JP4857355B2 - パターンマスク保持装置及び２つの保持システムを使用する方法 - Google Patents

Description

本発明はリソグラフィシステムに関する。

リソグラフィシステムは、露光プロセスを使用して基板にマスタパターンを転移するために使用される。リソグラフィシステムの例は、反射型又は透過型マスクレス、液浸、及びマスク式システムであるがこれらに限定されない。基板の例は、半導体ウェハ、フラットパネルディスプレイ基板、フレキシブルな基板等を含むがこれらに限定されない。静的又は能動的パターンジェネレータと相互作用する光はパターニングされる。このパターニングされた光は、基板上にフィーチャを形成するために露光プロセスの間に基板の１つ又は２つ以上の目標領域へ投影光学系を使用して投影される。

マスク式システムにおいては、投影光学系はしばしば、基板に投影されるパターンの寸法を４以上のファクタだけ減じ、これによりマスクをより製造及び検査しやすくする。パターン付マスクを使用するリソグラフィシステムは通常、露光プロセスの間にマスクを所定の位置に保持しかつマスクを迅速に解放させかつ別のマスクと交換させる真空固定装置を使用する。

露光プロセスの間にパターン付マスク及び基板を同時にスキャンするリソグラフィシステムは、露光スキャンの最初と最後にパターン付マスク及び基板を加速及び減速するためにステージを使用する。より高いスループットを達成するために、露光速度及び加速は、パターン付マスクを加速するために必要とされる力が、真空固定装置に対するパターン付マスクの滑りを生ぜしめるおそれがある点にまで常に増大した。加速の間の基板に対するパターン付マスクのあらゆる望ましくない移動は、基板にパターニングされたフィーチャに対するエラーを生ぜしめるおそれがある。

したがって、スキャニング露光プロセスの間にパターンジェネレータの位置を制御する、ステージシステムに対するパターンジェネレータの滑りを実質的に低減又は排除するために使用されることができるシステム及び方法が必要とされている。

本発明の実施態様は、パターン付マスク保持装置が設けられており、該パターン付マスク保持装置に結合された第１のパターン付マスク保持システムが設けられており、該第１のパターン付マスク保持システムが、パターン付マスクをパターン付マスク保持装置に解放可能に結合するようになっており、前記パターン付マスク保持装置に結合された第２のパターン付マスク保持装置が設けられており、該第２のパターン付マスク保持装置が、パターン付マスク保持装置にパターン付マスクを解放可能に結合するために、第１のパターン付マスク保持システムと同時に動作するようになっており、露光動作のスキャニング部分の間にパターン付マスク保持装置とパターン付マスクとを移動させる、パターン付マスク保持装置に結合された移動装置が設けられていることを特徴とする、システムを提供する。

１つの例において、検出器がパターンジェネレータを監視し、制御装置が第１及び第２のパターンジェネレータ保持システムの動作を制御し、検出器がパターンジェネレータの滑りを検出した場合に第１及び第２のパターンジェネレータ保持システムは同時に動作する。

本発明の別の実施形態は、（ａ）第１の保持システムを使用してパターン付マスクをパターン付マスク保持装置に保持するステップと、（ｂ）ステップ（ａ）と同時に、第２の保持システムを使用してパターン付マスクをパターン付マスク保持装置に保持する一方で、移動装置が、露光作業のスキャニング部分の間、パターン付マスク保持装置とパターン付マスクとを移動させているステップとを含む方法を提供する。

本発明の別の実施形態、特徴及び利点、並びに本発明の様々な実施形態の構造及び動作は、添付図面を参照して以下に詳細に説明される。

本発明が実施されることができる典型的なリソグラフィシステムを示している。 本発明が実施されることができる典型的なリソグラフィシステムを示している。 本発明の１つの実施態様による、リソグラフィシステムの断面のブロック図である。 本発明の１つの実施態様による、図３のリソグラフィシステムの概略図である。 本発明の１つの実施態様による、パターンジェネレータ保持システムの詳細を示している。 本発明の１つの実施態様による、パターンジェネレータ保持システムの詳細を示している。 本発明の１つの実施態様による、パターンジェネレータ保持システムの詳細を示している。

本明細書に添付されその一部を構成した添付図面は、本発明の様々な実施形態を例示しており、詳細な説明と相俟って、さらに発明の原理を説明するために及び当業者が発明を形成及び使用することを可能にするために働く。

以下に添付図面を参照して本発明を説明する。図面において、同じ参照符号は、同一の又は機能的に類似にエレメントを示している。さらに、参照符号の左側の数字は、その参照符号が最初に示されている図面番号を表している。

特定の構成及び配列が論じられるが、これは例示の目的にのみなされることが理解されるべきである。当業者は、本発明の精神及び範囲から逸脱することなくその他の構成及び配列が使用されることができることを認めるであろう。本発明は様々なその他の用途において使用されることができることも当業者に明らかになるであろう。

本発明の１つ又は２つ以上の実施態様は、例えば露光動作のスキャニング部分の間に、パターンジェネレータ及びパターンジェネレータ保持装置の移動の間にパターンジェネレータ保持装置に対するパターンジェネレータの滑りを排除又は実質的に減じるシステム及び方法を提供する。第１及び第２の例においては、このことは、パターンジェネレータをパターンジェネレータ保持装置に保持するために第１及び第２のパターンジェネレータ保持システムを使用して同時に（ａ）連続的に又は（ｂ）必要時に行われる。

これらの例において、第１のパターンジェネレータ保持システムは、パターンジェネレータをパターンジェネレータ保持装置に引き付けるために静電システムを使用し、第２のパターンジェネレータ保持システムは、パターンジェネレータをパターンジェネレータ保持装置に引き付けるために真空システムを使用する。

第１及び第２のパターンジェネレータ保持システムの必要に応じて同時の使用を利用する例において、監視装置はいつパターンジェネレータがパターンジェネレータ保持装置に対して滑っているかを検出する。滑りが検出されると、制御装置は第１及び第２のパターンジェネレータ保持システムを可能にする。

１つの例において、２つの保持システムを使用することにより、１つの保持システムしか使用しない慣用のシステムと比較して、押えつけ力が４０％〜５０％増大することができ、保持システムは、パターンジェネレータ保持装置のますます速い加速度及び速度の間、パターンジェネレータをパターンジェネレータ保持装置に十分に保持する。例えば、約８Ｇ（重力）以上の加速度である。

用語
明細書を通じて、“コントラスト装置”、“パターンジェネレータ”及び“パターンジェネレーティング装置”は、反射式及び透過式レチクル、マスク、液晶ディスプレイ、空間光変調器、グレーティング・ライト・バルブ、デジタルミラーデバイス、又はこの説明を読むことによって当業者に明らかになるような、パターンを光ビームに与えるために使用されることができるあらゆるその他の能動的又は受動的装置を含む。以下に説明する例においては、パターンジェネレータは、基板を露光するために物理的にスキャンされる。

また、“システム”又は“リソグラフィシステム”は、フォトリソグラフィ、直接描画リソグラフィ、マスクレスリソグラフィ、液浸リソグラフィ等を含む。

“光”又は“放射”は、特定の用途のために望ましいあらゆる波長を含むことを意味する。

本出願における“真空”は、パターンジェネレータを固定面に保持するためにパターンジェネレータにおける十分な吸引を用いる真空吸引システムを意味する。

本出願における“静電”は、第１及び第２の装置が互いに取り付けられるように、第２の装置の近くに配置された第１の装置に電気ポテンシャルを生ぜしめるシステムを意味する。

リソグラフィのための環境の概略
前記のように、リソグラフィの間、基板ステージに配置された基板は、パターンジェネレータステージに配置されたパターンジェネレータによって形成されたイメージ（例えばパターン）に曝される。いくつかの例においては、パターンジェネレータのアレイを使用することができる。イメージはリソグラフィ装置に配置された投影光学系によって基板に投影される。リソグラフィの場合には投影光学系が使用されるが、特定の用途に応じて種々異なるタイプの露光装置を使用することができる。例えば、当業者に知られているように、エキシマレーザ、Ｘ線、イオン、電子又は光子リソグラフィはそれぞれ異なる露光装置を必要とする。リソグラフィの特定の例はここでは例示のために論じられる。

パターンジェネレータは光をパターニングするためにリソグラフィシステムにおいて使用され、この光は、基板上にフィーチャを形成するために使用されるイメージを形成する。このような基板は、フラットパネルディスプレイ（例えば液晶ディスプレイ）、回路板、様々な集積回路等を製造する場合に使用されるものを含むことができる。このような用途のためにしばしば使用される基板は、半導体ウェハ又はフラットパネルディスプレイガラス基板である。本明細書は例示のために半導体ウェハに関して記載されているが、当業者が、この説明が、当業者に知られたその他のタイプの基板にも当てはまることを認識するであろう。

投影されたイメージは、基板の表面に堆積された層（例えばフォトレジスト）の特性を変化させる。これらの変化は、露光中に基板に投影されるイメージにおけるフィーチャに相当する。露光の後、表面は、パターニングされた層を形成するためにエッチングされることができる。パターンは、露光中に基板に投影されたフィーチャに相当する。次いで、このパターニングされた層は、基板内の下側に位置する構造層、例えば導電層、半導体層又は絶縁層の露光された部分を除去するか又はさらに処理するために使用される。次いで、所望のフィーチャが基板の表面又は様々な層に形成されるまでこのプロセスはその他のステップと共に繰り返される。

ステップ・アンド・スキャン技術は、狭幅なイメージングスリットを有する投影光学系に関連して働く。パターンジェネレータによって形成されたイメージで基板全体を一度に露光するのではなく、個々のフィールドが基板上に一度に１つずつイメージングスリットを介してスキャンされる。これは、スキャン中にイメージングスロットがフィールドを横切るように、基板に対してパターンジェネレータによって形成されたパターンを移動させることによって行われる。次いで、基板ステージは、パターンジェネレータによって形成されたパターンの多数のコピーを基板層上に露光させるために、フィールド露光の間にステップ移動させられる。この形式において、基板に投影されるイメージの画質が最大化される。

本発明が実施された典型的なリソグラフィシステム
図１は、本発明が実施された１つの典型的なリソグラフィシステム１００を示している。システム１００は、光源１０２と、照明光学系１０４と、ビームスプリッタ１０８と、パターンジェネレータ１０８と、保持装置１１０と、投影光学系１１２と、基板１１４とを含んでいる。１つの例において、パターンジェネレータ１１６はビームスプリッタ１０６とパターンジェネレータ１０８との間に配置されている。

上に簡単に説明したように、光源１０２からの放射ビーム１１８は、処理された放射ビーム１１８’がビームスプリッタ１０６に向けられる前に、照明光学系１０４を使用して処理される。この説明を読むことによって当業者に明らかになるように、放射ビーム１１８の処理は、放射ビーム１１８の拡張、均一化、焦点合わせ、又はあらゆるその他の光学的操作を含むことができる。

ビームスプリッタ１１８はビーム１１８’をパターンジェネレータ１０８に向け、このパターンジェネレータはパターニングされたビーム１２０を形成し、このビームは、ビーム１２０’を形成するためにビーム１２０が投影光学系１１２において処理された後に基板１１４に向けられる。

システム１００の移動装置１２２は保持装置１１０及びパターンジェネレータ１０８に連結されている。１つの例において、移動装置１２２は、矢印の方向に移動するステージである。移動装置１２２は、露光動作の間、保持装置１１０及びパターンジェネレータ１０８をスキャンするために使用される。当業者に知られているように、移動装置１２２は、基板１１４の全領域を露光するために露光プロセスの間移動する。スループットの要求が高くなるにしたがって、スキャン速度及び加速度が大きくなり、このことは、パターンジェネレータ１０８への保持装置１１０の高い押えつけ力及び／又はパターンジェネレータ１０８と保持装置１１０との間のより大きな摩擦とを要求する。これは、以下にさらに詳細に説明される本発明の実施態様を介して行われる。

本発明が実施された第２の典型的なリソグラフィシステム
図２は、本発明が実施された１つの典型的なリソグラフィシステム２００を示している。システム２００は、光源２０２と、照明光学系２０４と、パターンジェネレータ２０８と、保持装置２１０と、投影光学系２１２と、基板２１４とを含んでいる。この例において、パターンジェネレータ２０８は透過型パターンジェネレータである。

１つの例において、パターンジェネレータ２０８は、マスク式スキャニングリソグラフィシステムにおける透過型パターンマスク（又はレチクル）である。

上に簡単に説明したように、光源２０２からの放射ビーム２１８は、処理された放射ビーム２１８’がパターンジェネレータ２０８に向けられる前に照明光学系２０４を使用して処理される。この説明を読むことにより当業者に明らかになるように、放射ビーム２１８の処理は、放射ビーム２１８の拡張、均一化、焦点合わせ、又はあらゆるその他の光学的操作を含むことができる。パターンジェネレータ２０８はパターニングされたビーム２２０を形成し、このビームは、ビーム２２０’を形成するためにビーム２２０が投影光学系２１２において処理された後に基板２１４へ向けられる。

システム２００の移動装置２２２は保持装置２１０及びパターンジェネレータ２０８に連結されている。１つの例において、移動装置２２２は矢印の方向に移動するステージである。移動装置２２２は、露光動作の間に保持装置２１０及びパターンジェネレータ２０８をスキャンするために使用される。当業者に知られているように、移動装置２２２は、基板２１４の全領域を露光するために露光プロセスの間移動する。スループットの要求が高くなるにしたがって、スキャン速度及び加速度が大きくなり、このことは、パターンジェネレータ２０８への保持装置２１０の高い押えつけ力及び／又はパターンジェネレータ２０８と保持装置との間のより大きな摩擦を要求する。これは、以下にさらに詳細に説明される本発明の実施態様を介して行われる。

典型的なパターンジェネレータ保持装置
図３は、本発明の１つの実施態様による、リソグラフィシステム（図示せず）のセクションのブロック図である。このセクションは、パターンジェネレータ３０８と保持装置３１０とを有している。この実施態様において、保持装置３１０は、パターンジェネレータ保持装置３３０と、第１及び第２のパターンジェネレータ保持システム３３２及び３３４をそれぞれ有している。

１つの例において、第１及び第２のパターンジェネレータ保持システム３３２及び３３４は、パターンジェネレータ保持装置３３０の全移動範囲の間、同時に動作する。このことは、パターンジェネレータ保持装置３３０の高い加速度の間、パターンジェネレータ保持装置３３０におけるパターンジェネレータ３０８の滑りを排除又は著しく減じるために行われる。例えば、約８Ｇ（重力引張力）以上である。第１及び第２のパターンジェネレータ保持システム３３２及び３３４を使用することにより、パターンジェネレータ保持装置３３０にパターンジェネレータ３０８を固定する保持力は、１つのパターンジェネレータを使用する場合よりも著しく高められる。例えば、前記のように、力は４０％〜５０％増大されることができ、これは、パターンジェネレータ３０８と保持装置３１０との間の摩擦力も増大する。

別の例において、選択的な監視システム３３６及び制御システム３３８が第１及び第２のパターンジェネレータ保持システム３３２及び３３４に連結されている。この例において、監視システム３３６は、パターンジェネレータ保持装置３３０に対するパターンジェネレータ３０８のあらゆる移動（例えば滑り）を監視する。また、この例において、第１及び第２のパターンジェネレータ保持システム３３２及び３３４の同時動作は、滑りが検出された場合にのみ完全に動作するか又は使用可能にされる。

図４は、図３に示されたリソグラフィシステムのセクションの典型的な概略図を示している。パターンジェネレータ３０８の表面４４０は、ステージ４４４に連結されたチャック４４２に固定されている。この実施態様において、第１のパターンジェネレータ保持システム３３２は静電システムであり、第２のパターンジェネレータシステム３３４は真空システムである。パターンジェネレータ３０８の初期固定及び連続固定の間、パターンジェネレータ３０８をチャック４４２に対して保持するために、両システムはパターンジェネレータ３０８の表面４４０と相互作用する。

１つの例において、チャック４４２は、ゼロ膨張ガラス材料、セラミックス材料、Zerodur^（Ｒ）等から形成されることができる。用途の要求に応じて、チャック４４２はフレキシブル又は剛性であることができる。

典型的な第１のパターンジェネレータ保持システム
上述のように、第１のパターンジェネレータ保持システム３３２は１つ又は２つ以上の電極４４６を有しており、これらの電極は、電極４４６と表面４４０との間に引き付け電子ポテンシャルを生ぜしめるようにバイアスされている。１つの例において、電極４４６はチャック４４２内に配置されている。別の例において、電極４４６はチャック４４２の上側に配置されることができる。電極４４６がチャック４４２の上側に配置されている場合、電極は、漏洩を排除又は著しく低減するためにコーティングされるが、これは、電極４４６がチャック４４２内に配置されている場合には通常は不要である。

１つの例において、空気中での静電クランプに対する制限は、電極４４６と表面４４０との間のギャップを通るブレークスルー電圧によって決定される。どんなに高い電圧が電極４４６に印加されても、より低い電圧において空気ギャップに亘ってブレークスルー電圧が達せられるならば、クランピングは、そのより低い電圧が使用されているよりも良くなることはない。

１つの例において、最大締付け力は約０．３〜０．５ｂａｒである。締付け圧力（p_clamp）は以下の関係を用いてギャップにおける電界（Egap）に直接関連している：
Egap=sqrt(p_clamp・2/e0)
e0の誘電定数を備えている。ギャップにおける電圧（Vgap）は、単に電界にギャップを掛けたものである：
Vgap=Egap・dgap
dgapはギャップの高さである。すなわち、約３００Ｖのブレークスルー電圧を備えたこの例において（乾燥した空気において）、約３．５μｍ（０．３ｂａｒの場合）又は約２．８μｍ（０．５ｂａｒの場合）の最大ギャップが必要とされる。次いで、電極４４６における電圧は、ギャップと誘電体の厚さと定数との比に依存するが、通常は１００μｍのZerodur^（Ｒ）の場合には約３ｋＶ未満である。

１つの例において、レチクル又はマスクがパターンジェネレータ３０８として使用される場合、表面４４０はクロムパターン層を有している。クロムは、バイアス電極４４６によって生ぜしめられたポテンシャルに引き付けられる。

典型的な第２のパターンジェネレータ保持システム
１つの例において、第２のパターンジェネレータ保持システム３３４は、表面４４０と、１つ又は２つ以上の端部４４８との間に形成された真空吸引又は押えつけ力を使用する。これは、真空ライン４５４を介して矢印４５２の方向に吸引を生ぜしめる真空源４５０を使用して行われる。１つの例において、パターンジェネレータ３０８の迅速な解放が望まれるならば、真空源は流れを反転させ、端部４４８を介してパターンジェネレータ３０８の表面４４０を押し離すこともできる。

表面４４０のある部分が第１及び第２のパターンジェネレータ保持システム３３２及び３３４と相互作用するように示されているが、表面４４０のあらゆる量がこれらのシステムと相互作用することができる。すなわち、１つの例において、より複雑な真空ラインを使用することができる。

図５、図６及び図７は、本発明の１つの実施態様による第２のパターンジェネレータ保持システム３３４の詳細を示している。この実施態様において、メンブレン５６０がチャック４４２に連結されている。メンブレン５６０は、パターン表面４４０のより大きな表面積に亘って真空吸引を拡大するために使用され、前述のように、小さなギャップを介して真空吸引を行うのを助ける。

様々な例において、チャック４４２によって保持された電極４４６の代わりに、電極はメンブレン５６０に連結されているか又はメンブレン５６０に挿入されることができる。別の例において、メンブレン５６０は、電極によって生ぜしめられた電気ポテンシャルにも引き付けられる金属又は同様のコーティングを含むことができる。

１つの例において、真空吸引の拡大は、メンブレン５６０が多孔質であるように又は様々な開口又は穴７７４を有するように形成することによって行われる（図７参照）。

別の例において、真空吸引の拡大は、パターンジェネレータの様々な部分に真空吸引を向ける、メンブレン５６０におけるチャネル又は溝を使用して行われる。

それぞれの例において、真空吸引は端部４４８を介して生じ、メンブレン５６０の物理的特性を使用して拡大される。

メンブレン５６０は、部分５６４においてチャック４４２に、部分５６６において端部４４８に連結されており、部分５６８において切断されている。パターンジェネレータ３０８は、実質的に領域５５６においてメンブレン５６０を介してチャック４４２に締付けられている若しくは固定されている。選択的に、必要であれば、パターンジェネレータ３０８を接地するために接点５７０がメンブレン５６０に連結されることができる。

したがって、静電システム３３２によって加えられる静電力と真空システム３３４によって加えられる押さえ付け力とを使用することによって、より高い全体的な押えつけ力がパターンジェネレータ３０８に提供され、パターンジェネレータ３０８と保持装置３１０との間のより大きな摩擦が、より高いレベルの加速度、例えば８Ｇ以上においてパターンジェネレータ２０８が保持装置３１０において滑るのを阻止する。

図６は、パターンジェネレータがリソグラフィシステムのセクションに結合されていない場合の、本発明の１つの実施態様による、ステージ４４４と、チャック４４２と、メンブレン５６０との構成を示す斜視図である。

図７は、本発明の１つの実施態様によるメンブレン５６０を示している。この実施態様において、メンブレン５６０は、穴７７４と共に、第２のパターンジェネレータ保持システム３３４（図４）の端部４４８（図４）に近い開口若しくは領域７７６と、チャック４４２に対してメンブレン５６０を整合させるために使用される領域７７８とを有している。

結論
本発明の様々な実施態様が上に説明されているが、これらの実施態様は、限定ではなく、例として示されただけであることが理解されるべきである。発明の精神及び範囲から逸脱することなく形式及び詳細において様々な変更がなされることが当業者に明らかであろう。したがって、本発明の広さ及び範囲は、上述の典型的な実施態様のいずれによっても限定されるべきではなく、請求項及びその均等物に基づいて限定されるべきである。

１００，２００ システム、 １０２，２０２ 光源、 １０４，２０４ 照明光学系、 １０８ ビームスプリッタ、 １１０，２１０ 保持装置、 １１２，２１２ 投影光学系、 １１４，２１４ 基板、 １１６ パターンジェネレータ、 １１８，２１８ 放射ビーム、 １２０，２２０ ビーム、 １２２，２２２ 移動装置、 ２０８，３０８ パターンジェネレータ、 ３１０ 保持装置、 ３３０ パターンジェネレータ保持装置、 ３３２，３３４ パターンジェネレータ保持システム、 ３３６ 監視システム、 ３３８ 制御システム、 ４４０ 表面、 ４４２ チャック、 ４４４ ステージ、 ４４６ 電極、 ４４８ 端部、 ４５０ 真空源、 ４５４ 真空ライン、 ５５６ 領域、 ５６０ メンブレン、 ５６４，５６６，５６８ 部分、 ７７４ 穴、 ７７６ 開口若しくは領域、 ７７８ 領域

Claims (19)

1. パターン付マスク保持装置が設けられているシステムにおいて、
   該パターン付マスク保持装置に結合された第１のパターン付マスク保持システムが設けられており、該第１のパターン付マスク保持システムが、パターン付マスクをパターン付マスク保持装置に解放可能に結合するようになっており、
   前記パターン付マスク保持装置に結合された第２のパターン付マスク保持システムが設けられており、該第２のパターン付マスク保持システムが、パターン付マスクをパターン付マスク保持装置に解放可能に結合するために、第１のパターン付マスク保持システムと同時に動作するようになっており、
   露光動作のスキャニング部分の間にパターン付マスク保持装置とパターン付マスクとを移動させる、パターン付マスク保持装置に結合された移動装置が設けられており、
   前記第１のパターン付マスク保持システムが、１つ又は２つ以上の電極を有する静電システムを含んでおり、前記電極は、前記電極とパターン付マスクとの間の反対静電電荷が相互に引き合うようにバイアスされており、
   前記静電システムによって生成された前記反対静電電荷を引き付ける金属のコーティングを含むメンブレンが、前記パターン付マスク保持装置に設けられている、
   システム。
2. 第２のパターン付マスク保持システムが真空システムを含んでいる、
   請求項１記載のシステム。
3. 前記メンブレンを介して真空システムがパターン付マスクに相互作用する、
   請求項２記載のシステム。
4. 真空システムが、パターン付マスク保持装置の表面の実質的な部分に亘って真空吸引を生ぜしめる、
   請求項２又は３記載のシステム。
5. 移動装置がステージを含んでおり、
   パターン付マスク保持装置が、前記ステージとパターン付マスクとに結合されたチャックを含んでいる、
   請求項１記載のシステム。
6. 前記チャックが、ゼロ膨張ガラス、Zerodur^（Ｒ）、又はセラミックス材料から形成されている、
   請求項５記載のシステム。
7. パターン付マスクを監視する検出器が設けられており、
   第１及び第２のパターン付マスク保持システムの動作を制御する制御装置が向けられており、前記検出器がパターン付マスクの滑りを検出した場合に第１及び第２のパターン付マスク保持システムが同時に動作するようになっている、
   請求項１記載のシステム。
8. 移動装置が、パターン付マスク保持装置とパターン付マスクとを８Ｇまでの加速度で移動させる、
   請求項１記載のシステム。
9. パターン付マスクを保持するパターン付マスク保持装置が設けられているシステムにおいて、
   該パターン付マスク保持装置の移動の間にパターン付マスク保持装置に対するパターン付マスクの滑りを監視する監視システムが設けられており、該監視システムが、滑りが検出された場合に結果信号を発生するようになっており、
   パターン付マスクをパターン付マスク保持装置に解放可能に結合する、パターン付マスク保持装置に結合された第１のパターン付マスク保持システムが設けられており、
   パターン付マスクをパターン付マスク保持装置に解放可能に結合する、パターン付マスク保持装置に結合された第２のパターン付マスク保持システムが設けられており、
   前記結果信号に基づいて第１又は第２のパターン付マスク保持システムの一方又は両方を使用可能にする制御装置が設けられており、
   前記第１のパターン付マスク保持システムが、１つ又は２つ以上の電極を有する静電システムを含んでおり、前記電極は、前記電極とパターン付マスクとの間の反対静電電荷が相互に引き合うようにバイアスされており、
   前記静電システムによって生成された前記反対静電電荷を引き付ける金属のコーティングを含むメンブレンが、前記パターン付マスク保持装置に設けられている、
   システム。
10. 第２のパターン付マスク保持システムが真空装置を含んでいる、
    請求項９記載のシステム。
11. 前記メンブレンを介して真空装置がパターン付マスクと相互作用するようになっている、
    請求項１０記載のシステム。
12. 前記真空装置が、パターン付マスク保持装置の表面の実質的な部分に亘って真空吸引を生ぜしめるようになっている、
    請求項１０又は１１記載のシステム。
13. パターン対マスク保持装置が、
    ステージと、
    該ステージとパターン付マスクとに結合されたチャックと、を含んでいる、
    請求項１０記載のシステム。
14. チャックが、ゼロ膨張ガラス、Zerodur^（Ｒ）、又はセラミックス材料から形成されている、
    請求項１３記載のシステム。
15. パターン付マスク保持装置が８Ｇまでの加速度で移動する、
    請求項１０記載のシステム。
16. 方法において、
    （ａ）第１の保持システムを使用してパターン付マスクをパターン付マスク保持装置に保持し、
    （ｂ）ステップ（ａ）と同時に、第２の保持システムを使用してパターン付マスクをパターン付マスク保持装置に保持する一方で、移動装置が、露光作業のスキャニング部分の間、パターン付マスク保持装置とパターン付マスクとを移動させ、
    ステップ（ａ）が、第１の保持システムとして、１つ又は２つ以上の電極を有する静電システムを使用すること、前記電極が、前記電極とパターン付マスクとの間の反対静電電荷が相互に引き合うようにバイアスされていること、前記パターン付マスク保持装置に設けられたメンブレンが、前記静電システムによって生成された前記反対静電電荷を引き付ける金属のコーティングを有すること、を含む、
    方法。
17. ステップ（ｂ）が、第２の保持システムとして真空システムを使用することを含む、
    請求項１６記載の方法。
18. 移動の間にパターン付マスク保持装置に対するパターン付マスクの滑りを監視し、
    滑りが検出された場合に第１及び第２の保持システムの動作を制御することを含む、
    請求項１６記載の方法。
19. パターン付マスク保持装置とパターン付マスクとの移動が、約８Ｇまでの加速度で生じる、
    請求項１６記載の方法。