JPH03199579A

JPH03199579A - クリーンルーム

Info

Publication number: JPH03199579A
Application number: JP33946789A
Authority: JP
Inventors: Takenobu Matsuo; 剛伸松尾; Takashi Tanahashi; 隆司棚橋
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Sagami Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Sagami Ltd
Priority date: 1989-12-27
Filing date: 1989-12-27
Publication date: 1991-08-30
Anticipated expiration: 2013-05-13
Also published as: JP2750304B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、クリーンルームに関する。

（従来の技術）一般に半導体素子の製造は、高度に清浄化された雰囲気
を有する室内、いわゆるクリーンルーム内で行われてい
る。ところで、最近、半導体素子の集積度が４Ｍｂｉｔ
　、　１６Ｍｂｉｔ　　というように高集積化されるに
つれて、クリーンルーム内の空気清浄度をさらに高くす
る必要が生じてきており、−部ではクラス１０　（粒子
径０．５μ−以上の累積粒子数がｔｒｔ’中に１０個以
下）といった高清浄度のクリーンルームも使用されてい
る。

このような高清浄度のクリーンルームでは、室内全体を
例えばクラスｌＯといった高清浄度に保つのではなく、
例えば製造装置等を櫛歯状に対向させて配列し、製造装
置の前面やこれら製造装置に被処理物である半導体ウェ
ハを室内雰囲気に晒された状態で供給する搬送経路のみ
をクラスｌＯといった高清浄度に保ち、製造装置間の作
業域等はクラス　１００　捏度を維持するといったよう
に、室内の位置において清浄度を制御するような構造が
一般的に採用されている。

第４図は、複数機の縦型熱処理炉が収容され、さらにウ
ェハキャリアから半導体ウェハをウエノ＼ボートに移載
する一台のウェハ移載装置を共用するよう配置したクリ
ーンルーム内を図示したものである。複数並列配置され
た縦型熱処理炉１の配置列に泊って前面側に、複数枚の
半導体ウェハ２が棚積み収容されたウェハボート３の搬
送装置４が設置されている。清浄気体供給部５は、クリ
ーンルーム内上方に配置されており、清浄気体をダウン
フロー（図中矢印ａ〉させ、床面に設けられた排出部６
から排出される。そして、上記搬送装置４による搬送経
路に、例えばクラスｌＯといった高清浄領域Ａが形成さ
れるように、清浄気体供給部５のフィルタとしてＵＬ）
’Ａフィルタといった高ｔ−を浄化フィルタ６が設置さ
れている。また、搬送経路外の作業者Ｂによる作業域Ｃ
は、クラス１００捏度の低清浄度領域りとされており、
設定したンーＩ浄度クラスに応じたフィルタ７が設置さ
れる。

（発明が解決しようとする課題）ところで、上述したクリーンルームにおいて、作業者Ｂ
が搬送経路から充分に離れた位置で作業している際には
、それぞれの領域Ａ、Ｂの上記清浄度クラスを維持する
ことが可能である。

しかしながら、第４図に示したように、作業者Ｂが搬送
経路に接近した場合、例えば作業者Ｂを中心とし作業者
Ｂの身長分の半径Ｒの川内に搬送経路の一部が入った場
合、低清浄度の気体が搬送経路、すなわち高清浄領域Ａ
側（図では斜線部）に混入してしまい、歩留りの低下を
招いてしまうという問題がある。

これは、層流状態を保つ必要がある清浄気体の流れが作
業者Ｂと衝突した際に送流が乱され、汚染源である作業
者Ｂに接して清浄度を低下した気体が凸清浄領域Ａ側に
混入したり、渦流を形成することによって空気のよどみ
が発生し、汚染を誘発してしまうためである。特に、ウ
ェハボート３に棚積み収容された半導体ウェハ２のよう
に、清浄気体に直接語されにくい構造のものでは、僅か
な清浄度のへ下によって半導体素子の不良発生を起こす
恐れが高い。

本発明は、このような従来の事情に対処してなされたも
ので、作業者等のような移動する汚染源が存？’Ｅ　し
ても、より高い空気清浄度を必要とする領域の空気清浄
度の低下を防止することを可能にしたクリーンルームを
提供することを目的とするものである。

［発明の構成］（課題を解決するための手段）すなわち本発明のクリーンルームは、高清浄気体流の雰
囲気と低清浄気体流の雰囲気とを有するクリーンルーム
において、このクリーンルーム西に配置される汚染源領
域および高清浄気体流領域との間に、前記清浄気体の流
れ方向とｉ１ξ行に隔壁を設けたことを特徴と、してい
る。

また、上記クリーンルームにおける隔をを透明部材で形
成するとともに、その表面に導電性処理を施したことを
特徴とするものである。

（作　用）汚染源領域および高清浄気体流領域の間に、１ｎ浄気体
の流れ方向と平行に隔壁を設けることによって、清浄気
体流が汚染源に接触することによって清浄度が低下した
気流による高清浄気体流領域の清浄度の低下が防止され
る。

（実施例）以下、本発明をペイ方式のクリーンルームに適用した実
施例を図面を参照して説明する。

上記ペイ方式のクリーンルーム１０は、第１図に示すよ
うに、搬送領域を兼ねた中央作業域Ｅから櫛の歯状に複
数の処理域Ｆが設けられた構成である。

上把各処狸域Ｆは、半導体製造装置例えばバッチ式の縦
型熱処理炉１１が中央部の作業域Ｇを介して対向して複
数並列設置されて構成されている。

これら縦型熱処理炉１１の各配置列のローディング位置
には、図示を省略したウェハキャリア内に収容された半
導体ウェハを熱処理用の収容容器である石英Ｗで形成さ
れたウェハボート１２に移載するためのウェハ移載装ｒ
Ｉ１１３が各列毎に設置されている。また、各列のウェ
ハ移載装置１３および複数並列設置された各縦型熱処理
炉１１部間には、配置列方向にウェハボート１２を直立
させた状態でローディング、アンローディングする如く
搬送装置ｉ１４が各列毎に設置されている。

この搬送装ｇＩｉ１４によるウェハボート１２の搬送に
際し、ウェハボート１２に収容された半導体ウェハ１５
は、直接クリーンルーム１０内の雰囲気に晒されるため
、この搬送装置１４による搬送経路は、例えばクラス１
０といった高２／）　ｆｐ領領域化設定されている。ま
た、縦型熱処理炉１１の各配置列間の作業域Ｇは、直接
作業者１による作業位置となるため、例えばクラス１０
０捏度の低清浄領域Ｊとされている。

これら清浄領域Ｈ，Ｊの区分けは、第２図に示すように
、室西上方に設けられた清浄気体供給部１６のフィルタ
１７を、各清浄度クラスに応じて設定することにより行
われている。すなわち、清浄気体供給部１６の送風ファ
ン１８から供給された気体は、各フィルタ１７を通過す
ることによって所定の清浄度の清浄気体とされ、ダウン
フロー（図中矢印ａ）して各清浄領域Ｈ，Ｊに供給され
る。そこで、高清浄領域Ｈ側のフィルタ１７としては、
ＵＬＰＡフィルタといった高清浄化フィルタ１９が設置
されている。また、作業域Ｇとなる清浄領域Ｊ側のフィ
ルタ１７としては、清浄度クラスに応じた通常のフィル
タ２０が設置されている。

なお、清浄気体の排出は、床面に設けられた排出部２】
から行われる。

そして、このクリーンルーム１０内には、クラス１０と
いった超清浄領域Ｈとクラス１００捏度の低清浄領域Ｊ
とのｆＨＪに、換言すれば搬送装Ｗ１１４の駆動でウェ
ハボート１２が移動される搬送経路および作業域６間に
、搬送装置ｉ！１４による搬送経路を囲う如くＬ字状に
隔壁２２が設けられる。この隔壁２２は、清浄気体によ
るダウンフローａの流れ方向と平行に設けられており、
その高さは移動する汚染源例えば作業者１の身長以上の
高さ、たとえば１８００ｍ−程度に設定されることが望
ましい。

ここで、上記隔壁２２の具体的な構成例としては、第３
図に示すように、縦型熱処理炉１１の配置列前方および
ウェハ移載装置ｆ１３の側方から列方向にかけてアング
ルや角材等によって形成された支持枠２３を設置し、こ
の支持枠２３に！！２Ｉ材２４材膜４可能に固着したも
のである。勿論開閉自在なドア構造でもよい。

この壁部（４２４は、低発塵性部材で透明な部材例えば
透明塩化ビニル樹脂等によって形成されている。これは
、ウェハボート１２の搬送状態や縦型熱処理炉１１の作
動状態を直接作業者が監視できることを可能にするため
であり、これによって隔壁２２を設けたことによる作業
効率の低下が防ｔｌｘされる。

また、壁部材２４の表面には導電層ｆ’ｌが施されてい
る。これは、清浄気体による気流があるため、絶縁表面
では気体一固体間の接触によって静電気が発生し、上記
壁表面にダストが吸着したり、空気のよどみを形成して
しまうためである。壁部材２４表面の導電処理としては
、低発塵状の静電除去剤の塗布が一般的に用いられてい
るが、クリーンルーム１０内の清浄度に対する影響を考
慮した場合、透明樹脂からなる板材の表向層として導電
層が直接形成されているもの、例えば訓電プレート（商
品名、■タキロン製）等を使用することが好ましい。こ
れは、静電除去剤は経時的に劣化しやすいばかりでなく
、劣化によって汚染源となるためである。

上記構成のクリーンルームによれば、第２図に示したよ
うに、搬送装置１４による搬送経路すなわち高清浄領域
Ｈと、クラス　１００程度の低清浄領域Ｊで、移動する
ような汚染源の介入可能性を予め設定した作業域Ｇとの
間に設けた隔壁２２によって、作業域Ｇ側で作業者１に
よって乱された清浄気体の気流の影響が直接高清浄領域
Ｈ側まで及ぶことを低減している。これによって、高清
浄領域Ｈは常に一定条件下での清浄度を保つことが可能
となる。上記隔壁２２は、単に汚染源である作業者ｌに
接触して清浄度が低下した気体を遮るのみならず、作業
者１等によって気流が乱されることにより、空気のよど
みが発生することによって誘発された汚染源からも高超
清浄領域Ｈを保護している。

また、隔壁２２として透明でかつ表面が導電処理された
部材を使用することにより、隔壁２２を設けたことによ
る悪影響の心配もなくなる。

なお、上記実施例では異なる清浄度クラスの領域間に隔
！２２を設けた例について説明したが、同一清浄度の領
域内に隔Ｔ２２２を設けてもよい。

また、移動する汚染源として作業者ｌを例にとって説明
したが、これに限らず各種汚染源に対して本発明は有効
である。さらに、隔壁２２に適宜の大きさの孔を多孔に
形成してもよい。この場合は透明でなくても監視できる
効果がある。さらに、当該隔壁対策部について流速を変
え、高清浄気体流雰囲気を陽圧にしてもよい。

［発明の効果］以上説明したように本発明のクリーンルームによれば、
室内を移動する汚染源の影響を排除することができ、こ
れによって設定した空気清浄度を安定して維持すること
が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明をべ、イ方式のクリーンルームに適用し
た一実施例を示す説明図、第２図は第１図のｘ−ｘＢに
沿った断面でクリーンルーム内を説明するための説明図
、第３図は第１図の壁部材の取付けを説明する説明図、
第４図は従来のクリーンルームの一構成例を示す断面図
である。１０・・・・・・クリーンルーム、１１・・・・・・縦
型熱処理炉、１２・・・・・・ウェハボート、１３・・
・・・・ウェハ移載装置、１４・・・・・・搬送装置、
１６・・・・・・清浄気体供給部、１７・・・・・・フ
ィルタ、２１・・・・・・気体排出部、２２・・・・・
・隔を、Ｈ・・・・・・高清浄領域、■・・・・・・作
業者、Ｊ・・・・・・低清浄領域。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）高清浄気体流の雰囲気と低清浄気体流の雰囲気と
を有するクリーンルームにおいて、このクリーンルーム内に配置される汚染源領域および高
清浄気体流領域の間に、前記清浄気体の流れ方向と平行
に隔壁を設けたことを特徴とするクリーンルーム。
（２）請求項１記載のクリーンルームにおいて、前記隔
壁が透明部材で形成されているとともに、その表面に導
電処理が施されていることを特徴とするクリーンルーム
。