JP4825396B2 - レティクル記憶検索システム - Google Patents
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Description
関連出願とのクロスリファレンス
本出願は35USC§119(e)に基づき2000年7月6日に出願された暫定特許出願(出願番号60/216,194)を基礎とする優先権主張を行うものである。当該基礎となる特許出願の開示内容は本願に参照のため付帯されている。
合衆国後援研究開発に関する記述
該当しない。
【0002】
発明の背景
集積半導体回路の製造においては、フォトリトグラフィー処理のそれぞれについて異なるレティクルを繰り返し取り扱うことが必要とされる多くのフォトリトグラフィー処理が行われる。前記レティクルには半導体ウェーハー上へ形成されるパターン状のマスクが含まれている。フォトリトグラフィー処理の回数によっては、半導体製造クリーンルームには数百あるいは数千のレティクル及びウェーハーが記憶されなければならない。製造過程における最も重要な構成要素であるため、レティクルには損失、損傷及び汚染に対する高度な防護性能が望まれる。もしフォトリトグラフィー処理において何らかの破損が生じた場合は、長時間にわたる装置の空転、生産性の減退及び製品出荷日の不履行等の手痛い結果を齎すこととなる。従って、レティクルを記憶し検索する安全かつ効率的な方法が望まれている。
【0003】
本記憶検索システムは単一記憶装置中のすべてのレティクルを記憶検索するように設計されている。従来システムにおいては、装置に重大な破損が起こると少なくとも一時的に製作作業が不能となり、装置内に記憶されたすべてのレティクルの記録が消滅してしまう。これら従来型記憶装置には二次元線形マトリックスあるいはグリッド型配置状に材料を記憶するベイが含まれている。クリーンルーム内製造作業に必要なすべての材料を記憶するためには大形の記憶装置が必要となる。記憶装置の高さにはクリーンルームの天井による限界があるため、該装置の長さは必要な記憶ベイを収容するに十分な長さとしなければならない。従って、該装置にはクリーンルームの設計及びレイアウトに好ましくない制約を与える大形のフットプリントが必要とされる。
【0004】
前記ベイから記録されたデータを検索するために検索装置が用いられる。しかしながら、検索装置は記憶装置を全面的に相当な距離移動する必要があるため、検索処理期間中における検索装置の反復性能に問題が生ずる。特に、検索装置はマトリックス中の各ベイへの正確な移動において問題を抱えている。不正確な移動はマトリックス中の望まれた位置へ達した時に検索装置の調整不良を起こしデータアクセスを試みる際に損傷を生ずる可能性がある。前記検索装置はグリッド外端の位置へと移動するので、これら不正確な移動は一層倍加されデータへ重大な損傷を与える可能性が大きく増大する。さらに、前記記憶装置の比較的短く広い非相称構成のためにこれら装置の隅々にわたる空気流の維持においてさえも困難な問題が生ずる。より詳細に言えば、前記空気流が等質でないために、汚染物質が空気の循環が不十分なグリッドの一部へと蓄積し、空気循環が多すぎると乱流によって汚染物質が生成される。その結果、装置のこれらの部位における記憶データへの損傷可能性が高まる。
【0005】
記憶データ上に蓄積し汚染する粒子を防止するため記憶データ上へ濾過空気を持続的に流すことが好ましい。クリーンルーム設備の設計における一つの目的として記憶データ上へ等質な濾過空気を供給することがある。一般的に半導体クリーンルーム設備において濾過空気を流す方向は垂直方向であり、濾過空気は天井からクリーンルーム内へ入り込み、垂直方向に下側へと移動し、次いで有孔な床面を通過して出て行く。床面あるいはその付近から排出し空気によって運ばれる汚染物質を抑えクリーンルーム内への粒子の放出を最少とするためには空気流を使用する装置が好ましく、かかる装置を用いることによって隣接する設備が放出された空気からの汚染物質あるいは粒子へ晒される危険性を減じることが可能となる。殆どの処理装置は、装置上部を開放するかあるいは穴を開けまた底面へ濾過空気を通過させるための排気システムを備えて構成し、清浄な濾過空気の主供給源としてはクリーンルーム内への自然な空気の垂直流を用いている。
【0006】
前記処理装置の記憶室内における空気流の質に関してさらに制御が要求されるならば、前記装置中の配管及びフィルターエレメントを介して加圧空気を与え、「使用時管理」フィルターを用いて前記データ付近に濾過空気を発生させることもしばしば行われる。より詳細には、ある種の装置ではファン(あるいはブロワー)及びフィルターエレメントを備えるサブシステムあるいはモジュールが備えられている。ファンフィルター装置(FFUs)として知られる前記サブシステムは空気流をさらに制御するものである。前記ファンは空気をフィルターエレメント素材を通過させる正の圧力を発生する。多くのFFUs装置はブロワー出力の調整能あるいは可変制御能を有し、この性能により発生空気の圧力及び速度双方の制御が可能となる。
【0007】
FFUsは、一般的にはブロワーは、平面フィルターエレメントのすぐ後部へ配置され該フィルターエレメントのみを介して排気するようにされたハウジング中にファン出力が封入されるようにモジュール中へ一緒に内装される。FFUsは次いで空気流を下方へ向ける頂部取り付け装置あるいは水平空気流を発生する側部取り付け装置として前記装置中へ設置される。大きな表面積を有するフィルター上へ一様に空気を発生させるブロワーはその性能によりしばしばフィルターを出る際の空気流速度が一定でなくなる。大面積をフィルターで覆う必要があるシステムにおいては、通常複数のFFUsを列状に組み合わせて噴き出す空気の等質性を満たしている。
【0008】
クリーンルーム設計における他の目的は、等質な空気流がフィルターエレメント表面を離れた後システム全体に移動することを確実にすることである。不等質で乱れた空気流があるかあるいは空気流が殆どないか全くない記憶室内の区域は非対称な容積、空気流の方向へ与えられる変化、複数の空気流の方向及び無制御な排気により生ずるものである。いくつかの既知システムでは周辺環境に対する正の内圧が発生し維持されるようにFFUsを組み入れて排気量を調節している。その結果として、前記記憶室内への汚染物質の移動が減じられている。
【0009】
しかしながら、これら既知システムは記憶検索システムにおける記憶室の高アスペクト比容積内に要求される濾過空気の等質な流れを起こすことはできない。かかる記憶室内においては、垂直方向の流れは記憶室の棚に水平に保管されたレティクルあるいは基板底面上への粒子の蓄積を防止することはできない。同様に、レティクル端部上を移動する空気流は前記レティクルの汚染及び損傷へと繋がる乱流をしばしば起こす。
【0010】
また、上側記憶室中のレティクル上に存在する粒状汚染物質が追い出されるかもしれない。これにより、高濃度の微粒子が前記システムを通過して下方へ移動する空気中に生成され、下側記憶部位中に記憶されたレティクルあるいは基板は露出されていればより高い汚染リスクへと晒される。記憶室の側面に沿って取り付けられた複数の矩形/平面FFUs装置は内側向きの水平な空気流を発生させるかもしれない。しかしながら、FFUsが可動な記憶部位へ近接しているために、乱流を起こすことなく空気の出口を空にする有効な手段がなく、空気は記憶部位を通過して流れた後に記憶室の中央で合流しがちである。かかる記憶室は記憶されたレティクルのロード及びアンロードを容易にするためのアクセスポイントをさらに必要とする。かかるアクセスポイントにおいては、フィルターエレメントを設置することはできないと思われるため、この部位において空気流の等質性に乱れが生ずる。
【0011】
従って、クリーンルーム環境において部材を安全かつ正確に記憶検索するレティクル、ウェーハー及び類似の部材のための記憶検索システムを備えることが望ましい。また、システム全体に及ぶ空気流を等質かつ最適に制御することによって汚染を最小化できるシステムも望まれている。
【0012】
発明の要約
本発明は清浄な環境においてレティクルを安全かつ効率的に記憶する記憶検索システムを対象としている。前記レティクル及び清浄な環境を必要とするウェーハー等の他の部材を記憶するための密閉型記憶装置が与えられ、該記憶装置は汚染物質量を最小限に抑え、半導体製造クリーンルーム中での使用に適する。また、前記レティクルが前記密閉型記憶装置へ出入りする前に該レティクルをアクセスし載置する該記憶装置の露出を最小限に抑える検索装置が前記密閉型記憶装置から分離して与えられている。前記検索装置にはレティクルを記憶装置及び検索装置間のアクセスポートを介して通過させるレティクル移動装置が備えられている。
【0013】
前記記憶装置にはレティクルを記憶する複数のベイをもつ可動性記憶マトリックスが含まれている。この可動性記憶マトリックスは円筒形状をなしその周囲にベイが配置されていることが好ましい。前記可動性記憶マトリックスは密閉型記憶装置の外側に配置された駆動装置によって選択的に移動あるいは回転される。この駆動装置はアクセスポートが望ましいベイあるいはベイの縦列と並ぶように前記可動性記憶マトリックスを移動あるいは回転させる。前記駆動装置が可動性記憶マトリックス及びアクセスポイントと並んだ後、レティクル移動装置は次いで対応するベイから望ましいレティクルを検索する。レティクルへアクセスするため可動性記憶マトリックスを回転させることによって、レティクル移動装置によって移動に必要とされる距離は大幅に減じられる。こりにより、レティクルをさらに多く反復してより正確に検索記憶し、取り扱いによる損傷及び汚染を最小限に抑えることが可能となる。
【0014】
記憶装置の露出が最小限に抑えられる期間である記憶及び検索操作期間を除いて、本願システムは該記憶装置が本来的に密閉されるように設計されている。記憶装置はさらに、モーター、移動部品、回路及び他の汚染物質を生成する構成部品を実質的に含まないように設計されている。例えば、記憶装置の作動に関わる特徴的構成、例えば可動性記憶マトリックスを移動させる駆動装置は記憶装置の外側に配置されている。かかる構成要素を記憶装置内から取り除くことにより、これら汚染物質の発生源を減じあるいは排除することが可能となる。
【0015】
前記システムの小型化と相称的設計によって記憶装置全体にわたる等質な空気の循環が可能となる。空気は記憶装置から排気されて該装置全体への空気流の等質性を増大させる。記憶装置全体へ濾過空気を等質に循環させ排出することによってレティクルが晒される潜在的汚染物質量がシステム全体にわたって最小限に抑えられる。前記した小型化された設計によってシステムには小型のフットプリントを用いることが可能となり、これにより製造クリーンルーム内でのシステムの配置に大きな柔軟性が与えられる。
【0016】
本願発明の他の目的、特徴及び利点は以下の詳細な説明において開示される。
【0017】
発明の詳細な説明
図1(a)及び1(b)は本発明の一実施態様に係るレティクルの記憶検索システムを示す例示図である。本発明に係る記憶検索システム100はウェーハー及び清浄な環境を必要とする他の部材に適するものである。本システム100は、レティクルを記憶する密閉型記憶装置110、レティクルへアクセスする検索装置120、該システム100の作動を制御するコントローラ130、前記記憶装置110へ濾過空気を供給する空気供給部140、及び前記記憶装置へ出入りする際にレティクルを載置する載置部150を備えて構成される。前記記憶装置110は、以下において図により詳細に説明するが、システムから記憶装置110を実質的に分離して汚染物質量を最小限に抑える環境においてレティクルを記憶する。より詳細には、モーター、移動性部品、回路等を記憶装置110の外部に配置して記憶装置の内部から取り除くように設計されている。記憶装置110にはその内部の初期ロードと後の情報提供を行うアクセスパネル112が備えられ、少なくとも1つのアクセスパネルには記憶装置110から空気を排出する通気孔が備えられている。本システム100後部の回路部170は図1(b)に示されている。後部電気アクセスパネル172及び174は前記した回路部170に与えられている。
【0018】
記憶装置110から分離されている検索装置120は、記憶装置110へレティクルを配置し及び該記憶装置からレティクルを検索するために用いられる。レティクルの記憶及び検索を実行する前記検索装置120内にはレティクル移動装置及びアクセスポート(以下に示す図において示す)が備えられている。検索装置120にはその内部にあるレティクルへアクセスするために開けることができる観察窓123を有するドア122が備えられている。検索装置120は必要とされるアクセスにおいて汚染物質を可能な限り最小限に抑えられるように密閉されている。検索装置120内には移動性部品、モーター及び回路が含まれているが、これらは汚染物質が不必要に入り込まないように隔離されている。検索装置120にはさらに側面観察窓124及び少なくとも1つの排気パネル126が備えられている。
【0019】
可動性アーム132がコントローラ130を検索装置120へ取り付けているのでコントローラ130を操作しながらレティクルの記憶及び検索を確認することができる。前記可動性アーム132によってコントローラ130が最適な位置を取ることが可能となる。制御ソフトウェアを作動させるのに十分なマイクロプロセッサ及びメモリをもつコンピュータをコントローラとして用いることが好ましい。載置部150はレティクルをその上面上へ配置するためのドア122に近接して配置されている。
【0020】
空気供給部140はシステム100の上部あるいは側部のいずれかに取り付けることができる。前記空気供給部140は記憶装置110へ濾過空気を供給するが、これについては以下に示す図を参照してより詳細に説明する。本実施態様においては、前記空気供給部140は記憶装置110の上部へ取り付けられる。しかしながら、他の実施態様において、クリーンルーム内の天井の高さによってシステム100に制限が及ぶ場合、空気供給部140を記憶装置110の側部へ取り付けることも可能である。
【0021】
図2に本システムの一実施態様のカッタウェイ図を示す。本システムの内部についてのより詳細な説明は図2−5において行われる。図示したように、記憶装置110の内部には可動性記憶マトリックス200、上部及び底部支持体222及び220、記憶フレーム支持体230が含まれている。本実施態様においては、前記可動性記憶マトリックス200はベイ支持体204間に位置している複数のベイ202を含む円筒状のカルーセルである。前記ベイ202は必要なレティクルを保持するために適当な大きさとなるように設計されている。本実施態様では前記可動性記憶マトリックス200は円筒状カルーセルとして構成されているが、該可動性記憶マトリックス200は例えば三角形、矩形あるいは八角形等、該可動性記憶マトリックス200が回転できあるいは記憶装置110内で移動できる限りにおいていずれの形状及び構成にも設計することが可能である。前記可動性記憶マトリックス200にはベイ202を整列させる上部及び底部マトリックス支持体222及び220が備えられている。前記可動性記憶マトリックス200の高さから配列の維持に必要な場合は、付加的スペーサ206をベイ支持体204間へ設置してもよい。
【0022】
前記底部マトリックス支持体220には噛合いギア300が噛合されている。本実施態様においては、可動ギア300と底部マトリックス支持体220がぴったりと嵌合するように、底部マトリックス支持体220の環状開口部よりも若干小さく形成された環状構造体である。ギア300と底部マトリックス支持体220が滑らずに一緒に移動することを確実とするため、ノッチ302及び304をギア300中に形成して底部マトリックス支持体220のタブ(図示なし)と噛合わせるように構成してもよい。ギア300及び底部マトリックス支持体220の開口部の形状を環状以外の他の形状に構成してもよい。
【0023】
前記ギア300は記憶装置110のサブフロア225上へ配置されている。前記サブフロア225上部の可動性記憶マトリックス200のベイ202中に記憶されたレティクルは、移動性部品、モーター及びサブフロア225下方の回路から分離されている。ギア300はサブフロア225下部において下方へと延びてベルト212によって記憶マトリックス駆動モーターと連結されている。本実施態様において駆動モーター210は、記憶装置110へ汚染物質が入り込む蓋然性を減じるため、記憶装置110から離されて検索装置210の下部に配置されている。
【0024】
前記記憶フレーム支持体230は、パネル112及び他の面あるいはカバーを前記支持体間へ設置して記憶装置110を密閉できるようにサブフロア225の角へと取り付けられる。検索装置120に隣接する記憶装置110表面にはアクセスポートとして開口している中央の柱状部から離れた状態で前記表面の両側を覆う一対のパネルが設けられている。前記記憶フレーム支持体230それぞれの内部には該支持体の全長にわたって延びる空気戻し通路400がある。前記記憶フレーム支持体230それぞれの内部にはさらにサブフロア225の若干上方に配置された通気孔410がある。前記記憶フレーム支持体230の内部には記憶装置110の内部から空気戻し通路400へ空気を出すことを可能とする可変空気戻しパネル500が備えられている。前記可変空気戻しパネル500は、等質な空気流を記憶装置110全体にわたって起こせるように様々な量の空気を脱気できるように設計されている。
【0025】
一般的に、より少量の空気を脱気できる空気戻しパネル500は記憶装置110の底部付近に設置され、他方においてより多量の空気を脱気できる空気戻しパネル500は記憶装置110の上部付近に設置される。図5に示した実施態様においては、前記空気戻しダクトは底部空気戻しパネル502における5%戻し面積開口部から最上部空気戻しパネル512における50%戻し面積開口部までにわたる種々の割合の戻し面積開口部が形成された複数の孔が開けられた空気戻しパネル502、504、506、508、510及び512によって構成されている。前記空気戻しパネル502、504、506、508、510及び512の目的は、空気戻し通路400中への流速を制御し、及び記憶装置110内の高さによって空気戻しパネルそれぞれへ入る空気流量の等質性に影響が及ぶ摩擦ロス及び流体静力学的差異を補正することである。この最終的結果として、記憶装置110の全高の範囲内で等質な水平流パターンが確立される。
【0026】
必要とされる孔開けのパーセント開口面積は記憶装置110の特有な外形に依存するので、空気戻し通路400の断面、全流量、他のパーセント開口面積値、空気パネル品質及び孔開けの変化率を想定することが可能である。例えば、例示的な一実施態様においては、可変空気戻しパネルは、5%空気戻し開口部をもつ空気戻しパネル502、10%空気戻し開口部をもつ空気戻しパネル504、20%空気戻し開口部をもつ空気戻しパネル506、30%空気戻し開口部をもつ空気戻しパネル508、40%空気戻し開口部をもつ空気戻しパネル510、及び50%空気戻し開口部をもつ空気戻しパネル512を備えて構成される。戻し面積開口部は各空気戻しパネルへ入る空気量に比例しないと認められる。この意図はダクトの頂部から底部へと入る空気量(流量CFM)を一様にして維持することである。孔開け比率の制限、管内流に連関する摩擦ロス、及び空気戻し通路400内の空気流速度(底部へ向かって速度は増大する)の変更の助力を得なくても、空気は最も抵抗の小さい通路を流れる傾向がある。かかる場合、空気の相対的に多くの部分はダクトの外部排気ポートに最も近い最底部の空気戻しパネルへと入るので、高度の作用として空気供給部140から空気戻し通路400への等質水平な流速が妨げられる。本発明の実施態様に係る上記空気戻しパネル構成は記憶装置110内に等質水平な流れパターンを維持することを目的とするものである。
【0027】
前記検索装置120のカッタウェイ図は図2にも示されている。検索装置120には記憶装置110に隣接する表面にある二つのフレーム支持体240と該検索装置120の対向する前面にある二つのフレーム支持体242が設けられている。これら支持体240及び242の間にはパネル、ドア、通気孔及び窓122、123、124、126及び128が設置されて前記検索装置120を密閉している。フレーム支持体240のガイド252内には可動性レティクル移動支持体250が配置されてレティクル移動支持体250がコントローラ130に反応してフレーム支持体240の長さに沿って垂直方向へと移動できるようになっている。
【0028】
前記検索装置120内にはレティクル移動装置260がコントローラ130からの指令に反応して水平方向、垂直方向、後方及び前方へ移動できるように接続されている。前記レティクル移動装置260には支持体ハウジング264へ取り付けられたレティクル格納部262が含まれている。このレティクル格納部262は、前記支持体ハウジング264のトラック266中にスライド可能に噛合わされることによって前記可動性記憶マトリックス200へレティクルを運んだり、また該マトリックスからレティクルを検索するために用いられる。前記支持体ハウジング264は前記レティクル移動装置260の水平移動を可能にするモジュール支持体250のトラック254中にスライド可能に噛合っている。その結果、望ましいレティクルへ適切なベイ202からアクセスできるように、レティクル移動装置260は記憶装置110の前面に沿ったいずれの座標へも正確に移動できる。
【0029】
図6-8はレティクル移動装置260と本発明に係るシステムとの関係を示した図である。被覆された入口ポート610、移動ブロック620及びボディー630が前記レティクル格納部262の一部として含まれている。レティクルの記憶あるいは検索を行う際、オペレーターは前記ボディー630から望ましいレティクルを配置あるいは取り戻す。記憶させる際には、望ましいレティクルがボディー630上へ置かれ、次いで該レティクルは移動ブロック620へ接触し入口ポート610を通ってボディー630に沿ってスライドし、次いで移動ブロック620から延びるグリッパ622を用いて前記レティクルを可動性記憶マトリックス200の望ましいベイ202中へ設置する。検索に際しては、前記移動ブロック620のグリッパ622が望ましいベイ202から入口ポート610を介してボディー630上へとレティクルへアクセスし、次いで前記レティクルはオペレーターによる取り戻しのため前記移動ブロック620から前記移動ボディー630に沿って接触によってスライドする。トラッキング装置800を用いてフレーム支持体240に沿ってレティクル移動装置260を移動させる。このトラッキング装置800にはプーリ820のための下部及び上部ハウジング810及び812とフレーム支持体240に沿って前記下部ハウジング810をガイドするためのホイール820が備えられている。
【0030】
図9及び10は空気供給部の一実施態様を示す図である。この実施態様においては、空気供給部140には側部に取り付けたフィルターモーター910と空気濾過装置920が備えられている。空気濾過装置920は記憶装置110の頂部にある可動性記憶マトリックス200の上方へそのまま設置され、前記フィルターモーター910へと接続される。前記濾過装置920には前記可動性記憶マトリックス200の中心を通って延びるフィルター922、アーチ状の屋根924、及び前記濾過装置920を記憶装置110へ連結するフィルター取付台926が備えられている。前記フィルター922の中心を通るように引っ張りロッド930が延び、該ロッドは回転翼940へ連結されている。この回転翼940には回転翼ハウジング942及び943と回転翼取付台945が備えられている。前記アーチ状屋根924の上には記憶装置110内の圧力を感知する感圧センサ950が設置されている。頂部960及びフィンガーガード962が前記空気濾過装置920の上部へ被せられている。
【0031】
図11は記憶マトリックス内に等質な濾過空気流を発生する空気拡散器組立て部材1100の本発明に係る一実施態様を示す図である。前記拡散器組立て部材1100は記憶装置内の中心部に設置され、1または2以上のチューブ形状のフィルターエレメント1120及び1122、前記拡散器組立て部材1100の頂部に取り付けた空気発生源1110及び前記拡散器組立て部材1100の底部に取り付けられた末端キャップ1130を備えて構成されている。前記チューブ形状のフィルターエレメント1120及び1122は円筒形状であることが好ましい。しかしながら、複数の平面状側面(ファセット)上に形成されたフィルターエレメントはこのような使用法も可能とされる前記フィルターエレメント1120及び1122の別の例示である。
【0032】
前記フィルターエレメント1120及び1122は、空気流の該フィルターエレメントの通過を可能とするために高い差圧(拡散器組立て部材1100内の圧力P1よりかなり小さい記憶領域1140及び1142中の圧力P2)を要する空気流を十分に制限する材料からできている。より具体的には、前記材料は、十分に高い差圧(P1>>P2)へ晒された時にフィルターエレメント1120及び1122の全表面から出る空気流が所望の等質性をもつ程度まで同質であればよい。加圧空気の供給源を与えるため、ファンあるいはブロワー1112が前記拡散器組立て部材1100の頂部へじかに取り付けられる。あるいは、ファンあるいはブロワーを離して取り付けてダクトシステム(図示なし)を用いて連結してもよい。
【0033】
前記フィルターエレメント1120及び1122によって生じた後方圧は、空気が拡散器組立て部材1100へ入る時に残余下方流速度及び入口速度効果を打ち消する。これにより、高いアスペクト比(長さ/直径)をもつ拡散器組立て部材構造を該構造から出る空気流の等質性を損なうことなく作ることができる。前記拡散器組立て部材1100内部の内部静圧はその全体にわたって等しいので、出流を発生する原動力もまた等質となり、拡散器組立て部材1100の全表面に及ぶ等質な空気流が図11において矢印で示すように生じる。周辺環境が開放されているかあるいは相称的に通気された室内である場合は、本願に係る拡散器組立て部材1100は等質な空気流を発生するに十分なものである。円筒形状を成すフィルターエレメント1120及び1122が相称な縦軸とともに取り付けられる場合においては、空気流は水平であり拡散器組立て部材1100表面に沿った上昇流に拘わらず一様な速度で放射状に出て行く。
【0034】
一旦空気が拡散器組立て部材110を出ると空気流の等質性が維持されることが望ましい。最初に、拡散器組立て部材110を出た空気は放射状に外側へ移動し、空気の移動が半径に沿って増加するにつれてその移動速度は対応する比率で減少する。記憶されたレティクル上への最適な空気流速度を維持するために、記憶マトリックスには図12(a)及び12(b)に示したような複数の楔形状の断面を有する記憶柱状体1211-1221が備えられている。前記記憶柱状体1211-1221の楔形状断面の角度は、空気流が通過し記憶されたレティクルが支持される部位である側部チャネル1230-1240が平行となる角度である。従って、濾過空気が記憶部位を通過する際に空気流の速度がそれ以上に減じられることはなく、記憶されたレティクルはフィルターエレメント1120及び1122表面からの放射状距離に関わりなく上面及び底面の全体にわたって等質な空気流速度に晒されるようになる。
【0035】
前記拡散器組立て部材1100が密閉された室1300内にある場合、空気除去方法もまた該室内における空気流の等質性の形成に影響を与える。先に検討したように、半導体装置の通気は床面あるいは床面付近で行うことが好ましい。拡散器組立て部材1100は等質な空気流を発生するが、もし1または2以上の通気孔1310及び1312が前記室1300の底部付近に設置されれば、空気流は一旦拡散器組立て部材1100の表面から出ると抵抗が最小である通路を流れる傾向がある。従って、拡散器組立て部材1100の底部を出た空気はその付近に形成された前記室1300から通気孔1310及び1312へ出るため移動する短い通路をもち水平に移動し続ける傾向がある。しかしながら、拡散器組立て部材1100の頂部へ向かって出る空気は長い距離を移動して矢印で示すように拡散器組立て部材1100を出た後すぐに下方流成分を発生する傾向がある。
【0036】
非相称な通気によってかかる空気流が乱される傾向を打ち消すため、本発明の一実施態様においては図14に示すような空気戻しシステムが提供されている。この実施態様においては、空気を等質となる方式で集め、空気が空気戻し1410及び1412へ入る前の室1400内の空気流の等質性を維持しながら排気部位へと運ぶ。前記空気戻し1410及び1412としては、中央の拡散器組立て部材1100の周囲に位置する中空の室(ダクト)及び記憶マトリックスの外側囲いを形成する記憶ゾーン1140及び1142がその機能を果たす。
【0037】
前記記憶マトリックスに面する前記空気戻し表面には孔が開けられ、本発明の一実施態様においては複数の孔の開けられたパネルを使用して、室1400内の空気が該パネルを通過して入るようにしている。前記空気戻し1410及び1412のパネルに対する一般にパーセント開口面積で示される孔開けスケジュールは室1400内の上昇流の作用により一様ではない。前記室1400の底部付近ではより小さな孔開けスケジュールを用いて空気流へ制限を加え、また該スケジュールは徐々に大きくされて前記室1400の頂部付近では空気流を助長するためにより大きな孔開けスケジュールとなっている。その結果、移動距離及び生ずる摩擦流ロス双方の効果は前記空気戻し1410及び1412中で打ち消される。
【0038】
前記室1400内での上昇流の作用により空気戻し1410及び1412へ加えられる適当な孔開けスケジュールを用いて拡散器組立て部材1100表面から空気戻し1410及び1412へ入るまでの流出時間における空気流の方向及び等質性を維持する。空気戻し1410及び1412内を移動する空気はもはや等質ではないが、空気流はすでに記憶されたレティクル上を通過しているので、記憶されたレティクルを横切る濾過空気の等質率を維持する際における前記室1400の性能はもはや影響を受けない。前記非相称排気効果を打ち消すために必要とされる特定の孔開けスケジュールは前記室の特有な構造、アスペクト比、空気戻し断面及び望ましい特定の空気流速度に依存し、該スケジュールは既知の流れ分析式の適用、コンピュータモデリング、あるいは実験を介して決定される。
【0039】
調整可能な排気ポート1420及び1422を空気戻し1410及び1412と組み合わせて用いてクリーンルームに対する正の圧力が維持されるように各空気戻し1410及び1412内における空気流速度の付加的制御を行うことができる。前記調整可能な排気ポート1420及び1422は、さらに空気の排出を行う隣接装置あるいは壁等の記憶及検索システムの周囲環境の結果として受ける何らかの負の影響を打ち消すことができる。
【0040】
本願において開示された発明概念から逸脱することなく上記技術の他の改良及び変形を行うことは当業者にとっては自明である。従って、本発明は付帯の特許請求の範囲に記載した発明の範囲及び趣旨によってのみ限定されると理解されなければならない。
【図面の簡単な説明】
本願発明は以下の発明の詳細な説明を図面と共に参照することによりさらに完全に理解されるものである。
【図1(a)及び1(b)】本発明の一実施態様に係る記憶検索システムを図解した図である。
【図2】本発明の一実施態様に係る記憶検索システムの内部を示す断面図である。
【図3】本発明の一実施態様に係る記憶検索システムのための支持駆動装置を示す図である。
【図4】本発明の一実施態様に係る記憶検索システムのための側部支持体を図解した図である。
【図5】本発明の一実施態様に係る記憶検索システムのための空気戻しパネルを示す側部支持体のカッタウェイ図である。
【図6】本発明の一実施態様に係るレティクル移動装置の部分を示す詳細説明図である。
【図7】本発明の一実施態様に係る記憶検索装置及びレティクル格納部を示す側面図である。
【図8】本発明の一実施態様に係るレティクル移動装置のためのプーリシステムを示す図である。
【図9】本発明の一実施態様に係る記憶検索装置のための空気濾過システムを示す図である。
【図10】本発明の一実施態様に係る空気濾過システムの構成部品を示す展開図である。
【図11】本発明の一実施態様に係る拡散器組立て部品を示す図である。
【図12(a)及び12(b)】本発明の一実施態様に係る拡散器組立て部品のための支持体及びチャネルを示す図である。
【図13】本発明の一実施態様に係る密閉された室内の拡散器組立て部品を示す図である。
【図14】本発明の他の実施態様に係る密閉された室内の拡散器組立て部品を示す図である。
Claims (14)
- 部材を記憶する複数のベイを有する可動性記憶マトリックス、
前記可動性記憶マトリックスをその上へ取り付ける基体部、及び
前記基体部へ連結された駆動装置を備える密閉型記憶装置と、
前記密閉型記憶装置から隔離された分離筐体によって密閉された密閉型検索装置であって、前記可動性記憶マトリックスから前記部材を検索し、前記密閉型記憶装置の密閉可能なアクセス通路を介して前記密閉型記憶装置及び前記密閉型検索装置間で前記部材を渡すレティクル移動装置、
前記駆動装置へ連結され、前記可動性記憶マトリックスを移動させる駆動モーター、及び
前記レティクル移動装置を配置して前記部材を検索するトラックを備える前記密閉型検索装置と、
前記駆動モーター及び前記可動性記憶マトリックスを配置して部材を記憶検索する前記レティクル移動装置を制御するコントローラと、
濾過空気を一様に前記密閉型記憶装置へ供給し次いで前記密閉型記憶装置全体にわたって前記濾過空気を循環させた後に前記密閉型記憶装置から前記濾過空気を排出する空気循環器から構成される部材記憶検索システム。 - 前記記憶マトリックス内の中央に位置し、部材を記憶する前記複数のベイ内に等質な濾過空気流を発生させる拡散器組立て部材をさらに含んで構成されることを特徴とする請求項1項記載のシステム。
- 前記拡散器組立て部材が一様に制限を与えるフィルター媒体を有する少なくとも1個のフィルターエレメントと前記記憶マトリックス内への濾過空気の一様な供給を起こす加圧空気供給部から構成されることを特徴とする請求項2項記載のシステム。
- 前記拡散器組立て部材が、前記ベイ用の平行な記憶スロットを作成し、維持し、前記ベイ中へ濾過空気を導く複数の楔形状の柱状体を含むことを特徴とする請求項2項記載のシステム。
- 前記記憶マトリックスを取り囲み及び前記拡散器組立て部材からの濾過空気の非相称な通気を打ち消す複数の空気戻し体をさらに備えることを特徴とする請求項2項記載のシステム。
- 前記空気戻し体は垂直方向を向き、前記記憶マトリックス内の高度が増加するにつれて通気される空気量を増加させる可変空気引き込み構造を含むことを特徴とする請求項5項記載のシステム。
- 前記密閉型記憶装置が、前記空気戻し体に濾過空気が一様に流れるように十分な後方圧を発生させる複数の調整可能な排気ポートを備えることを特徴とする請求項5項記載のシステム。
- レティクルを記憶する複数のベイを有する円筒状記憶マトリックス、
その上へ前記円筒状記憶マトリックスを取り付ける回転可能な基体部、及び
前記回転可能な基体部へ連結された駆動装置を備える密閉型記憶装置と、
前記密閉型記憶装置から隔離された分離筐体によって密閉された密閉型検索装置であって、前記円筒状記憶マトリックスから前記レティクルを検索し、前記密閉型記憶装置の密閉可能なアクセス通路を介して前記密閉型記憶装置及び前記密閉型検索装置間で前記レティクルを渡すレティクル移動装置、
前記円筒状記憶マトリックスを回転させる、前記駆動装置へ連結された駆動モーター、及び
前記レティクル移動装置を配置して前記レティクルを検索するトラックを備える前記密閉型検索装置と、
前記駆動モーター及び前記可動性記憶マトリックスを配置してレティクルを記憶検索する前記レティクル移動装置を制御するコントローラと、
前記密閉型記憶装置へ濾過空気を一様に供給し、次いで前記密閉型記憶装置を通して前記濾過空気を循環させた後に前記密閉型記憶装置から前記濾過空気を排気する空気循環器から構成される清浄環境中におけるレティクル記憶検索システム。 - レティクルを記憶する前記複数のベイ内に等質な濾過空気流を発生する前記記憶マトリックス内の中央に位置する拡散器組立て部材をさらに含むことを特徴とする請求項8項記載のシステム。
- 前記拡散器組立て部材が一様に制限を与えるフィルター媒体を有する少なくとも1個のフィルターエレメントと前記記憶マトリックス内に濾過空気の等質な供給を起こす加圧空気供給部から構成されることを特徴とする請求項9項記載のシステム。
- 前記拡散器組立て部材が前記ベイ用の平行な記憶スロットを作り、維持し、該ベイを通して濾過空気を等質的に導く複数の楔形状の柱状体を含むことを特徴とする請求項8項記載のシステム。
- 前記拡散器組立て部材からの濾過空気の非相称な通気を打ち消す前記記憶マトリックス周囲を取り囲む複数の空気戻し体をさらに備えることを特徴とする請求項9項記載のシステム。
- 前記空気戻し体が垂直方向を向き、前記記憶マトリックス内の高度が増加するにつれて通気される空気量を増加する可変空気引き込み構造を備えることを特徴とする請求項12項記載のシステム。
- 前記密閉型記憶装置が前記空気戻し体に濾過空気の一様な流れを与えるのに十分な後方圧を起こさせる複数の調整可能な排気ポートを備えることを特徴とする請求項12項記載のシステム。
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US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
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US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
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US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
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US9786536B2 (en) * | 2015-12-07 | 2017-10-10 | Microchip Technology Incorporated | Reticle rack system |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
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KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
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US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
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US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
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US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
CN111316417B (zh) | 2017-11-27 | 2023-12-22 | 阿斯莫Ip控股公司 | 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置 |
WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
WO2019142055A2 (en) | 2018-01-19 | 2019-07-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
EP3737779A1 (en) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
JP2021529254A (ja) | 2018-06-27 | 2021-10-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
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US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
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USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
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USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
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CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
JP2021019198A (ja) | 2019-07-19 | 2021-02-15 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
KR20210014824A (ko) | 2019-07-30 | 2021-02-10 | 삼성전자주식회사 | 마스크 저장 장치 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
TW202140831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
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KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US20220102177A1 (en) * | 2020-09-30 | 2022-03-31 | Gudeng Precision Industrial Co., Ltd. | Reticle pod with antistatic capability |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
CN112198755A (zh) * | 2020-10-20 | 2021-01-08 | 江苏高光半导体材料有限公司 | 一种掩膜版存储使用一体装载盒 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US20220168677A1 (en) * | 2020-12-01 | 2022-06-02 | Yi-Ching Liu | Machine protection frame device with function of air filtering |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63174333A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-07-18 | Tokyo Electron Ltd | 半導体ウエハ収納用ストツカ |
JPS63229278A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-26 | 清水建設株式会社 | クリ−ンル−ム用ストツカ− |
JPH03188646A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-16 | Dan Sangyo Kk | クリーン・ストッカ |
JPH04233747A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Tokyo Electron Tohoku Kk | キャリアストッカ |
JPH0670242U (ja) * | 1992-05-22 | 1994-09-30 | 三機工業株式会社 | クリーンストッカ |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4757355A (en) * | 1985-10-29 | 1988-07-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask storing mechanism |
GB2199022B (en) * | 1986-11-20 | 1991-01-02 | Shimizu Construction Co Ltd | Dust tight storage cabinet apparatus for use in clean rooms |
US4986715A (en) * | 1988-07-13 | 1991-01-22 | Tokyo Electron Limited | Stock unit for storing carriers |
US5431599A (en) * | 1990-08-29 | 1995-07-11 | Intelligent Enclosures Corporation | Environmental control system |
JPH09153533A (ja) * | 1995-12-01 | 1997-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハ保管システムおよびそのシステムを使用した半導体装置の製造方式 |
US5944602A (en) * | 1997-09-09 | 1999-08-31 | Tumi Manufacturing, Inc. | Portable cleanroom cabinet assembly |
US6284020B1 (en) * | 1997-12-02 | 2001-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of maintaining cleanliness of substrates and box for accommodating substrates |
US6240335B1 (en) | 1998-12-14 | 2001-05-29 | Palo Alto Technologies, Inc. | Distributed control system architecture and method for a material transport system |
-
2001
- 2001-07-06 JP JP2002514469A patent/JP4825396B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-06 DE DE60131539T patent/DE60131539T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-07-06 WO PCT/US2001/021376 patent/WO2002008831A2/en active IP Right Grant
- 2001-07-06 TW TW090116608A patent/TW523788B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-07-06 KR KR1020037000063A patent/KR100729472B1/ko active IP Right Grant
- 2001-07-06 EP EP01952466A patent/EP1303729B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-06 US US09/900,526 patent/US6562094B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63174333A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-07-18 | Tokyo Electron Ltd | 半導体ウエハ収納用ストツカ |
JPS63229278A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-26 | 清水建設株式会社 | クリ−ンル−ム用ストツカ− |
JPH03188646A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-16 | Dan Sangyo Kk | クリーン・ストッカ |
JPH04233747A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-21 | Tokyo Electron Tohoku Kk | キャリアストッカ |
JPH0670242U (ja) * | 1992-05-22 | 1994-09-30 | 三機工業株式会社 | クリーンストッカ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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