JP4833509B2 - 波長可変レーザ、波長可変レーザアレイ素子ならびにそれらの制御方法 - Google Patents

波長可変レーザ、波長可変レーザアレイ素子ならびにそれらの制御方法 Download PDF

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本発明は、波長可変レーザ、波長可変レーザアレイ素子ならびにそれらの制御方法に関し、特に、電流注入により光出力・発振波長が制御される波長可変レーザとその制御方法に関するものである。
近年、WDM(Wavelength division multiplex)システムの急速な発展によって光通信ネットワークにおけるトラフィックの容量が拡大しており、扱われる波長数は100以上にもなっている。そこで、ネットワーク幹線の接続点では、同一波長信号の衝突を防ぐために、検出された波長ラベルに応じて信号波長を切り換える波長ラベルスイッチングの導入が考えられている。この波長ラベルスイッチングを行うためには、マイクロ秒以下で波長切換を行う波長可変レーザが望まれている。
波長可変レーザには、電気的に波長を制御する方式と温度により波長を制御する方式とがあるが、前者は波長制御部分へのキャリア注入による屈折率変化を利用していることから、原理的にはマイクロ秒オーダーの高速波長可変動作が可能である。
このような電流注入型の波長可変レーザの例として、図8に、従来の波長可変DBR(Distributed Bragg reflector)レーザの共振器方向における縦断面図を示す。波長可変レーザ80は、活性領域81、波長可変領域82、増幅領域83を有し、活性領域81、増幅領域83はそれぞれ活性層84、85を含んでいる。活性層84、85の近傍に導波路層86、87を有しており、波長可変領域82内における導波路層88の表面には回折格子89が形成されている。活性領域81、増幅領域83の上部表面には活性領域電流注入用電極90、増幅領域電流注入用電極91を、また波長可変領域82の上部表面には波長可変電流注入用電極92を有しており、また、全体の下部表面には裏面電極93を有している。
図9に、波長可変領域への電流注入量(波長可変電流)と発振波長との関係の例を示す。電流注入量の増加と共に発振波長は短くなり、波長可変電流100mAにおいて−5nmの波長変化が得られている。
次に、波長可変レーザを用いた従来の波長可変レーザモジュールの構成例を図10に示す。図10は波長可変レーザモジュールを上から見た模式図である。波長可変レーザモジュール100において、活性領域101と波長可変領域102、増幅領域103を有する波長可変レーザ100Aから出射されたレーザ光は、レンズ105およびアイソレータ106を経て分岐器107に到達し、一部が分岐されて光出力モニタ104により検出される。また、分岐器107で分岐された残りの光は、分岐器108に到達し、一部が分岐されて所定の波長を透過させる波長フィルタ109を通り、波長モニタ110により検出される。これらの部品は、温度調整器111上に搭載されている。光出力モニタ104のモニタ出力は、第一電流制御部112を通じて増幅領域103にフィードバックされる。また、波長モニタ110のモニタ出力は、第二電流制御部113を通じて波長可変領域102にフィードバックされる。なお、分岐器108で分岐された残りの光は、光ファイバ114を通して外部に導波される。
電流注入型の波長可変レーザにおける問題点として、電流注入に伴って発生した熱がレーザの発振波長に影響を及ぼすことが挙げられる。この点に関して、たとえば特許文献1に示されている波長可変レーザの駆動方法においては、波長可変電流と波長との温度依存性にもとづいて、予等化信号により波長可変電流を制御することにより、波長再現性の良い波長切換を行う方法が示されている。
特開平7−111354
ところで、光源の対応波長の広域化という観点から、複数の波長可変レーザを同一基板上に集積した波長可変レーザアレイ素子が注目されている。波長可変レーザアレイ素子においては、適宜一つの波長可変レーザを選択し、活性領域および波長可変領域に電流注入を行うことにより、30nm以上の広い範囲での波長変化を得ることが可能となる。このような波長可変レーザアレイ素子において高速な波長切換を実現しようとする場合、特許文献1に示されたような方法では、非常に複雑な補償回路が必要となり、コストが上がるという問題があった。
また、本発明者らは、波長可変レーザに関する以下のような問題点を見出した。従来の電流注入型の波長可変レーザの過渡的な温度変化について実験を行ったところ、図11(a)に示すような波長可変領域への波長可変電流の急峻な変化に伴って、図11(b)に示すようなマイクロ秒オーダーの温度揺らぎが観測された。この揺らぎのため、所定波長に波長ロックを行うための時間が10ミリ秒程度必要となり、マイクロ秒以下の高速波長可変動作を困難にしていることがわかった。
また本発明者らは、別の問題点として、波長可変レーザの経時劣化により、同一電流注入に対する波長可変幅が小さくなることに着目した。図12(a)に、初期状態および劣化状態における発振波長の波長可変電流依存性の例を示す。また、図12(b)は、図10に示した波長可変レーザモジュールにおける波長フィルタ109の透過特性として、波長モニタ110により検出される電流値を縦軸にとり、波長を横軸にとったグラフである。たとえば、初期状態において、100mAの波長可変電流に対してITU−grid 193.65THz(1548.115nm)が得られているのに対し、劣化により初期状態からの発振波長のずれが大きくなると、別の周波数193.6THz(1548.515nm)に波長ロックが行われてしまうことがある。このように、従来の波長可変レーザモジュールにおいては、波長可変レーザの経時劣化により発振波長の制御に支障をきたすという問題があった。
以上に鑑み、本発明は、複雑な外部補償回路等を用いることなくマイクロ秒以下の高速な波長可変動作を可能にすること、また、波長可変レーザの経時劣化の影響を受けずに安定した発振波長制御を可能にすることを目的とする。
上記目的を達成する第1の発明にかかる波長可変レーザの制御方法は、所定波長の光を発光させる活性領域と電流注入量を変化させて前記活性領域から発光された光の波長を変化させる波長可変領域を有する波長可変レーザの制御方法において、波長制御のための前記波長可変領域への電流注入量変化の前後で前記波長可変レーザ内部の熱量を一定に保つことを特徴とする。
また、上記発明において、電流注入量を変化させて前記波長可変領域で波長が変化された光を増幅する増幅領域を有し、光出力制御のための前記増幅領域への電流注入量変化の前後で前記波長可変レーザ内部の熱量を一定に保つことを特徴とする。
また、上記発明において、波長可変レーザ内部の熱量を一定に保つために、ヒータを用いることを特徴とする。
また、上記発明において、ヒータは少なくとも前記波長可変領域への電流注入量変化の前後または前記増幅領域への電流注入量変化の前後に加熱状態にあることを特徴とする
上記目的を達成する第2の発明にかかる波長可変レーザアレイ素子の制御方法は、所定波長の光を発光させる活性領域と電流注入量を変化させて前記活性領域から発光された光の波長を変化させる波長可変領域を有する波長可変レーザ部を複数集積した波長可変レーザアレイ素子の制御方法において、波長制御のための前記波長可変領域への電流注入量変化の前後または前記複数の波長可変レーザ部の間で動作を切り替える前後において前記波長可変レーザアレイ素子内部の熱量を一定に保つことを特徴とする。
また、上記発明において、電流注入量を変化させて前記波長可変領域で波長が変化された光を増幅する増幅領域を有し、光出力制御のための前記増幅領域への電流注入量変化の前後で前記波長可変レーザアレイ内部の熱量を一定に保つことを特徴とする。
また、上記発明において、波長可変レーザアレイ素子内部の熱量の総和を一定に保つために、ヒータを用いることを特徴とする。
また、上記発明において、ヒータは少なくとも、前記波長可変レーザ部の波長制御のための前記波長可変領域への電流注入量変化の前後または前記複数の波長可変レーザ部の間で動作を切り替える前後または前記増幅領域への電流流入量変化の前後に加熱状態にあることを特徴とする。
また、上記発明において、波長可変レーザアレイ素子内部の熱量を一定に保つために、少なくとも一つの発光に寄与しない波長可変レーザ部の波長可変領域に、前記波長可変レーザ部の波長制御のための前記波長可変領域への電流注入量変化の前後または前記複数の波長可変レーザの間で動作を切り替える前後には電流を注入しておくことを特徴とする。
また、上記発明において、増幅領域を複数有しており、前記波長可変レーザアレイ素子内部の熱量を一定に保つために、少なくとも一つの発光に寄与しない波長可変レーザ部に接続されている増幅領域に、前記波長可変レーザ部の波長制御のための前記波長可変領域への電流注入量変化の前後または光出力制御のための前記増幅領域への電流注入量変化の前後または前記複数の波長可変レーザ部の間で動作を切り替える前後には電流を注入しておくことを特徴とする。
上記目的を達成する第3の発明にかかる波長可変レーザは、所定波長の光を発光させる活性領域と電流注入量を変化させて前記活性領域から発光された光の波長を変化させる波長可変領域を有する波長可変レーザにおいて、波長制御のための前記波長可変領域への電流注入量変化の前後で前記波長可変レーザ内部の熱量を一定に保つための手段を備えることを特徴とする。
また、上記発明において、電流注入量を変化させて前記波長可変領域で波長が変化された光を増幅する増幅領域を有し、光出力制御のための前記増幅領域への電流注入量変化の前後で前記波長可変レーザ内部の熱量を一定に保つための手段を備えることを特徴とする。
また、上記発明において、前記波長可変レーザ内部の熱量を一定に保つための手段としてヒータを有することを特徴とする。
上記目的を達成する第4の発明にかかる波長可変レーザアレイ素子は、所定波長の光を発光させる活性領域と電流注入量を変化させて前記活性領域から発光された光の波長を変化させる波長可変領域を有する波長可変レーザ部を複数集積した波長可変レーザアレイ素子において、波長制御のための前記波長可変領域への電流注入量変化の前後または前記複数の波長可変レーザ部の間で動作を切り替える前後で前記波長可変レーザアレイ素内部の熱量の総和を一定に保つための手段を備えることを特徴とする。
また、上記発明において、電流注入量を変化させて前記波長可変領域で波長が変化された光を増幅する増幅領域を有し、光出力制御のための前記増幅領域への電流注入量変化の前後で前記波長可変レーザアレイ素子内部の熱量の総和を一定に保つための手段を備えることを特徴とする。
また、上記発明において、前記波長可変レーザアレイ素子内部の熱量の総和を一定に保つための手段としてヒータを有することを特徴とする。
上記目的を達成する第5の発明にかかる波長可変レーザモジュールは、所定波長の光を発光させる活性領域と電流注入量を変化させて前記活性領域から発光された光の波長を変化させる波長可変領域を有する波長可変レーザと熱量調整素子を有することを特徴とする。
上記目的を達成する第6の発明にかかる波長可変レーザモジュールは、所定波長の光を発光させる活性領域と電流注入量を変化させて前記活性領域から発光された光の波長を変化させる波長可変領域を有する波長可変レーザ部を複数集積した波長可変レーザアレイ素子と熱量調整素子を有することを特徴とする。
上記目的を達成する第7の発明にかかる波長可変レーザモジュールは、所定波長の光を発光させる活性領域と電流注入量を変化させて前記活性領域から発光された光の波長を変化させる波長可変領域を有する波長可変レーザの発振波長を検出する第一および第二の波長モニタと、前記第一の波長モニタの出力にもとづいて前記波長可変領域への電流注入を制御する電流制御部と、前記第二の波長モニタの出力にもとづいて前記波長可変レーザの温度を制御する温度制御部を備えたことを特徴とする。
上記目的を達成する第8の発明にかかる波長可変レーザモジュールは、所定波長の光を発光させる活性領域と電流注入量を変化させて前記活性領域から発光された光の波長を変化させる波長可変領域を有する波長可変レーザ部を複数集積した波長可変レーザアレイ素子の発振波長を検出する第一および第二の波長モニタと、前記第一の波長モニタの出力にもとづいて前記波長可変領域への電流注入を制御する電流制御部と、前記第二の波長モニタの出力にもとづいて前記波長可変レーザアレイ素子の温度を制御する温度制御部を備えたことを特徴とする。
第1の発明にかかる波長可変レーザの制御方法によれば、波長切換時もしくは光出力切換時における波長可変レーザ内部の過渡的な温度揺らぎが抑制されるため、マイクロ秒以下の高速波長可変動作が可能となる。
また、第2の発明にかかる波長可変レーザアレイ素子の制御方法によれば、上記の請求項1の発明と同様な効果に加えて、同一基板上に形成された複数の波長可変レーザ部間の動作切換時、具体的には波長制御時及び光出力制御時における波長可変レーザアレイ素子の過渡的な温度揺らぎが抑制される。したがって、複雑な外部の温度補償回路等を必要とせずに、広い波長範囲におけるマイクロ秒以下の高速波長可変動作を実現することが可能となる。
また、第3の発明にかかる波長可変レーザによれば、外部の温度補償回路等を必要とせずに波長可変レーザ内部の過渡的な温度揺らぎを抑制することができるため、低コストでマイクロ秒以下の高速波長可変動作が可能な波長可変レーザを提供することができる。
また、第4の発明にかかる波長可変レーザアレイ素子によれば、外部の複雑な温度補償回路等を必要とせずに、広い波長範囲でのマイクロ秒以下の高速波長可変動作が可能な波長可変レーザアレイ素子を提供することができる。
また、第5乃至第8の発明にかかる波長可変レーザモジュールにおいては、波長可変レーザまたは波長可変レーザアレイ素子内部の過渡的な温度揺らぎを抑制することができるとともに、波長可変レーザまたは波長可変レーザアレイ素子の経時劣化に伴う発振波長ずれを抑制することができる。したがって、マイクロ秒以下の高速波長可変動作が可能で、かつ長期間にわたって安定した高精度の波長ロックを行うことのできる波長可変レーザモジュールを提供することができる。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
[実施形態1]
図1は、本発明の実施形態1に係る波長可変レーザの上面図である。波長可変レーザ1は、活性領域2、波長可変領域3および増幅領域4を有し、それぞれの領域に電流を注入するための電極5、6および7を有している。また、これらの領域で発生する熱量を調整するためのヒータ8、9および10を備えている。活性領域2は、バンドギャップ組成波長1550nmのバルク半導体からなり、領域長Lは400μmとする。波長可変領域3はバンドギャップ組成波長1400nmのバルク半導体からなり、領域長Lは500μmとする。波長可変領域3には周期240nmの回折格子が形成されているものとする。増幅領域4は、活性領域2と同様のバルク半導体からなり、領域長Lは600μmである。ヒータ8、9および10は厚さ0.2μmのTi/Ptにより形成されている。
この波長可変レーザを動作させる場合において、あらかじめヒータ8、9および10を加熱することにより熱量W2、W3およびW4を与えておく。また、波長切換(波長制御)または光出力切換(光出力制御)時の電流注入により活性領域2、波長可変領域3および増幅領域4に熱量W12、W13およびW14が発生するものとする。ここで、波長切換または光出力切換時に、ヒータ8〜10に与える熱量を調整することによって、切換の前後で波長可変レーザ内部の熱量、さらに好ましくは各領域の熱量が変化しないようにする。なお、発生する熱量は、各領域を構成する材料の電気抵抗値を用いてあらかじめ決めておく。
具体的な動作例を説明する。初期状態として、活性領域2、波長可変領域3、増幅領域4への電流注入がそれぞれ100mA、0mA、100mAの状態で動作しているとする。また、ヒータ8、9、10には100mA、200mA、100mAの電流を供給しておく。この状態で、光出力30mW、発振波長1550nmが得られているとものする。
ここで、発振波長を−5nmシフトさせたい場合、波長可変領域3に100mAの電流を注入する必要がある。この電流注入に伴う波長可変領域3での熱量変化は+0.12Wである。そこで、波長可変領域において熱量が−0.12W変化するように、ヒータ9への供給電流を200mAから100mAに減少させる。
また、上記の初期状態から光出力をオフにしたい場合、増幅領域4への電流注入をゼロにする必要がある。この電流減少に伴う増幅領域4での熱量変化は−0.12Wとなる。そこで、増幅領域において熱量が+0.12W変化するように、ヒータ10への供給電流を100mAから200mAに増加させる。
以上のように、本実施形態1では、活性領域および波長可変領域のそれぞれに近接してヒータを設け、波長切換または光出力切換の前後において各領域での熱量変化がないように、ヒータへの供給電流を変化させることを特徴としているため、波長可変レーザ内部の過渡的温度揺らぎを抑制し、マイクロ秒以下の高速波長可変動作を可能とすることができる。
なお、熱量を一定に保つための手段は本実施形態1に示したようなヒータに限られるものではなく、たとえばペルチェ素子などであっても良い。
[実施形態2]
本発明の実施形態2として、波長可変レーザアレイ素子およびその制御方法について説明する。図2は本実施形態2に係る波長可変レーザアレイ素子を表す模式図である。基板20上に波長可変領域D1〜D4および活性領域A1〜A4が形成されており、これらの領域は導波路21によって、同じく基板20上に形成された増幅領域Sに接続されている。また、これらの領域に電流を注入するための電極ED1〜ED4、EA1〜EA4を備えている。活性領域Sは、活性領域A1〜A4により生じたレーザ光を増幅するためのものであり、電流注入のための電極ESを備えている。以上の各活性領域、各波長可変領域には、実施形態1で示したものと同様なヒータHA1〜HA4、HD1〜HD4、HSを有している。
この波長可変レーザアレイ素子を動作させる場合においても、実施形態1と同様に、あらかじめヒータHA1〜HA4、HD1〜HD4、HSを加熱することにより所定の熱量を与えておく。また、波長切換(波長制御)または光出力切換(光出力制御)時の電流注入により活性領域A1〜A4、波長可変領域D1〜D4および増幅領域Sにある熱量が発生するものとする。ここで、波長切換または光出力切換時に、ヒータHA1〜HA4、HD1〜HD4、HSに与える熱量を調整することによって、切換の前後で波長可変レーザアレイ素子内部の熱量、さらに好ましくは各領域の熱量が変化しないようにする。なお、発生する熱量は、各領域を構成する材料の電気抵抗値を用いてあらかじめ決めておく。
実施形態2では、別途設けたヒータを用いて波長可変レーザアレイ素子内部の熱量が変化しないようにしたが、ヒータを用いる代わりに発光に寄与しない波長可変レーザ部の波長可変領域にあらかじめ電流を注入して所定の熱量を与えておき、波長切換または光出力切換時にこれらに与える熱量を調整することによって、切換の前後で波長可変レーザアレイ素子内部の熱量、または各領域の熱量が変化しないようにすることもできる。また、増幅領域を複数有している波長可変レーザアレイ素子の場合には、発光に寄与しない波長可変レーザ部に接続されている増幅領域にあらかじめ電流を注入して所定の熱量を与えておき、波長切換または光出力切換時にこれらに与える熱量を調整することによって、切換の前後で波長可変レーザアレイ素子内部の熱量、または各領域の熱量が変化しないようにすることもできる。
[実施形態3]
実施形態3として、本発明を用いた波長可変レーザモジュールならびにその制御方法について説明する。図3は、本実施形態3に係る波長可変レーザモジュール内部構造を表す縦断面図である。この波長可変レーザモジュール30は、波長可変レーザ31、熱量調整素子32、レンズ33、光出力/波長モニタ34を備えており、これらはTEC(Thermoelectric cooler)などの温度調整器35上に配置されている。熱量調整素子32は、小型ヒータあるいはペルチェ素子などにより構成されており、波長可変レーザ31に近接して配置される。36はレーザ光をモジュール外部に導波するための光ファイバである。なお、波長可変レーザ31は従来のものでよい。
波長可変レーザ31の波長可変領域に注入される電流を変化させて波長切換を行う場合、波長可変レーザ31から温度調整器35に流入する熱量W31と熱量調整素子32から温度調整器35に流入する熱量W32との和が、波長切換の前後において一定となるように、熱量調整素子32への供給電流を変化させる。なお、供給電流の変化量は、波長可変領域への電流量に対応させて、あらかじめ決めておく。
また、波長可変レーザ31の活性領域に注入される電流を変化させて光出力切換を行う場合においても同様に、波長可変レーザ31から温度調整器35に流入する熱量W31と熱量調整素子32から温度調整器35に流入する熱量W32との和が、光出力切換の前後において一定となるように、熱量調整素子32への供給電流を変化させる。
以上のように、本実施形態3では熱量調整素子を用いて波長可変レーザに出入りする熱量を一定に保つようにしたため、波長可変レーザの過渡的温度揺らぎが抑制され、マイクロ秒オーダーの高速波長可変動作が可能となる。
なお、本実施形態3では従来の波長可変レーザを用い、これに隣接して熱量調整素子を設けたことを特徴とする波長可変レーザモジュールについて示したが、熱量調整素子を用いずに本発明の実施形態1に示した波長可変レーザを用いることによっても、同様な効果を得ることができる。
また、本実施形態3で用いた波長可変レーザ31の代わりに、従来の波長可変レーザアレイ素子を用いた波長可変レーザモジュールにおいても同様な効果を得ることが出来る。
さらに、熱量調整素子を用いずに本発明の実施形態2に示した波長可変レーザアレイ素子を用いることによっても、同様な効果を得ることができる。
[実施形態4]
本発明の実施形態4として、波長可変レーザモジュールおよびその制御方法の他の形態例について説明する。本実施形態4に係る波長可変レーザモジュールは、実施形態3に示した波長可変レーザモジュールと同様に、熱量調整素子が設けられており、さらに、波長可変レーザの経時劣化に伴う波長の不安定性を抑制するために以下の特徴を有している。
図4は、本実施形態4に係る波長可変レーザモジュールの内部構造を上から見た図である。この波長可変レーザモジュール40は、活性領域41、波長可変領域42および増幅領域43を有する波長可変レーザ44、熱量調整素子60、レンズ45、アイソレータ46、第一〜第三分岐器47〜49、第一波長フィルタ50および第二波長フィルタ51、第一波長モニタ52および第二波長モニタ53、光出力モニタ54をTECなどの温度調整器55上に備えている。第一分岐器47は波長可変レーザ44から入射した光のうち3%を第二分岐器48側に、残りの97%を第三分岐器49側に出射するものとし、第二分岐器48は第一分岐器47側から入射した光の50%を光出力モニタ54側に、残りの50%を第一波長フィルタ50側に出射するものとし、また、第三分岐器49は第一分岐器47側から入射した光のうち2%を第二波長フィルタ51側に、残りの98%を光ファイバ56側に出射するものとする。また、この波長可変レーザモジュール40はさらに第一電流制御部57、第二電流制御部58および温度制御部59を備えている。第一電流制御部57は、光出力モニタ54の検出電流値にもとづいて増幅領域43への電流注入を制御する。第二電流制御部58は、第一波長モニタ52の検出電流値にもとづいて波長可変領域42への電流注入を制御する。また、温度制御部59は、第二波長モニタ53の検出電流値にもとづいて温度調整器55への供給電流を制御する。
この波長可変レーザモジュール40の制御方法について、以下に説明する。波長可変レーザ44が、活性領域41への電流注入100mA、波長可変領域42への電流注入50mA、増幅領域43への電流注入100mA、温度調整器55の温度25℃で動作しており、光ファイバ56端出力20mW、発振波長ITU−Grid 193.65THz(1548.115nm)が得られているものとする。このとき光出力モニタ54の検出電流値が150μAであるとし、一定波長動作中もしくは波長可変動作前後において、この検出電流が一定となるように、活性領域43への電流注入を第一電流制御部57により制御する。
波長可変レーザ44・第一波長フィルタ50・第一波長モニタ52・第一電流制御部57は、波長可変レーザ44の波長を比較的広い範囲内で制御するための構成である。第一波長フィルタ50の透過特性として、第一波長モニタ52により検出される電流値を縦軸にとり、波長を横軸にとったグラフを図5に示す。この第一波長フィルタ50の透過特性は比較的ブロードな波長依存性0.05μA/GHzを有している。波長可変レーザ44の発振波長を1548nm近傍に保つため、第一波長モニタ52で検出される電流値が一定値100μAとなるように、第二電流制御部58により波長可変領域42への電流注入を調整するものとする。波長可変領域42の経時劣化により発振波長が短波長化してたとえば1547.9nmとなった場合、第一波長モニタ52の検出電流が110μAに上昇する。そこで、波長可変領域への電流注入を50mAから53mAに増加させることにより、第一波長モニタの検出電流が100μAに保たれるように調整する。
波長可変レーザ44・第二波長フィルタ51・第二波長モニタ53・温度制御部59は、波長可変レーザ44の波長を高精度に制御するための構成である。第二波長フィルタ51の透過特性として、第二波長モニタ53により検出される電流値を縦軸にとり、波長を横軸にとったグラフを図6に示す。この第二波長フィルタ51の透過特性は、急峻な波長依存性5μA/GHzを有している。発振波長をITU−Grid 193.65THz(1548.115nm)に保つため、第二波長モニタ53で検出される電流値が一定値150μAに保たれるように、温度制御部59により温度調整器55の温度を調整するものとする。なお、前に説明したように、第一波長フィルタ・第一波長モニタ・第一電流制御部を用いた広い波長範囲での調整が行われているため、波長がたとえば図6の点Pから点Rまで大きくずれることはなく、正確な波長ロックが可能である。
上記のように、本実施形態4では、波長可変レーザの経時劣化等による発振波長の大きなずれに対しては波長可変領域への電流注入による制御を行い、小さなずれの補正については温度による制御を行うこととしたため、両者の制御を共に電流注入で行うような場合に懸念される制御ループ同士の干渉が起こらず、安定した波長制御を行うことができる。
また、熱量調整素子60は必須ではないが、本実施形態4では熱量調整素子60を備えているため、マイクロ秒以下の高速波長可変動作が可能となる効果は、実施形態3に示した波長可変レーザモジュールの場合と同様である。
ところで、本実施形態4の変形例として、波長可変レーザ44の温度制御と波長モニタの温度制御を独立して行うと、発振波長の制御に伴って生じる温度変化が波長モニタの感度に影響しなくて済むため、より好ましい。この場合の波長可変レーザモジュールの内部構造を上から見た図を図7に示す。波長可変レーザ44および熱量調整素子60は第一温度調整器55a上に設けられ、第一波長モニタ52、第二波長モニタ53および光出力モニタ54は第二温度調整器55b上に設けられている。その他の構成については、図4と同様である。
また、本実施形態4で用いた波長可変レーザ44の代わりに、波長可変レーザアレイ素子を用いた波長可変レーザモジュールにおいても同様な効果を得ることが出来る。
本発明の実施形態1に係る波長可変レーザの上面図である。 本発明の実施形態2に係る波長可変レーザアレイ素子を表す模式図である。 本発明の実施形態3に係る波長可変レーザモジュール内部構造を表す縦断面図である。 本発明の実施形態4に係る波長可変レーザモジュールの内部構造を上から見た図である。 本発明の実施形態4における第一波長フィルタの透過特性を示すグラフである。 本発明の実施形態4における第二波長フィルタの透過特性を示すグラフである。 本発明の実施形態4の変形例に係る波長可変レーザモジュールの内部構造を上から見た図である。 従来の波長可変レーザの共振器方向における縦断面図である。 波長可変電流の注入量と発振波長との関係の例を示すグラフである。 従来の波長可変レーザモジュールの構成例を示す横断面模式図である。 従来の波長可変レーザにおける過渡的温度揺らぎを説明するグラフであり、(a)は、波長可変電流の時間変化を示し、(b)は波長可変レーザ温度の時間変化を示す。 (a)は、可変電流の注入量と発振波長との関係の例を示すグラフである。(b)は、図10に示した波長フィルタの透過特性である。
符号の説明
1 波長可変レーザ
2 活性領域
3 波長可変領域
4 増幅領域
5、6、7 電極
8、9、10 ヒータ
20 基板
21 導波路
30 波長可変レーザモジュール
31 波長可変レーザ
32 熱量調整素子
33 レンズ
34 光出力/波長モニタ
35 温度調整器
40 波長可変レーザモジュール
41 活性領域
42 波長可変領域
43 増幅領域
44 波長可変レーザ
45 レンズ
46 アイソレータ
47、48、49 分岐器
50 第一波長フィルタ
51 第二波長フィルタ
52 第一波長モニタ
53 第二波長モニタ
54 光出力モニタ
55 温度調整器
56 光ファイバ
57 第一電流制御部
58 第二電流制御部
59 温度制御部
60 熱量調整素子
70 波長可変レーザモジュール
71 波長可変レーザ
72 熱量調整素子
73 第一温度調整器
74 第一波長モニタ
75 第二波長モニタ
76 第二温度調整器
80 波長可変レーザ
81 活性領域
82 波長可変領域
83 増幅領域
84、85 活性層
86、87、88 導波路層
89 回折格子
90 活性領域電流注入用電極
91 増幅領域電流注入用電極
92 波長可変領域電流注入用電極
93 裏面電極
100 波長可変レーザモジュール
100A 波長可変レーザ
101 活性領域
102 波長可変領域
103 増幅領域
104 光出力モニタ
105 レンズ
106 アイソレータ
107、108 分岐器
109 波長フィルタ
110 波長モニタ
112 第一電流制御部
113 第二電流制御部
W2、W3、W4 熱量
W12、W13、W14 熱量
W31、W32 熱量

Claims (8)

  1. 所定波長の光を発光させる活性領域と電流注入量を変化させて前記活性領域から発光された光の波長を変化させる波長可変領域を有する波長可変レーザ部を複数集積した波長可変レーザアレイ素子の制御方法において、
    前記各波長可変レーザ部の前記活性領域及び波長可変領域にそれぞれ第1のヒータ及び第2のヒータを有し、
    あらかじめ前記第1のヒータ及び第2のヒータを加熱することにより前記活性領域及び波長可変領域にそれぞれ所定の熱量を与えておき、
    前記波長可変領域への電流注入量の変化又は前記複数の波長可変レーザ部の間での動作の切り替えにより前記波長可変領域又は活性領域の熱量が増加又は減少する場合、前記増加分の熱量が元に減少するように又は前記減少分の熱量が元に増加するように、前記第1のヒータ又は第2のヒータへの供給電流を減少又は増加させて調整する、
    ことを特徴とする波長可変レーザアレイ素子の制御方法。
  2. 電流注入量を変化させて前記波長可変領域で波長が変化された光を増幅する増幅領域を有し、前記増幅領域に第3のヒータを有し、
    あらかじめ前記第3のヒータを加熱することにより前記増幅領域に所定の熱量を与えておき、
    前記増幅領域への電流注入量の変化により前記増幅領域の熱量が増加又は減少する場合、前記増加分の熱量が元に減少するように又は前記減少分の熱量が元に増加するように、前記第3のヒータへの供給電流を減少又は増加させて調整する、
    ことを特徴とする請求項1に記載の波長可変レーザアレイ素子の制御方法。
  3. 少なくとも一つの発光に寄与しない波長可変レーザ部の波長可変領域に、前記波長可変領域への電流注入量変化の前後または前記複数の波長可変レーザ部の間で動作を切り替える前後には電流を注入しておくことを特徴とする請求項1又は2に記載の波長可変レーザアレイ素子の制御方法。
  4. 前記増幅領域を複数有しており、少なくとも一つの発光に寄与しない波長可変レーザ部に接続されている増幅領域に、前記波長可変領域への電流注入量変化の前後または前記増幅領域への電流注入量変化の前後または前記複数の波長可変レーザ部の間で動作を切り替える前後には電流を注入しておくことを特徴とする請求項2又は3に記載の波長可変レーザアレイ素子の制御方法。
  5. 所定波長の光を発光させる活性領域と電流注入量を変化させて前記活性領域から発光された光の波長を変化させる波長可変領域を有する波長可変レーザ部を複数集積した波長可変レーザアレイ素子において、
    前記各波長可変レーザ部の前記活性領域及び波長可変領域にそれぞれ第1のヒータ及び第2のヒータを有し、
    あらかじめ前記第1のヒータ及び第2のヒータを加熱することにより前記活性領域及び波長可変領域にそれぞれ所定の熱量を与えておき、
    前記波長可変領域への電流注入量の変化又は前記複数の波長可変レーザ部の間での動作の切り替えにより前記波長可変領域又は活性領域の熱量が増加又は減少する場合、前記増加分の熱量が元に減少するように又は前記減少分の熱量が元に増加するように、前記第1のヒータ又は第2のヒータへの供給電流を減少又は増加させて調整する手段を備えている、
    ことを特徴とする波長可変レーザアレイ素子。
  6. 電流注入量を変化させて前記波長可変領域で波長が変化された光を増幅する増幅領域を有し、前記増幅領域に第3のヒータを有し、
    あらかじめ前記第3のヒータを加熱することにより前記増幅領域に所定の熱量を与えておき、
    前記増幅領域への電流注入量の変化により前記増幅領域の熱量が増加又は減少する場合、前記増加分の熱量が元に減少するように又は前記減少分の熱量が元に増加するように、前記第3のヒータへの供給電流を減少又は増加させて調整する手段を備えていることを特徴とする請求項5に記載の波長可変レーザアレイ素子。
  7. 請求項5又は6に記載の波長可変レーザアレイ素子と、
    前記波長可変レーザアレイ素子に近接して配置され、前記波長可変レーザアレイ素子に出入りする熱量を一定に保つ熱量調整素子と、
    を有することを特徴とする波長可変レーザモジュール。
  8. 温度調整器と、
    前記温度調整器上に設けられた請求項5又は6に記載の波長可変レーザアレイ素子と、
    前記温度調整器上に設けられ、前記波長可変レーザアレイ素子の発振波長を検出する第一および第二の波長モニタと、
    前記第一の波長モニタの出力にもとづいて前記波長可変領域への電流注入を制御する電流制御部と、
    前記第二の波長モニタの出力にもとづいて前記温度調整器の温度を制御する温度制御部と、
    を有することを特徴とする波長可変レーザモジュール。
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