JP4844772B2 - 単結晶引下げ方法 - Google Patents
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- 底部が閉塞された閉塞部となる円筒形状を有し、前記閉塞部を前記円筒形状の内部から外部に貫通する貫通孔を有する坩堝、の内部に保持された前記坩堝に対して濡れ性の低い原材料融液を前記貫通孔から漏出させ、漏出した前記原材料融液に、前記原材料融液が結晶化する際の結晶方位を定めるシードを接触させ、前記シードを所定の引下げ軸に沿って引き下げることによって前記シードを基点として成長する単結晶を得る単結晶の引下げ方法であって、
前記貫通孔の開口部が形成される前記坩堝における開口部の形成面に対して前記シードにおける前記原材料融液との接触面を接触させ、
前記貫通孔に棒状の形状制御棒の先端部を挿入した状態で、前記坩堝の内部に保持された原材料を溶融して前記原材料融液を生成し、
前記坩堝の前記開口部の形成面に前記シードの接触面を当接させた状態で、前記形状制御棒に所定の動作を実施させて前記原材料融液を前記貫通孔に送り込み、
前記貫通孔に送り込まれた前記原材料融液を前記シードの前記接触面に接触させ、
前記シードを前記所定の引下げ軸に沿って引下げ、
前記形状制御棒の先端部は前記坩堝の内部より前記貫通孔に向けて挿脱され、前記貫通孔の前記開口部の形成面より前記所定の引下げ軸の上方において前記所定の動作が為されるように前記形状制御棒の動作範囲が規制され、
前記所定の動作は、前記形状制御棒の前記所定の引下げ軸の延在方向についての上下動、前記所定の引下げ軸を中心とする回動、及び振動、或いはこれらの組み合わせの少なくとも何れかの動作であることを特徴とする単結晶の引下げ方法。 - 前記シードにおいて前記原材料融液と接触可能な前記接触面の大きさは前記貫通孔の前記開口部よりも広いことを特徴とする請求項1に記載の単結晶の引下げ方法。
- 前記形状制御棒は前記坩堝と同じ材料から形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の単結晶の引下げ方法。
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