JP6328040B2 - 波長可変光源、波長可変光源の制御方法、及び波長可変光源の製造方法 - Google Patents
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Description
上記の特許文献1による制御手法では、波長切替前後で半導体レーザチップによる総発熱量は一定に保たれるが、半導体レーザチップ内の半導体レーザ部と熱補償領域の発熱量がそれぞれ変化するので、半導体レーザチップ内及び半導体レーザチップ周辺の熱分布が変化する。これにより温度観測素子(サーミスタ)における温度が変化し、時定数が大きく立ち上がりが遅いペルチェ素子の動作特性により緩やかな温度変動が生じ、波長がドリフトしてしまうという課題があった。
制御素子上に配置されたレーザサブマウントと、前記レーザサブマウント上に半導体基板
を介して配置され出射光の波長を任意に変化させることができる半導体レーザと、前記レ
ーザサブマウント上に配置された熱補償領域と、前記レーザサブマウント上において前記
半導体基板と前記熱補償領域との間に配置された温度観測素子であって、観測した温度が
前記温度制御素子によって一定に制御される温度観測素子と、波長切替の前後にそれぞれ
前記半導体レーザへ投入される第1及び第2の電力と、前記第1及び第2の電力による発
熱量の変化を打ち消すものとして前記波長切替の前後にそれぞれ前記熱補償領域へ投入さ
れる第3及び第4の電力とを予め求めて記憶しておき、動作時において、前記半導体レー
ザと前記熱補償領域に対し、前記波長切替前にはそれぞれ前記第1及び第3の電力を投入
し、前記波長切替後にはそれぞれ前記第2及び第4の電力を投入する制御部とを備え、前記電力が、前記波長切替前後の前記電力を与える、前記半導体レーザ及び前記熱補償領域それぞれの印加電流値とこれに伴う電圧値か、又は印加電圧値とこれに伴う電流値の組み合わせで構成され、前記第1及び第2の電力の差が、前記第3及び第4の電力差に逆極性で等しく、前記制御部は、前記第1及び第2の電力として前記半導体レーザの印加電流又は印加電圧を変化させるタイミングで、前記第3及び第4の電力として前記熱補償領域への印加電圧又は電流を変化させ、前記半導体基板上に、前記半導体レーザが並列に2つ以上形成され、前記レーザサブマウント上に、前記熱補償領域が複数個配置され、前記熱補償領域の各々の両端には電極対が設けられ、前記複数の電極対の各々の一方は電気スイッチに接続され、前記電極対の各々の他方は電源と接続されており、前記制御部は、前記半導体レーザの内の使用する半導体レーザに応じて、予め取得した前記波長切替前後における前記温度観測素子の温度変化が最も小さくなる熱補償領域を選択するように前記電気スイッチを切替える。
実施の形態1.
図1に、本発明の実施の形態1における構成図を示す。この制御装置は、温度制御素子としての例えばペルチェ素子1と、このペルチェ素子1上に配置されたレーザサブマウント2とを備え、このレーザサブマウント2上にはさらに、半導体基板3、抵抗4、及び温度観測素子としての例えばサーミスタ5と、半導体基板3上に形成された半導体レーザ6と、抵抗4の両端において抵抗4と電気的に接続されるように形成された電極対7とが配置されている。また、電極対7には制御部8が接続されている。
二点間の熱抵抗θは次式で表される。
θ=L/(λ×A) 式(1)
但し、Lは熱が伝達する経路に沿った二点間の距離、λは熱が伝達する物質の熱伝導率、Aは熱が伝達する経路の断面積である。
なお、ペルチェ素子1は、サーミスタ5から得られる温度情報を基に、レーザサブマウント2上のサーミスタ5の温度が一定になるように制御を行っている。なお、この制御回路は周知であるので、特に説明は割愛するとともに図示も省略している。
これは、抵抗4の抵抗値が分かっているので計算で求めることができる。すなわち、切替前の投入電力の総和W1と、切替後の投入電力の総和W2とが等しく且つ抵抗4への波長切替前後の投入電力の差分(WR1−WR2)が、上記の半導体レーザ6への投入電力の差分(WL1−WL2)(0.3−0.15=0.15W)と同一値で逆極性となるように、波長切替前後の電圧及び電流を求める。
これは、表1の例では、波長切替前後で、半導体レーザ6への投入電力が0.15Wから0.3Wへ増加しており、抵抗4への投入電力は0.2Wから0.05Wへ減少しているが、半導体レーザ6への投入電力が減少する場合(λ1>λ2)は、減少量を補償する分だけ抵抗4への投入電力を増加させればよいことを示している。
なお、この例では、定電圧源を想定して印加電圧の切替えによる波長切替を行ったが、定電流源を使用して、注入電流の切替えによる波長切替を行っても良い。すなわち、半導体レーザ6へIL1、抵抗4へIR1を注入している状態から、半導体レーザ6への注入電流をIL2に切替えるタイミングで抵抗4に流れる電流をIR2に切替えても良い。
本実施の形態においては、波長切替の前後で、半導体レーザ6への投入電力の増加分だけ抵抗4への投入電力が減少しているか、若しくは、半導体レーザ6への投入電力の減少分だけ抵抗4への投入電力が増加しており、かつ、半導体レーザ6−サーミスタ5間の熱抵抗θ1と、抵抗4−サーミスタ5間の熱抵抗θ2が等しいので、サーミスタ5における温度は一定に保たれる。
切替動作については、半導体レーザ6と抵抗4の駆動条件(電圧・電流)の切替が厳密に同時ではなくても、切替のタイミング差が、サーミスタ5の温度を検知してペルチェ素子1の駆動条件にフィードバックする回路の応答速度より短ければよい。
図3に本発明の実施の形態2における構成図を示す。本実施の形態2は、実施の形態1の変形例であり、半導体基板3上に半導体レーザ6から出射される光をガイドする光導波路10、及びこの光導波路10を進行する光が入力する光増幅部11が配置されている。サーミスタ5の配置は、半導体レーザ6への注入電流量変化に伴う光増幅部11の電流量の変化も考慮して決める。
すなわち、光増幅部11は一般に定電圧動作するので、上記の表1からこの光増幅部11の電流値・電圧値を引いた値で半導体レーザ6を制御すればよいことになる。
図4に本発明の実施の形態3における構成図を示す。本実施の形態は、実施の形態1の変形例であり、レーザサブマウント2上に抵抗サブマウント9が配置され、抵抗サブマウント9上に抵抗4及び電極対7が配置されている。二点間の熱抵抗は上記の式(1)で表わされるため、半導体基板3のサイズ及び熱伝導率と抵抗サブマウント9のサイズ及び熱伝導率が等しければ、半導体レーザ6からサーミスタ5までの距離と、抵抗4からサーミスタ5までの距離が等しいときに、半導体レーザ6とサーミスタ5の間の熱抵抗θ1と、抵抗4とサーミスタの間の熱抵抗θ2が等しくなる。
図5に、実施の形態4の構成図を示す。本実施の形態は、実施の形態1の変形例であり、半導体基板3上に半導体レーザ101〜103が形成されている。半導体レーザ6はそれぞれ出射波長が異なっており、これらを使い分けることで出射可能な波長範囲を拡大できる。なお、半導体レーザ6の個数は2個でもよく、3個以上でも良い。
図6に、実施の形態5の構成図を示す。本実施の形態は実施の形態4の変形例であり、レーザサブマウント2上に抵抗201〜203が配置され、抵抗201〜203の両端には電極対301〜303がそれぞれ設けられ、電極対301〜303と制御部8とが接続されている。また、電極対301〜303の一方の電極はスイッチ12に接続されている。
これにより、波長切替前後におけるサーミスタ5の温度変化を抑制できるので、波長ドリフトを抑制できる。なお、抵抗4の個数は2個でもよく、3個以上でも良い。また、抵抗4の個数は半導体レーザ6の個数と異なっていても良い。
Claims (8)
- 温度制御素子と、
前記温度制御素子上に配置されたレーザサブマウントと、
前記レーザサブマウント上に半導体基板を介して配置され出射光の波長を任意に変化させることができる半導体レーザと、
前記レーザサブマウント上に配置された熱補償領域と、
前記レーザサブマウント上において前記半導体基板と前記熱補償領域との間に配置された温度観測素子であって、観測した温度が前記温度制御素子によって一定に制御される温度観測素子と、
波長切替の前後にそれぞれ前記半導体レーザへ投入される第1及び第2の電力と、前記第1及び第2の電力による発熱量の変化を打ち消すものとして前記波長切替の前後にそれぞれ前記熱補償領域へ投入される第3及び第4の電力とを予め求めて記憶しておき、動作時において、前記半導体レーザと前記熱補償領域に対し、前記波長切替前にはそれぞれ前記第1及び第3の電力を投入し、前記波長切替後にはそれぞれ前記第2及び第4の電力を投入する制御部とを備え、
前記電力が、前記波長切替前後の前記電力を与える、前記半導体レーザ及び前記熱補償領域それぞれの印加電流値とこれに伴う電圧値か、又は印加電圧値とこれに伴う電流値の組み合わせで構成され、前記第1及び第2の電力の差が、前記第3及び第4の電力差に逆極性で等しく、前記制御部は、前記第1及び第2の電力として前記半導体レーザの印加電流又は印加電圧を変化させるタイミングで、前記第3及び第4の電力として前記熱補償領域への印加電圧又は電流を変化させ、
前記半導体基板上に、前記半導体レーザが並列に2つ以上形成され、
前記レーザサブマウント上に、前記熱補償領域が複数個配置され、前記熱補償領域の各々の両端には電極対が設けられ、前記複数の電極対の各々の一方は電気スイッチに接続され、前記電極対の各々の他方は電源と接続されており、
前記制御部は、前記半導体レーザの内の使用する半導体レーザに応じて、予め取得した前記波長切替前後における前記温度観測素子の温度変化が最も小さくなる熱補償領域を選択するように前記電気スイッチを切替える波長可変光源。 - 前記半導体レーザと前記温度観測素子との間の第1の熱抵抗と、前記温度観測素子と前記熱補償領域との間の第2の熱抵抗とが等しい請求項1に記載の波長可変光源。
- 前記半導体基板上において、前記半導体レーザには、前記半導体レーザから出射される光をガイドする光導波路と、前記光導波路を進行する光を増幅する光増幅部とが形成されており、前記第1及び第2の電力が、それぞれ前記光増幅部の一定電力を引いた値である請求項1の波長可変光源。
- 前記レーザサブマウントと前記熱補償領域との間に抵抗サブマウントが配置されており、前記第1及び第2の熱抵抗が等しくなるように前記抵抗サブマウントの材質及びサイズ又はこれらの一方が選択されている請求項2に記載の波長可変光源。
- 前記熱補償領域が抵抗であり、前記温度制御素子がペルチェ素子又はヒータであり、前記温度観測素子がサーミスタ又は熱ダイオードである
請求項1から4のいずれか一つに記載の波長可変光源。 - 前記レーザサブマウントがセラミック、シリコン材質、合成樹脂材質、金属材質である請求項1から4のいずれか一つに記載の波長可変光源。
- 温度制御素子と、
前記温度制御素子上に配置されたレーザサブマウントと、
前記レーザサブマウント上に半導体基板を介して配置され出射光の波長を任意に変化させることができる半導体レーザと、
前記レーザサブマウント上に配置された熱補償領域と、
前記レーザサブマウント上において前記半導体基板と前記熱補償領域との間に配置された温度観測素子であって、観測した温度が前記温度制御素子によって一定に制御される温度観測素子と、
制御部とを備え、
前記半導体基板上に、前記半導体レーザが並列に2つ以上形成され、
前記レーザサブマウント上に、前記熱補償領域が複数個配置され、前記熱補償領域の各々の両端には電極対が設けられ、前記複数の電極対の各々の一方は電気スイッチに接続され、前記電極対の各々の他方は電源と接続された波長可変光源の制御方法であって、
前記制御部が、予め記憶された、波長切替の前後にそれぞれ前記半導体レーザへ投入される第1及び第2の電力と、前記第1及び第2の電力による発熱量の変化を打ち消すものとして前記波長切替の前後にそれぞれ前記熱補償領域へ投入される第3及び第4の電力を、動作時において、前記半導体レーザと前記熱補償領域に対し、前記波長切替前にはそれぞれ前記第1及び第3の電力を投入し、前記波長切替後にはそれぞれ前記第2及び第4の電力を投入し、
前記電力が、前記波長切替前後の前記電力を与える、前記半導体レーザ及び前記熱補償領域それぞれの印加電流値とこれに伴う電圧値か、又は印加電圧値とこれに伴う電流値の組み合わせで構成され、前記第1及び第2の電力の差が、前記第3及び第4の電力差に逆極性で等しく、前記制御部は、前記第1及び第2の電力として前記半導体レーザの印加電流又は印加電圧を変化させるタイミングで、前記第3及び第4の電力として前記熱補償領域への印加電圧又は電流を変化させ、
前記制御部は、前記半導体レーザの内の使用する半導体レーザに応じて、予め取得した前記波長切替前後における前記温度観測素子の温度変化が最も小さくなる熱補償領域を選択するように前記電気スイッチを切替える波長可変光源の制御方法。 - 温度制御素子と、
前記温度制御素子上に配置されたレーザサブマウントと、
前記レーザサブマウント上に半導体基板を介して配置され出射光の波長を任意に変化させることができる半導体レーザと、
前記レーザサブマウント上に配置された熱補償領域と、
前記レーザサブマウント上において前記半導体基板と前記熱補償領域との間に配置された温度観測素子であって、観測した温度が前記温度制御素子によって一定に制御される温度観測素子と、
制御部とを備え、
前記半導体基板上に、前記半導体レーザが並列に2つ以上形成され、
前記レーザサブマウント上に、前記熱補償領域が複数個配置され、前記熱補償領域の各々の両端には電極対が設けられ、前記複数の電極対の各々の一方は電気スイッチに接続され、前記電極対の各々の他方は電源と接続された波長可変光源の製造方法であって、
波長切替前後にそれぞれ前記半導体レーザへ投入される第1及び第2の電力を測定し、
前記第1及び第2の電力による発熱量の変化を打ち消すものとして前記波長切替の前後にそれぞれ前記熱補償領域へ投入される第3及び第4の電力を取得し、
前記第1から第4の電力を、前記波長切替を行うときに前記半導体レーザと前記熱補償領域にそれぞれ与える電力として予め前記制御部に記憶しておき、
前記電力が、前記波長切替前後の前記電力を与える、前記半導体レーザ及び前記熱補償領域それぞれの印加電流値とこれに伴う電圧値か、又は印加電圧値とこれに伴う電流値の組み合わせで構成され、前記第1及び第2の電力の差が、前記第3及び第4の電力差に逆極性で等しく、前記制御部は、前記第1及び第2の電力として前記半導体レーザの印加電流又は印加電圧を変化させるタイミングで、前記第3及び第4の電力として前記熱補償領域への印加電圧又は電流を変化させ、
前記制御部は、前記半導体レーザの内の使用する半導体レーザに応じて、予め取得した前記波長切替前後における前記温度観測素子の温度変化が最も小さくなる熱補償領域を選択するように前記電気スイッチを切替える波長可変光源の製造方法。
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