の印刷動作によりパターンが形成される領域の長さ(樹脂フィルム9aの移動方向の長さ)だけ樹脂フィルム9aが移動した後に次の印刷動作が行われる。なお、樹脂フィルム9aが、ポリエチレンナフタレート(PEN)等の軟化点が比較的高い樹脂にて形成される場合には、乾燥炉72にて樹脂フィルム9aを高温に加熱することが可能となるため、乾燥後の銀ペーストである配線の抵抗をより低下させることができる。
析出部2aは、図2の析出部2と同様に、塩化亜鉛およびテンプレート剤を含む電析液を貯溜する電析槽21、電析液中に浸漬される対極22および参照電極23、並びに、対極22および参照電極23のそれぞれに電気的に接続される電源部24を備える。また、配線形成部7とマスク形成部8との間には、樹脂フィルム9aを挟むように両主面にそれぞれ当接する2つの当接ローラ281,282が設けられる。析出部2aでは、下側の当接ローラ281が配線形成部7にて形成された配線に当接する当接部となっており、導電性を有する当接ローラ281が電源部24に接続されることにより、樹脂フィルム9aの導電層が、導電層上の配線および当接ローラ281を介して電源部24に電気的に接続される。
電析槽21には、電析液中に酸素を供給する(いわゆる、酸素バブリングを行う)酸素導入管212、電析液中の酸素濃度を測定する溶存酸素計213、および、電析液の温度を測定する温度計214が取り付けられる。電析液中にはヒータ215が設けられており、温度計214の出力に基づいて温度コントローラ216がヒータ215を制御することにより、電析液が一定の温度にて保たれる。析出部2aでは、硝酸亜鉛(Zn(NO)およびテンプレート剤を含む電析液等、亜鉛イオンを含む他の種類の電析液を利用することも可能である(図2の析出部2において同様)。
電析槽21内には、噴出部271aが電析液中の樹脂フィルム9aに対向して設けられ、噴出部271aは樹脂フィルム9aの導電層に向かって電析液を噴出する複数の噴出口を有する。また、電析槽21には排出管275が設けられ、排出管275から排出される電析液はポンプ272によりフィルタ274を介して噴出部271aへと送出される。
次に、酸化亜鉛膜形成装置1aが酸化亜鉛膜を樹脂フィルム9a上に形成する処理について図3を参照して説明する。なお、酸化亜鉛膜形成装置1aでは、図3中にて破線の矩形にて囲む処理(ステップS10a,S10b,S16aの処理)も行われる。
図6.Aに示す酸化亜鉛膜形成装置1aでは、モータに接続される複数のローラ14の一部が同じ向きに回転を開始することにより、引出部12にてロール90から処理の対象物である樹脂フィルム9aの各部位が順次引き出される。以下、引出部12にて引き出される樹脂フィルム9aの一部に注目して後続の処理について説明し、この部位を「対象部位」と呼ぶ。実際には、酸化亜鉛膜形成装置1aにおける全ての処理は、それぞれ樹脂フィルム9aの対応する部位に対して並行して行われる。
ロール90から引き出された対象部位は、配線形成部7の印刷部71に対向する位置へと移動し、対象部位の導電層上に銀ペーストのパターンが形成される。そして、対象部位が乾燥炉72を通過することにより、銀ペーストが硬化(乾燥)して導電層上に配線が形成される(ステップS10a)。続いて、マスク形成部8の印刷部81に対向する位置にて、対象部位の配線上に絶縁性を有するマスク材料が付与され、対象部位が乾燥炉82を通過することにより、マスク材料が硬化して配線を覆うマスクが形成される。(ステップS10b)。
マスクが形成された対象部位は、電析槽21内へと移動し電析液中に浸漬される。既述のように、電源部24は、当接ローラ281および導電層上の配線を介して樹脂フィルム9aの導電層に電気的に接続されており、電析液中の参照電極23と樹脂フィルム9aの導電層との間に所定の電圧を付与することにより、電析液中の導電層上に電解析出による析出物が形成される(ステップS11)。
析出物が形成された対象部位は、電析槽21から引き上げられた後、第1洗浄部31aの洗浄槽310へと連続的に移動する。洗浄槽310には、所定の洗浄液が貯溜されており、対象部位は洗浄液中に浸漬される。その後、洗浄スプレー群311から純水が対象部位の表面に向けて噴射され、エアナイフ312からのエアにより対象部位の表面の純水(および洗浄液)が除去される。このとき、析出物中のテンプレート剤がある程度除去されることにより、導電層上の析出物が多孔質となる。洗浄後の対象部位は乾燥炉313内を通過して対象部位の乾燥が行われる(ステップS12)。
続いて、対象部位が図6.Bに示す塗布部4aの下方へと到達すると、攪拌機構を有する材料タンク42から供給される膜形成材料(すなわち、酸化亜鉛の微粒子を含む膜形成材料)が塗布ノズル41aから吐出される。また、塗布ノズル41aの後方(すなわち、対象部位の移動方向の下流側)には、樹脂フィルム9a上のマスクに当接するスキージ43(引き延ばしパドルとも呼ばれる。)が設けられており、塗布ノズル41aにより付与された膜形成材料がスキージ43によりマスクと同じ厚さに引き延ばされる。このようにして、塗布部4aでは析出物が形成された導電層上に膜形成材料が塗布される(ステップS13)。
実際には、対象部位が後続の補助液付与部5へと到達する前に、導電層上の膜形成材料中の溶媒が揮発によりある程度除去され、導電層上に多孔質の酸化亜鉛膜が形成される。なお、樹脂フィルム9aの幅が広い場合には、導電層上に吐出された膜形成材料が短時間にて幅方向に広がるように、幅方向に複数の塗布ノズル41aが設けられることが好ましい。また、塗布ノズル41aに代えて刷毛等により、樹脂フィルム9a上への膜形成材料の塗布が行われてもよい。
膜形成材料の付与後、補助液付与部5では、亜鉛イオンがおよそ飽和となっている補助液が導電層上の膜形成材料(または、酸化亜鉛膜)に付与され、その後、加湿部6にて対象部位の導電層に向けて純水蒸気が噴出される(ステップS14,S15)。これにより、酸化亜鉛膜中の微粒子間、および、微粒子と導電層上の析出物との間がより強固に結合されることとなる。
加湿部6を通過した対象部位は、第2洗浄部32aの洗浄槽320内へと連続的に移動する。洗浄槽320内には導電層上のマスクを剥離するための剥離液(市販の剥離液や、アセトン等)が貯溜されており、対象部位が剥離液中に浸漬されることにより、導電層上のマスクが除去される(ステップS16a)。その後、洗浄スプレー群321から純水が対象部位の表面に向けて噴射され、エアナイフ322からのエアにより対象部位の表面の純水(および剥離液)が除去される。そして、対象部位が乾燥炉323を通過して、対象部位の乾燥が行われる(ステップS16)。その後、対象部位は巻取部13にて巻き取られて、樹脂フィルム9aの対象部位に対する酸化亜鉛膜の形成処理が完了する。
以上に説明したように、図6.Aおよび図6.Bの酸化亜鉛膜形成装置1aでは、樹脂フィルム9aの導電層上に配線および当該配線を覆うマスクが形成され、続いて、電解析出により酸化亜鉛を含む析出物が導電層上に形成される。そして、酸化亜鉛の微粒子および溶媒を含む液状またはペースト状の膜形成材料が導電層上に塗布され、導電層上の膜形成材料から溶媒が除去されることにより、樹脂フィルム9aの導電層との密着性に優れた多孔質の酸化亜鉛膜を導電層上に容易に、かつ、効率よく形成することが実現される。
また、酸化亜鉛膜形成装置1aでは、樹脂フィルム9aの複数の部位の移動方向に関してマスク形成部8の上流側にて導電層上の配線に当接する当接ローラ281が設けられることにより、電解析出の際に、導電層への電位の付与を容易に行うことが実現される。
図7は、酸化亜鉛膜形成装置の他の例を示す図であり、酸化亜鉛膜形成装置1bの一部を示している。図7の酸化亜鉛膜形成装置1bでは、図6.Bの酸化亜鉛膜形成装置1aの加湿部6と第2洗浄部32aとの間に、樹脂フィルム9aを洗浄する第3洗浄部33、および、ガリウムやインジウム等の所定の金属(以下、「添加金属」という。)を酸化亜鉛膜に添加する(ドーピングする)金属添加部34が追加される。他の構成は、酸化亜鉛膜形成装置1aと同様であり、同符号を付している。
図8は、図7の酸化亜鉛膜形成装置1bが酸化亜鉛膜を樹脂フィルム9a上に形成する処理の流れの一部を示す図であり、図3中のステップS15とステップS16aとの間にて行われる処理を示している。
酸化亜鉛膜形成装置1bでは、対象部位に対して、導電層上の膜形成材料への補助液の付与、および、純水蒸気の噴出が行われると(図3:ステップS14,S15)、対象部位が第3洗浄部33の洗浄槽330へと連続的に移動する。洗浄槽330には、所定の洗浄液が貯溜されており、対象部位は洗浄液中に浸漬される。その後、洗浄スプレー群331から純水が対象部位の表面に向けて噴射され、エアナイフ332からのエアにより対象部位の表面の純水(および洗浄液)が除去される。そして、洗浄後の対象部位が乾燥炉333内を通過して対象部位の乾燥が行われる(図8:ステップS21)。
続いて、対象部位は金属添加部34の処理槽341内へと移動する。処理槽341には、標準電極電位が亜鉛よりも貴な(すなわち、イオン化傾向が小さい)添加金属のイオンを含む溶液が貯溜されており、当該溶液中に対象部位が浸漬されて置換メッキが行われることにより、添加金属が酸化亜鉛膜に添加される(ステップS22)。
その後、対象部位は、第2洗浄部32aの洗浄槽320へと移動して、導電層上のマスクが除去される(図3:ステップS16a)。そして、洗浄スプレー群321による洗浄、エアナイフ322による純水の除去、および、乾燥炉323による乾燥が行われ(ステップS16)、樹脂フィルム9aの対象部位に対する酸化亜鉛膜の形成処理が完了する。
以上に説明したように、図7の酸化亜鉛膜形成装置1bでは、亜鉛よりも貴な添加金属のイオンを含む溶液中に対象部位を浸漬することにより、対象部位上の酸化亜鉛膜に当該溶液が付与され、亜鉛とは異なる金属が添加された酸化亜鉛膜が容易に形成される。これにより、吸着させる色素等に応じて酸化亜鉛膜のバンドギャップを変化させることができ、変換効率が高い色素増感型太陽電池の設計の自由度を高めることができる。なお、図1の酸化亜鉛膜形成装置1において、金属添加部34が設けられてもよい。
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
酸化亜鉛膜形成装置1,1a,1bの析出部2,2aでは、テンプレート剤を含まない電析液中にて電解析出が行われ、多孔質ではない析出物が形成されてもよい。この場合でも、導電層と析出物との結合、および、析出物と酸化亜鉛膜との結合により、析出物上に形成される酸化亜鉛膜と導電層との密着性を向上することが可能である。ただし、導電層上に多孔質の析出物を形成する場合には、光電層(すなわち、酸化亜鉛膜および析出物)の表面積を増大して色素増感型太陽電池の性能を向上することが可能となる。
また、析出部では、樹脂基板9および樹脂フィルム9a(以下、「基材」と総称する。)に対して所定の前処理を行った後に、基材(の対象部位)を、例えば硝酸亜鉛を主たる成分として含む液中に浸漬することにより、酸化亜鉛の析出物が化学析出(すなわち、無電解法)にて導電層上に形成されてもよい。なお、化学析出の前処理は、基材の表面を化学析出に適した状態にするためのものであり、例えば導電層表面の活性化処理や、化学析出の条件によっては洗浄処理のみとされる。なお、導電層表面の活性化処理を行う場合には、特開2000−8180号公報(特許文献4)の手法のように、銀イオンを含む活性化剤が用いられてもよい。
析出部2は、必ずしも1つの樹脂基板9に対して電解析出を行うもの(いわゆる、枚葉式の析出部)である必要はなく、一度の処理にて、複数の樹脂基板9に対して析出物の形成を行うもの(いわゆる、バッチ式の析出部)であってもよい。
図1の酸化亜鉛膜形成装置1においてスキージ43を有する塗布部4aが設けられてもよく、図6.Bの酸化亜鉛膜形成装置1aにおいてスリットノズル41を有する塗布部4が設けられてもよい。また、塗布部は、基材の移動方向に垂直かつ水平な方向に配列されたインクジェット方式の多数のノズルを有するものであってもよい。このような塗布部では、基材上に膜形成材料を精度よく(すなわち、所望の位置に所望の量にて)塗布することが可能となる。さらに、塗布部では、スクリーン印刷法等により膜形成材料を導電層上のマスク以外の領域に塗布することも可能である。酸化亜鉛膜形成装置の設計によっては、膜形成材料が貯溜される槽が設けられ、槽内の膜形成材料中に基材を浸漬する(ディップする)ことにより、導電層上への膜形成材料の塗布が行われてもよい。
上記第1および第2の実施の形態では、膜形成材料において揮発性の高い有機溶媒が用いられ、導電層上の膜形成材料中の溶媒が揮発により除去されることにより、導電層上に多孔質の酸化亜鉛膜が形成されるが、膜形成材料に含まれる溶媒によっては、導電層上への膜形成材料の塗布後に、加熱等を行って、膜形成材料中の溶媒が除去されてもよい。
ところで、溶媒中に高分子の有機物を含む膜形成材料では、当該有機物を除去する際に高温にて焼成する必要があるため、このような膜形成材料を、樹脂にて形成される基材に対する酸化亜鉛膜の形成に用いることは困難となる。これに対し、膜形成材料の溶媒が水である場合には、膜形成材料の製造コストを低減するとともに、膜形成材料中の溶媒を容易に除去することができ、膜形成材料(酸化亜鉛膜)中に不純物が残留することも防止される。また、膜形成材料は、水酸化亜鉛(Zn(OH))等の酸化亜鉛の前駆体を含むものであってもよく、このような前駆体は導電層上の膜形成材料の乾燥により酸化亜鉛となる。
補助液付与部5では、補助液を貯溜する処理槽が設けられ、樹脂基板9または樹脂フィルム9aの対象部位が補助液中に浸漬されることにより、補助液が導電層上の膜形成材料に付与されてもよい。塗布部4,4aの材料タンク42における攪拌が適切に行われる場合には、亜鉛イオンが飽和となっている膜形成材料を用いることもできる。
また、補助液は、必ずしも亜鉛イオンが飽和となっているものである必要はなく、酸化亜鉛を溶解した溶液等、亜鉛イオンを含むものであるならば、導電層上の膜形成材料への付与により、酸化亜鉛膜中の微粒子(粒径がナノサイズであり、表面の反応性が高い微粒子)間、および、微粒子と析出物との間にて酸化亜鉛を析出させることができる。実際には、補助液が極性溶媒である水を主成分とする液である場合、典型的には、補助液が純水である場合にも、導電層上に塗布された膜形成材料の一部が当該純水中に溶解することにより、上記の酸化亜鉛を溶解した溶液と同様のものが得られ、酸化亜鉛膜中の微粒子間、および、微粒子と析出物との間の結合をより強固にすることができる。
金属添加部34は、亜鉛よりも貴な添加金属のイオンを含む溶液を導電層上の酸化亜鉛膜に向けて吐出することにより、酸化亜鉛膜に当該溶液を付与するものであってもよい。当該溶液を貯溜する槽は高価となるため、酸化亜鉛膜形成装置の製造コストを低減するには、吐出により当該溶液を導電層上の酸化亜鉛膜に付与することが好ましい(補助液付与部5において同様)。また、この場合に、基材の移動方向に関して金属添加部34の下流側に加湿部(例えば、図1中の加湿部6と同様のもの)が設けられ、導電層が乾燥することが防止されてもよい。
酸化亜鉛膜形成装置1,1a,1bにおいて酸化亜鉛膜が形成される基材は、樹脂以外の様々な材料にて形成されるものであってよいが、金属またはガラス等にて形成される基材では、高温の環境下にて光電層となる多孔質膜を形成することが可能であり、この場合、基材上の導電層と光電層との間にて高い密着強度が確保される。したがって、酸化亜鉛膜形成装置1,1a,1bは、高温の環境下にて処理を行うことが困難な樹脂にて形成される基材上に酸化亜鉛膜を形成する場合に特に適しているといえる。
第1の実施の形態に係る酸化亜鉛膜形成装置の構成を示す図である。 析出部の構成を示す図である。 基材上に酸化亜鉛膜を形成する処理の流れを示す図である。 搬送部のベルト上の樹脂基板を示す図である。 樹脂基板の導電層における電流密度の変化を示す図である。 第2の実施の形態に係る酸化亜鉛膜形成装置の構成を示す図である。 第2の実施の形態に係る酸化亜鉛膜形成装置の構成を示す図である。 酸化亜鉛膜形成装置の他の例を示す図である。 基材上に酸化亜鉛膜を形成する処理の流れの一部を示す図である。
符号の説明
1,1a,1b 酸化亜鉛膜形成装置
2,2a 析出部
4,4a 塗布部
5 補助液付与部
8 マスク形成部
9 樹脂基板
9a 樹脂フィルム
14 ローラ
21 電析槽
22 対極
23 参照電極
24 電源部
34 金属添加部
281 当接ローラ
S11,S13,S14,S22 ステップ

Claims (12)

  1. 色素増感型太陽電池において光電層として用いられる多孔質の酸化亜鉛膜を基材上に形成する酸化亜鉛膜形成方法であって、
    a)基材に形成された導電層上に電解析出または化学析出により酸化亜鉛を含む析出物を形成する工程と、
    b)前記析出物が形成された前記導電層上に酸化亜鉛の微粒子および溶媒を含む液状またはペースト状の膜形成材料を塗布し、前記導電層上の膜形成材料から前記溶媒が除去されることにより、前記導電層上に多孔質の酸化亜鉛膜を形成する工程と、
    を備えることを特徴とする酸化亜鉛膜形成方法。
  2. 請求項1に記載の酸化亜鉛膜形成方法であって、
    前記b)工程が、膜形成材料の塗布後に、純水である補助液、または、亜鉛イオンを含む補助液を前記導電層上の膜形成材料に付与する工程を備えることを特徴とする酸化亜鉛膜形成方法。
  3. 請求項1または2に記載の酸化亜鉛膜形成方法であって、
    前記a)工程において、前記析出物が多数の島状にて形成されることを特徴とする酸化亜鉛膜形成方法。
  4. 請求項1または2に記載の酸化亜鉛膜形成方法であって、
    前記a)工程において、前記析出物が膜状にて形成されることを特徴とする酸化亜鉛膜形成方法。
  5. 請求項4に記載の酸化亜鉛膜形成方法であって、
    前記a)工程において、亜鉛イオンおよびテンプレート剤を含む電析液中に前記基材を浸漬しつつ電解析出が行われることを特徴とする酸化亜鉛膜形成方法。
  6. 請求項1ないし5のいずれかに記載の酸化亜鉛膜形成方法であって、
    前記b)工程の後に、亜鉛よりも貴な金属のイオンを含む溶液を前記酸化亜鉛膜に付与することにより、前記金属を前記酸化亜鉛膜に添加する工程をさらに備えることを特徴とする酸化亜鉛膜形成方法。
  7. 請求項1ないし6のいずれかに記載の酸化亜鉛膜形成方法であって、
    前記基材が樹脂にて形成されていることを特徴とする酸化亜鉛膜形成方法。
  8. 請求項1ないし7のいずれかに記載の酸化亜鉛膜形成方法であって、
    前記基材において、前記導電層よりも比抵抗が小さい材料にて前記導電層上に配線が形成されているとともに、膜形成材料に対する撥液性を有するマスクが前記配線を覆うように形成されていることを特徴とする酸化亜鉛膜形成方法。
  9. 色素増感型太陽電池において光電層として用いられる多孔質の酸化亜鉛膜を基材上に形成する酸化亜鉛膜形成装置であって、
    基材に形成された導電層上に電解析出または化学析出により酸化亜鉛を含む析出物を形成する析出部と、
    前記析出物が形成された前記導電層上に酸化亜鉛の微粒子および溶媒を含む液状またはペースト状の膜形成材料を塗布する塗布部と、
    を備え、
    前記導電層上の膜形成材料から前記溶媒が除去されることにより、前記導電層上に多孔質の酸化亜鉛膜が形成されることを特徴とする酸化亜鉛膜形成装置。
  10. 請求項9に記載の酸化亜鉛膜形成装置であって、
    前記塗布部による膜形成材料の塗布後に、純水である補助液、または、亜鉛イオンを含む補助液を前記導電層上の膜形成材料に付与する補助液付与部をさらに備えることを特徴とする酸化亜鉛膜形成装置。
  11. 請求項9または10に記載の酸化亜鉛膜形成装置であって、
    亜鉛よりも貴な金属のイオンを含む溶液を前記酸化亜鉛膜に付与することにより、前記金属を前記酸化亜鉛膜に添加する金属添加部をさらに備えることを特徴とする酸化亜鉛膜形成装置。
  12. 請求項9ないし11のいずれかに記載の酸化亜鉛膜形成装置であって、
    前記基材が長尺であり、
    前記析出部において、電析槽にて貯溜される電析液中にて前記導電層に対する電解析出が行われ、
    前記酸化亜鉛膜形成装置が、
    前記導電層よりも比抵抗が小さい材料にて前記導電層上に形成される配線を覆うようにマスクを形成するマスク形成部と、
    前記基材の長手方向に連続する複数の部位を前記マスク形成部および前記電析槽に順次移動する移動機構と、
    を備え、
    前記析出部が、
    前記電析液中に浸漬される対極と、
    前記電析液中に浸漬される参照電極と、
    前記複数の部位の移動方向に関して前記マスク形成部の上流側にて前記配線に当接する当接部と、
    前記対極および前記参照電極に電気的に接続されるとともに、前記当接部および前記配線を介して前記導電層に電気的に接続され、前記参照電極と前記導電層との間に所定の電圧を付与して前記電析液中の前記導電層上に前記析出物を形成する電源部と、
    を備えることを特徴とする酸化亜鉛膜形成装置。
JP2008329755A 2008-12-25 2008-12-25 酸化亜鉛膜形成方法および酸化亜鉛膜形成装置 Expired - Fee Related JP5295751B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008329755A JP5295751B2 (ja) 2008-12-25 2008-12-25 酸化亜鉛膜形成方法および酸化亜鉛膜形成装置
US12/636,358 US8361831B2 (en) 2008-12-25 2009-12-11 Zinc oxide film forming method and apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008329755A JP5295751B2 (ja) 2008-12-25 2008-12-25 酸化亜鉛膜形成方法および酸化亜鉛膜形成装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010153193A JP2010153193A (ja) 2010-07-08
JP5295751B2 true JP5295751B2 (ja) 2013-09-18

Family

ID=42285438

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008329755A Expired - Fee Related JP5295751B2 (ja) 2008-12-25 2008-12-25 酸化亜鉛膜形成方法および酸化亜鉛膜形成装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8361831B2 (ja)
JP (1) JP5295751B2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011151430A2 (de) * 2010-06-02 2011-12-08 Kuka Systems Gmbh Fertigungseinrichtung und verfahren
US8628997B2 (en) * 2010-10-01 2014-01-14 Stion Corporation Method and device for cadmium-free solar cells
US8906732B2 (en) * 2010-10-01 2014-12-09 Stion Corporation Method and device for cadmium-free solar cells
JP2012109558A (ja) * 2010-10-29 2012-06-07 Kyocera Corp 光電変換素子および光電変換装置ならびに光電変換素子の製造方法
KR101549210B1 (ko) * 2010-11-30 2015-09-03 한국전자통신연구원 ZnO 템플릿을 이용한 TiO2 어레이 형성 방법
EP3158107A1 (en) * 2014-06-17 2017-04-26 Nuvosun, Inc. Chemical bath deposition system and method
JP2022524193A (ja) * 2019-03-08 2022-04-28 フイ・フアン・ホエ 電気化学はポリマーを生産します
KR20230020035A (ko) * 2021-08-02 2023-02-10 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0566212A (ja) 1991-09-09 1993-03-19 Hitachi Ltd 分極測定装置の電解槽
JP3148882B2 (ja) * 1995-03-27 2001-03-26 大阪市 酸化亜鉛膜の製造方法
JPH10140373A (ja) * 1997-02-04 1998-05-26 Canon Inc 酸化亜鉛薄膜の製造方法、それを用いた半導体素子基板及び光起電力素子
JPH1176714A (ja) 1997-09-04 1999-03-23 Chiyoda Manufacturing Co Ltd 洗浄装置に付設される濾過器
JP4081625B2 (ja) 1998-06-18 2008-04-30 松下電器産業株式会社 透明酸化亜鉛皮膜の作製方法
JP2001054756A (ja) 1999-08-18 2001-02-27 Idemitsu Kosan Co Ltd ペースト塗布装置、引出電極の形成方法および液晶素子
JP2002080998A (ja) * 2000-07-03 2002-03-22 Canon Inc 酸化亜鉛膜の製造装置、および酸化亜鉛膜の製造方法
JP2002055226A (ja) * 2000-08-07 2002-02-20 Nippon Sheet Glass Co Ltd 偏光素子及びその製造方法
JP2002153793A (ja) 2000-11-16 2002-05-28 Hitachi Industries Co Ltd ペースト塗布機
JP2002356400A (ja) * 2001-03-22 2002-12-13 Canon Inc 酸化亜鉛の針状構造体の製造方法及びそれを用いた電池、光電変換装置
JP3883120B2 (ja) * 2002-03-29 2007-02-21 財団法人名古屋産業科学研究所 色素増感太陽電池基体用の多孔質酸化亜鉛薄膜及び色素増感太陽電池の光電極材料用の酸化亜鉛/色素複合薄膜並びにこれらの製造方法、酸化亜鉛/色素複合薄膜を光電極材料に用いる色素増感太陽電池
WO2005078853A1 (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Bridgestone Corporation 色素増感型太陽電池
JP2005259514A (ja) 2004-03-11 2005-09-22 Bridgestone Corp 色素増感型太陽電池
US7981286B2 (en) 2004-09-15 2011-07-19 Dainippon Screen Mfg Co., Ltd. Substrate processing apparatus and method of removing particles
JP4381944B2 (ja) 2004-09-29 2009-12-09 大日本スクリーン製造株式会社 パーティクル除去方法および基板処理装置
JP4942013B2 (ja) 2005-07-20 2012-05-30 住友大阪セメント株式会社 スクリーン印刷用の酸化チタンペースト、そのペーストを用いた酸化チタン多孔質薄膜電極及び光電変換素子並びに酸化チタンペーストの製造方法
JP2007165653A (ja) 2005-12-14 2007-06-28 Ses Co Ltd 気泡除去方法及び気泡除去装置
JP4620599B2 (ja) 2006-02-06 2011-01-26 アクトファイブ株式会社 異物除去処理装置
JP4817378B2 (ja) 2006-09-07 2011-11-16 国立大学法人岐阜大学 酸化亜鉛多孔質電極の製造方法
JP4872861B2 (ja) * 2007-09-14 2012-02-08 旭硝子株式会社 プラズモン共鳴型光電変換素子および該製造方法
JP2011159729A (ja) * 2010-01-29 2011-08-18 Fujifilm Corp 導電性酸化亜鉛積層膜の製造方法、光電変換素子の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8361831B2 (en) 2013-01-29
JP2010153193A (ja) 2010-07-08
US20100167460A1 (en) 2010-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5295751B2 (ja) 酸化亜鉛膜形成方法および酸化亜鉛膜形成装置
JP5868751B2 (ja) 銀ナノワイヤ分散液の製造方法
JP5995906B2 (ja) 隔膜の製造方法、及び金属被膜の製造方法
US20100200408A1 (en) Method and apparatus for the solution deposition of high quality oxide material
CN108417722A (zh) 一种基于离子液添加剂的钙钛矿太阳电池的制备方法
KR20020032335A (ko) 도금 촉매
JP2007533125A (ja) 透明で伝導性の酸化物層を持つ基板を洗浄およびエッチングする方法並びに該方法を実施する装置
US20220199843A1 (en) Method of manufacturing a photovoltaic cell
JPH07500948A (ja) オーミックコンタクト及びオーミックコンタクトを有する光電池の製造方法
CN112768140A (zh) 一种氧化铝防护银纳米线透明电极及其制备方法与应用
US20100200060A1 (en) Solution based non-vacuum method and apparatus for preparing oxide materials
US20100200067A1 (en) Substrate for semiconductor device and method for its manufacture
JP2008150694A (ja) メッキシステム、メッキ方法、並びに、色素増感型太陽電池の製造システムおよび製造方法
JP2017160524A (ja) 光化学電極、及びその製造方法
US20100200413A1 (en) Solution deposition method and apparatus with partiphobic substrate orientation
US20100200411A1 (en) Method and apparatus for the solution deposition of oxide
JP3465872B2 (ja) 太陽電池用テルル化カドミウム膜の処理方法と処理装置
CN113943955B (zh) 一种铜电镀设备及方法
CN111270283A (zh) 一种无上电极水平电镀方法
JP2008184651A (ja) メッキシステムおよびメッキ方法
JP2008266689A (ja) 基材に金属薄膜を形成する方法及び金属薄膜形成装置
JP2016165674A (ja) 塗布装置および塗布方法ならびに光電変換装置の製造方法
JP2005194585A (ja) 基板の湿式処理方法及び基板処理装置
CN116208118B (zh) 柔性声表面波器件及其制备方法
JP2005171271A (ja) 堆積膜の形成方法、それを用いた光起電力素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110606

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130603

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130612

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees